JP3107501B2 - 画像を生成する装置 - Google Patents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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- B41J2/473—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror using multiple light beams, wavelengths or colours
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- H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
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- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/35—Non-linear optics
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- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像を特に人の目に可
視的な画像面に生成する装置であって、光学的投射シス
テムを用いて、個々に隣接して位置する画像生成スポッ
トの照明に依り少なくとも１列の画像群を該画像内に生
成する放射源を具備する装置に関する。
視的な画像面に生成する装置であって、光学的投射シス
テムを用いて、個々に隣接して位置する画像生成スポッ
トの照明に依り少なくとも１列の画像群を該画像内に生
成する放射源を具備する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの装置は、例えば、ガス・レ
ーザからのレーザ・ビームが、人の目に依って全体的に
認識できる個々の画像ポイントから成る画像を生成する
ために、光学的投射システムを用いて移動される、ガス
・レーザを用いる画像生成の分野から知られている。こ
のタイプの装置は、例えば、静的画像を生成するために
だけでなく、例えば、大きな形態を備え且つ恐らく多色
のテレビジョン画像のように、移動する画像を生成する
ために用いられる。
ーザからのレーザ・ビームが、人の目に依って全体的に
認識できる個々の画像ポイントから成る画像を生成する
ために、光学的投射システムを用いて移動される、ガス
・レーザを用いる画像生成の分野から知られている。こ
のタイプの装置は、例えば、静的画像を生成するために
だけでなく、例えば、大きな形態を備え且つ恐らく多色
のテレビジョン画像のように、移動する画像を生成する
ために用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】画像生成のために、こ
のタイプのガス・レーザを用いると、レーザ・ビームを
生成する装置に高価な支出を要求し、更に、レーザ・ビ
ームを規定された方式で偏向させるために光学的投射シ
ステムにも多額の費用を必要とすることになる。
のタイプのガス・レーザを用いると、レーザ・ビームを
生成する装置に高価な支出を要求し、更に、レーザ・ビ
ームを規定された方式で偏向させるために光学的投射シ
ステムにも多額の費用を必要とすることになる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の目的
は、画像の生成が最も単純な方法で可能になり、そのた
めに、それができるたけ経済的に実施されるようにし
て、請求項１の第１節に従うタイプの装置を改善するこ
とにある。
は、画像の生成が最も単純な方法で可能になり、そのた
めに、それができるたけ経済的に実施されるようにし
て、請求項１の第１節に従うタイプの装置を改善するこ
とにある。
【０００５】本発明においては、人の眼に可視である画
像面における画像を発生させる装置であって、該装置
は：対応する２次元配列の出口スポット（３０）を光源
として与えるための２次元配列となっている複数の半導
体発光体（２０）；出口スポットの上記２次元の列の上
記出口スポット（３０）の各々は相異なる３つの波長の
うちの１つにおいて放射（３２）を放出し、上記相異な
る３つの波長における放射光線（３２Ｒ，３２Ｇ，３２
Ｂ）の重畳は白色の光の発生を可能にし；および、上記
画像面上の上記出口スポット（３０）から放射光線（３
２）を受け、該出口スポットから放出される該放射光線
により直接に照射される画像区域の２次元の列として該
出口スポットから該画像面へ放射光線を不適合的に投射
する、光学的投射システム（２８，１２８，２２８，４
２８，６２８）；を具備し、各画像領域（２３４，５３
４）は空間的に一致しない方法で配列された３つの部分
的画像形成用スポット（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６
Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂ）により照射され、
上記３個の一致しない部分的画像形成用スポット（２３
６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３
６Ｂ）の各々は、画像領域（２３４，５３４）が、画像
領域（２３４，５３４）が平均的な人間の目にとりカラ
ーおよび白色のうちの１つに見えるよう、照射されるこ
とを可能にする相異なる波長において照射され、該光学
的投射システム（２８，１２８，２２８，４２８ ６２
８）は、該３つの不適合の部分的画像形成用スポット
（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６
Ｇ，５３６Ｂ）の各々を照射用の３つの相異なる出口ス
ポットの１つと直接に協働させ、該３つの相異なる出口
スポットの各々は該３つの相異なる波長のうちの１つに
おいて放射光線（３２）を放射し、上記の３つの相異な
る出口スポット（３０）の各々は、該２つの他の出口ス
ポット（３０）の波長とは異る波長において放射光線
（３２）を放出する、人の目に可視である画像面におけ
る画像を発生させる装置、が提供される。
像面における画像を発生させる装置であって、該装置
は：対応する２次元配列の出口スポット（３０）を光源
として与えるための２次元配列となっている複数の半導
体発光体（２０）；出口スポットの上記２次元の列の上
記出口スポット（３０）の各々は相異なる３つの波長の
うちの１つにおいて放射（３２）を放出し、上記相異な
る３つの波長における放射光線（３２Ｒ，３２Ｇ，３２
Ｂ）の重畳は白色の光の発生を可能にし；および、上記
画像面上の上記出口スポット（３０）から放射光線（３
２）を受け、該出口スポットから放出される該放射光線
により直接に照射される画像区域の２次元の列として該
出口スポットから該画像面へ放射光線を不適合的に投射
する、光学的投射システム（２８，１２８，２２８，４
２８，６２８）；を具備し、各画像領域（２３４，５３
４）は空間的に一致しない方法で配列された３つの部分
的画像形成用スポット（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６
Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂ）により照射され、
上記３個の一致しない部分的画像形成用スポット（２３
６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３
６Ｂ）の各々は、画像領域（２３４，５３４）が、画像
領域（２３４，５３４）が平均的な人間の目にとりカラ
ーおよび白色のうちの１つに見えるよう、照射されるこ
とを可能にする相異なる波長において照射され、該光学
的投射システム（２８，１２８，２２８，４２８ ６２
８）は、該３つの不適合の部分的画像形成用スポット
（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６
Ｇ，５３６Ｂ）の各々を照射用の３つの相異なる出口ス
ポットの１つと直接に協働させ、該３つの相異なる出口
スポットの各々は該３つの相異なる波長のうちの１つに
おいて放射光線（３２）を放射し、上記の３つの相異な
る出口スポット（３０）の各々は、該２つの他の出口ス
ポット（３０）の波長とは異る波長において放射光線
（３２）を放出する、人の目に可視である画像面におけ
る画像を発生させる装置、が提供される。
【０００６】本発明に従う解決方式の長所は、一方で、
半導体発光体が容易に作動する単純に構成された放射源
を表わし、他方で、光源の列の半導体発光体の考案され
た多様性は、これが光源の列の半導体発光体の全ての画
像を其れらに関連する画像作成スポットで同時に形成で
きる限り、光学的投射システムを単純にするので、これ
は、人の目に全体的に認識できるようにするために、画
像がテレビジョン・デバイスに一般的に用いられる時間
周期の少なくとも内部に於いて生成されねばならず且つ
テレビジョン・デバイスに一般的に用いられる少なくと
も反復周波数において繰り返されなければならないこと
が予め前提にされている場合に、従来のテレビジョン・
デバイスの画像作成スポットの照明のために一般的に用
いられる時間周期より長い時間周期の間各々画像作成ス
ポットを照らすことができる可能性を示唆することが察
知され得るものである。
半導体発光体が容易に作動する単純に構成された放射源
を表わし、他方で、光源の列の半導体発光体の考案され
た多様性は、これが光源の列の半導体発光体の全ての画
像を其れらに関連する画像作成スポットで同時に形成で
きる限り、光学的投射システムを単純にするので、これ
は、人の目に全体的に認識できるようにするために、画
像がテレビジョン・デバイスに一般的に用いられる時間
周期の少なくとも内部に於いて生成されねばならず且つ
テレビジョン・デバイスに一般的に用いられる少なくと
も反復周波数において繰り返されなければならないこと
が予め前提にされている場合に、従来のテレビジョン・
デバイスの画像作成スポットの照明のために一般的に用
いられる時間周期より長い時間周期の間各々画像作成ス
ポットを照らすことができる可能性を示唆することが察
知され得るものである。
【０００７】従って、例えば、光学的投射システムは画
像群の列の画像作成スポットの一部を或る時点で且つ別
の部分を後の時点で照らすように、半導体発光体の数を
選択できる。
像群の列の画像作成スポットの一部を或る時点で且つ別
の部分を後の時点で照らすように、半導体発光体の数を
選択できる。
【０００８】本発明の意味に於いて、列は水平にも垂直
にも走行することができる。
にも走行することができる。
【０００９】しかし、半導体発光体の数が大である場合
には、任意の１つの時点で、半導体発光体の１つの出口
スポットは画像の列の各画像作成スポットに排他的に関
連し、それによりこの時点において光学的投射システム
は、画像作成プロセスのために、画像作成スポットの全
てを少なくとも１つの各々出口スポットに関連させ、従
来技術として知られている画像の列の１つまたは複数の
画像作成スポットを順次に照明することを行わずにすむ
点で特に有利である。
には、任意の１つの時点で、半導体発光体の１つの出口
スポットは画像の列の各画像作成スポットに排他的に関
連し、それによりこの時点において光学的投射システム
は、画像作成プロセスのために、画像作成スポットの全
てを少なくとも１つの各々出口スポットに関連させ、従
来技術として知られている画像の列の１つまたは複数の
画像作成スポットを順次に照明することを行わずにすむ
点で特に有利である。
【００１０】本発明に従う方式は、半導体発光体が２つ
の連続する制御時点間に於ける周期で放射光線を放出す
る時に、特に効果的である。ここで、その長所は、従来
技術で周知の装置と対照的に、或る画像作成ポイントの
簡単な照明が１つの時点で実現できるだけでなく、光学
的投射システムは複数の半導体発光体を画像作成スポッ
トに関連付ける事実から、画像作成スポットを関連する
周期全体に於いて照明できることにある。
の連続する制御時点間に於ける周期で放射光線を放出す
る時に、特に効果的である。ここで、その長所は、従来
技術で周知の装置と対照的に、或る画像作成ポイントの
簡単な照明が１つの時点で実現できるだけでなく、光学
的投射システムは複数の半導体発光体を画像作成スポッ
トに関連付ける事実から、画像作成スポットを関連する
周期全体に於いて照明できることにある。
【００１１】制御動作を操作するための理由から、制御
時点が一定の時間間隔で相互に継続する場合に、特に効
果的になる。
時点が一定の時間間隔で相互に継続する場合に、特に効
果的になる。
【００１２】優れた実施例は、半導体発光体が、画像作
成スポットを調整可能な輝度に対応して照らすために、
可変自在に調整可能な強度で放射光線を放出することを
特徴としている。
成スポットを調整可能な輝度に対応して照らすために、
可変自在に調整可能な強度で放射光線を放出することを
特徴としている。
【００１３】この変形実施例の場合、半導体発光体は、
２つの制御時点間で実質的に変わらない設定輝度で放射
光線を放出できるので、特に優れていることが立証され
ている。
２つの制御時点間で実質的に変わらない設定輝度で放射
光線を放出できるので、特に優れていることが立証され
ている。
【００１４】そこで、各々半導体発光体の放射密度の設
定が各々制御時点で行われ、特に、輝度設定を次の制御
時点で変更できるように考案されている。
定が各々制御時点で行われ、特に、輝度設定を次の制御
時点で変更できるように考案されている。
【００１５】この方式は、２つの連続する制御時点間の
周期がこれらの半導体発光体の出口スポットに関連する
画像作成スポットを照らすために使用できるので、実質
的に小電力の個々の半導体発光体が、画像作成ポイント
の特定の照明を時間的に平均する人の目に相応して達成
するように十分に作動できるところが、従来技術の周知
の方式、すなわち、画像作成スポットから画像作成スポ
ットにかけてのジャンプのために、非常に短い周期し
か、この画像作成スポットを照らすために、すなわち、
平均オーバータイム時に人の目に依って観察される希望
された輝度を得るために、活用できない前述の周知の方
式と比べると、非常に優れている。
周期がこれらの半導体発光体の出口スポットに関連する
画像作成スポットを照らすために使用できるので、実質
的に小電力の個々の半導体発光体が、画像作成ポイント
の特定の照明を時間的に平均する人の目に相応して達成
するように十分に作動できるところが、従来技術の周知
の方式、すなわち、画像作成スポットから画像作成スポ
ットにかけてのジャンプのために、非常に短い周期し
か、この画像作成スポットを照らすために、すなわち、
平均オーバータイム時に人の目に依って観察される希望
された輝度を得るために、活用できない前述の周知の方
式と比べると、非常に優れている。
【００１６】この代わりに、半導体発光体は、制御時点
間に於いて、可変自在の調整可能な周期を備えた最大輝
度で放射光線を放出するか、または任意の放射光線を放
出しないようにして与えられている。この半導体発光体
を制御する方式は、半導体発光体のドライブに特に適し
た単純な動作が従って可能になる長所を備えている。
間に於いて、可変自在の調整可能な周期を備えた最大輝
度で放射光線を放出するか、または任意の放射光線を放
出しないようにして与えられている。この半導体発光体
を制御する方式は、半導体発光体のドライブに特に適し
た単純な動作が従って可能になる長所を備えている。
【００１７】特に、このタイプの実施例の場合、人の観
察者が認識できる平均輝度の設定は、放射光線の放出の
周期を変調することに依って行われる。
察者が認識できる平均輝度の設定は、放射光線の放出の
周期を変調することに依って行われる。
【００１８】ここで好都合に、放射光線の放出の周期の
設定は各々制御時点で行われるので、人の観察者に依っ
て認識される平均的な輝度は、異なる状態に相応して一
定に調整できる。
設定は各々制御時点で行われるので、人の観察者に依っ
て認識される平均的な輝度は、異なる状態に相応して一
定に調整できる。
【００１９】この例の場合も、長所は、最長の場合で、
２つの制御時点間の総周期が希望された平均輝度を得る
ために使用できるので、実質的に長い周期が照明に使用
できるところにある。
２つの制御時点間の総周期が希望された平均輝度を得る
ために使用できるので、実質的に長い周期が照明に使用
できるところにある。
【００２０】今まで、半導体発光体に依る画像作成スポ
ットの照明に関して詳細に記されていなかった。そこ
で、最も単純なケースで、各々画像作成スポットは１つ
の半導体発光体に依って照明できると考えられる。しか
し、単色画像だけしか其れに依って生成できない。
ットの照明に関して詳細に記されていなかった。そこ
で、最も単純なケースで、各々画像作成スポットは１つ
の半導体発光体に依って照明できると考えられる。しか
し、単色画像だけしか其れに依って生成できない。
【００２１】多色画像を生成するために、各々画像作成
スポットは３つの半導体発光体に依って照明され、その
各々は光線が３つの半導体発光体からの放射光線を重ね
合わせることに依って生成できるような波長で放射光線
を放出することが、好都合に行われる。
スポットは３つの半導体発光体に依って照明され、その
各々は光線が３つの半導体発光体からの放射光線を重ね
合わせることに依って生成できるような波長で放射光線
を放出することが、好都合に行われる。
【００２２】１つの画像作成スポットを照明する３つの
