JP3097920B2 - 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法 - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法Info
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Description
本発明は、電線被覆材として用いられる架橋ポリエチ
レン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法に関するも
のである。
レン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法に関するも
のである。
【従来の技術】 周知のように、架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
は、導体の外層に内部半導電層を被覆し、その外層に絶
縁体を被覆し、さらにこの絶縁体の外層に外部半導電層
を被覆して構成される。 このように構成される架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルにおいて、半導電層は、一般に、マトリクスとなる
樹脂に導電性カーボンブラックを必要量添加することに
よって導電化され、かつ耐熱性を付与することを目的に
有機過酸化物等の架橋剤によって架橋される。ただし、
半導電層としての必要導電性（通常、105Ω−cm程度以
下）を得るために、導電性カーボンブラックは相当多量
（５〜100重量部程度）添加される。 しかし、このようにカーボンブラックを多量に添加す
ると、引張り伸び値や脆化温度などの機械的物性が著し
く低下する。そこで、マトリクス樹脂としては、フィラ
ー受容量の多い低結晶性あるいは非結晶性のエチレン系
共重合体樹脂、例えばEEA（エチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体）、EMA（エチレン−アクリル酸メチル共重
合体）、EVA（エチレン−酢酸ビニル共重合体）などが
用いられる。 ところが、これらの樹脂は、通常、第２成分（非エチ
レン成分＝アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、酢酸
ビニル）の含有量が増えると、軟化点が低くなる傾向に
あり、従って電力ケーブルの半導電層としての耐熱性が
不十分になるという問題がある。この問題は、有機過酸
化物系架橋剤を増量することによって解決することがで
きる。
は、導体の外層に内部半導電層を被覆し、その外層に絶
縁体を被覆し、さらにこの絶縁体の外層に外部半導電層
を被覆して構成される。 このように構成される架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルにおいて、半導電層は、一般に、マトリクスとなる
樹脂に導電性カーボンブラックを必要量添加することに
よって導電化され、かつ耐熱性を付与することを目的に
有機過酸化物等の架橋剤によって架橋される。ただし、
半導電層としての必要導電性（通常、105Ω−cm程度以
下）を得るために、導電性カーボンブラックは相当多量
（５〜100重量部程度）添加される。 しかし、このようにカーボンブラックを多量に添加す
ると、引張り伸び値や脆化温度などの機械的物性が著し
く低下する。そこで、マトリクス樹脂としては、フィラ
ー受容量の多い低結晶性あるいは非結晶性のエチレン系
共重合体樹脂、例えばEEA（エチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体）、EMA（エチレン−アクリル酸メチル共重
合体）、EVA（エチレン−酢酸ビニル共重合体）などが
用いられる。 ところが、これらの樹脂は、通常、第２成分（非エチ
レン成分＝アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、酢酸
ビニル）の含有量が増えると、軟化点が低くなる傾向に
あり、従って電力ケーブルの半導電層としての耐熱性が
不十分になるという問題がある。この問題は、有機過酸
化物系架橋剤を増量することによって解決することがで
きる。
しかし、上述のように、エチレン系共重合体樹脂から
なるマトリクス樹脂には、必要導電性を付与するために
カーボンブラックを多量に添加している。従って、溶融
温度が高くなり、流動性が悪くなっているので、単に有
機過酸化物系架橋剤を増量しただけでは、押出し成形時
に早期架橋（スコーチ）が生じてしまうという問題があ
った。 早期架橋が生じると、この早期架橋が生じた部分が半
導電層の押出し表面（絶縁体との界面）に突起を形成
し、これが水トリーあるいは絶縁破壊の起点となって電
気的な信頼性を低下させる等の弊害が発生するので好ま
しくない。 本発明はこのような問題を解決するためになされたも
ので、早期架橋の恐れがなく、しかも良好な機械的物性
と耐熱性を有する架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの
半導電層を提供することを目的としている。
なるマトリクス樹脂には、必要導電性を付与するために
カーボンブラックを多量に添加している。従って、溶融
温度が高くなり、流動性が悪くなっているので、単に有
機過酸化物系架橋剤を増量しただけでは、押出し成形時
に早期架橋（スコーチ）が生じてしまうという問題があ
った。 早期架橋が生じると、この早期架橋が生じた部分が半
導電層の押出し表面（絶縁体との界面）に突起を形成
し、これが水トリーあるいは絶縁破壊の起点となって電
気的な信頼性を低下させる等の弊害が発生するので好ま
しくない。 本発明はこのような問題を解決するためになされたも
ので、早期架橋の恐れがなく、しかも良好な機械的物性
と耐熱性を有する架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの
