JP3107923B2 - 太陽光を利用した発電装置 - Google Patents
太陽光を利用した発電装置Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽光による発電装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置は、「Ｓ．Ｈ．ＥＬ
−ＨＥＦＮＡＷＩ ｅｔ ａｌ．“Ｆｒｏｎｔ−ｌａｙ
ｅｒ ｄｅｓｉｇｎ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｆｏ
ｒ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ
ｕｎｄｅｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｄ ｎｏｎｕｎ
ｉｆｏｒｍ ｓｕｎｌｉｇｈｔ” Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ
ａｌ ＰＶＳＥＣ−５，ｋｙｏｔｏ，Ｊａｐａｎ １９
９０ Ｐ．９１９」に開示されるようなものがあり、構
成材料としての半導体のバンドギャップエネルギー以上
の太陽光を吸収し、その光により生成された自由電子と
自由正孔のＰＮ接合間での移動により、起電力が生じ、
太陽光受光部側に接触したグリッド電極と、受光部とは
反対側の面に接触した電極の両電極により、生じた電力
を取り出すものであった。
−ＨＥＦＮＡＷＩ ｅｔ ａｌ．“Ｆｒｏｎｔ−ｌａｙ
ｅｒ ｄｅｓｉｇｎ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｆｏ
ｒ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ
ｕｎｄｅｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｄ ｎｏｎｕｎ
ｉｆｏｒｍ ｓｕｎｌｉｇｈｔ” Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ
ａｌ ＰＶＳＥＣ−５，ｋｙｏｔｏ，Ｊａｐａｎ １９
９０ Ｐ．９１９」に開示されるようなものがあり、構
成材料としての半導体のバンドギャップエネルギー以上
の太陽光を吸収し、その光により生成された自由電子と
自由正孔のＰＮ接合間での移動により、起電力が生じ、
太陽光受光部側に接触したグリッド電極と、受光部とは
反対側の面に接触した電極の両電極により、生じた電力
を取り出すものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来構成の太陽光による発電装置では、受光部側の電
極がグリッド型の場合、電極部分に照射された太陽光
は、電極下の光起電力の発生部分には入射されず、影と
なってしまい、その部分では光起電力は生じない。した
がって、その電極部分に照射された太陽光のエネルギー
を損失してしまうという問題点があった。
た従来構成の太陽光による発電装置では、受光部側の電
極がグリッド型の場合、電極部分に照射された太陽光
は、電極下の光起電力の発生部分には入射されず、影と
なってしまい、その部分では光起電力は生じない。した
がって、その電極部分に照射された太陽光のエネルギー
を損失してしまうという問題点があった。
【０００４】本発明は、以上述べた太陽光による発電装
置の受光面に照射された太陽光のうち、電極部分に照射
された光が光起電力として利用されないという問題点を
除去するため、半導体ＰＮ接合層の上に形成され、表面
に太陽光を反射する傾斜面を有するグリッド電極を設
け、反射防止膜により、前記傾斜面から反射された太陽
光を再び反射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受
光させて、グリッド電極部に入射した太陽光も発電に有
効に利用し、太陽電池の効率の向上を図ることができる
太陽光を利用した発電装置を提供することを目的とす
る。
置の受光面に照射された太陽光のうち、電極部分に照射
された光が光起電力として利用されないという問題点を
除去するため、半導体ＰＮ接合層の上に形成され、表面
に太陽光を反射する傾斜面を有するグリッド電極を設
け、反射防止膜により、前記傾斜面から反射された太陽
光を再び反射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受
光させて、グリッド電極部に入射した太陽光も発電に有
効に利用し、太陽電池の効率の向上を図ることができる
太陽光を利用した発電装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、太陽光を利用した発電装置において、半
導体ＰＮ接合層と、前記半導体ＰＮ接合層上に形成さ
れ、斜め上方向に太陽光を反射する傾斜面を有するグリ
ッド電極と、前記傾斜面から反射された太陽光を再び反
射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受光させる反
射防止膜とを設けるようにしたものである。
成するために、太陽光を利用した発電装置において、半
導体ＰＮ接合層と、前記半導体ＰＮ接合層上に形成さ
れ、斜め上方向に太陽光を反射する傾斜面を有するグリ
ッド電極と、前記傾斜面から反射された太陽光を再び反
射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受光させる反