半導体発光体がある時に、物体が制御される状態を考慮
して、１つの画像作成スポットを各々照らす３つの半導
体発光体は、希望された色が照明される画像作成スポッ
トで常に認識されることを保証するために、同時に各々
制御できるように、好都合に与えられている。
半導体発光体がある時に、物体が制御される状態を考慮
して、１つの画像作成スポットを各々照らす３つの半導
体発光体は、希望された色が照明される画像作成スポッ
トで常に認識されることを保証するために、同時に各々
制御できるように、好都合に与えられている。
【００２３】光源の列の構造については詳細に記されて
いなかった。そこで、画像作成スポットが１つ或いは３
つの半導体発光体に依って照明できるかどうかの問題と
関係なしに、光源の列は、このタイプの光源の列は、例
えば、半導体発光体のいわゆる "アレイ" を用いて特に
容易に製作できるので、同じ波長の放射光線を放出する
少なくとも１つの列の半導体発光体を具備することが好
都合に考えられている。
いなかった。そこで、画像作成スポットが１つ或いは３
つの半導体発光体に依って照明できるかどうかの問題と
関係なしに、光源の列は、このタイプの光源の列は、例
えば、半導体発光体のいわゆる "アレイ" を用いて特に
容易に製作できるので、同じ波長の放射光線を放出する
少なくとも１つの列の半導体発光体を具備することが好
都合に考えられている。
【００２４】多色画像が優れた状態で生成されることが
意図されるケースでは、画像の列の画像作成スポットの
照明のために、光源の対応する列が互いに平行して走行
する３つの列の半導体発光体を搭載し、そこでは、各々
列の半導体発光体は実質的に同じ波長の放射光線を放出
する方法が、効果的に考案されている。同じ波長の放射
光線を放出する、このタイプの半導体発光体の集まり
は、それがいわゆる "アレイ" の形態で生成できるので
同様に効果的である。
意図されるケースでは、画像の列の画像作成スポットの
照明のために、光源の対応する列が互いに平行して走行
する３つの列の半導体発光体を搭載し、そこでは、各々
列の半導体発光体は実質的に同じ波長の放射光線を放出
する方法が、効果的に考案されている。同じ波長の放射
光線を放出する、このタイプの半導体発光体の集まり
は、それがいわゆる "アレイ" の形態で生成できるので
同様に効果的である。
【００２５】今まで、半導体発光体が制御される様子に
ついて詳細に記されていなかった。そこで、或る優れた
実施例は、光源の或る列の半導体発光体の中で、画像の
列の１／１０の画像作成スポットに少なくとも関連する
ものは同じ制御時点で制御できるようにして構成されて
いる。従って、半導体発光体を制御するための時間の大
幅な延長が実現できる。
ついて詳細に記されていなかった。そこで、或る優れた
実施例は、光源の或る列の半導体発光体の中で、画像の
列の１／１０の画像作成スポットに少なくとも関連する
ものは同じ制御時点で制御できるようにして構成されて
いる。従って、半導体発光体を制御するための時間の大
幅な延長が実現できる。
【００２６】画像の列の画像作成スポットの１／３に関
連する光源の各々列の少なくともこれらの半導体発光体
は同時に制御できる場合に、更に効果的になる。
連する光源の各々列の少なくともこれらの半導体発光体
は同時に制御できる場合に、更に効果的になる。
【００２７】画像の列の画像作成スポットの全てに関連
する半導体発光体が同時に制御できると、更に特に効果
的になる。
する半導体発光体が同時に制御できると、更に特に効果
的になる。
【００２８】今まで、複数の半導体発光体の同時制御が
行われる様子について詳細に説明されていなかった。そ
こで、或る優れた実施例は、制御パラメータが複数の半
導体発光体の同時制御に相応して並列に読み出されるバ
ッファ記憶装置が、複数の半導体発光体の同時制御のた
めに与えられるように考案されている。好都合に、制御
パラメータを記憶するために、バッファ記憶装置は制御
時点間の半導体発光体の制御パラメータを記録するよう
に考案されている。
行われる様子について詳細に説明されていなかった。そ
こで、或る優れた実施例は、制御パラメータが複数の半
導体発光体の同時制御に相応して並列に読み出されるバ
ッファ記憶装置が、複数の半導体発光体の同時制御のた
めに与えられるように考案されている。好都合に、制御
パラメータを記憶するために、バッファ記憶装置は制御
時点間の半導体発光体の制御パラメータを記録するよう
に考案されている。
【００２９】そこで、制御パラメータはバッファ記憶装
置にシリアルに読み込まれることができるように好都合
に考案されている。最も単純なケースで、制御パラメー
タの生成は画像生成器に依って行われる。好都合に、画
像生成器は、それは、制御パラメータをシリアルに生成
し、それらをバッファ記憶装置に読み込むように考案さ
れている。
置にシリアルに読み込まれることができるように好都合
に考案されている。最も単純なケースで、制御パラメー
タの生成は画像生成器に依って行われる。好都合に、画
像生成器は、それは、制御パラメータをシリアルに生成
し、それらをバッファ記憶装置に読み込むように考案さ
れている。
【００３０】半導体発光体を定められた状態で２つの制
御時点間で制御するために、或る制御時点から次の制御
時点にかけての制御パラメータをバッファで記憶する制
御手段が各々半導体発光体に関連するように、好都合に
考案されている。今まで、光学的投射システムの構造に
関して詳細に記されていなかった。そこで、或る優れた
実施例は、光学的投射システムは光源の列の画像を複数
の列の画像として連続して形成できるように考案してい
る。この方式は、１列の光源が複数の列の画像から成る
２次元画像を生成するために要求されるだけであるとい
う長所を備えている。
御時点間で制御するために、或る制御時点から次の制御
時点にかけての制御パラメータをバッファで記憶する制
御手段が各々半導体発光体に関連するように、好都合に
考案されている。今まで、光学的投射システムの構造に
関して詳細に記されていなかった。そこで、或る優れた
実施例は、光学的投射システムは光源の列の画像を複数
の列の画像として連続して形成できるように考案してい
る。この方式は、１列の光源が複数の列の画像から成る
２次元画像を生成するために要求されるだけであるとい
う長所を備えている。
【００３１】このタイプの光学的投射システムは、それ
が光源の列の画像を画像の連続する列として形成するビ
ーム偏向要素を具備する優れた状態で実現できる。ここ
で、ビーム偏向要素は好都合に可動自在の反射要素にな
る。好都合に、この反射要素は、それが画像の列の各々
１つに光源の列の画像を各々形成する、定められた角度
の位置に移動できるように移動できる。
が光源の列の画像を画像の連続する列として形成するビ
ーム偏向要素を具備する優れた状態で実現できる。ここ
で、ビーム偏向要素は好都合に可動自在の反射要素にな
る。好都合に、この反射要素は、それが画像の列の各々
１つに光源の列の画像を各々形成する、定められた角度
の位置に移動できるように移動できる。
【００３２】或る可能な解決方式はピボット式ミラーを
使用するものである。特に優れた実施例は、ビーム偏向
要素が回転する多角形反射器に依って形成されることを
考案している。光源の列を複数の画像列としての光源の
列として連続して画像を作成することは、多角形反射器
が一定の回転速度で回転するように製作されている、こ
のタイプの多角形反射器を用いると、特に容易に実現で
きる。
使用するものである。特に優れた実施例は、ビーム偏向
要素が回転する多角形反射器に依って形成されることを
考案している。光源の列を複数の画像列としての光源の
列として連続して画像を作成することは、多角形反射器
が一定の回転速度で回転するように製作されている、こ
のタイプの多角形反射器を用いると、特に容易に実現で
きる。
【００３３】そこで、多角形の各々表面に対して、多角
形反射器は、特定の角度の範囲を回転することに依って
数多くの画像の列を横断し、多角形の次の表面に切換え
ることが、好都合に考案されている。画像の生成は、光
学的投射システムが放射光線の焦点を光源の列の半導体
発光体から実質的にビーム偏向要素に定める場合に、ビ
ーム偏向要素を用いると特に効果的に行われる。
形反射器は、特定の角度の範囲を回転することに依って
数多くの画像の列を横断し、多角形の次の表面に切換え
ることが、好都合に考案されている。画像の生成は、光
学的投射システムが放射光線の焦点を光源の列の半導体
発光体から実質的にビーム偏向要素に定める場合に、ビ
ーム偏向要素を用いると特に効果的に行われる。
【００３４】複数の列の画像は１列の光源から光学的投
射システムに依って生成される実施例の全てに於いて、
少なくとも約１μｓ、好ましくは少なくとも約１０μｓ
の周期が画像の列の画像作成スポットの照明のために使
用できる、優れた方式で考案されている。これは、画像
の列の画像作成スポットに関連する半導体発光体の全て
が同時に制御されるケースで、２つの制御時点間の時間
間隔は、少なくとも約１μｓ、好ましくは少なくとも約
５μｓ、更に好ましくは少なくとも約１０μｓに同様に
なることを意味している。
射システムに依って生成される実施例の全てに於いて、
少なくとも約１μｓ、好ましくは少なくとも約１０μｓ
の周期が画像の列の画像作成スポットの照明のために使
用できる、優れた方式で考案されている。これは、画像
の列の画像作成スポットに関連する半導体発光体の全て
が同時に制御されるケースで、２つの制御時点間の時間
間隔は、少なくとも約１μｓ、好ましくは少なくとも約
５μｓ、更に好ましくは少なくとも約１０μｓに同様に
なることを意味している。
【００３５】画像作成スポットの部分に関連する半導体
発光体だけが同時に制御される場合、この数は同時に照
らされる画像の列の画像作成スポットの小数部に依って
乗算される。画像作成ポイントの少なくとも１／１０の
ケースで、少なくとも約０．１μｓ、好ましくは少なく
とも約０．５μｓ、更に好ましくは少なくとも約１μｓ
が２つの制御時点間の間隔として使用できる。
発光体だけが同時に制御される場合、この数は同時に照
らされる画像の列の画像作成スポットの小数部に依って
乗算される。画像作成ポイントの少なくとも１／１０の
ケースで、少なくとも約０．１μｓ、好ましくは少なく
とも約０．５μｓ、更に好ましくは少なくとも約１μｓ
が２つの制御時点間の間隔として使用できる。
【００３６】光学的投射システムが１列の光源の画像を
複数の列の画像として連続して形成するケースの代わり
に、光源の列の画像の各々の列に関連することが考案さ
れている。このケースで、光学的投射システムは複数の
列の光源の画像を複数の列の画像として形成するように
構成されている。
複数の列の画像として連続して形成するケースの代わり
に、光源の列の画像の各々の列に関連することが考案さ
れている。このケースで、光学的投射システムは複数の
列の光源の画像を複数の列の画像として形成するように
構成されている。
【００３７】特に、光学的投射システムの画像形成品質
について説明されていなかった。そこで、或る優れた実
施例は、光学的投射システムが、出口スポットを拡大す
ることに依って、画像の列の長手方向に互いに非常に僅
かに離隔する画像作成スポットを生成することを考案し
ている。そこで好都合に、画像作成スポットは互いに実
質的に境界を接するように考案されている。
について説明されていなかった。そこで、或る優れた実
施例は、光学的投射システムが、出口スポットを拡大す
ることに依って、画像の列の長手方向に互いに非常に僅
かに離隔する画像作成スポットを生成することを考案し
ている。そこで好都合に、画像作成スポットは互いに実
質的に境界を接するように考案されている。
【００３８】発明は、異なる画像作成スポットを異なる
色で照らして、多色画像を生成する装置に特に関してい
て、そこでは、人の目で認識される色の印象は、３つの
基本的な色の任意の混合、例えば、青と緑と赤の混合か
ら生じる。本発明に係る装置は、多色の静的画像の生成
だけでなく多色の動的画像の生成のために特に機能す
る。
色で照らして、多色画像を生成する装置に特に関してい
て、そこでは、人の目で認識される色の印象は、３つの
基本的な色の任意の混合、例えば、青と緑と赤の混合か
ら生じる。本発明に係る装置は、多色の静的画像の生成
だけでなく多色の動的画像の生成のために特に機能す
る。
【００３９】変動する色を備え且つ人の目に着色されて
現れる画像の生成中に画像作成スポットの色で照明のた
めに異なる波長を放射する３つの半導体発光体を用いる
時に、光学的投射システムは、１つの画像作成スポット
で異なる波長で放射する、３つの半導体発光体の放射光
線の画像を形成することが好都合に考案されている。こ
こで好都合に、光学的投射システムは、画像の形成を単
純にするために、１つのビームに、異なる波長で放射す
る３つの半導体発光体の放射光線を結合する。
現れる画像の生成中に画像作成スポットの色で照明のた
めに異なる波長を放射する３つの半導体発光体を用いる
時に、光学的投射システムは、１つの画像作成スポット
で異なる波長で放射する、３つの半導体発光体の放射光
線の画像を形成することが好都合に考案されている。こ
こで好都合に、光学的投射システムは、画像の形成を単
純にするために、１つのビームに、異なる波長で放射す
る３つの半導体発光体の放射光線を結合する。
【００４０】異なる波長で各々放出し且つ画像作成スポ
ットの色を決定する、３つの半導体発光体からの放射光
線は、偏向要素に衝突する前に１つのビームに好都合に
結合され、そのビームは偏向要素に依って或る画像作成
スポットから次の画像作成スポットに移動される。この
代わりに、しかし、異なる波長で放出する３つの半導体
発光体からの放射光線は偏向要素に別々に衝突し、且
つ、画像は光学的投射システムに依って其の後に単一の
画像作成スポットで形成され、そこでは、このケース
で、光学的投射システムは、それが、３つの半導体発光
体からの放射光線の画像を、画像作成スポットで、それ
に依って照らされる画像作成スポットの全てに対して、
形成するように構成されていなければならない。
ットの色を決定する、３つの半導体発光体からの放射光
線は、偏向要素に衝突する前に１つのビームに好都合に
結合され、そのビームは偏向要素に依って或る画像作成
スポットから次の画像作成スポットに移動される。この
代わりに、しかし、異なる波長で放出する３つの半導体
発光体からの放射光線は偏向要素に別々に衝突し、且
つ、画像は光学的投射システムに依って其の後に単一の
画像作成スポットで形成され、そこでは、このケース
で、光学的投射システムは、それが、３つの半導体発光
体からの放射光線の画像を、画像作成スポットで、それ
に依って照らされる画像作成スポットの全てに対して、
形成するように構成されていなければならない。
【００４１】この代わりに、光学的投射システムは、調
和しない状態で配置されている３つの部分的な画像作成
スポットに於いて、異なる波長で放出する、３つの半導
体発光体からの放射光線の画像を形成することが考案さ
れている。即ちこの光学的投射システムは３個の半導体
発光体からの放射光線の画像を形成し、該発光体はスポ
ットが一致しないように配列された３個の部分的画像ス
ポットにおいて相異なる波長で放射されるものである。
和しない状態で配置されている３つの部分的な画像作成
スポットに於いて、異なる波長で放出する、３つの半導
体発光体からの放射光線の画像を形成することが考案さ
れている。即ちこの光学的投射システムは３個の半導体
発光体からの放射光線の画像を形成し、該発光体はスポ
ットが一致しないように配列された３個の部分的画像ス
ポットにおいて相異なる波長で放射されるものである。
【００４２】この実施例の場合、各々異なる波長で放出
し且つ画像作成スポットの色を決定する、３つの半導体
発光体からの放射光線は、偏向要素と別々に衝突するの
で、後者も放射光線を別々に偏向するように好都合に考
案されている。今まで、半導体発光体に関して詳細に説
明されていなかった。基本的に、半導体の発光ダイオー
ドまたはスーパーラヂエーターまたは電界発光要素を半
導体発光体として使用できる。
し且つ画像作成スポットの色を決定する、３つの半導体
発光体からの放射光線は、偏向要素と別々に衝突するの
で、後者も放射光線を別々に偏向するように好都合に考
案されている。今まで、半導体発光体に関して詳細に説
明されていなかった。基本的に、半導体の発光ダイオー
ドまたはスーパーラヂエーターまたは電界発光要素を半
導体発光体として使用できる。
【００４３】半導体発光体が半導体レーザを具備してい
ると、特に効果的になることが証明されている。そこ
で、特に優れているタイプはいわゆる末端発光体であ
る。何故ならば、これらは、いわゆる "アレイ" すなわ
ち、基板上の半導体発光体の列として、単純に特に経済
的に製作できるからである。これらの末端発光体は具体
的に構成される周波数逓倍器に特に適している。
ると、特に効果的になることが証明されている。そこ
で、特に優れているタイプはいわゆる末端発光体であ
る。何故ならば、これらは、いわゆる "アレイ" すなわ
ち、基板上の半導体発光体の列として、単純に特に経済
的に製作できるからである。これらの末端発光体は具体
的に構成される周波数逓倍器に特に適している。
【００４４】この代わりに、しかし、半導体発光体がマ
トリクスの形態で単純に同様に配置できるいわゆる垂直
発光体である場合に、且つ、これらを用いる時に、特
に、光ファイバー要素、例えば、周波数逓倍器と結合で
きるので優れた成果を示す。特に、周波数逓倍器と組み
合わされた半導体放射源の使用が、希望された波長の放
射光線、例えば、青色や緑色または赤色の効果的な生成