半導電層を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の架橋ポリエチレ
ン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法は、フィラー
受容量の多い低結晶性又は非結晶性のエチレン系共重合
体100重量部に対し、導電性カーボンブラックを５〜100
重量部、有機過酸化物系架橋剤を配合すると共に粒子径
10μｍ以下の酸化マグネシウムを0.5〜５重量部配合
し、反応の初期段階での架橋速度を遅くして早期架橋の
発生を抑制して架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半
導電層を製造しようというものである。 このように構成することにより、本発明によると、有
機過酸化物系架橋剤に加え、粒子径10μｍ以下の酸化マ
グネシウムを0.5〜５重量部添加することによって、有
機過酸化物系架橋剤の増量のみによって架橋度合を上げ
る場合に比べ、押出し機内での架橋の立上がり速度が抑
制され、最終の架橋度合いのみを上げることができる。
すなわち、架橋の立上がり速度が抑制されるので、早期
架橋が防止されると同時に、良好な機械的物性と耐熱性
を有する架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層
を製造することができる。
ン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法は、フィラー
受容量の多い低結晶性又は非結晶性のエチレン系共重合
体100重量部に対し、導電性カーボンブラックを５〜100
重量部、有機過酸化物系架橋剤を配合すると共に粒子径
10μｍ以下の酸化マグネシウムを0.5〜５重量部配合
し、反応の初期段階での架橋速度を遅くして早期架橋の
発生を抑制して架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半
導電層を製造しようというものである。 このように構成することにより、本発明によると、有
機過酸化物系架橋剤に加え、粒子径10μｍ以下の酸化マ
グネシウムを0.5〜５重量部添加することによって、有
機過酸化物系架橋剤の増量のみによって架橋度合を上げ
る場合に比べ、押出し機内での架橋の立上がり速度が抑
制され、最終の架橋度合いのみを上げることができる。
すなわち、架橋の立上がり速度が抑制されるので、早期
架橋が防止されると同時に、良好な機械的物性と耐熱性
を有する架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層
を製造することができる。
以下、図示する実施例に基づいて本発明を架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルの剥離性外部半導電層に適用し
た場合について説明する。 第１表は、本発明の実施例の半導電層と比較例の半導
電層の組成を示すものである。 なお、実施例1,2の組成には酸化防止剤、滑剤（加工
助剤）が添加されているが、これは必要に応じて添加さ
れるものである。 また、酸化マグネシウムは粒子径が10μｍ以下のもの
が望ましい。粒子径が10μｍ以下の酸化マグネシウムと
は、粒子径10μｍを越える粒子が体積基準の粒度分布に
おいて10％以下のものを言う。粒子径を10μｍ以下とす
る理由は、押し出し表面が極めて平滑であることが要求
される半導電層において配合剤の巨大粒子が核となり、
押出し表面突起を形成し、これがケーブルの電気的信頼
性を低下させる原因となるからである。 実施例１ この実施例１は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を１重量部、酸化マグネシウムを２重量部配
合したものである。 この実施例１によれば、レオメータ最高トルク値が3
0.4、レオメータスコーチ時間が2.1分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であり、また50℃での剥
離作業性も良好である。 実施例２ この実施例２は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３を１重量部、酸化マグネシウムを２
重量部配合したものである。 この実施例２によれば、レオメータ最高トルク値が3
1.1、レオメータスコーチ時間が2.0分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であり、また50℃での剥
離作業性も良好である。 比較例１ この比較例１は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を１重量部配合したものである。 すなわち、実施例１において酸化マグネシウムを配合
しないものである。 この比較例１によれば、レオメータ最高トルク値が1
8.4、レオメータスコーチ時間が2.1分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であるが、50℃での剥離
作業性は良くない。 比較例２ この比較例２は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を1.4重量部配合したものである。 すなわち、実施例１において酸化マグネシウムを配合
せず、架橋剤を40％増量したものである。 この比較例２によれば、レオメータ最高トルク値が3
1.4、レオメータスコーチ時間が1.7分であり、50℃での
剥離作業性は良好であるが、ケーブル押出し時の耐スコ
ーチ性が悪くなっている。すなわち、早期架橋が生じて
いる。 比較例３ この比較例３は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部配合したもの
である。 すなわち、実施例１において架橋剤および酸化マグネ
シウムを配合しないものである。 この実施例３によれば、レオメータ最高トルク値が4.