射防止膜とを設けるようにしたものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、上記したように構成したの
で、半導体ＰＮ接合層上に形成され、斜め上方向に太陽
光を反射する傾斜面を有するグリッド電極を設け、反射
防止膜により、前記傾斜面から反射された太陽光を再び
反射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受光させる
ことができる。
で、半導体ＰＮ接合層上に形成され、斜め上方向に太陽
光を反射する傾斜面を有するグリッド電極を設け、反射
防止膜により、前記傾斜面から反射された太陽光を再び
反射させ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受光させる
ことができる。
【０００７】したがって、グリッド電極部に入射した太
陽光も発電に有効に利用され、太陽電池の効率の向上を
図ることができる。
陽光も発電に有効に利用され、太陽電池の効率の向上を
図ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例を示す太陽光を利用
した発電装置の要部断面図、図２はその発電装置の要部
平面図である。
した発電装置の要部断面図、図２はその発電装置の要部
平面図である。
【００１０】これらの図に示すように、１は光起電力を
発生する半導体ＰＮ接合層であり、２はＮ型半導体側電
極、３はＰ型半導体側電極であり、この実施例では、図
３に示すように、ウエハ１０上に格子状のグリッド電極
３として構成されている。
発生する半導体ＰＮ接合層であり、２はＮ型半導体側電
極、３はＰ型半導体側電極であり、この実施例では、図
３に示すように、ウエハ１０上に格子状のグリッド電極
３として構成されている。
【００１１】このＰ型半導体側電極３は、図１に示すよ
うに、山形形状をなし、その両側の表面は傾斜面３ａを
有している。
うに、山形形状をなし、その両側の表面は傾斜面３ａを
有している。
【００１２】また、その電極材料は、半導体ＰＮ接合層
がＧａＡｓである場合には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕをベース
とし、その表面にＡｌを蒸着する。また、半導体ＰＮ接
合層がＳｉである場合には、電極材料としてＡｌを用い
る。
がＧａＡｓである場合には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕをベース
とし、その表面にＡｌを蒸着する。また、半導体ＰＮ接
合層がＳｉである場合には、電極材料としてＡｌを用い
る。
【００１３】４は反射防止膜であり、例えば、減圧ＣＶ
Ｄ法によって堆積される、厚さ１００μｍのＳｉＯ2 膜
からなり、その表面部ではＰ型半導体側電極３の傾斜面
３ａから反射される太陽光を再び反射して、半導体ＰＮ
接合層１の受光部１ａへと導く。また、反射防止膜は、
ＳｉＯ2 膜に代えて、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を用いるようにして
もよい。
Ｄ法によって堆積される、厚さ１００μｍのＳｉＯ2 膜
からなり、その表面部ではＰ型半導体側電極３の傾斜面
３ａから反射される太陽光を再び反射して、半導体ＰＮ
接合層１の受光部１ａへと導く。また、反射防止膜は、
ＳｉＯ2 膜に代えて、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を用いるようにして
もよい。
【００１４】因みに、各部の寸法を示すと、Ｐ型半導体
側電極３の高さＬ1 は５０μｍ、反射防止膜４の厚さＬ
2 は１００μｍ、受光部の横幅Ｌ3 は５ｍｍ、受光部の
縦幅Ｌ4 は１０ｍｍ、Ｐ型半導体側電極３の横部分（配
線部分）の幅Ｌ6 は１ｍｍ、Ｐ型半導体側電極３の縦部
分の幅Ｌ5 は１００μｍとなる。
側電極３の高さＬ1 は５０μｍ、反射防止膜４の厚さＬ
2 は１００μｍ、受光部の横幅Ｌ3 は５ｍｍ、受光部の
縦幅Ｌ4 は１０ｍｍ、Ｐ型半導体側電極３の横部分（配
線部分）の幅Ｌ6 は１ｍｍ、Ｐ型半導体側電極３の縦部
分の幅Ｌ5 は１００μｍとなる。
【００１５】図１に示すように、反射防止膜（受光面）
４に入射した太陽光のうち、グリッド電極３の付いてい
ない部分に入射した太陽光（ａ）は、１つのＰＮ接合の
半導体で自由電子と自由正孔を生じ、光起電力を生じ
る。
４に入射した太陽光のうち、グリッド電極３の付いてい
ない部分に入射した太陽光（ａ）は、１つのＰＮ接合の
半導体で自由電子と自由正孔を生じ、光起電力を生じ
る。
【００１６】一方、グリッド電極３の部分に入射した太
陽光（ｂ）は、そのグリッド電極３の傾斜面３ａで、図
１に示すように反射され、反射防止膜４の表面で再び反
射され、その反射光は、グリッド電極３の付いていない
半導体ＰＮ接合層１の受光部１ａに入射し、その光によ
り、半導体ＰＮ接合で、自由電子と自由正孔を生じ、光
起電力を生じる。
陽光（ｂ）は、そのグリッド電極３の傾斜面３ａで、図
１に示すように反射され、反射防止膜４の表面で再び反
射され、その反射光は、グリッド電極３の付いていない
半導体ＰＮ接合層１の受光部１ａに入射し、その光によ
り、半導体ＰＮ接合で、自由電子と自由正孔を生じ、光
起電力を生じる。
【００１７】なお、グリッド電極３の傾斜角は、反射防
止膜４の厚さＬ2 、グリッド電極３の幅Ｌ5 ，Ｌ6 との
兼ね合いで適当に決めれば良い。その傾斜角と多段に変
化させるようにしてもよい。
止膜４の厚さＬ2 、グリッド電極３の幅Ｌ5 ，Ｌ6 との
