JP2994842B2 - シリコン太陽電池素子 - Google Patents
シリコン太陽電池素子Info
- Publication number
- JP2994842B2 JP2994842B2 JP4035052A JP3505292A JP2994842B2 JP 2994842 B2 JP2994842 B2 JP 2994842B2 JP 4035052 A JP4035052 A JP 4035052A JP 3505292 A JP3505292 A JP 3505292A JP 2994842 B2 JP2994842 B2 JP 2994842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- solar cell
- oxide film
- silicon solar
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 44
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000000651 laser trapping Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン太陽電池セル
の構造の改良に関するもので、人工衛星の電源である宇
宙用太陽電池セルに使用するときは特に有用なものであ
る。
の構造の改良に関するもので、人工衛星の電源である宇
宙用太陽電池セルに使用するときは特に有用なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコン太陽電池は、宇宙用太陽電池セ
ルとして最も搭載実績に富み、また他の材料のセルと比
べて経済的にも有利であるため、世界各国の衛星プログ
ラムで採用されている。
ルとして最も搭載実績に富み、また他の材料のセルと比
べて経済的にも有利であるため、世界各国の衛星プログ
ラムで採用されている。
【０００３】図６は、従来製造されている宇宙用太陽電
池の代表例であるＢＳＦＲ型太陽電池セルの一例の斜視
図である。Ｐ型シリコン基板４の表面に、Ｎ+ 拡散層３
および反射防止膜１を形成し、さらにその表面にたとえ
ば、櫛型のＮ側電極２を形成する。裏面には、ＢＳＦＲ
層となるＰ+ 拡散層５およびＰ側電極６が形成されてい
る。
池の代表例であるＢＳＦＲ型太陽電池セルの一例の斜視
図である。Ｐ型シリコン基板４の表面に、Ｎ+ 拡散層３
および反射防止膜１を形成し、さらにその表面にたとえ
ば、櫛型のＮ側電極２を形成する。裏面には、ＢＳＦＲ
層となるＰ+ 拡散層５およびＰ側電極６が形成されてい
る。
【０００４】表１はその出力特性を示す。
【０００５】
【表１】
【０００６】セル厚さが厚いほど、短絡電流ＩSCおよび
最大出力Ｐmax は大きくなるが、解放電圧ＶOCはセル厚
さによらず一定であり、変換効率ηは１４〜１５％程度
が得られていた。
最大出力Ｐmax は大きくなるが、解放電圧ＶOCはセル厚
さによらず一定であり、変換効率ηは１４〜１５％程度
が得られていた。
【０００７】近年人工衛星の大型化，大電力化の流れか
ら、シリコン太陽電池の高出力化が要請されつつあり、
変換効率を高める必要がある。
ら、シリコン太陽電池の高出力化が要請されつつあり、
変換効率を高める必要がある。
【０００８】シリコン太陽電池セル高効率化の一環とし
て、たとえば、図１に示す構造のセルが本発明者らのグ
ループによって試作された。図６と同一の部分には同一
の符号を付してある。表面はテキスチャー構造７とされ
ている。
て、たとえば、図１に示す構造のセルが本発明者らのグ
ループによって試作された。図６と同一の部分には同一
の符号を付してある。表面はテキスチャー構造７とされ
ている。
【０００９】このテキスチャー構造７は、水酸化ナトリ
ウム等のアルカリをエッチング液として用いたＳｉの異
方性エッチング面であり、（１１１）面が現われた微細
なピラミッド形状が密集して形成されている。
ウム等のアルカリをエッチング液として用いたＳｉの異
方性エッチング面であり、（１１１）面が現われた微細
なピラミッド形状が密集して形成されている。
【００１０】この構造は、受光面から入射する光の反射
損失を低減し、セル内に吸収する光の量を増加させる効
果がある。
損失を低減し、セル内に吸収する光の量を増加させる効
果がある。
【００１１】裏面は全面にＳｉＯ2 の酸化膜８が形成さ
れ、局所的に窓あけされた部分から拡散を行ないＰ+ 拡
散層５を形成している。この酸化膜８を形成すること
で、裏面での反射によって入射光の吸収量を増加させ、
同時に発生した少数キャリアの裏面再結合損失を低減す
るトラッピング効果がある。
れ、局所的に窓あけされた部分から拡散を行ないＰ+ 拡
散層５を形成している。この酸化膜８を形成すること
で、裏面での反射によって入射光の吸収量を増加させ、
同時に発生した少数キャリアの裏面再結合損失を低減す
るトラッピング効果がある。
【００１２】また、セル表面にも薄い酸化膜を形成し、
セル表面における少数キャリアの表面再結合損失の低減