4となっており、50℃での剥離作業性が悪い。 比較例４ この比較例４は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル2,5（第３−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３を１重量部配合したものである。 すなわち、実施例２において酸化マグネシウムを配合
しないものである。 この比較例４によれば、レオメータ最高トルク値が2
1.8、レオメータスコーチ時間が2.0分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であるが、50℃での剥離
作業性は良くない。 比較例５ この比較例５は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３を1.4重量部配合したものである。 すなわち、実施例２において酸化マグネシウムを配合
せず、架橋剤を40％増量したものである。 この比較例５によれば、レオメータ最高トルク値が3
2.5、レオメータスコーチ時間が1.6分であり、50℃での
剥離作業性は、良好であるが、ケーブル押出し時の耐ス
コーチ性が悪くなっている。すなわち、早期架橋が生じ
ている。 比較例６ この比較例６は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部配合
したものである。 すなわち、実施例２において架橋剤および酸化マグネ
シウムを配合しないものである。 この比較例６によれば、レオメータ最高トルク値が5.
6となっており、50℃での剥離作業性が悪い。 第１図は、上記実施例1,2および比較例１〜６におけ
る半導電層の架橋特性をレオメータの時間−トルク曲線
で示したものである。 第１図において、曲線Ａは実施例1,2の架橋特性、す
なわち酸化マグネシウムを添加した場合の架橋特性を示
し、曲線Ｂは架橋剤は添加するが、酸化マグネシウムは
添加しない場合（比較例1,4）の架橋特性、曲線Ｃは酸
化マグネシウムは添加せず、架橋剤を40％増量した場合
（比較例2,5）の架橋特性、曲線Ｄは架橋剤および酸化
マグネシウムの両方を添加しない場合（比較例3,6）の
架橋特性をそれぞれ示している。 通常、架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造に際
し、押出し架橋被覆材料の架橋特性はレオメータの時間
−トルク曲線でみると、押出し機内の早期架橋を防止す
るために架橋の立上がりができるだけ遅く、最終的な到
達架橋度（最高トルク）が高い方が望ましい。 この点で考察すると、架橋剤を増量しただけの比較例
2,5の組成では、架橋の立上がりが早く、早期架橋の恐
れがある。これに対し、実施例1,2の組成では、架橋の
立上がりが緩やかであり、最終的な架橋度のみが高くな
っている。 ところが、実施例1,2の場合、酸化マグネシウムの架
橋促進効果により、有機過酸化物のみを架橋剤として用
いた場合に比べ第１図に図示の時間−トルク曲線（架橋
反応速度と架橋度合を材料の粘度トルク変化で測定）に
示すように、同様な架橋度合を達成しつつも架橋の立上
がり（反応の初期段階での架橋速度）を遅くしてスコー
チ（早期架橋）を防止する（押出加工性を改良する）こ
とができる。 すなわち、実施例1,2のように、酸化マグネシウムを
添加することにより、早期架橋の恐れがなく、耐熱性、
機械的物性に優れ、したがって、例えば高温（50℃）に
おける剥離作業性に優れた剥離性外部半導電層を得るこ
とができる。
チレン絶縁電力ケーブルの剥離性外部半導電層に適用し
た場合について説明する。 第１表は、本発明の実施例の半導電層と比較例の半導
電層の組成を示すものである。 なお、実施例1,2の組成には酸化防止剤、滑剤（加工
助剤）が添加されているが、これは必要に応じて添加さ
れるものである。 また、酸化マグネシウムは粒子径が10μｍ以下のもの
が望ましい。粒子径が10μｍ以下の酸化マグネシウムと
は、粒子径10μｍを越える粒子が体積基準の粒度分布に
おいて10％以下のものを言う。粒子径を10μｍ以下とす
る理由は、押し出し表面が極めて平滑であることが要求
される半導電層において配合剤の巨大粒子が核となり、
押出し表面突起を形成し、これがケーブルの電気的信頼
性を低下させる原因となるからである。 実施例１ この実施例１は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を１重量部、酸化マグネシウムを２重量部配
合したものである。 この実施例１によれば、レオメータ最高トルク値が3