に好都合と思われるケースに於いて、発明に伴う半導体
発光体は、半導体放射源と特に半導体レーザと周波数逓
倍器を、半導体放射源から放出される放射光線のために
具備している。
トリクスの形態で単純に同様に配置できるいわゆる垂直
発光体である場合に、且つ、これらを用いる時に、特
に、光ファイバー要素、例えば、周波数逓倍器と結合で
きるので優れた成果を示す。特に、周波数逓倍器と組み
合わされた半導体放射源の使用が、希望された波長の放
射光線、例えば、青色や緑色または赤色の効果的な生成
に好都合と思われるケースに於いて、発明に伴う半導体
発光体は、半導体放射源と特に半導体レーザと周波数逓
倍器を、半導体放射源から放出される放射光線のために
具備している。
【００４５】そこで好都合に、周波数逓倍器は、それ
が、各々放射源からの放射光線を少なくとも１０5 Ｗ／
cm2 の電力密度に圧縮された状態で案内するか、または
放射光線を前述の電力密度に圧縮する導波管構造と、導
波管構造に配置された周波数逓倍媒体を具備するように
構成されている。このタイプの導波管構造の機構は、周
波数逓倍器に必要な高い電力密度が、周波数逓倍媒体に
十分に長い相互作用の長さで単純に適正な状態で保持さ
れることを可能にする。
が、各々放射源からの放射光線を少なくとも１０5 Ｗ／
cm2 の電力密度に圧縮された状態で案内するか、または
放射光線を前述の電力密度に圧縮する導波管構造と、導
波管構造に配置された周波数逓倍媒体を具備するように
構成されている。このタイプの導波管構造の機構は、周
波数逓倍器に必要な高い電力密度が、周波数逓倍媒体に
十分に長い相互作用の長さで単純に適正な状態で保持さ
れることを可能にする。
【００４６】ここで、周波数逓倍器は、最大限度に多種
多様な状態で放射源に相応して配置できる。そこで、或
る優れた実施例は、放射光線の焦点を導波管構造に定め
る光学的手段が、放射源から放出し分岐する放射光線の
全てが導波管構造に結合される結果を導くために、各々
放射源と各々周波数逓倍器の間に配置される構造を考案
している。
多様な状態で放射源に相応して配置できる。そこで、或
る優れた実施例は、放射光線の焦点を導波管構造に定め
る光学的手段が、放射源から放出し分岐する放射光線の
全てが導波管構造に結合される結果を導くために、各々
放射源と各々周波数逓倍器の間に配置される構造を考案
している。
【００４７】この代わりに、周波数逓倍器は各々放射源
と直接隣接して位置するように考案されている。このケ
ースで、放射源に依って生成された放射光線の実質的に
全ては、次に配置されている周波数逓倍器に、特に其の
導波管構造が放射源から放出する放射光線の断面形状と
一致される時に進入することが、同様に保証される。更
に、この実施例は、放射源と周波数逓倍器の間で光学的
焦点設定手段の機構と調整を不要にする長所を備えてい
る。
と直接隣接して位置するように考案されている。このケ
ースで、放射源に依って生成された放射光線の実質的に
全ては、次に配置されている周波数逓倍器に、特に其の
導波管構造が放射源から放出する放射光線の断面形状と
一致される時に進入することが、同様に保証される。更
に、この実施例は、放射源と周波数逓倍器の間で光学的
焦点設定手段の機構と調整を不要にする長所を備えてい
る。
【００４８】或る優れた実施例に於いて、光源の列の放
射源は１列に配置され、且つ、光源の列の周波数逓倍器
は、好都合に放射源と同じ離隔状態で、放射源の出力側
で、同様に１列に配置されるように考案されている。好
都合に、放射源は、複数の放射源が共通する基板上に配
置される場合に特に容易に経済的に製作できる。
射源は１列に配置され、且つ、光源の列の周波数逓倍器
は、好都合に放射源と同じ離隔状態で、放射源の出力側
で、同様に１列に配置されるように考案されている。好
都合に、放射源は、複数の放射源が共通する基板上に配
置される場合に特に容易に経済的に製作できる。
【００４９】同様に、周波数逓倍器は、複数の周波数逓
倍器が共通する基板上に配置される場合に経済的に製作
できる。複数の放射源と複数の周波数逓倍器は、特に、
これらが共通する基板上に同じ各々距離で各々位置する
時に、理想的に組み合わされるので、周波数逓倍器を放
射源または介在する光学的焦点設定手段に直接隣接して
配置できるが、放射源と周波数逓倍器は共に共通する光
軸に常に位置している。
倍器が共通する基板上に配置される場合に経済的に製作
できる。複数の放射源と複数の周波数逓倍器は、特に、
これらが共通する基板上に同じ各々距離で各々位置する
時に、理想的に組み合わされるので、周波数逓倍器を放
射源または介在する光学的焦点設定手段に直接隣接して
配置できるが、放射源と周波数逓倍器は共に共通する光
軸に常に位置している。
【００５０】今まで、導波管構造のタイプと構造につい
て詳細に説明されていなかった。そこで、或る優れた実
施例は、各々周波数逓倍器の導波管構造をシングル・モ
ード導波管として考案している。導波管構造自体の構成
について、個々の実施例の前述の説明に関連して詳細に
説明されていなかった。そこで、或る優れた実施例は、
導波管構造は、導波管のコアを形成する周波数逓倍媒体
を囲み且つ導波管のコアより低い届折率を有する、壁材
料に依って形成される構成を考案している。導波管構造
は、このように、希望された寸法で単純に製作できる。
て詳細に説明されていなかった。そこで、或る優れた実
施例は、各々周波数逓倍器の導波管構造をシングル・モ
ード導波管として考案している。導波管構造自体の構成
について、個々の実施例の前述の説明に関連して詳細に
説明されていなかった。そこで、或る優れた実施例は、
導波管構造は、導波管のコアを形成する周波数逓倍媒体
を囲み且つ導波管のコアより低い届折率を有する、壁材
料に依って形成される構成を考案している。導波管構造
は、このように、希望された寸法で単純に製作できる。
【００５１】そこで好都合に、壁材料は周波数逓倍媒体
と同じ材料に基づき、且つ、それは、壁材料と周波数逓
倍媒体の間の境界面で放射光線のガイドを得るために、
それより低い届折率を異なるドーピングのために有する
構造が考案されている。このタイプの導波管構造の製作
は、最大限度に多種多様な状態で可能である。或る優れ
た実施例は、導波管構造が、周波数逓倍媒体と同じ材料
で、壁材料を形成するこれらの領域をドーピングするこ
とに依って形成されることを考案している。周波数逓倍
媒体の材料から始まって、この実施例は、導波管に適し
た壁材料を形成することが意図される領域をドーピング
することに依って、単純に導波管を製作できる可能性を
提供する。
と同じ材料に基づき、且つ、それは、壁材料と周波数逓
倍媒体の間の境界面で放射光線のガイドを得るために、
それより低い届折率を異なるドーピングのために有する
構造が考案されている。このタイプの導波管構造の製作
は、最大限度に多種多様な状態で可能である。或る優れ
た実施例は、導波管構造が、周波数逓倍媒体と同じ材料
で、壁材料を形成するこれらの領域をドーピングするこ
とに依って形成されることを考案している。周波数逓倍
媒体の材料から始まって、この実施例は、導波管に適し
た壁材料を形成することが意図される領域をドーピング
することに依って、単純に導波管を製作できる可能性を
提供する。
【００５２】この種類のドーピングは、例えば、ドーピ
ング要素の拡散に依って可能になる。このタイプのドー
ピング領域は、導波管構造が、基板、好ましくは単結晶
の基板に加えられ、且つ壁材料を備えている、層に依っ
て形成される時に、特に効果的に製作できる。同様に、
周波数逓倍媒体は、それが基板に加えられる層に依って
形成される時に単純に製作できる。
ング要素の拡散に依って可能になる。このタイプのドー
ピング領域は、導波管構造が、基板、好ましくは単結晶
の基板に加えられ、且つ壁材料を備えている、層に依っ
て形成される時に、特に効果的に製作できる。同様に、
周波数逓倍媒体は、それが基板に加えられる層に依って
形成される時に単純に製作できる。
【００５３】好都合に、基板は周波数逓倍媒体の材料か
ら同様に構成している。基板の使用は、周波数逓倍媒体
の光軸の定められた位置合わせが、この基板が周波数逓
倍媒体にも与えられている材料に基づいている限り、基
板の位置合わせに依って予め設定できるという、特に優
れた長所を提供する。周波数の倍増に要求される位相整
合を達成するために、周波数逓倍媒体は、放射源に依っ
て生成され且つ結合された放射光線と周波数が逓倍され
た放射光線の間で、導波管構造の長手方向に不臨界位相
整合を導くように形成され且つ其の光軸に関して、それ
が導波管のチャンネルに相応して位置合わせされる方法
が好都合に考案されている。
ら同様に構成している。基板の使用は、周波数逓倍媒体
の光軸の定められた位置合わせが、この基板が周波数逓
倍媒体にも与えられている材料に基づいている限り、基
板の位置合わせに依って予め設定できるという、特に優
れた長所を提供する。周波数の倍増に要求される位相整
合を達成するために、周波数逓倍媒体は、放射源に依っ
て生成され且つ結合された放射光線と周波数が逓倍され
た放射光線の間で、導波管構造の長手方向に不臨界位相
整合を導くように形成され且つ其の光軸に関して、それ
が導波管のチャンネルに相応して位置合わせされる方法
が好都合に考案されている。
【００５４】この位相整合を行うために、周波数逓倍媒
体は定められた温度まで導かれ且つ其の状態に保持でき
るので、最適の位相整合がこの１回だけの温度設定に準
じて保持できる方法が、好都合に考案されている。この
代わりに、周波数逓倍媒体は、導波管構造の長手方向に
準位相整合を導くように形成され位置合わせされる、或
る優れた実施例が考案されている。
体は定められた温度まで導かれ且つ其の状態に保持でき
るので、最適の位相整合がこの１回だけの温度設定に準
じて保持できる方法が、好都合に考案されている。この
代わりに、周波数逓倍媒体は、導波管構造の長手方向に
準位相整合を導くように形成され位置合わせされる、或
る優れた実施例が考案されている。
【００５５】
【実施例】本発明に係る装置の第１の最も単純な実施例
が、図１と図２に図示され、１０と全体的に参照数字が
付けられ、画像面１４、例えば、画像が人の目に依って
感知できるように生成された投射面の画像１２の生成の
ために用いられ、且つ、それは、光源１６の列の長手方
向１８に沿う光源１６の列に構成され、個々の制御ライ
ン２４を経由して共通制御手段２２に依って各々個々に
制御されることができる、複数の半導体発光体２０を搭
載している。
が、図１と図２に図示され、１０と全体的に参照数字が
付けられ、画像面１４、例えば、画像が人の目に依って
感知できるように生成された投射面の画像１２の生成の
ために用いられ、且つ、それは、光源１６の列の長手方
向１８に沿う光源１６の列に構成され、個々の制御ライ
ン２４を経由して共通制御手段２２に依って各々個々に
制御されることができる、複数の半導体発光体２０を搭
載している。
【００５６】ここで、長手方向１８は、２８と全体的に
参照数字が付記され且つ各々半導体発光体３２の出口ス
ポット３０の画像を形成する、光学的投射システムの光
軸２６を横断して走行し、そこから、後者に依って生成
された放射光線３２は、半導体発光体２０に依って生成
された放射光線に依って照らされる画像面１４の画像作
成スポット３４に発生する。ここで、光学的投射システ
ム２８は、各々半導体発光体２０の出口スポット３０は
特定の時点で画像面１４の１つの画像作成スポット３４
だけに投射されるように構成されている。
参照数字が付記され且つ各々半導体発光体３２の出口ス
ポット３０の画像を形成する、光学的投射システムの光
軸２６を横断して走行し、そこから、後者に依って生成
された放射光線３２は、半導体発光体２０に依って生成
された放射光線に依って照らされる画像面１４の画像作
成スポット３４に発生する。ここで、光学的投射システ
ム２８は、各々半導体発光体２０の出口スポット３０は
特定の時点で画像面１４の１つの画像作成スポット３４
だけに投射されるように構成されている。
【００５７】図１と図２に概略的に図示されるように、
最も単純なケースに於いて、光学的投射システム２８
は、幾何学的投射に依って、画像作成スポット３４を照
らすレンズになり、放射光線３２は半導体発光体２０か
ら僅かの発散で発生し、画像作成スポット３４は複数の
出口スポット３０に対応する表面部を一般的に備えてい
る。
最も単純なケースに於いて、光学的投射システム２８
は、幾何学的投射に依って、画像作成スポット３４を照
らすレンズになり、放射光線３２は半導体発光体２０か
ら僅かの発散で発生し、画像作成スポット３４は複数の
出口スポット３０に対応する表面部を一般的に備えてい
る。
【００５８】光源１６の列が長手方向１８で互いに隣接
して配置されている個々の半導体発光体から成り且つ単
純なレンズが光学的投射システム２８を表している、最
も単純なケースでは、互いに画像３８の列を形成する個
々の画像作成スポット３４は、画像面１４の長手方向３
６で互いに隣接して現れる。好都合に、画像３８の列の
個々の画像作成スポット３４は長手方向３６に対応する
方向で重ならないように構成されている。画像作成スポ
ット３４は其れらの外部境界が僅かの距離だけ離れてい
るが互いに連続しているか、または其れらが互いに境界
を接している、投射面を形成していることは、特に好ま
しいことである。
して配置されている個々の半導体発光体から成り且つ単
純なレンズが光学的投射システム２８を表している、最
も単純なケースでは、互いに画像３８の列を形成する個
々の画像作成スポット３４は、画像面１４の長手方向３
６で互いに隣接して現れる。好都合に、画像３８の列の
個々の画像作成スポット３４は長手方向３６に対応する
方向で重ならないように構成されている。画像作成スポ
ット３４は其れらの外部境界が僅かの距離だけ離れてい
るが互いに連続しているか、または其れらが互いに境界
を接している、投射面を形成していることは、特に好ま
しいことである。
【００５９】画像作成スポット３４の輝度を画像１２を
見る人の目に相応して変えるために、図２に図示される
ように、制御手段２２は共通電流源４０を半導体発光体
２０の全てに対して搭載し、その源は、各々半導体発光
体２０に対して与えられ且つ電流制御要素、例えば、そ
のゲートが記憶要素としてコンデンサ４６に接続されて
いるＦＥＴトランジスタ４４を搭載している。各々電流
制御ブロック４２のこのコンデンサ４６は制御スイッチ
４８を介して特定のレベルの電荷まで充電できて、そこ
ではコンデンサ４６の電荷がＦＥＴトランジスタ４４を
経由する電流を決定する。そのために、コンデンサ４６
に記憶しなければならない電荷は、制御スイッチ４８を
バッファ記憶装置５０からトリガーすることに依ってバ
ッファ記憶装置５０から読み出され、そこでは、バッフ
ァ記憶装置５０は制御パラメータの全てを好都合に記憶
し、且つ、制御スイッチ４８のトリガーに依り、制御パ
ラメータの全てが同時に電流制御ブロック４２の全ての
コンデンサ４６に読み込まれる。
見る人の目に相応して変えるために、図２に図示される
ように、制御手段２２は共通電流源４０を半導体発光体
２０の全てに対して搭載し、その源は、各々半導体発光
体２０に対して与えられ且つ電流制御要素、例えば、そ
のゲートが記憶要素としてコンデンサ４６に接続されて
いるＦＥＴトランジスタ４４を搭載している。各々電流
制御ブロック４２のこのコンデンサ４６は制御スイッチ
４８を介して特定のレベルの電荷まで充電できて、そこ
ではコンデンサ４６の電荷がＦＥＴトランジスタ４４を
経由する電流を決定する。そのために、コンデンサ４６
に記憶しなければならない電荷は、制御スイッチ４８を
バッファ記憶装置５０からトリガーすることに依ってバ
ッファ記憶装置５０から読み出され、そこでは、バッフ
ァ記憶装置５０は制御パラメータの全てを好都合に記憶
し、且つ、制御スイッチ４８のトリガーに依り、制御パ
ラメータの全てが同時に電流制御ブロック４２の全ての
コンデンサ４６に読み込まれる。
【００６０】トリガー・ブロック５２は制御スイッチ４
８をトリガーするために与えられている。トリガー・ブ
ロック５２が制御スイッチ４８をトリガーする、時点ｔ
の間に、個々の制御パラメータをシリアルにバッファ記
憶装置５０に画像作成器５４を経由して読み込む機会が
あるので、バッファ記憶装置５０は、いま関連する制御
パラメータを光源１６の列の半導体発光体２０の全てに
対して各々トリガー時点ｔで記憶できる。
８をトリガーするために与えられている。トリガー・ブ
ロック５２が制御スイッチ４８をトリガーする、時点ｔ
の間に、個々の制御パラメータをシリアルにバッファ記
憶装置５０に画像作成器５４を経由して読み込む機会が
あるので、バッファ記憶装置５０は、いま関連する制御
パラメータを光源１６の列の半導体発光体２０の全てに
対して各々トリガー時点ｔで記憶できる。
【００６１】ここで、１つだけの半導体発光体２０を考
えてみると、それに依って放出された放射光線３２の密
度は、図３に図示されるように、対応する制御ブロック
４２のコンデンサ４６を対応して充電することに依っ
て、制御時点ｔ1 で決定できる。電荷はその後コンデン
サ４６に保持されるので、半導体発光体からの放射密度
は次の制御時点ｔ2 まで一定の状態を保つ。この時点
で、コンデンサ４６の電荷が減少されると、この密度も
次の制御時点ｔ3 まで保持される。最大密度、すなわち
コンデンサ４６の最大電荷は、例えば、制御時点ｔ3 で
記憶されるが、最小電荷は制御時点ｔ4 で記憶されるの
で、制御時点ｔ4 とｔ5 の間で、半導体発光体２０は任
意の放射光線を放出しないか、または０の密度を有する
放射だけ放出する。
えてみると、それに依って放出された放射光線３２の密