を図ることも検討された。
セル表面における少数キャリアの表面再結合損失の低減
を図ることも検討された。
【００１３】ピラミッド状のテキスチャー構造について
は、例えば、Conference Record of19th IEEE Photovol
taic Specialists Conf.1987 p912 〜ｐ917 に、マーチ
ン・グリーンおよびパトリック・キャンベルにより開示
されている。また、テキスチャー構造を有するセルの表
面および裏面に酸化膜を形成した構造は、例えば、１９
９０年京都におけるインターナショナルＰＶＳＥＣ−５
のテクニカルダイジェストに、マーチン・グリーンによ
り開示されている。
は、例えば、Conference Record of19th IEEE Photovol
taic Specialists Conf.1987 p912 〜ｐ917 に、マーチ
ン・グリーンおよびパトリック・キャンベルにより開示
されている。また、テキスチャー構造を有するセルの表
面および裏面に酸化膜を形成した構造は、例えば、１９
９０年京都におけるインターナショナルＰＶＳＥＣ−５
のテクニカルダイジェストに、マーチン・グリーンによ
り開示されている。
【００１４】図７は、２次元シミュレーションで、セル
の厚さＷｄとＩSC，ＶOC，ηの関係が調べられた結果の
一例である（昭和６２年度ＮＥＤＯ委託業務成果報告書
／高効率結晶系太陽電池の実用化研究・高効率化技術調
査ｐ６６）。
の厚さＷｄとＩSC，ＶOC，ηの関係が調べられた結果の
一例である（昭和６２年度ＮＥＤＯ委託業務成果報告書
／高効率結晶系太陽電池の実用化研究・高効率化技術調
査ｐ６６）。
【００１５】ここでは、セルの表面および裏面における
光の多重反射と表面および裏面における再結合速度０と
いう理想的な条件を仮定して計算されている。
光の多重反射と表面および裏面における再結合速度０と
いう理想的な条件を仮定して計算されている。
【００１６】これよりＶOCは、セル厚さＷｄが薄いほど
高くなり、ＩSCはほぼ一定であるから、変換効率ηもセ
ル厚さＷｄが薄いほど向上することがわかる。
高くなり、ＩSCはほぼ一定であるから、変換効率ηもセ
ル厚さＷｄが薄いほど向上することがわかる。
【００１７】このＶOCの向上は、Ｗｄが小さくなること
によって、バルク領域におけるＳＲＨ再結合損失が低減
し、飽和電流密度Ｉ0 が低減するためである。
によって、バルク領域におけるＳＲＨ再結合損失が低減
し、飽和電流密度Ｉ0 が低減するためである。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】発明者らのグループに
よる実験によると、実際には、セル厚さＷｄおよびＩSC
に関する前述のシミュレーションによる理論計算の結果
と異なることがわかった。
よる実験によると、実際には、セル厚さＷｄおよびＩSC
に関する前述のシミュレーションによる理論計算の結果
と異なることがわかった。
【００１９】図８（ａ）および（ｂ）は図１で示した構
造によるセルの厚さＷｄを変えた場合の出力特性の実験
結果である。
造によるセルの厚さＷｄを変えた場合の出力特性の実験
結果である。
【００２０】同図（ａ）に示されるように、ＶOCは、Ｗ
ｄが小さくなるほど向上するが、Ｉ SCは低下し、同図
（ｂ）に示すように出力Ｐmax はＷｄが１００μｍ付近
で最も大きいことがわかった。
ｄが小さくなるほど向上するが、Ｉ SCは低下し、同図
（ｂ）に示すように出力Ｐmax はＷｄが１００μｍ付近
で最も大きいことがわかった。
【００２１】また、さらに基板の種類，製造条件等につ
いて検討した結果、Ｐmax の最大値を与えるセル厚さＷ
ｄは、公知のシミュレーション結果と異なり、６０〜１
５０μｍであることが実験的に明らかになった。
いて検討した結果、Ｐmax の最大値を与えるセル厚さＷ
ｄは、公知のシミュレーション結果と異なり、６０〜１
５０μｍであることが実験的に明らかになった。
【００２２】この相違の原因は、セルの表面および裏面
における光の多重反射による完全な光吸収や、少数キャ
リア再結合なしという条件が、実際には完全には満たさ
れないためであると考えられる。
における光の多重反射による完全な光吸収や、少数キャ
リア再結合なしという条件が、実際には完全には満たさ
れないためであると考えられる。
【００２３】発明者らは、上記光吸収を完全にするため
の光トラッピング構造や、少数キャリア再結合低減につ
いてさらに検討を重ねてきたが、完全な光トラッピング
構造はセルの温度上昇を招き変換効率を下げること、表
面再結合低減のための酸化膜形成が基板のライフタイム
低下を招き変換効率を下げる可能性があること等の問題
があることがわかった。
の光トラッピング構造や、少数キャリア再結合低減につ
いてさらに検討を重ねてきたが、完全な光トラッピング
構造はセルの温度上昇を招き変換効率を下げること、表
面再結合低減のための酸化膜形成が基板のライフタイム
低下を招き変換効率を下げる可能性があること等の問題
があることがわかった。