0.4、レオメータスコーチ時間が2.1分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であり、また50℃での剥
離作業性も良好である。 実施例２ この実施例２は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３を１重量部、酸化マグネシウムを２
重量部配合したものである。 この実施例２によれば、レオメータ最高トルク値が3
1.1、レオメータスコーチ時間が2.0分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であり、また50℃での剥
離作業性も良好である。 比較例１ この比較例１は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を１重量部配合したものである。 すなわち、実施例１において酸化マグネシウムを配合
しないものである。 この比較例１によれば、レオメータ最高トルク値が1
8.4、レオメータスコーチ時間が2.1分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であるが、50℃での剥離
作業性は良くない。 比較例２ この比較例２は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架橋剤とし
ての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３を1.4重量部配合したものである。 すなわち、実施例１において酸化マグネシウムを配合
せず、架橋剤を40％増量したものである。 この比較例２によれば、レオメータ最高トルク値が3
1.4、レオメータスコーチ時間が1.7分であり、50℃での
剥離作業性は良好であるが、ケーブル押出し時の耐スコ
ーチ性が悪くなっている。すなわち、早期架橋が生じて
いる。 比較例３ この比較例３は、マトリクス樹脂としてのEVA（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）100重量部に対して、カー
ボンブラックとしてのファーネスブラックＡを50重量
部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６−第３
−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量部、加工
助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部配合したもの
である。 すなわち、実施例１において架橋剤および酸化マグネ
シウムを配合しないものである。 この実施例３によれば、レオメータ最高トルク値が4.
4となっており、50℃での剥離作業性が悪い。 比較例４ この比較例４は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル2,5（第３−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３を１重量部配合したものである。 すなわち、実施例２において酸化マグネシウムを配合
しないものである。 この比較例４によれば、レオメータ最高トルク値が2
1.8、レオメータスコーチ時間が2.0分であり、ケーブル
押出し時の耐スコーチ性は良好であるが、50℃での剥離
作業性は良くない。 比較例５ この比較例５は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部、架
橋剤としての2,5−ジメチル−2,5（第３−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３を1.4重量部配合したものである。 すなわち、実施例２において酸化マグネシウムを配合
せず、架橋剤を40％増量したものである。 この比較例５によれば、レオメータ最高トルク値が3
2.5、レオメータスコーチ時間が1.6分であり、50℃での
剥離作業性は、良好であるが、ケーブル押出し時の耐ス
コーチ性が悪くなっている。すなわち、早期架橋が生じ
ている。 比較例６ この比較例６は、マトリクス樹脂としてのEEA（エチ
レン−アクリル酸エチル共重合体）100重量部に対し
て、カーボンブラックとしてのファーネスブラックＢを
60重量部、酸化防止剤としての4,4′−チオビス−（６
−第３−ブチル−３−メチルフェノール）を0.5重量
部、加工助剤としてのステアリン酸亜鉛を２重量部配合
したものである。 すなわち、実施例２において架橋剤および酸化マグネ
シウムを配合しないものである。 この比較例６によれば、レオメータ最高トルク値が5.