度は、図３に図示されるように、対応する制御ブロック
４２のコンデンサ４６を対応して充電することに依っ
て、制御時点ｔ1 で決定できる。電荷はその後コンデン
サ４６に保持されるので、半導体発光体からの放射密度
は次の制御時点ｔ2 まで一定の状態を保つ。この時点
で、コンデンサ４６の電荷が減少されると、この密度も
次の制御時点ｔ3 まで保持される。最大密度、すなわち
コンデンサ４６の最大電荷は、例えば、制御時点ｔ3 で
記憶されるが、最小電荷は制御時点ｔ4 で記憶されるの
で、制御時点ｔ4 とｔ5 の間で、半導体発光体２０は任
意の放射光線を放出しないか、または０の密度を有する
放射だけ放出する。
【００６２】個々の制御ブロック４２が各々半導体発光
体２０に与えられている事実から、光源１６の列の各々
個々の半導体発光体２０は、ここで個々に制御できるの
で、画像列３８は、著しく異なる輝度を有する画像作成
スポット３４を示す。図４に図示される発明に従う制御
手段２２″の代替実施例では、制御手段２２と同じこれ
らの構成要素に同じ参照数字が付記されているので、そ
れらの説明に関して、引例は制御手段２２に関連する注
記の詳細な内容に相応して記されている。
体２０に与えられている事実から、光源１６の列の各々
個々の半導体発光体２０は、ここで個々に制御できるの
で、画像列３８は、著しく異なる輝度を有する画像作成
スポット３４を示す。図４に図示される発明に従う制御
手段２２″の代替実施例では、制御手段２２と同じこれ
らの構成要素に同じ参照数字が付記されているので、そ
れらの説明に関して、引例は制御手段２２に関連する注
記の詳細な内容に相応して記されている。
【００６３】制御手段２２と対照的に、各々制御ブロッ
ク４２′は、そのゲートがパルス成形段階６０に依って
制御され且つ段階間でオンとオフに単純に切り替えられ
る、制御トランジスタ４４を単純に搭載している。その
部分に対して、パルス成形段階は、関連する制御時点ｔ
で伝えられた制御パラメータを記憶し、且つ、制御トラ
ンジスタ４４に適した制御パルスの形状を制御パラメー
タに準じて設定し、パルス幅変調原理に従って異なる長
さになるので、半導体発光体２０は、図５に図示される
ように、各々制御時点ｔの間で、異なる長さの周期の場
合にだけ、オンまたはオフの何れかに切り替えられる。
ク４２′は、そのゲートがパルス成形段階６０に依って
制御され且つ段階間でオンとオフに単純に切り替えられ
る、制御トランジスタ４４を単純に搭載している。その
部分に対して、パルス成形段階は、関連する制御時点ｔ
で伝えられた制御パラメータを記憶し、且つ、制御トラ
ンジスタ４４に適した制御パルスの形状を制御パラメー
タに準じて設定し、パルス幅変調原理に従って異なる長
さになるので、半導体発光体２０は、図５に図示される
ように、各々制御時点ｔの間で、異なる長さの周期の場
合にだけ、オンまたはオフの何れかに切り替えられる。
【００６４】制御時点ｔ1 とｔ2 とｔ3 とｔ4 の間の一
定の密度値は、異なる長さΔｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 のパ
ルス周期から実現され、そこでは、半導体発光体は、パ
ルス周期Δｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 の各々で最大値を有す
る放射光線３２を放出する。ここで、人の目は画像作成
スポット３４を見る時に平均する時間になるように作動
するので、異なるパルス幅Δｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 は、
ちょうど図３に図示される密度値が、制御時点ｔ1 とｔ
2 とｔ3 とｔ4 の間の周期全体にわたって現れるような
印象を人の目に与えるような使用が効果的に行われる。
定の密度値は、異なる長さΔｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 のパ
ルス周期から実現され、そこでは、半導体発光体は、パ
ルス周期Δｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 の各々で最大値を有す
る放射光線３２を放出する。ここで、人の目は画像作成
スポット３４を見る時に平均する時間になるように作動
するので、異なるパルス幅Δｔ1 とΔｔ2 とΔｔ3 は、
ちょうど図３に図示される密度値が、制御時点ｔ1 とｔ
2 とｔ3 とｔ4 の間の周期全体にわたって現れるような
印象を人の目に与えるような使用が効果的に行われる。
【００６５】制御手段２２′は、他の点では制御手段２
２と同様に構成されている。図６に図示される第２実施
例の場合、１２８と全体的に参照数字が付記されてい
る、光学的投射システムは、駆動手段１３４に依って軸
１３２の周囲を回転自在に駆動される多角形反射器１３
０を搭載している。その部分に対して、多角形反射器１
３０は同じ角度距離で軸１３２の周囲に構成される複数
の多角形の表面１３６を具備し、そこでは１つの多角形
の表面１３６は各々の反射表面として作動する。
２と同様に構成されている。図６に図示される第２実施
例の場合、１２８と全体的に参照数字が付記されてい
る、光学的投射システムは、駆動手段１３４に依って軸
１３２の周囲を回転自在に駆動される多角形反射器１３
０を搭載している。その部分に対して、多角形反射器１
３０は同じ角度距離で軸１３２の周囲に構成される複数
の多角形の表面１３６を具備し、そこでは１つの多角形
の表面１３６は各々の反射表面として作動する。
【００６６】光源１６の列は、第１実施例と全く同様
に、長手方向１８に連続して構成され且つ制御手段２２
または２２′に依って同様に制御される、複数の半導体
発光体２０を搭載している。出口スポット３０から現れ
る放射光線３２は第１光学的焦点設定手段１３８に依り
反射位置に存在する多角形の表面１３６に最初に焦点が
設定され、反射位置にある多角形の表面１３６から反射
された放射光線１４０は中間に焦点が設定され、その画
像は第２光学的焦点設定手段１４２に依って画像面１４
に形成される。
に、長手方向１８に連続して構成され且つ制御手段２２
または２２′に依って同様に制御される、複数の半導体
発光体２０を搭載している。出口スポット３０から現れ
る放射光線３２は第１光学的焦点設定手段１３８に依り
反射位置に存在する多角形の表面１３６に最初に焦点が
設定され、反射位置にある多角形の表面１３６から反射
された放射光線１４０は中間に焦点が設定され、その画
像は第２光学的焦点設定手段１４２に依って画像面１４
に形成される。
【００６７】反射位置にある多角形の表面１３６は、そ
れが放射光線３２に依って照射される限り、軸１３２の
周囲の回転を続ける事実から、画像３８の１列だけ画像
面１４に現れるのでなく、むしろ長手方向３６と垂直に
走行する横断方向１４４に於いて互いに隣接して構成さ
れる画像３８′の複数の列が与えられる。画像３８ａ′
の最初の列は、したがって、反射位置にある多角形の表
面１３６が回転方向の最前部にある其の領域１３６ａで
放射光線３２に依って衝撃を受ける時に画像面１４に生
成され、且つ、画像３８ｂ′の最後の列は、反射位置に
ある多角形の表面１３６が多角形反射器の回転方向１４
６の最後部にある其の領域１３６ｂで放射光線３２に依
って衝撃を受ける時に生成される。
れが放射光線３２に依って照射される限り、軸１３２の
周囲の回転を続ける事実から、画像３８の１列だけ画像
面１４に現れるのでなく、むしろ長手方向３６と垂直に
走行する横断方向１４４に於いて互いに隣接して構成さ
れる画像３８′の複数の列が与えられる。画像３８ａ′
の最初の列は、したがって、反射位置にある多角形の表
面１３６が回転方向の最前部にある其の領域１３６ａで
放射光線３２に依って衝撃を受ける時に画像面１４に生
成され、且つ、画像３８ｂ′の最後の列は、反射位置に
ある多角形の表面１３６が多角形反射器の回転方向１４
６の最後部にある其の領域１３６ｂで放射光線３２に依
って衝撃を受ける時に生成される。
【００６８】回転する多角形反射器１３０と制御手段２
２の同期をとるために、図６と７に図示されるように、
光ビーム１５０を用いて、例えば、反射位置にある多角
形の表面１３６と対向して位置する多角形の表面１３６
を照らす、更なる半導体発光体１４８が与えられてい
て、そこでは、反射放射光線１５２は、１５４と全体的
に参照数字が付記され且つ１つの検出器領域１５６また
は複数の検出器領域１５６を示す検出器と衝突し、そこ
では、検出器領域１５６は反射放射光線１５２の断面に
ほぼ対応する広がり部を備えているので、多角形反射器
１３０の正確な角度位置は、反射放射光線１５２が各々
検出器領域１５６と衝突すると必ず定められる。
２の同期をとるために、図６と７に図示されるように、
光ビーム１５０を用いて、例えば、反射位置にある多角
形の表面１３６と対向して位置する多角形の表面１３６
を照らす、更なる半導体発光体１４８が与えられてい
て、そこでは、反射放射光線１５２は、１５４と全体的
に参照数字が付記され且つ１つの検出器領域１５６また
は複数の検出器領域１５６を示す検出器と衝突し、そこ
では、検出器領域１５６は反射放射光線１５２の断面に
ほぼ対応する広がり部を備えているので、多角形反射器
１３０の正確な角度位置は、反射放射光線１５２が各々
検出器領域１５６と衝突すると必ず定められる。
【００６９】第１検出器領域１５６は、例えば、反射放
射光線１５２が其こに衝突する時に、反射位置にある多
角形の表面１３６が第１の画像列３８′ａに光源１６の
列の半導体発光体２０の出口スポット３０の画像を形成
するように位置設定される。更に、第２の検出器表面１
５６は、反射放射光線１５２が其こに衝突する時に、反
射位置にある多角形の表面１３６が第２の画像列３８′
に光源１６の列の半導体発光体２０の出口スポット３０
の画像を形成するように好都合に構成されている。
射光線１５２が其こに衝突する時に、反射位置にある多
角形の表面１３６が第１の画像列３８′ａに光源１６の
列の半導体発光体２０の出口スポット３０の画像を形成
するように位置設定される。更に、第２の検出器表面１
５６は、反射放射光線１５２が其こに衝突する時に、反
射位置にある多角形の表面１３６が第２の画像列３８′
に光源１６の列の半導体発光体２０の出口スポット３０
の画像を形成するように好都合に構成されている。
【００７０】反射放射光線１５２が検出器領域１５６の
１つと衝突すると、例えばトリガー・ブロック５２に導
かれる信号を検出器１５４に生成し、これが、必要にお
うじて適切な時間変位で制御スイッチ４８をトリガーす
るので、各々電流制御ブロック４２の制御パラメータは
これらの制御時点ｔで変更できる。異なる輝度分布状態
を有する画像作成スポット３４を各々画像列３８′に投
射できて、長手方向３６と横断方向１４４に延長し且つ
画像列３８′の個々の画像作成スポット３４から成る２
次元画像を画像面１４に作成することが従って考えられ
る。制御時点ｔは、それらが放射光線３２が２つの多角
形の表面１３６間に位置する末端１６０と衝突すると思
われる時点と好都合に一致するように、多角形反射器１
３０の回転と従って同期される。
１つと衝突すると、例えばトリガー・ブロック５２に導
かれる信号を検出器１５４に生成し、これが、必要にお
うじて適切な時間変位で制御スイッチ４８をトリガーす
るので、各々電流制御ブロック４２の制御パラメータは
これらの制御時点ｔで変更できる。異なる輝度分布状態
を有する画像作成スポット３４を各々画像列３８′に投
射できて、長手方向３６と横断方向１４４に延長し且つ
画像列３８′の個々の画像作成スポット３４から成る２
次元画像を画像面１４に作成することが従って考えられ
る。制御時点ｔは、それらが放射光線３２が２つの多角
形の表面１３６間に位置する末端１６０と衝突すると思
われる時点と好都合に一致するように、多角形反射器１
３０の回転と従って同期される。
【００７１】放射光線３２が末端１６０に直接衝突する
時点で、全ての半導体発光体は時間Δｔk の間にオフに
一時的に切り替えられるので、末端１６０の次の多角形
の表面１３６が反射位置に更に位置し且つ順に放射光線
３２を反射する時まで、それは放射光線３２を放出しな
いので、半導体発光体２０の出口スポット３０が最初の
画像列３８′ａに位置できるので特に好都合になる。こ
のタイプを制御する方法が、制御手段２２のケースのた
めに図８に図示されている。このケースで、制御スイッ
チ４８は、それがコンデンサ４６を関連する制御時点ｔ
で初期の状態まで放電し、次に其れをバッファ記憶装置
５０に記憶されている適切な制御パラメータで再び充電
するように、構成されている。
時点で、全ての半導体発光体は時間Δｔk の間にオフに
一時的に切り替えられるので、末端１６０の次の多角形
の表面１３６が反射位置に更に位置し且つ順に放射光線
３２を反射する時まで、それは放射光線３２を放出しな
いので、半導体発光体２０の出口スポット３０が最初の
画像列３８′ａに位置できるので特に好都合になる。こ
のタイプを制御する方法が、制御手段２２のケースのた
めに図８に図示されている。このケースで、制御スイッ
チ４８は、それがコンデンサ４６を関連する制御時点ｔ
で初期の状態まで放電し、次に其れをバッファ記憶装置
５０に記憶されている適切な制御パラメータで再び充電
するように、構成されている。
【００７２】制御手段２２′のケースで、関連する制御
時点ｔの直前に半導体発光体２０をオフに切り替えるこ
とは、図９に図示されるように、一定の時間間隔で互い
に好都合に続く連続する制御時点ｔ間の周期よりΔｔk
だけ最大パルス幅Δｔを時間的に短縮することに依っ
て、容易に達成される。図６に図示される実施例の場
合、駆動手段１３４は多角形反射器１３０を実質的に安
定された回転速度で連続して回転できるようにして与え
られている。
時点ｔの直前に半導体発光体２０をオフに切り替えるこ
とは、図９に図示されるように、一定の時間間隔で互い
に好都合に続く連続する制御時点ｔ間の周期よりΔｔk
だけ最大パルス幅Δｔを時間的に短縮することに依っ
て、容易に達成される。図６に図示される実施例の場
合、駆動手段１３４は多角形反射器１３０を実質的に安
定された回転速度で連続して回転できるようにして与え
られている。
【００７３】この代わりに、ステッピング・モータを駆
動手段１３４として与えることが考えられ、そこでは、
モータは個々の回転位置に制御された状態で置かれるこ
とができるので、それは、多角形反射器１３０を連続し
て回転せず、むしろ、それを、反射位置にある多角形の
表面１３６が放射光線３２と向かい合う異なる角度位置
を連続して用いるように構成される各々回転位置に回転
し、そこでは、各々個々の角度位置は画像列３８′の１
つに対する光源１６の列の出口スポット３０の反射に対
応するので、画像列３８′は定められた時間中に照らさ
れ、その後に、反射位置にある多角形の表面１３６は次
の回転位置に "ジャンプ" する。このケースでは、多角
形反射器１３０の瞬時回転に依り末端１６０にジャンプ
することも考えられる。
動手段１３４として与えることが考えられ、そこでは、
モータは個々の回転位置に制御された状態で置かれるこ
とができるので、それは、多角形反射器１３０を連続し
て回転せず、むしろ、それを、反射位置にある多角形の
表面１３６が放射光線３２と向かい合う異なる角度位置
を連続して用いるように構成される各々回転位置に回転
し、そこでは、各々個々の角度位置は画像列３８′の１
つに対する光源１６の列の出口スポット３０の反射に対
応するので、画像列３８′は定められた時間中に照らさ
れ、その後に、反射位置にある多角形の表面１３６は次
の回転位置に "ジャンプ" する。このケースでは、多角
形反射器１３０の瞬時回転に依り末端１６０にジャンプ
することも考えられる。
【００７４】トリガー・ブロック５２もステッピング・
モータの制御に対応する状態で制御できるので、検出器
１５４に依る多角形反射器１３０の回転位置の検出を不
要にする。２つの前述の実施例では、光源１６の各々列
に相応して、個々の半導体発光体２０が長手方向１８で
互いに隣接して位置し、光源１６の列は半導体発光体２
０の１つの列に依って形成されるように構成されてい
る。
モータの制御に対応する状態で制御できるので、検出器
１５４に依る多角形反射器１３０の回転位置の検出を不
要にする。２つの前述の実施例では、光源１６の各々列
に相応して、個々の半導体発光体２０が長手方向１８で
互いに隣接して位置し、光源１６の列は半導体発光体２
０の１つの列に依って形成されるように構成されてい
る。
【００７５】多色画像を人の目に提供するために、例え
ばテレビジョン画像のように、図１０に概略的に図示さ
れる第３実施例では、光源２１６の各々列は互いに平行
に走行する半導体発光体２０の３つの列２１８，２２
０，２２２を搭載し、そこでは、列２１８は赤色光線を
放出する半導体発光体２０Ｒから形成され、列２２０は
緑色光線を放出する半導体発光体２０Ｇから形成され、
列２２２は青色光線を放出する半導体発光体２０Ｂから
形成されている。
ばテレビジョン画像のように、図１０に概略的に図示さ
れる第３実施例では、光源２１６の各々列は互いに平行
に走行する半導体発光体２０の３つの列２１８，２２
０，２２２を搭載し、そこでは、列２１８は赤色光線を
放出する半導体発光体２０Ｒから形成され、列２２０は
緑色光線を放出する半導体発光体２０Ｇから形成され、
列２２２は青色光線を放出する半導体発光体２０Ｂから
形成されている。
【００７６】ここで、光学的投射システム２２８は、各
々のケースで、半導体発光体２０Ｒと半導体発光体２０
Ｇと半導体発光体２０Ｂが或る画像作成スポット２３４
を照らすように構成され、そこでは、最も単純なケース