【００２４】よって、上記理論計算で前提となっている
セルの表面および裏面における光の多重反射による完全
な光吸収や、少数キャリア再結合なしの条件は、シリコ
ン太陽電池セルの経済的な有利性を生かすことも考慮す
れば、容易に達成できない条件であり、実際の太陽電池
セル製造においては、セルの厚さを適当な範囲に選定す
ることが最も有利に高効率な太陽電池セルを得ることが
できる条件であるとの結論に至った。
セルの表面および裏面における光の多重反射による完全
な光吸収や、少数キャリア再結合なしの条件は、シリコ
ン太陽電池セルの経済的な有利性を生かすことも考慮す
れば、容易に達成できない条件であり、実際の太陽電池
セル製造においては、セルの厚さを適当な範囲に選定す
ることが最も有利に高効率な太陽電池セルを得ることが
できる条件であるとの結論に至った。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の宇宙用の太陽電
池においては、半導体基板の表面に反射を低減させる構
造を有する受光面を設け、半導体基板の裏面に酸化膜を
形成し、セルの厚さを６０μｍ以上でかつ１５０μｍ以
下とした。
池においては、半導体基板の表面に反射を低減させる構
造を有する受光面を設け、半導体基板の裏面に酸化膜を
形成し、セルの厚さを６０μｍ以上でかつ１５０μｍ以
下とした。
【００２６】
【作用】太陽電池素子のセルの厚さを６０〜１５０μｍ
とすることにより、経済的に効率の高い太陽電池を得る
ことができる。
とすることにより、経済的に効率の高い太陽電池を得る
ことができる。
【００２７】
【実施例】図１〜５は、本発明による太陽電池素子の実
施例の斜視図であり、セル厚さは各々６０〜１５０μｍ
である。いずれも表面の反射防止膜は省略してある。
施例の斜視図であり、セル厚さは各々６０〜１５０μｍ
である。いずれも表面の反射防止膜は省略してある。
【００２８】図１において、Ｐ型シリコン基板４の表面
にはＮ+ 拡散層３が形成され表面はテキスチャー構造７
となっている。表面の適宜の部分にＮ側電極２を設けて
ある。裏面には厚さ約０．２μｍの酸化膜８およびＰ側
電極６を積層し、酸化膜８の窓あけした部分から拡散に
よりＰ+ 拡散層５が形成されている。
にはＮ+ 拡散層３が形成され表面はテキスチャー構造７
となっている。表面の適宜の部分にＮ側電極２を設けて
ある。裏面には厚さ約０．２μｍの酸化膜８およびＰ側
電極６を積層し、酸化膜８の窓あけした部分から拡散に
よりＰ+ 拡散層５が形成されている。
【００２９】図２は、表面の構造は図１と同様である
が、図２の構造においてはＰ+ 拡散層５を裏面全面に形
成し、これに厚さ約０．２μｍの厚さの酸化膜８および
Ｐ側電極６を積層し、Ｐ+ 拡散層５とＰ側電極６とを適
宜の箇所で酸化膜８に穴をあけ接続したものである。
が、図２の構造においてはＰ+ 拡散層５を裏面全面に形
成し、これに厚さ約０．２μｍの厚さの酸化膜８および
Ｐ側電極６を積層し、Ｐ+ 拡散層５とＰ側電極６とを適
宜の箇所で酸化膜８に穴をあけ接続したものである。
【００３０】図３は、図２の構造の表面に格子状のパタ
ーン９を設け、アルカリエッチングによって逆型のピラ
ミッド構造を形成し、裏面は図２と同様の構造とした例
である。
ーン９を設け、アルカリエッチングによって逆型のピラ
ミッド構造を形成し、裏面は図２と同様の構造とした例
である。
【００３１】図４は、表面に溝状のパターン１０を設
け、アルカリエッチングによって複数のグルーブを形成
し、裏面は図２と同様の構造としたものである。
け、アルカリエッチングによって複数のグルーブを形成
し、裏面は図２と同様の構造としたものである。
【００３２】図５は、図１の表面のテキスチャーを図３
の逆ピラミッド状にしたものである。裏面は図１と同様
の構造としたものである。
の逆ピラミッド状にしたものである。裏面は図１と同様
の構造としたものである。
【００３３】裏面については図１および図５に示すよう
に、ＢＳＦＲ層となるＰ+ 層５を全面に形成せず、酸化
膜８に局所的に窓あけしてから、Ｐ+ 拡散を施すことに
よって形成される部分的なＢＳＦ構造であってもよい。
に、ＢＳＦＲ層となるＰ+ 層５を全面に形成せず、酸化
膜８に局所的に窓あけしてから、Ｐ+ 拡散を施すことに
よって形成される部分的なＢＳＦ構造であってもよい。
【００３４】また、表面に厚さ５０〜２００Å程度の薄
い酸化膜（ＳｉＯ2 ）が形成されていてもよい。
い酸化膜（ＳｉＯ2 ）が形成されていてもよい。
【００３５】
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、セルの厚さを６０μｍ
以上でかつ１５０μｍ以下にすることにより、宇宙環境
下という地上より光の強度が高くスペクトル的には紫外
域が強い光の環境下で、より高い変換効率が得ることが
でき、従って、宇宙用の場合、電圧が高めであると直列
の接続するセル段数が小さくなり、アレー設計がやり易
くなるというメリットがあり、しかもセルの厚さが６０
μｍ以上であるので、表面にテクスチャーなどの反射防