6となっており、50℃での剥離作業性が悪い。 第１図は、上記実施例1,2および比較例１〜６におけ
る半導電層の架橋特性をレオメータの時間−トルク曲線
で示したものである。 第１図において、曲線Ａは実施例1,2の架橋特性、す
なわち酸化マグネシウムを添加した場合の架橋特性を示
し、曲線Ｂは架橋剤は添加するが、酸化マグネシウムは
添加しない場合（比較例1,4）の架橋特性、曲線Ｃは酸
化マグネシウムは添加せず、架橋剤を40％増量した場合
（比較例2,5）の架橋特性、曲線Ｄは架橋剤および酸化
マグネシウムの両方を添加しない場合（比較例3,6）の
架橋特性をそれぞれ示している。 通常、架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造に際
し、押出し架橋被覆材料の架橋特性はレオメータの時間
−トルク曲線でみると、押出し機内の早期架橋を防止す
るために架橋の立上がりができるだけ遅く、最終的な到
達架橋度（最高トルク）が高い方が望ましい。 この点で考察すると、架橋剤を増量しただけの比較例
2,5の組成では、架橋の立上がりが早く、早期架橋の恐
れがある。これに対し、実施例1,2の組成では、架橋の
立上がりが緩やかであり、最終的な架橋度のみが高くな
っている。 ところが、実施例1,2の場合、酸化マグネシウムの架
橋促進効果により、有機過酸化物のみを架橋剤として用
いた場合に比べ第１図に図示の時間−トルク曲線（架橋
反応速度と架橋度合を材料の粘度トルク変化で測定）に
示すように、同様な架橋度合を達成しつつも架橋の立上
がり（反応の初期段階での架橋速度）を遅くしてスコー
チ（早期架橋）を防止する（押出加工性を改良する）こ
とができる。 すなわち、実施例1,2のように、酸化マグネシウムを
添加することにより、早期架橋の恐れがなく、耐熱性、
機械的物性に優れ、したがって、例えば高温（50℃）に
おける剥離作業性に優れた剥離性外部半導電層を得るこ
とができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法は、フィ
ラー受容量の多い低結晶性又は非結晶性のエチレン系共
重合体100重量部に対し、導電性カーボンブラックを５
〜100重量部、有機過酸化物系架橋剤を配合すると共に
粒子径10μｍ以下の酸化マグネシウムを0.5〜５重量部
配合し、反応の初期段階での架橋速度を遅くして早期架
橋の発生を抑制するものであるため、酸化マグネシウム
の架橋促進効果により、有機過酸化物のみを架橋剤とし
て用いた場合に比べ第１図に図示の時間−トルク曲線
（架橋反応速度と架橋度合を材料の粘度トルク変化で測
定）に示すように、従来同様な架橋度合を達成しつつも
架橋の立上がり（反応の初期段階での架橋速度）を遅く
してスコーチ（早期架橋）を防止する（押出加工性を改
良する）ことができ、耐熱性、機械的物性に優れ、高温
（50℃）における剥離作業性に優れた剥離性外部半導電
層を製造することができる。
チレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法は、フィ
ラー受容量の多い低結晶性又は非結晶性のエチレン系共
重合体100重量部に対し、導電性カーボンブラックを５
〜100重量部、有機過酸化物系架橋剤を配合すると共に
粒子径10μｍ以下の酸化マグネシウムを0.5〜５重量部
配合し、反応の初期段階での架橋速度を遅くして早期架
橋の発生を抑制するものであるため、酸化マグネシウム
の架橋促進効果により、有機過酸化物のみを架橋剤とし
て用いた場合に比べ第１図に図示の時間−トルク曲線
（架橋反応速度と架橋度合を材料の粘度トルク変化で測
定）に示すように、従来同様な架橋度合を達成しつつも
架橋の立上がり（反応の初期段階での架橋速度）を遅く
してスコーチ（早期架橋）を防止する（押出加工性を改
良する）ことができ、耐熱性、機械的物性に優れ、高温
（50℃）における剥離作業性に優れた剥離性外部半導電
層を製造することができる。
【図１】 本発明の実施例および比較例における半導電層の架橋特
性をレオメータの時間−トルク曲線で示した特性図であ
る。
性をレオメータの時間−トルク曲線で示した特性図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−190804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−128789（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−50982（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−264007（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−30718（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭45−30942（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】フィラー受容量の多い低結晶性又は非結晶
性のエチレン系共重合体100重量部に対し、導電性カー
ボンブラックを５〜100重量部、有機過酸化物系架橋剤
を配合すると共に粒子径10μｍ以下の酸化マグネシウム
を0.5〜５重量部配合し、反応の初期段階での架橋速度
を遅くして早期架橋の発生を抑制することを特徴とする
架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02326598A JP3097920B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02326598A JP3097920B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196010A JPH04196010A (ja) | 1992-07-15 |
| JP3097920B2 true JP3097920B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=18189605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02326598A Expired - Fee Related JP3097920B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの半導電層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3097920B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597170B2 (ja) * | 1977-09-30 | 1984-02-16 | タツタ電線株式会社 | 内部導電層を有する絶縁ケ−ブル |
| JPS61190804A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-25 | 日立電線株式会社 | 電力ケ−ブル用半導電性組成物 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP02326598A patent/JP3097920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04196010A (ja) | 1992-07-15 |
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