で、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの各々に依っ
て生成された部分的な画像作成スポット２３６Ｂと２３
６Ｇと２３６Ｒは調和して重ね合わされず、むしろ例え
ば、それらは部分的にだけ重なり合うか或いは全く重な
らないように構成される。最も単純なケースで、このタ
イプの光学的投射システム２２８を用いる時に、第１光
学的焦点設定手段１３８に依る多角形反射器１３０に対
する放射光線３２の中間焦点設定を不要にできる。
々のケースで、半導体発光体２０Ｒと半導体発光体２０
Ｇと半導体発光体２０Ｂが或る画像作成スポット２３４
を照らすように構成され、そこでは、最も単純なケース
で、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの各々に依っ
て生成された部分的な画像作成スポット２３６Ｂと２３
６Ｇと２３６Ｒは調和して重ね合わされず、むしろ例え
ば、それらは部分的にだけ重なり合うか或いは全く重な
らないように構成される。最も単純なケースで、このタ
イプの光学的投射システム２２８を用いる時に、第１光
学的焦点設定手段１３８に依る多角形反射器１３０に対
する放射光線３２の中間焦点設定を不要にできる。
【００７７】光学的投射システム２２８は、他のてんで
は第２実施例の光学的投射システム１２８と同様に構成
されているので、個々の詳細については其の引例を参照
すること。更に、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂ
の列２１８，２２０，２２２の制御は第１実施例に関連
して説明された種々の状態と類似する状態で行われる
が、しかし、バッファ記憶装置５０が列２１８，２２
０，２２２の各々に要求され、電流制御ブロック４２が
各々半導体発光体２０に要求されるが、全ての３つの列
２１８，２２０，２２２の半導体発光体２０Ｒと２０Ｇ
と２０Ｂに適した制御パラメータは制御時点ｔでバッフ
ァ記憶装置から同時に読み出される状態で制御が行われ
る。
は第２実施例の光学的投射システム１２８と同様に構成
されているので、個々の詳細については其の引例を参照
すること。更に、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂ
の列２１８，２２０，２２２の制御は第１実施例に関連
して説明された種々の状態と類似する状態で行われる
が、しかし、バッファ記憶装置５０が列２１８，２２
０，２２２の各々に要求され、電流制御ブロック４２が
各々半導体発光体２０に要求されるが、全ての３つの列
２１８，２２０，２２２の半導体発光体２０Ｒと２０Ｇ
と２０Ｂに適した制御パラメータは制御時点ｔでバッフ
ァ記憶装置から同時に読み出される状態で制御が行われ
る。
【００７８】多色画像を生成するために、半導体発光体
２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの波長だけでなく、考えられる
最大輝度も、人の目に関する限り、全ての色、特に白色
が、色混合に依って画像作成スポット２３４に生成でき
るように選択される。そのために、３つの制御パラメー
タ、すなわち、これらの画像作成スポット２３４を照ら
す半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの各々に１つ、
各々画像作成スポット２３４の画像生成器５４に依って
生成されなければならない。
２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの波長だけでなく、考えられる
最大輝度も、人の目に関する限り、全ての色、特に白色
が、色混合に依って画像作成スポット２３４に生成でき
るように選択される。そのために、３つの制御パラメー
タ、すなわち、これらの画像作成スポット２３４を照ら
す半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの各々に１つ、
各々画像作成スポット２３４の画像生成器５４に依って
生成されなければならない。
【００７９】図１１に図示される第４実施例では、半導
体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂを各々具備する３つの
列２１８，２２０，２２２が同様に構成されている。そ
の制御は、第３実施例に関連して説明された時と同様に
行われる。第３実施例と対照的に、光学的投射システム
３２８は、半導体発光体２０Ｒの放射光線３２Ｒと半導
体発光体２０Ｇの放射光線３２Ｇと半導体発光体２０Ｂ
の放射光線３２Ｂを互いに結合するために、多角形反射
器１３０と光源２１６の列の間に、２つの各々セットの
ミラー３３０と３３２を搭載している。
体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂを各々具備する３つの
列２１８，２２０，２２２が同様に構成されている。そ
の制御は、第３実施例に関連して説明された時と同様に
行われる。第３実施例と対照的に、光学的投射システム
３２８は、半導体発光体２０Ｒの放射光線３２Ｒと半導
体発光体２０Ｇの放射光線３２Ｇと半導体発光体２０Ｂ
の放射光線３２Ｂを互いに結合するために、多角形反射
器１３０と光源２１６の列の間に、２つの各々セットの
ミラー３３０と３３２を搭載している。
【００８０】第１のセットのミラー３３０は、放射光線
３２Ｒのビーム通路に配置されているダイクロイック・
ミラー３３３と、放射光線３２Ｇをダイクロイック・ミ
ラー３３３に反射するミラー３３５を具備している。第
２のセットのミラー３３２は、放射光線３２Ｒのビーム
通路に配置されているダイクロイック・ミラー３３８
と、放射光線３２Ｂをダイクロイック・ミラー３３８に
反射するミラー３４０を具備している。
３２Ｒのビーム通路に配置されているダイクロイック・
ミラー３３３と、放射光線３２Ｇをダイクロイック・ミ
ラー３３３に反射するミラー３３５を具備している。第
２のセットのミラー３３２は、放射光線３２Ｒのビーム
通路に配置されているダイクロイック・ミラー３３８
と、放射光線３２Ｂをダイクロイック・ミラー３３８に
反射するミラー３４０を具備している。
【００８１】そこで、放射光線３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ
は２つのダイクロイック・ミラー３３３と３３８に依っ
て放射光線３２Ｖに結合され、それは多角形反射器１３
０と交わり且つ後者に依って画像面１４に第２実施例に
関連して既に説明されたように反射される。この光学的
投射システム３２８の長所は、この実施例の各々画像作
成スポット３３４に相応して、半導体発光体２０Ｒと２
０Ｇと２０Ｂの出口スポット３０の画像の形成に依って
生成される、部分的な画像作成スポット３３６が、実質
的に調和する状態で互いに重ね合わされることができる
ことにある。
は２つのダイクロイック・ミラー３３３と３３８に依っ
て放射光線３２Ｖに結合され、それは多角形反射器１３
０と交わり且つ後者に依って画像面１４に第２実施例に
関連して既に説明されたように反射される。この光学的
投射システム３２８の長所は、この実施例の各々画像作
成スポット３３４に相応して、半導体発光体２０Ｒと２
０Ｇと２０Ｂの出口スポット３０の画像の形成に依って
生成される、部分的な画像作成スポット３３６が、実質
的に調和する状態で互いに重ね合わされることができる
ことにある。
【００８２】図１２に図示される第５実施例の場合、半
導体発光体２０の複数の列の光源４１６は２次元マトリ
クス４２０に配置され、且つ光学的投射システム４２８
は、それが各々半導体発光体２０の各々出口スポットの
画像を画像面１４の画像作成スポット３４として形成す
るように構成されるので、隣接して位置する画像作成ス
ポットを含めた画像の列４３８は半導体発光体２０の隣
接して位置する出口スポット３０を有する光源４１６の
列と対応できて、そこでは、各々画像作成スポット３４
は対応する半導体発光体２０の出口スポット３０と対応
している。ここで、光学的投射システム４２８は、中間
焦点Ｆを介して画像面１４に拡大された画像作成スポッ
ト３４として半導体発光体２０の出口スポット３０の画
像を形成する光学的レンズ・システムに好都合になる。
導体発光体２０の複数の列の光源４１６は２次元マトリ
クス４２０に配置され、且つ光学的投射システム４２８
は、それが各々半導体発光体２０の各々出口スポットの
画像を画像面１４の画像作成スポット３４として形成す
るように構成されるので、隣接して位置する画像作成ス
ポットを含めた画像の列４３８は半導体発光体２０の隣
接して位置する出口スポット３０を有する光源４１６の
列と対応できて、そこでは、各々画像作成スポット３４
は対応する半導体発光体２０の出口スポット３０と対応
している。ここで、光学的投射システム４２８は、中間
焦点Ｆを介して画像面１４に拡大された画像作成スポッ
ト３４として半導体発光体２０の出口スポット３０の画
像を形成する光学的レンズ・システムに好都合になる。
【００８３】そこで、画像面１４の画像列４３８の画像
作成スポット３４に依って形成される、単色２次元画像
は、同じ波長の放射光線３２を、その適切な制御に依っ
て放出する半導体発光体２０を用いて描くことができ
る。画像を生成するために、マトリクス４２０の半導体
発光体２０の全てを同時に放射させることが考えられ、
その場合、制御ブロック４２または４２′が各々の半導
体発光体２０に与えられる。各々電流制御ブロック４２
または４２′の制御パラメータも、画像の情報が変わる
時に変更できる。
作成スポット３４に依って形成される、単色２次元画像
は、同じ波長の放射光線３２を、その適切な制御に依っ
て放出する半導体発光体２０を用いて描くことができ
る。画像を生成するために、マトリクス４２０の半導体
発光体２０の全てを同時に放射させることが考えられ、
その場合、制御ブロック４２または４２′が各々の半導
体発光体２０に与えられる。各々電流制御ブロック４２
または４２′の制御パラメータも、画像の情報が変わる
時に変更できる。
【００８４】しかし、光源４１６の個々の列を交互に連
続して駆動し、それにより光源４１６の１つの列から光
源４１６の次の継続する列まで切り替えて進めることも
考えられる。更に、通常のテレビジョン技術と同様に画
像を画像面１４に生成するために、個々の列の個々の半
導体発光体２０を交互に連続して制御できる。図１３に
図示される第６実施例の場合、マトリクス５２１は、光
源５１６の各列が異なる波長の、例えば赤と緑と青の放
射光線をそれぞれ発生する半導体発光体２０Ｒと２０Ｇ
と２０Ｂの３個の列５１８，５２０，５２２を搭載して
いる。それ故に、光学的投射システム４２８に依る画像
面１４に対する其れらの投射後に、各々単色の半導体発
光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの３つの列５１８，５２
０，５２２は画像作成スポット５３４を生成し、その部
分的な画像作成スポット５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂ
は人の目に其れらのごく僅かな分離に依る画像の着色さ
れた印象を与え、そこでは部分的な画像作成スポット５
３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂは互いに隣接して位置する
か、または其れらは部分的にだけ重なり合うように、半
導体発光体を構成している。そこで、画像作成スポット
５３４は画像列５３８を同様に形成する。
続して駆動し、それにより光源４１６の１つの列から光
源４１６の次の継続する列まで切り替えて進めることも
考えられる。更に、通常のテレビジョン技術と同様に画
像を画像面１４に生成するために、個々の列の個々の半
導体発光体２０を交互に連続して制御できる。図１３に
図示される第６実施例の場合、マトリクス５２１は、光
源５１６の各列が異なる波長の、例えば赤と緑と青の放
射光線をそれぞれ発生する半導体発光体２０Ｒと２０Ｇ
と２０Ｂの３個の列５１８，５２０，５２２を搭載して
いる。それ故に、光学的投射システム４２８に依る画像
面１４に対する其れらの投射後に、各々単色の半導体発
光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂの３つの列５１８，５２
０，５２２は画像作成スポット５３４を生成し、その部
分的な画像作成スポット５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂ
は人の目に其れらのごく僅かな分離に依る画像の着色さ
れた印象を与え、そこでは部分的な画像作成スポット５
３６Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂは互いに隣接して位置する
か、または其れらは部分的にだけ重なり合うように、半
導体発光体を構成している。そこで、画像作成スポット
５３４は画像列５３８を同様に形成する。
【００８５】ここで、マトリクス５２１は交互に配置さ
れた複数の列のこのタイプの光源５１６を備えているの
で、同じ光学的投射システム４２８を用いる時に、交互
に同様に配置された複数の画像列５３８が続くことにな
り、これは２次元画像１２になる。この方式の場合、画
像作成スポット５３４を照らす各々３つの半導体発光体
２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂは、希望された色の混合を画像
作成スポット５３４で生成するために、各々の状態で同
時に制御しなければならない。
れた複数の列のこのタイプの光源５１６を備えているの
で、同じ光学的投射システム４２８を用いる時に、交互
に同様に配置された複数の画像列５３８が続くことにな
り、これは２次元画像１２になる。この方式の場合、画
像作成スポット５３４を照らす各々３つの半導体発光体
２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂは、希望された色の混合を画像
作成スポット５３４で生成するために、各々の状態で同
時に制御しなければならない。
【００８６】図１３に図示される第６実施例の代わり
に、図１４に図示される第７実施例では、半導体発光体
２０Ｒの列５１８をマトリクス６２０Ｒに、半導体発光
体２０Ｇの列５２０をマトリクス６２０Ｇに、半導体発
光体２０Ｂの列５２２をマトリクス６２０Ｂに結合する
ように構成されている。マトリクス６２０Ｒの半導体発
光体の全体からの放射光線３２Ｒは、ここで、セットの
ミラー６３０に依りマトリクス６２０Ｇからの放射光線
３２Ｇとここで結合され、そこでは、ダイクロイック・
ミラー６３２はミラー６３４がマトリクス６２０Ｇから
の放射光線３２Ｇを反射する放射光線３２Ｒのビーム通
路上に構成されている。類似の状態で、放射光線３２Ｒ
のビーム通路に同様に位置するダイクロイック・ミラー
６３８を同様に具備し且つ反射ミラー６４０はマトリク
ス６２０Ｂからの放射光線３２Ｂを反射する、セットの
ミラー６３６が構成されているので、放射光線３２Ｖ
は、全体として、全ての３つの放射光線３２Ｒと３２Ｇ
と３２Ｂを結合し、そこでは、セットのミラー６３０と
６３６は、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂと各々
対応する放射光線３２Ｒと３２Ｇと３２Ｂが画像作成ス
ポットを重なり合いに依り或いは特に隣接する部分的な
画像作成スポットに依って照らし且つ色の全体的な印象
を伝えるように、構成されていなければならない。
に、図１４に図示される第７実施例では、半導体発光体
２０Ｒの列５１８をマトリクス６２０Ｒに、半導体発光
体２０Ｇの列５２０をマトリクス６２０Ｇに、半導体発
光体２０Ｂの列５２２をマトリクス６２０Ｂに結合する
ように構成されている。マトリクス６２０Ｒの半導体発
光体の全体からの放射光線３２Ｒは、ここで、セットの
ミラー６３０に依りマトリクス６２０Ｇからの放射光線
３２Ｇとここで結合され、そこでは、ダイクロイック・
ミラー６３２はミラー６３４がマトリクス６２０Ｇから
の放射光線３２Ｇを反射する放射光線３２Ｒのビーム通
路上に構成されている。類似の状態で、放射光線３２Ｒ
のビーム通路に同様に位置するダイクロイック・ミラー
６３８を同様に具備し且つ反射ミラー６４０はマトリク
ス６２０Ｂからの放射光線３２Ｂを反射する、セットの
ミラー６３６が構成されているので、放射光線３２Ｖ
は、全体として、全ての３つの放射光線３２Ｒと３２Ｇ
と３２Ｂを結合し、そこでは、セットのミラー６３０と
６３６は、半導体発光体２０Ｒと２０Ｇと２０Ｂと各々
対応する放射光線３２Ｒと３２Ｇと３２Ｂが画像作成ス
ポットを重なり合いに依り或いは特に隣接する部分的な
画像作成スポットに依って照らし且つ色の全体的な印象
を伝えるように、構成されていなければならない。
【００８７】第７実施例の光学的投射システムは、他の
てんでは、第５と第６の実施例と同様に構成されている
ので、それを十分に参照して理解できると考えられる。
発明に従う装置の前述の実施例の全てに於いて、半導体
発光体は、図１５に概略的に図示される放射源として、
いわゆる末端発光体のように構成された半導体レーザを
好都合に具備している。このタイプの末端発光体は、複
数の半導体層８００を、作動レーザ層８０２が配置され
ている間に構成している。レーザ放射光線８０６は、出
口スポット８０４の領域で、この作動レーザ層から発生
する。
てんでは、第５と第６の実施例と同様に構成されている
ので、それを十分に参照して理解できると考えられる。
発明に従う装置の前述の実施例の全てに於いて、半導体