止構造があっても、最も薄い部分でも約４０μｍ以上で
ウエーハが極端に割れ易い約４０μｍ以下になることが
なく、そのためにウエーハの裏面にサポート用の板を貼
る等の現状の太陽電池の製造プロセスを大幅に変更する
必要がなく、シリコン太陽電池セルの低価格であるとい
うメリットを生かすことができる。
以上でかつ１５０μｍ以下にすることにより、宇宙環境
下という地上より光の強度が高くスペクトル的には紫外
域が強い光の環境下で、より高い変換効率が得ることが
でき、従って、宇宙用の場合、電圧が高めであると直列
の接続するセル段数が小さくなり、アレー設計がやり易
くなるというメリットがあり、しかもセルの厚さが６０
μｍ以上であるので、表面にテクスチャーなどの反射防
止構造があっても、最も薄い部分でも約４０μｍ以上で
ウエーハが極端に割れ易い約４０μｍ以下になることが
なく、そのためにウエーハの裏面にサポート用の板を貼
る等の現状の太陽電池の製造プロセスを大幅に変更する
必要がなく、シリコン太陽電池セルの低価格であるとい
うメリットを生かすことができる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例の斜視図である。
【図３】本発明の一実施例の斜視図である。
【図４】本発明の一実施例の斜視図である。
【図５】本発明の一実施例の斜視図である。
【図６】従来の一例の斜視図である。
【図７】セルの厚さと出力特性のシミュレーションによ
る計算結果のグラフである。
る計算結果のグラフである。
【図８】（ａ）はＷｄとＶOCおよびＩSCとの関係を示す
グラフであり、（ｂ）はＷｄとＰmax との関係を示すグ
ラフである。
グラフであり、（ｂ）はＷｄとＰmax との関係を示すグ
ラフである。
２ Ｎ側電極 ３ Ｎ+ 拡散層 ４ Ｐ型シリコン基板 ５ Ｐ+ 拡散層 ６ Ｐ側電極 ７ テキスチャー構造 ８ 酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に反射を低減させる構
造を有する受光面を設け、半導体基板の裏面に酸化膜を
形成し、セルの厚さを６０μｍ以上でかつ１５０μｍ以
下としたことを特徴とする宇宙用のシリコン太陽電池素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035052A JP2994842B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | シリコン太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035052A JP2994842B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | シリコン太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235385A JPH05235385A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2994842B2 true JP2994842B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=12431270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4035052A Expired - Lifetime JP2994842B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | シリコン太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994842B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204220A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セル、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール群 |
| JP2002246625A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2005327871A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| WO2014075060A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerisity | Nanostructured window layer in solar cells |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161849U (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-25 | ||