兼ね合いで適当に決めれば良い。その傾斜角と多段に変
化させるようにしてもよい。
【００１８】以上のように構成された太陽光を利用した
発電装置に、太陽光が入射すると、グリッド電極３の付
いていない面に入射した光により起電力が生じ、更に、
グリッド電極３の部分に入射した光も、反射を経て半導
体ＰＮ接合層１に入射し、起電力を生じる。
発電装置に、太陽光が入射すると、グリッド電極３の付
いていない面に入射した光により起電力が生じ、更に、
グリッド電極３の部分に入射した光も、反射を経て半導
体ＰＮ接合層１に入射し、起電力を生じる。
【００１９】このように、グリッド電極３に入射した光
も発電に有効に利用されることになる。
も発電に有効に利用されることになる。
【００２０】図４は本発明の他の実施例を示す太陽光を
利用した発電装置の要部断面図である。
利用した発電装置の要部断面図である。
【００２１】この実施例では、Ｐ型半導体側電極１１に
は単一の傾斜面１１ａを形成して、一方側にのみ太陽光
を反射させるようにしている。
は単一の傾斜面１１ａを形成して、一方側にのみ太陽光
を反射させるようにしている。
【００２２】他の構成は、前記した実施例と同様である
ので、前記した実施例と同一の番号を付して、その説明
は省略する。
ので、前記した実施例と同一の番号を付して、その説明
は省略する。
【００２３】また、前記した電極の形状以外にも、種々
の変形が可能である。
の変形が可能である。
【００２４】更に、上記実施例のグリッド電極は、格子
状のものを示したが、図５に示すように、直線状のグリ
ッド電極２１にしたり、図６に示すように、四隅から拡
がる四角形状のグリッド電極３１にしたり、図７に示す
ように、中心から拡がる四角形状（蜘蛛の巣状）のグリ
ッド電極４１に構成するようにしてもよい。
状のものを示したが、図５に示すように、直線状のグリ
ッド電極２１にしたり、図６に示すように、四隅から拡
がる四角形状のグリッド電極３１にしたり、図７に示す
ように、中心から拡がる四角形状（蜘蛛の巣状）のグリ
ッド電極４１に構成するようにしてもよい。
【００２５】これらの何れの電極においてもその表面に
は傾斜面を形成して、それらの電極上に入射した太陽光
を反射させ、反射防止膜により再反射させて、上記した
ように、半導体ＰＮ接合層の受光部へと導くように構成
することができる。
は傾斜面を形成して、それらの電極上に入射した太陽光
を反射させ、反射防止膜により再反射させて、上記した
ように、半導体ＰＮ接合層の受光部へと導くように構成
することができる。
【００２６】なお、上記実施例においては、半導体ＰＮ
接合層は、受光側（上側）をＰ型半導体、下側をＮ型半
導体としたが、逆に受光側（上側）をＮ型半導体、下側
をＰ型半導体として構成することができることは言うま
でもない。その場合は、そのＮ型半導体、Ｐ型半導体に
対応して、電極材料を適宜選定することが望ましい。
接合層は、受光側（上側）をＰ型半導体、下側をＮ型半
導体としたが、逆に受光側（上側）をＮ型半導体、下側
をＰ型半導体として構成することができることは言うま
でもない。その場合は、そのＮ型半導体、Ｐ型半導体に
対応して、電極材料を適宜選定することが望ましい。
【００２７】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、受光部側にあるグリッド電極の面を斜めの形状
にし、その表面で太陽光を斜め上方向に反射させ、更
に、その反射された太陽光を反射させて、半導体ＰＮ接
合層の受光部に導く反射防止膜を付けるようにしたの
で、電極上に入射した太陽光も反射過程を経て、起電力
を生じる半導体ＰＮ接合部に到達することができ、グリ
ッド電極部に入射した太陽光も発電に有効に利用され、
太陽電池の効率の向上を図ることができる。
よれば、受光部側にあるグリッド電極の面を斜めの形状
にし、その表面で太陽光を斜め上方向に反射させ、更
に、その反射された太陽光を反射させて、半導体ＰＮ接
合層の受光部に導く反射防止膜を付けるようにしたの
で、電極上に入射した太陽光も反射過程を経て、起電力
を生じる半導体ＰＮ接合部に到達することができ、グリ
ッド電極部に入射した太陽光も発電に有効に利用され、
太陽電池の効率の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の要部平面図である。
置の要部平面図である。
【図３】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の概略全体平面図である。
置の概略全体平面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す太陽光を利用した発
電装置の要部断面図である。
電装置の要部断面図である。
【図５】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の第２のグリッド電極例を示す平面図である。
置の第２のグリッド電極例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の第３のグリッド電極例を示す平面図である。
置の第３のグリッド電極例を示す平面図である。
【図７】本発明の実施例を示す太陽光を利用した発電装
置の第４のグリッド電極例を示す平面図である。
置の第４のグリッド電極例を示す平面図である。
１ 半導体ＰＮ接合層 １ａ 受光部 ２ Ｎ型半導体側電極 ３，１１ Ｐ型半導体側電極（グリッド電極） ３ａ，１１ａ 傾斜面 ４ 反射防止膜 １０ ウエハ ２１ 直線状のグリッド電極 ３１ 四隅から拡がる四角形状のグリッド電極 ４１ 中心から拡がる四角形状（蜘蛛の巣状）のグリ