発光体は、図１５に概略的に図示される放射源として、
いわゆる末端発光体のように構成された半導体レーザを
好都合に具備している。このタイプの末端発光体は、複
数の半導体層８００を、作動レーザ層８０２が配置され
ている間に構成している。レーザ放射光線８０６は、出
口スポット８０４の領域で、この作動レーザ層から発生
する。
【００８８】このタイプの末端発光体は２つの電流ター
ミナル８０８と８１０を介して電流供給手段に依って駆
動され、そこでは電流は層８００と８０２に対して実質
的に垂直に流れる。このタイプの末端発光体の実施例
は、定期刊行誌「Laser Focus World 」1993年６月、Vo
l 29, No 7, 83〜92頁に詳細に説明されている。
ミナル８０８と８１０を介して電流供給手段に依って駆
動され、そこでは電流は層８００と８０２に対して実質
的に垂直に流れる。このタイプの末端発光体の実施例
は、定期刊行誌「Laser Focus World 」1993年６月、Vo
l 29, No 7, 83〜92頁に詳細に説明されている。
【００８９】これらの末端発光体の長所は、それらが、
基板上のいわゆるアレイとして、列に隣接して位置する
単純な状態で製作できるところにある。末端発光体の機
構の代わりに、半導体レーザを図１６に図示される放射
源としていわゆる垂直発光体の形態で構成し、そこで
は、作動レーザ層９０２はこのタイプの垂直発光体の複
数の半導体層９００の間に同様に構成され、且つ、Ｂｒ
ａｇｇ反射器として作動する更なる層９０４が作動レー
ザ層９０２の両側に構成されている。
基板上のいわゆるアレイとして、列に隣接して位置する
単純な状態で製作できるところにある。末端発光体の機
構の代わりに、半導体レーザを図１６に図示される放射
源としていわゆる垂直発光体の形態で構成し、そこで
は、作動レーザ層９０２はこのタイプの垂直発光体の複
数の半導体層９００の間に同様に構成され、且つ、Ｂｒ
ａｇｇ反射器として作動する更なる層９０４が作動レー
ザ層９０２の両側に構成されている。
【００９０】このタイプの垂直発光体の場合、連続する
レーザ放射光線は末端発光体に関して作動層８０２と平
行に伝搬せず、むしろ、層９０２と直角に伝搬し、なお
かつ、それは、基板９１０を介して進むので、基質９１
０の面と垂直に好都合に進入する。垂直発光体は、連続
するレーザ放射光線９０６がほぼ円形の断面を示すの
で、他の光学的要素、例えば、ファイバ光学的要素に結
合することが容易に可能になるという長所を備えてい
る。
レーザ放射光線は末端発光体に関して作動層８０２と平
行に伝搬せず、むしろ、層９０２と直角に伝搬し、なお
かつ、それは、基板９１０を介して進むので、基質９１
０の面と垂直に好都合に進入する。垂直発光体は、連続
するレーザ放射光線９０６がほぼ円形の断面を示すの
で、他の光学的要素、例えば、ファイバ光学的要素に結
合することが容易に可能になるという長所を備えてい
る。
【００９１】このタイプの垂直発光体は、例えば、定期
刊行誌、「Optics Letters」Vol 18, No 22, 1937 頁、
または、定期刊行誌、「Spektrum der Wissenschaft 」
1992年１月、76頁に説明されている。引例は、これらの
論文の内容を十分に考慮している。異なる色を可視範囲
に有する放射光線を生成するためのレーザ材料として、
次に示すレーザ材料が好都合に使用できる。
刊行誌、「Optics Letters」Vol 18, No 22, 1937 頁、
または、定期刊行誌、「Spektrum der Wissenschaft 」
1992年１月、76頁に説明されている。引例は、これらの
論文の内容を十分に考慮している。異なる色を可視範囲
に有する放射光線を生成するためのレーザ材料として、
次に示すレーザ材料が好都合に使用できる。
【００９２】ＧａＡｓ上のＡｌX ＧａY Ｉｎ1-X-Y Ｐ／
６１０〜６９０nmの赤色に対して ＧａＡｓ上のＺｎ1-X ＭｇX Ｓ1-Y ＳｅY ／４５０〜５
５０nmの青色と緑色に対して ＡｌX ＧａY Ｉｎ1-X-Y Ｎ／ＵＶ〜赤色に対して これらの代わりに、他の既に周知のレーザ材料を用い
て、生成された光線の波長を倍増することも考えられ
る。例えば、次に示すのはこのタイプの材料である。
６１０〜６９０nmの赤色に対して ＧａＡｓ上のＺｎ1-X ＭｇX Ｓ1-Y ＳｅY ／４５０〜５
５０nmの青色と緑色に対して ＡｌX ＧａY Ｉｎ1-X-Y Ｎ／ＵＶ〜赤色に対して これらの代わりに、他の既に周知のレーザ材料を用い
て、生成された光線の波長を倍増することも考えられ
る。例えば、次に示すのはこのタイプの材料である。
【００９３】ＧａＡｓ上のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／（７８
０〜８８０nm）赤色に対して ＧａＡｓ上のＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ／（８８０〜１１００
nm）青色と緑色に対して ＩｎＰ上のＩｎ1-X ＧａX ＡｓY Ｐ1-Y ／（１１００〜
１６００nm）赤色に対して 放射源からの放射光線の波長を倍増し且つ図１７と１８
に８２０として全体的に参照数字が付記されている、こ
のタイプの半導体発光体の実施例は、共通基板８２４に
配置され且つ共通基板８２４に配置された特殊作動レー
ザ層に依って形成された末端発光体８２６のアレイ８２
２を備え、各々が作動レーザ層８０２として共通基板８
２４に配置された連続層８３０の帯形状部８２８を備え
ている。
０〜８８０nm）赤色に対して ＧａＡｓ上のＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ／（８８０〜１１００
nm）青色と緑色に対して ＩｎＰ上のＩｎ1-X ＧａX ＡｓY Ｐ1-Y ／（１１００〜
１６００nm）赤色に対して 放射源からの放射光線の波長を倍増し且つ図１７と１８
に８２０として全体的に参照数字が付記されている、こ
のタイプの半導体発光体の実施例は、共通基板８２４に
配置され且つ共通基板８２４に配置された特殊作動レー
ザ層に依って形成された末端発光体８２６のアレイ８２
２を備え、各々が作動レーザ層８０２として共通基板８
２４に配置された連続層８３０の帯形状部８２８を備え
ている。
【００９４】周波数逓倍媒体が導波管コア８３６として
配置されている各々導波管構造８３４を具備する各々周
波数逓倍器８３２は、放射源として作動する半導体レー
ザ８２６の各々に関連している。ここで、導波管構造８
３４は、周波数逓倍媒体に於ける効率的な周波数逓倍の
ために要求される、少なくとも１０5 Ｗ／cm2 、好まし
くは少なくとも１０6 Ｗ／cm2 の電力密度が達成される
ように、形成された断面を備えた各々半導体レーザ８２
６に依って生成された放射光線を案内する。
配置されている各々導波管構造８３４を具備する各々周
波数逓倍器８３２は、放射源として作動する半導体レー
ザ８２６の各々に関連している。ここで、導波管構造８
３４は、周波数逓倍媒体に於ける効率的な周波数逓倍の
ために要求される、少なくとも１０5 Ｗ／cm2 、好まし
くは少なくとも１０6 Ｗ／cm2 の電力密度が達成される
ように、形成された断面を備えた各々半導体レーザ８２
６に依って生成された放射光線を案内する。
【００９５】図１７と１８に図示される実施例に於い
て、周波数逓倍器８３２の全ては、アレイ８４０の形態
で共通基板８３８上に同様に配置されている。導波管構
造８３４は、ここで、導波管チャンネル８３４の上壁と
下壁を表すベース層８４２とカバー層８４４と、中間層
８５０の帯部８４６と８４８に依って形成され、そこで
は、帯部は、互いに離隔され、導波管チャンネル８３４
の側壁を形成し、それらの間で、導波管コアとして作動
する周波数逓倍媒体８３６を形成する中間層８５０の帯
部８５２を囲んでいる。
て、周波数逓倍器８３２の全ては、アレイ８４０の形態
で共通基板８３８上に同様に配置されている。導波管構
造８３４は、ここで、導波管チャンネル８３４の上壁と
下壁を表すベース層８４２とカバー層８４４と、中間層
８５０の帯部８４６と８４８に依って形成され、そこで
は、帯部は、互いに離隔され、導波管チャンネル８３４
の側壁を形成し、それらの間で、導波管コアとして作動
する周波数逓倍媒体８３６を形成する中間層８５０の帯
部８５２を囲んでいる。
【００９６】ベース層８４２と、カバー層８４４と、更
に中間層８５０の帯形状部８４６と８４８は、帯形状部
８５２の届折率より小さい届折率を備えているので、放
射光線の全ての反射は、帯形状部８５２と層８４２と８
４４だけでなく帯形状部８４６と８４８の間の境界で発
生し、導波管構造８３４に放射光線を導く結果になる。
に中間層８５０の帯形状部８４６と８４８は、帯形状部
８５２の届折率より小さい届折率を備えているので、放
射光線の全ての反射は、帯形状部８５２と層８４２と８
４４だけでなく帯形状部８４６と８４８の間の境界で発
生し、導波管構造８３４に放射光線を導く結果になる。
【００９７】半導体発光体は、周波数逓倍器８３２のア
レイ８４０が半導体レーザ８２６のアレイ８２２に直接
隣接するように好都合に構成されているので、作動レー
ザ層８２８からの放射光線は導波管チャンネル８３４に
直接伝わる。導波管構造８３４の長手方向８５４に対し
て横断する其れらの寸法が、レーザ放射光線の伝搬方向
８５６に対して横断する作動レーザ部８２８の寸法とほ
ぼ等しくなるように選択されると、ここで好都合にな
る。
レイ８４０が半導体レーザ８２６のアレイ８２２に直接
隣接するように好都合に構成されているので、作動レー
ザ層８２８からの放射光線は導波管チャンネル８３４に
直接伝わる。導波管構造８３４の長手方向８５４に対し
て横断する其れらの寸法が、レーザ放射光線の伝搬方向
８５６に対して横断する作動レーザ部８２８の寸法とほ
ぼ等しくなるように選択されると、ここで好都合にな
る。
【００９８】効率的な周波数逓倍を周波数逓倍器８３６
で達成するために、基本波、すなわち、対応する半導体
レーザ８２６から来る放射光線と、周波数が逓倍された
放射光線は、周波数逓倍媒体に対する其れらの通過の全
体にわたって同位相に保たれなければならない。これ
は、角度が０または９０°になる非臨界または不臨界位
相整合で作動する時に最適に達成される。
で達成するために、基本波、すなわち、対応する半導体
レーザ８２６から来る放射光線と、周波数が逓倍された
放射光線は、周波数逓倍媒体に対する其れらの通過の全
体にわたって同位相に保たれなければならない。これ
は、角度が０または９０°になる非臨界または不臨界位
相整合で作動する時に最適に達成される。
【００９９】これは幾つかの波長で可能になるだけであ
る。対応する波長に於ける整合の達成は温度変動に依っ
て各々材料に相応して好都合に行われるので、基板８３
８は、例えば、周波数逓倍器８３２の全体的なアレイ８
４０が非臨界位相整合に最適の温度まで導かれ且つ其の
ために保持されることができる、温度調整素子８６０に
位置する。
る。対応する波長に於ける整合の達成は温度変動に依っ
て各々材料に相応して好都合に行われるので、基板８３
８は、例えば、周波数逓倍器８３２の全体的なアレイ８
４０が非臨界位相整合に最適の温度まで導かれ且つ其の
ために保持されることができる、温度調整素子８６０に
位置する。
【０１００】非臨界または不臨界位相整合の問題はＷ．
Ｋｏｅｃｈｎｅｒの論文 "ソリッド・ステート・レーザ
・エンジニアリング" に詳細に説明されているので、そ
れについては、引例はこの引例源の内容を十分に考慮し
ている。温度調整素子８６０には、予め設定された温度
がサーボ・プロセスで設定され保持される制御手段が搭
載されている。
Ｋｏｅｃｈｎｅｒの論文 "ソリッド・ステート・レーザ
・エンジニアリング" に詳細に説明されているので、そ
れについては、引例はこの引例源の内容を十分に考慮し
ている。温度調整素子８６０には、予め設定された温度
がサーボ・プロセスで設定され保持される制御手段が搭
載されている。
【０１０１】周波数逓倍媒体８３６の結晶の方向が基板
８３８の指向性に依って決定され、これが、基板の光軸
が導波管チャンネル８３４の長手方向８５４に関して希
望された方向に向けられるような指向性であることが望
ましい。同じ基板材料からこの基板８３８の層８４２，
８４４，８５０を、できれば異なるドーピングを用いて
成長すると、これらの層は基板８３８と同じ光軸の指向
性を有することになり、周波数逓倍媒体８３６の光軸の
位置設定を予め設定できる。
８３８の指向性に依って決定され、これが、基板の光軸
が導波管チャンネル８３４の長手方向８５４に関して希
望された方向に向けられるような指向性であることが望
ましい。同じ基板材料からこの基板８３８の層８４２，
８４４，８５０を、できれば異なるドーピングを用いて
成長すると、これらの層は基板８３８と同じ光軸の指向
性を有することになり、周波数逓倍媒体８３６の光軸の
位置設定を予め設定できる。
【０１０２】図１９に図示される周波数逓倍器８３２の
アレイ８４０の変形８４０′の場合、非臨界位相整合で
作動せず、むしろ、位相整合は其のドメイン８７０と８
７２で行われ、そこでは、周波数逓倍媒体８３６の非線
形要素は、各々逆の接頭符号を有していて、互いに周波
数逓倍媒体８３６′に連なっている。ここで、導波管チ
ャンネル８３４の長手方向８５４のドメイン８７０と８
７２のエクステンションＬは、それがコヒーレンス長に
対応するように同調しなければならない。
アレイ８４０の変形８４０′の場合、非臨界位相整合で
作動せず、むしろ、位相整合は其のドメイン８７０と８
７２で行われ、そこでは、周波数逓倍媒体８３６の非線
形要素は、各々逆の接頭符号を有していて、互いに周波
数逓倍媒体８３６′に連なっている。ここで、導波管チ
ャンネル８３４の長手方向８５４のドメイン８７０と８
７２のエクステンションＬは、それがコヒーレンス長に
対応するように同調しなければならない。
【０１０３】このタイプの準位相整合を用いると、理想
的な位相整合から逸脱していても、周波数逓倍が関連す
る時に、周波数が逓倍された放射光線の十分な密度を保
証する位相整合を実現できる。準位相整合の問題は、定
期刊行誌 Optics Letters Vol 17 No 11 795-797頁と、
定期刊行誌 Applied Physics Letters 56 (2) 108-110
頁と、IEEE Journal of Quantum Electronics Vol 28 N
o 11 2631-2654頁に詳細に説明されている。
的な位相整合から逸脱していても、周波数逓倍が関連す
る時に、周波数が逓倍された放射光線の十分な密度を保
証する位相整合を実現できる。準位相整合の問題は、定
期刊行誌 Optics Letters Vol 17 No 11 795-797頁と、
定期刊行誌 Applied Physics Letters 56 (2) 108-110
頁と、IEEE Journal of Quantum Electronics Vol 28 N
o 11 2631-2654頁に詳細に説明されている。
【０１０４】アレイ８４０′は他のてんではアレイ８４
０と同様に構成されているので、それに関連する説明を
十分に参照できる、また、同じ参照数字が同じ要素に用
いられている。好都合に、非臨界位相整合のケースで
は、緑と赤の波長に対してニオブ酸リチウムから成る結
晶と、波長の青に対してニオブ酸カリウムから成る結晶
が、周波数逓倍媒体として使用できる。
０と同様に構成されているので、それに関連する説明を
十分に参照できる、また、同じ参照数字が同じ要素に用
いられている。好都合に、非臨界位相整合のケースで
は、緑と赤の波長に対してニオブ酸リチウムから成る結
晶と、波長の青に対してニオブ酸カリウムから成る結晶
が、周波数逓倍媒体として使用できる。
【０１０５】導波管構造８３４は、マグネシウムまたは
届折率を下げる他の要素を用いて更にドーピングされた
ニオブ酸リチウムまたはニオブ酸カリウムから、導波管
コアを囲む部材を生成して製作される。図２０に図示さ
れ且つ９２０と全体的に参照数字が付記されている、発
明に従う半導体発光体の第２実施例では、垂直発光体と
して形成された半導体レーザ９２６のアレイ９２２が用
いられている。これらの半導体発光体からの放射光線９
２８は、共通する基板のアレイ９４０に同様に配置され
た周波数逓倍器９３２に焦点設定要素９３０を用いて焦
点が設定され、且つ其れはアレイ８４０と同様に形成さ
れ構成されるので、それに関する説明を十分に参照でき
る。ここで、焦点設定光学的システム９３０は、光学的
レンズ・システムとして形成されず、むしろ、各々半導
体レーザ９２６と対応する周波数逓倍器９３２の間のブ
ロックとして挿入され且つ放射光線９２８を導波管チャ
ンネル９３４に傾斜率に依って焦点を定める傾斜率レン
ズとして形成される。
届折率を下げる他の要素を用いて更にドーピングされた
ニオブ酸リチウムまたはニオブ酸カリウムから、導波管
コアを囲む部材を生成して製作される。図２０に図示さ
れ且つ９２０と全体的に参照数字が付記されている、発
明に従う半導体発光体の第２実施例では、垂直発光体と
して形成された半導体レーザ９２６のアレイ９２２が用
いられている。これらの半導体発光体からの放射光線９
２８は、共通する基板のアレイ９４０に同様に配置され
た周波数逓倍器９３２に焦点設定要素９３０を用いて焦
点が設定され、且つ其れはアレイ８４０と同様に形成さ
れ構成されるので、それに関する説明を十分に参照でき
る。ここで、焦点設定光学的システム９３０は、光学的
レンズ・システムとして形成されず、むしろ、各々半導
体レーザ９２６と対応する周波数逓倍器９３２の間のブ