| JPH02244681A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
| JPH0716023B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1995-02-22 | シャープ株式会社 | カバーガラス付太陽電池セル |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP4035052A patent/JP2994842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05235385A (ja) | 1993-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10505058B2 (en) | Photovoltaic device | |
| US5261970A (en) | Optoelectronic and photovoltaic devices with low-reflectance surfaces | |
| US20040084077A1 (en) | Solar collector having an array of photovoltaic cells oriented to receive reflected light | |
| KR20010014686A (ko) | 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| WO2010048547A2 (en) | Photovoltaic device with increased light trapping | |
| US4608451A (en) | Cross-grooved solar cell | |
| US4931412A (en) | Method of producing a thin film solar cell having a n-i-p structure | |
| US4620364A (en) | Method of making a cross-grooved solar cell | |
| JP2994842B2 (ja) | シリコン太陽電池素子 | |
| KR101023144B1 (ko) | 전사법을 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | |
| JPH11330517A (ja) | 太陽電池，及び太陽電池モジュール | |
| US4956685A (en) | Thin film solar cell having a concave n-i-p structure | |
| US20110056548A1 (en) | Wafer-Based Solar Cell with Deeply Etched Structure | |
| JP3133494B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| US20120090682A1 (en) | Solar Cell and Manufacturing Method Thereof | |
| JP3107923B2 (ja) | 太陽光を利用した発電装置 | |
| USH1856H (en) | Lapped substrate for enhanced backsurface reflectivity in a thermophotovoltaic energy conversion system | |
| JP4131474B2 (ja) | マイクロ粒子層型の高効率太陽電池 | |
| TWI294186B (en) | Photovoltaic device, photovoltaic element and manufacturing method thereof | |
| JP2931451B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP3172368B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| Cudzinovic et al. | Process simplifications to the Pegasus solar cell-SunPower's high-efficiency bifacial silicon solar cell | |
| Bai et al. | Light‐trapping and back surface structures for polycrystalline silicon solar cells | |
| US20240038911A1 (en) | Flip-chip solar cell | |
| JPS6381986A (ja) | 光電変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 13 |