ッド電極
ッド電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 四方 誠 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−234566（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−93376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−159383（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−74349（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−75054（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−173168（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 -31/078
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）半導体ＰＮ接合層と、 （ｂ）前記半導体ＰＮ接合層上に形成され、斜め上方向
に太陽光を反射する傾斜面を有するグリッド電極と、 （ｃ）前記傾斜面から反射された太陽光を再び反射さ
せ、前記半導体ＰＮ接合層の受光部で受光させる反射防
止膜とを具備することを特徴とする太陽光を利用した発
電装置。 - 【請求項２】 前記半導体ＰＮ接合層はＧａＡｓからな
り、前記グリッド電極はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをベースと
し、その表面にＡｌを蒸着してなる請求項１記載の太陽
光を利用した発電装置。 - 【請求項３】 前記半導体ＰＮ接合層はＳｉからなり、
前記グリッド電極はＡｌからなる請求項１記載の太陽光
を利用した発電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04252465A JP3107923B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 太陽光を利用した発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04252465A JP3107923B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 太陽光を利用した発電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104472A JPH06104472A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3107923B2 true JP3107923B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=17237766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04252465A Expired - Fee Related JP3107923B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 太陽光を利用した発電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107923B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4765281B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
| KR101172206B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2012-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지 |
| KR101479861B1 (ko) * | 2013-10-17 | 2015-01-13 | 중앙대학교 산학협력단 | 그리드 전극 패턴을 포함하는 태양전지 셀 및 태양전지 셀을 포함하는 태양전지 모듈 |
| JP6123717B2 (ja) | 2014-03-24 | 2017-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 太陽電池セル、集光型太陽光発電ユニット、及び集光型太陽光発電モジュール |
| JP6898584B2 (ja) * | 2017-04-07 | 2021-07-07 | 日産自動車株式会社 | 発電パネル |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP04252465A patent/JP3107923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104472A (ja) | 1994-04-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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