ロックとして挿入され且つ放射光線９２８を導波管チャ
ンネル９３４に傾斜率に依って焦点を定める傾斜率レン
ズとして形成される。
【０１０６】そのうえ、光学的拡大手段９７０が周波数
逓倍器９３２の末端面に好都合に配置されていて、これ
は、実質的に平行するビーム９７２を生成する傾斜率レ
ンズに同様になることを意味している。本発明の更なる
特徴と長所は、次に示す説明だけでなく若干の実施例の
略図の主題を形成している。
逓倍器９３２の末端面に好都合に配置されていて、これ
は、実質的に平行するビーム９７２を生成する傾斜率レ
ンズに同様になることを意味している。本発明の更なる
特徴と長所は、次に示す説明だけでなく若干の実施例の
略図の主題を形成している。
【図１】本発明に係る装置の第１実施例の概略平面図で
ある。
ある。
【図２】図１に係る第１実施例の概略側面図であり、光
学的画像作成装置の過剰に比例して拡大された図解と制
御手段の概略図を用いている。
学的画像作成装置の過剰に比例して拡大された図解と制
御手段の概略図を用いている。
【図３】異なる制御時点の後の半導体発光体からの放射
光線の輝度の時間依存性を示す概略図である。
光線の輝度の時間依存性を示す概略図である。
【図４】図２に係る第１実施例の制御手段の一変形実施
例の概略図である。
例の概略図である。
【図５】異なる制御時点の後の半導体発光体からの放射
光線の輝度の時間依存性を示す概略図である。
光線の輝度の時間依存性を示す概略図である。
【図６】第２実施例の概略透視図である。
【図７】多角形反射器と第２実施例の制御手段の間の同
期を示す部分的な拡大図である。
期を示す部分的な拡大図である。
【図８】第２実施例の制御手段を用いる時に、図４に類
似する、輝度の時間依存性を示す概略図である。
似する、輝度の時間依存性を示す概略図である。
【図９】第１実施例に関連して説明された制御手段の変
形例を用いる時に、図５に類似する、輝度の時間依存性
を示す概略図である。
形例を用いる時に、図５に類似する、輝度の時間依存性
を示す概略図である。
【図１０】本発明に係る装置の第３実施例の概略図であ
る。
る。
【図１１】本発明に係る装置の第４実施例の概略図であ
る。
る。
【図１２】本発明に係る装置の第５実施例の概略図であ
る。
る。
【図１３】本発明に係る装置の第６実施例の概略図であ
る。
る。
【図１４】本発明に係る装置の第７実施例の概略図であ
る。
る。
【図１５】末端部発光体として形成された半導体発光体
の概略図である。
の概略図である。
【図１６】垂直発光体として形成された半導体発光体の
概略図である。
概略図である。
【図１７】放射源と付随して配置されている周波数逓倍
器を備えた半導体発光体から成るアレイの第１実施例の
平面図である。
器を備えた半導体発光体から成るアレイの第１実施例の
平面図である。
【図１８】放射源のアレイと図１７に係る周波数逓倍器
のアレイの透視拡大図である。
のアレイの透視拡大図である。
【図１９】第１実施例に係る周波数逓倍器のアレイの変
形例である。
形例である。
【図２０】放射源と周波数逓倍器に依って形成される半
導体発光体のアレイだけでなく、其の間に挿入されてい
る光学的手段のアレイの第２実施例である。
導体発光体のアレイだけでなく、其の間に挿入されてい
る光学的手段のアレイの第２実施例である。
１０…画像生成装置 １２…画像 １４…画像面 １６…光源 １８…長手方向 ２０…半導体発光体 ２２…電源光源ユニット ２４…制御ライン ２６…光軸 ２８…光学的投射システム ３０…出口スポット ３２…放射光線 ３４…画像作成スポット ３６…長手方向 ３８…画像の列
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウベ ベッケル ドイツ連邦共和国，70499 シュトゥッ トガルト，ソリトゥデシュトラーセ 299 (72)発明者 ウベ ブラウフ ドイツ連邦共和国，70565 シュトゥッ トガルト，ヘッケルシュトラーセ 19 (56)参考文献 特開 平４−25290（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−181289（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−33753（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/00 H04N 5/74
Claims (56)
- 【請求項１】 人の眼に可視である画像面における画像
を発生させる装置であって、該装置は： 対応する２次元配列の出口スポット（３０）を光源とし
て与えるための２次元配列となっている複数の半導体発
光体（２０）；出口スポットの上記２次元の列の上記出口スポット（３
０）の各々は相異なる３つの波長のうちの１つにおいて
放射光線（３２）を放出し、上記相異なる３つの波長に
おける放射光線（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）の重畳は白
色の光の発生を可能にし ；および、 上記画像面上の上記出口スポット（３０）から放射光線
（３２）を受け、該出口スポットから放出される該放射
光線により直接に照射される画像区域の２次元の列とし
て該出口スポットから該画像面へ放射光線を不適合的に
投射する、光学的投射システム（２８，１２８，２２
８，４２８，６２８）；を具備し、各画像領域（２３４，５３４）は空間的に一致しない方
法で配列された３つの部分的画像形成用スポット（２３
６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３
６Ｂ）により照射され、 上記３個の一致しない部分的画像形成用スポット（２３
６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５３
６Ｂ）の各々は、画像領域（２３４，５３４）が 平均的
な人間の目にとりカラーおよび白色のうちの１つに見え
るよう、照射されることを可能にする相異なる波長にお
いて照射され、該光学的投射システム（２８，１２８，２２８，４２８
６２８）は、該３つの不適合の部分的画像形成用スポ
ット（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３
６Ｇ，５３６Ｂ）の 各々を照射用の３つの相異なる出口
スポットの１つと直接に協働させ、該３つの相異なる出
口スポットの各々は該３つの相異なる波長のうちの１つ
において放射光線（３２）を放射し、上記の３つの相異
なる出口スポット（３０）の各々は、該２つの他の出口
スポット（３０）の波長とは異る波長において放射光線
（３２）を放出する、人の目に可視である画像面におけ
る画像を発生させる装置。 - 【請求項２】 上記光学的投射システム（２８，１２
８，２２８，４２８， ６２８）は、空間的に一致しない
方法で配列された３個の部分的画像形成用スポット（２
３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６Ｒ，５３６Ｇ，５
３６Ｂ）において、異なる波長で放射する３個の半導体
発光体（２０）からの放射光線の画像を形成する、請求
項１記載の装置。 - 【請求項３】 上記出口スポット（３０）から放射光線
（３２）を受ける上記光学的投射システム（２８，１２
８，２２８，４２８，６２８）は、画像領域（２３４，
５３４）の２次元配列として上記画像面（１４）上のす
べての上記出口スポット（３０）から同時に放射光線
（３２）を投射すると共に、上記画像領域（２３４，５
３４）の各々は３個の空間的に一致しない部分的画像形
成用スポット（２３６Ｇ，２３６Ｂ，２３６Ｒ；５３６
Ｒ，５３６Ｇ，５３６Ｂ）により照射される、請求項２
記載の装置。 - 【請求項４】 半導体発光体（２０）の数が大であり、
与えられた時点において、画像の列の各画像形成用スポ
ットは半導体発光体（２０）の対応する出口スポット
（３０）に排他的に関連させられている、請求項１から
請求項３までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項５】 出口スポット（３０）の輝度を個別的に
制御するために、電荷を上記半導体発光体（２０）に付
与するための制御手段（２２）を更に具備する、請求項
１から請求項４までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項６】 上記制御手段（２２）は電荷を上記半導
体発光体（２０）に付与して、該発光体（２０）をして
２つの連続する制御時間点の間の期間内に放射光線（３
２）を発射させる、請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 上記制御手段（２２）は電荷を上記半導
体発光体（２０）に付与して、該発光体（２０）をして
連続する制御時間点の間の連続する一定の期間内で放射
光線（３２）を発射せしめる、請求項６記載の装置。 - 【請求項８】 該半導体発光体（２０）は個別的に変更
自在であり調節可能な輝度で放射光線（３２）を発射す
る、請求項５ないし７のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項９】 該半導体発光体（２０）は２つの制御時
間点の間で実質的に変更されない設定輝度で放射光線
（３２）を発射する、請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 上記制御手段（２２）は電荷を上記半
導体発光体（２０）に付与して、それぞれの制御時点に
おいてそれぞれの半導体発光体（２０）から放射光線
（３２）の輝度を設定する、請求項８又は９記載の装
置。 - 【請求項１１】 制御時間点の間で、該半導体発光体
（２０）は、最大輝度を用いてではあるが個別的に可変
で調節可能な期間で放射光線（３２）を発射するか、或
は任意の放射光線（３２）をも発射しない、請求項６か
ら請求項８までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１２】 観測者が感知可能である平均輝度の設
定は、放射光線（３２）の発射の期間を変調することに
より行われる、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 放射光線（３２）の発射の期間の設定
はそれぞれの制御時間点において行われる、請求項１１
もしくは１２記載の装置。 - 【請求項１４】 それぞれの画像形成用スポット（３
４）は単一の半導体発光体（２０）により照射され得
る、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の装
置。 - 【請求項１５】 それぞれの画像領域（２３４，３３
４，５３４）は少くとも３個の半導体発光体（２０Ｒ，
２０Ｇ，２０Ｂ）により照射され、該半導体発光体のそ
れぞれは該３個の半導体発光体（２０Ｒ，２０Ｇ，２０
Ｂ）からの放射光線を重ね合わすことにより白色光が作
成されるようになっている波長において放射光線（３２
Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）を発射する、請求項１から１３ま
でのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１６】 １つの画像形成用スポット（３４）を
夫々照射している該３個の半導体発光体（２０Ｒ，２０
Ｇ，２０Ｂ）はそれぞれ同時に制御され得る、請求項１
５記載の装置。 - 【請求項１７】 光源（１６）の列は、同一の波長の放
射光線を発射する半導体発光体（２０）の少くとも１つ
の列を具備する、請求項１から１６までのいずれか１項
に記載の装置。 - 【請求項１８】 画像（３８）の一つの列の画像形成用
スポット（３４）を照射するために、光源（１６）の列
は、相互に並列で動作する半導体発光体（２０Ｒ，２０
Ｇ，２０Ｂ）の３個の列（２１８，２２０，２２２；５
１８，５２０，５２２）を具備し、こゝにおいて、夫々
の列の該半導体発光体（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）は実
質的に同じ波長の放射光線を発射する、請求項１７記載
の装置。 - 【請求項１９】 １つの列の光源（１６）の複数の半導
体発光体（２０）のうちで、１列の画像（３８）の画像
形成用スポット（３４）の１／１０と接続している少く
ともそれらの半導体発光体は同じ制御の時点で制御され
得る、請求項１から１８までのいずれか１項に記載の装
置。 - 【請求項２０】 １つの列の画像（３８）の画像形成用
スポット（３４）のすべてと関連されている１つの列の
光源（１６）の該半導体発光体（２０）は同時に制御可
能である、請求項１９記載の装置。 - 【請求項２１】 制御パラメータが上記複数の半導体発
光体（２０）の同時制御用に並列に読取り可能であるバ
ッファ記憶部（５０）が、該複数の半導体発光体（２
０）の同時制御用に設けられている、請求項１から２０
までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項２２】 バッファ記憶部（５０）は制御時点間
の間で、該半導体発光体（２０）に対する制御パラメー
タを記録する、請求項２１記載の装置。 - 【請求項２３】 該制御パラメータはバッファ記憶部
（５０）に直列に読み込み可能である、請求項２２記載
の装置。 - 【請求項２４】 該制御パラメータは画像発生器（５
４）により作成され得る、請求項２１から２３までのい
ずれか１項に記載の装置。 - 【請求項２５】 該画像発生器（５４）は制御パラメー
タを直列方式で発生する、請求項２４記載の装置。 - 【請求項２６】 １つの制御時間点（ｔ１）から次の制
御時間点（ｔ２）までの制御パラメータを格納する制御
手段（４２，６０）は、半導体発光体（２０）の各々と
連結されている、請求項１から２５までのいずれか１項
に記載の装置。 - 【請求項２７】 光学的投射システム（２８，１２８，
２２８）は１列の光源（１６）を連続的に複数の列の画
像（３８ａ，…３８ｂ）として形成する、請求項１から
２６までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項２８】 光学的投射システム（２８，１２８，
２２８）は、１列の光源（１６）の画像を、連続的な列
の画像（３８）として形成するビーム偏向用要素（１３
０）を具備する、請求項２７記載の装置。 - 【請求項２９】 該ビーム偏向用要素は移動可能な反射
用要素（１３０）である、請求項２８記載の装置。 - 【請求項３０】 該反射用要素（１３０）は、画像（３
８）の列の夫々１つの列において、列の光源（１６）の
画像を夫々構成する規定された角度位置に移動され得
る、請求項２９記載の装置。 - 【請求項３１】 該ビーム偏向用要素は回転多角形の反
射器（１３０）により構成される、請求項２８から３０
までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項３２】 多角形の反射器（１３０）は一定の回
転速度で回転する、請求項３１記載の装置。 - 【請求項３３】 各々の多角形の面（１３６）に対し
て、多角形の反射器（１３０）は、特定の角度範囲を介
して回転により、多数の列の画像（３８）を横断し、そ
れから次の多角形の面（１３６）に切り替わる、請求項
３２記載の装置。 - 【請求項３４】 光学的投射系（２８）は該列の光源
（１６）の半導体発光体（２０）からの放射光源を実質
的にビーム偏向用要素（１３０）に焦点合わせする、請
求項２８から３３までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項３５】 １列の光源（１６）は夫々の列の画像
（３８）に連続される、請求項１から２６までのいずれ
か１項に記載の装置。 - 【請求項３６】 光学的投射系（４２８，６２８）は複
数の列の光源（１６）の画像を複数の列の画像（３８）
として形成する、請求項３５記載の装置。 - 【請求項３７】 光学的投射系（２８，１２８，２２
８，３２８，４２８，６２８）はお互に小さな分離を有
する画像形成用スポットを発生する、請求項１から３６
までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項３８】 画像形成用スポット（３４）は実質的
に相互に隣合っている、請求項３７記載の装置。 - 【請求項３９】 該光学的投射系（２２８，３２８）
は、異なる波長で放射する３個の半導体発光体（２０
Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）からの放射光線（３２Ｒ，３２
Ｇ，３２Ｂ）を１つのビーム（３２Ｖ）に結合する、請
求項１から３８までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項４０】 それぞれの半導体発光体（８２０，９
２０）は半導体放射源（８２６，９２６）と該半導体放
射源から発射された放射光線用の周波数２倍器（８３
２，９３２）とを具備する、請求項１から３９までのい
ずれか１項に記載の装置。 - 【請求項４１】 該周波数２倍器（８３２，９３２）
は、少くとも１０5 Ｗ／cm2 の電力密度をもって圧縮さ
れたように、それぞれの放射源（８２６，９２６）から
の放射光線を導波する導波管構造（８３４，９３４）
と、該導波管構造（８３４，９３４）内に配列された周
波数２倍用媒体（８３６，９３６）とを具備する、請求
項４０記載の装置。 - 【請求項４２】 該周波数２倍器（８３２）は放射光線
源（８２６）に直接に隣接する、請求項４０もしくは４
１記載の装置。 - 【請求項４３】 放射光線を導波管構造（９３４）内に
焦点合わせする光学的手段（９３０）は、それぞれの放
射光線源（９２６）とそれぞれの周波数２倍器（９３
２）との間に配列されている、請求項４０もしくは４１
記載の装置。 - 【請求項４４】 １列の光源（１６）の放射光線源（８
２６，９２６）は１列に配列され、該列の光源（１６）
の周波数２倍器（８３２，９３２）は、列におけるよう
に放射光線源（８２６，９２６）の出力側において配列
される、請求項４０から４３までのいずれか１項に記載
の装置。 - 【請求項４５】 複数の放射光線源（８２６）は共通の
基板（８３４）上に配列されている、請求項４０から４
４までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項４６】 複数の周波数２倍器（８３２，９３
２）は共通の基板（８３８）上に配列されている、請求
項４０から４５までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項４７】 それぞれの周波数２倍器（８３２，９
３２）のそれぞれの導波管構造（８３４，９３４）は
「単一モード」の導波管である、請求項４０から４６ま
でのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項４８】 それぞれの導波管構造（８３４，９３
４）は壁材料により形成され、該壁材料は導波管のコア
（磁心）を形成する周波数２倍用媒質（８３６，９３
６）を包囲し、該導波管のコアより低い屈折率を有す
る、請求項４０から４７までのいずれか１項に記載の装
置。 - 【請求項４９】 該壁材料は周波数２倍用媒質（８３
６，９３６）と同じ材料をベースとしており、異なるド
ーピングによる該コアより低い屈折率を有する、請求項
４８記載の装置。 - 【請求項５０】 該導波管構造（８３４，９３４）は、
周波数２倍用媒質と同一の材料内に壁材料を形成する領
域をドープすることにより構成される、請求項４８もし
くは４９記載の装置。 - 【請求項５１】 該導波管構造（８３４，９３４）は基
板（８３８，９３８）に塗布されかつ壁材料を具備する
層（８４２，８４４，８５０）により構成される、請求
項４０から５０までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項５２】 周波数２倍用媒質（８３６，９３６）
は基板（８３８，９３８）に塗布された層（８５０）に
より形成される、請求項４０から５１までのいずれか１
項に記載の装置。 - 【請求項５３】 周波数２倍用媒質（８３６，９３６）
の光軸の規定された心合せは基板（８３８，９３８）の
心合せにより予め決定されている、請求項５２記載の装
置。 - 【請求項５４】 導波管構造（８３４，９３４）の長手
方向（８５４，９５４）において放射光線と周波数２倍
化放射光線との間で決定的（クリティカル）でない位相
整合を結果的に招くように、周波数２倍用媒質（８３
６，９３６）が形成され、特に光軸に関し導波管のチャ
ンネルに対して心合せされるようになっている、請求項
４１から５３までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項５５】 周波数２倍用媒質（８３６，９３６）
は規定された温度まで高められる、請求項５４記載の装
置。 - 【請求項５６】 導波管構造（８３４）の長手方向（８
５４）において擬似位相整合を結果的に招来するように
周波数２倍用媒質（８３６′）が形成され、かつ心合わ
せされる、請求項４１から５３までのいずれか１項に記
載の装置。
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|---|---|---|---|---|
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| DE19546039A1 (de) * | 1995-12-09 | 1997-06-12 | Forsch Mineralische Und Metall | Bildschirm, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verfahren und Vorrichtung zur Darstellung von Bildern auf einem Bildschirm |
| US5973727A (en) * | 1997-05-13 | 1999-10-26 | New Light Industries, Ltd. | Video image viewing device and method |
| US6067059A (en) * | 1998-02-04 | 2000-05-23 | Quarton, Inc. | Laser dot matrix display systems |
| DE19818007A1 (de) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Einrichtung zur Erzeugung eines Bildes |
| JP2000089148A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-03-31 | Canon Inc | 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置 |
| DE19840928A1 (de) * | 1998-09-08 | 2000-03-09 | Heidelberger Druckmasch Ag | Multibeam Laser Scanner |
| DE19963805B4 (de) * | 1999-12-30 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse |
| US6351324B1 (en) * | 2000-03-09 | 2002-02-26 | Photera Technologies, Inc. | Laser imaging system with progressive multi-beam scan architecture |
| JP2001265275A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Olympus Optical Co Ltd | 画像表示装置 |
| US7102700B1 (en) * | 2000-09-02 | 2006-09-05 | Magic Lantern Llc | Laser projection system |
| KR20040010549A (ko) * | 2000-10-27 | 2004-01-31 | 어드벤스드 레이저 테크놀러지스, 인크. | 인터레이스 방식으로 광 빔을 주사하는 광 빔 디스플레이 |
| TWI233500B (en) * | 2001-04-23 | 2005-06-01 | Reveo Inc | Image display system and electrically actuatable image combiner therefor |
| TW472225B (en) * | 2001-06-08 | 2002-01-11 | Shiu-Hua Huang | Sequential type projection apparatus |
| US20030199260A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-23 | Casey Francis M. | Wireless communication receiver and method for determining a reference frequency in a wireless communication device |
| US7167216B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-01-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Projection system with adjustable aspect ratio optics |
| US7230657B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light emitting device projection methods and systems |
| US7184104B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-02-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Projector having scanning optics |
| DE10242142A1 (de) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Kleo Halbleitertechnik Gmbh & Co Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von belichteten Strukturen |
| US7258448B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-08-21 | Calsonic Kansei Corporation | Display device |
| DE102006008080A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Kleo Maschinenbau Ag | Belichtungsanlage |
| DE102006059818B4 (de) * | 2006-12-11 | 2017-09-14 | Kleo Ag | Belichtungsanlage |
| US8150267B1 (en) * | 2007-04-18 | 2012-04-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical interconnect |
| DE102007019017A1 (de) * | 2007-04-19 | 2009-01-22 | Ldt Laser Display Technology Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Projizieren eines Bildes auf eine Projektionsfläche |
| US8845109B2 (en) * | 2007-11-24 | 2014-09-30 | Yong-Jing Wang | Projection system based on self emitting display panel |
| DE102009032210B4 (de) | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Kleo Ag | Bearbeitungsanlage |
| EP2473880A2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-11 | 3M Innovative Properties Company | Projection and display system |
| DE102009046809B4 (de) * | 2009-11-18 | 2019-11-21 | Kleo Ag | Belichtungsanlage |
| JP5702216B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-04-15 | 株式会社小糸製作所 | 光学ユニット |
| EP2856260A1 (en) * | 2012-06-01 | 2015-04-08 | ASML Netherlands BV | An assembly for modifying properties of a plurality of radiation beams, a lithography apparatus, a method of modifying properties of a plurality of radiation beams and a device manufacturing method |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569763A (en) * | 1979-07-06 | 1981-01-31 | Canon Inc | Beam recording device |
| JPS5833753A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Fujitsu Ltd | 除算器 |
| DE3529571A1 (de) * | 1985-08-17 | 1987-02-19 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zur periodischen ansteuerung von mehreren strahlungsaussendenden elementen und schaltungsanordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
| JP2567479B2 (ja) * | 1988-10-17 | 1996-12-25 | 富士写真フイルム株式会社 | バーコードプリント装置 |
| EP0458270B1 (en) * | 1990-05-21 | 1996-11-27 | Victor Company Of Japan, Limited | Diplay unit |
| JPH0425290A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
| US5143577A (en) * | 1991-02-08 | 1992-09-01 | Hoechst Celanese Corporation | Smooth-wall polymeric channel and rib waveguides exhibiting low optical loss |
| US5229691A (en) * | 1991-02-25 | 1993-07-20 | Panocorp Display Systems | Electronic fluorescent display |
| US5294944A (en) * | 1991-03-06 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Color image forming apparatus having means for properly superimposing image colors on each other |
| US5418546A (en) * | 1991-08-20 | 1995-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Visual display system and exposure control apparatus |
| EP0587228B1 (en) * | 1992-09-07 | 1998-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical component and opto-electronic device for raising the frequency of electromagnetic radiation |
| US5596339A (en) * | 1992-10-22 | 1997-01-21 | University Of Washington | Virtual retinal display with fiber optic point source |
| US5321718A (en) * | 1993-01-28 | 1994-06-14 | Sdl, Inc. | Frequency converted laser diode and lens system therefor |
| DE69427860T2 (de) * | 1993-02-03 | 2002-04-11 | Nitor San Jose | Verfahren und vorrichtung zur projektion von bildern |
| US5534950A (en) * | 1993-10-04 | 1996-07-09 | Laser Power Corporation | High resolution image projection system and method employing lasers |
| US5513196A (en) * | 1995-02-14 | 1996-04-30 | Deacon Research | Optical source with mode reshaping |
-
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