JP3096747B2 - チャンネル型光導波路の形成方法 - Google Patents
チャンネル型光導波路の形成方法Info
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- JP3096747B2 JP3096747B2 JP2715792A JP2715792A JP3096747B2 JP 3096747 B2 JP3096747 B2 JP 3096747B2 JP 2715792 A JP2715792 A JP 2715792A JP 2715792 A JP2715792 A JP 2715792A JP 3096747 B2 JP3096747 B2 JP 3096747B2
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- crystal
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第２高調波発生（ＳＨ
Ｇ）素子、光偏向器、光変調器、光スイッチ、光増幅器
あるいは光集積回路などの光デバイスとして有用なチャ
ンネル型光導波路の形成方法に関する。
Ｇ）素子、光偏向器、光変調器、光スイッチ、光増幅器
あるいは光集積回路などの光デバイスとして有用なチャ
ンネル型光導波路の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザ光を利用した光情報処理装
置の発展にはめざましいものがあるが、なかでも、光偏
向器、光変調器、光増幅素子、光スイッチなどの光デバ
イスについては、電気光学効果や非線形光学効果、磁気
光学効果などの光学的特性に優れ、伝搬損失の低い高品
質の光導波路の使用が不可欠である。
置の発展にはめざましいものがあるが、なかでも、光偏
向器、光変調器、光増幅素子、光スイッチなどの光デバ
イスについては、電気光学効果や非線形光学効果、磁気
光学効果などの光学的特性に優れ、伝搬損失の低い高品
質の光導波路の使用が不可欠である。
【０００３】光導波路には、基板上に厚さ数μｍの平面
状薄膜を設けたスラブ（平面）型光導波路と、更にその
面内にも帯状に屈折率差を設けるか、あるいは段差すな
わち膜厚差を設け、帯状領域のみ導波するようにしたチ
ャンネル型光導波路とがあるが、チャンネル型光導波路
の方が光の閉じ込め効率が高くできるため有利とされて
いる。
状薄膜を設けたスラブ（平面）型光導波路と、更にその
面内にも帯状に屈折率差を設けるか、あるいは段差すな
わち膜厚差を設け、帯状領域のみ導波するようにしたチ
ャンネル型光導波路とがあるが、チャンネル型光導波路
の方が光の閉じ込め効率が高くできるため有利とされて
いる。
【０００４】チャンネル型光導波路の基本的な形状とし
ては、埋め込み型、リッジ型、装荷型があるが、光変調
器などの光デバイスに応用した場合、リッジ型の光導波
路とすることが望ましい。それは、この形状の光導波路
の方が光の閉じ込め効率が高く、加工も容易にできるか
らである。
ては、埋め込み型、リッジ型、装荷型があるが、光変調
器などの光デバイスに応用した場合、リッジ型の光導波
路とすることが望ましい。それは、この形状の光導波路
の方が光の閉じ込め効率が高く、加工も容易にできるか
らである。
【０００５】上記、リッジ型光導波路は、従来、基板の
上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、この上に一般
的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導波路形状の
マスクパターンを施し、次いで（１）ウエットエッチン
グ（化学エッチング）、（２）イオンビームエッチン
グ、（３）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ、Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの方法によっ
てマスクパターン以外の薄膜部分を除去してリッジ型光
導波路を作製していた。
上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、この上に一般
的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導波路形状の
マスクパターンを施し、次いで（１）ウエットエッチン
グ（化学エッチング）、（２）イオンビームエッチン
グ、（３）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ、Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの方法によっ
てマスクパターン以外の薄膜部分を除去してリッジ型光
導波路を作製していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、前記
ウエットエッチング法は、例えば、西原浩、春名正光、
栖原敏明 共著「光集積回路」（オーム社発行）のｐ１
９３に記載されているように、エッチング速度の充分な
再現性を得ることが困難で、また等方的であることか
ら、１μｍ以下の加工精度が要求される場合には満足な
結果が得られず、またエッチングした部分にアンダーカ
ットが見られるという欠点があった。
ウエットエッチング法は、例えば、西原浩、春名正光、
栖原敏明 共著「光集積回路」（オーム社発行）のｐ１
９３に記載されているように、エッチング速度の充分な
再現性を得ることが困難で、また等方的であることか
ら、１μｍ以下の加工精度が要求される場合には満足な
結果が得られず、またエッチングした部分にアンダーカ
ットが見られるという欠点があった。
【０００７】また、前記イオンビームエッチング、反応
性イオンエッチング法は、例えば、電気学会大学講座
「電子材料工学」（オーム社発行）のｐ２６５〜２６７
に記載されているように、（Ａ）エッチング速度が概し
て遅く、かつ装置のスループット、すなわち処理能力が
低く経済的に不利となる、（Ｂ）エッチングプロセス中
に反応生成物あるいは反応容器に起因する汚染物が試料
表面に付着する、（Ｃ）加速イオン衝撃によって試料に
損傷を与える、（Ｄ）電極間の放電状態あるいは反応ガ
スの流形によってエッチング速度が不均一となるなどの
欠点あった。
性イオンエッチング法は、例えば、電気学会大学講座
「電子材料工学」（オーム社発行）のｐ２６５〜２６７
に記載されているように、（Ａ）エッチング速度が概し
て遅く、かつ装置のスループット、すなわち処理能力が
低く経済的に不利となる、（Ｂ）エッチングプロセス中
に反応生成物あるいは反応容器に起因する汚染物が試料
表面に付着する、（Ｃ）加速イオン衝撃によって試料に
損傷を与える、（Ｄ）電極間の放電状態あるいは反応ガ
スの流形によってエッチング速度が不均一となるなどの
欠点あった。
【０００８】しかるに、前記エッチング工程を含む従来
技術で作製したリッジ型光導波路は、再現性、膜厚均一
性に劣り、かつ薄膜結晶性の劣化に伴い、光導波路の光
学特性の劣化や伝搬損失が増大するという問題点を有し
ていた。
技術で作製したリッジ型光導波路は、再現性、膜厚均一
性に劣り、かつ薄膜結晶性の劣化に伴い、光導波路の光
学特性の劣化や伝搬損失が増大するという問題点を有し
ていた。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明者らは、従来技
術の問題点を克服するために鋭意研究を重ねた結果、液
相エピタキシャル法において結晶を育成するために使用
するフラックスを溶融状態とし、その溶融体中において
従来の使用目的とは逆にエッチングを行うことにより、
再現性、膜厚均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全く劣化
しないリッジ型光導波路が極めて容易に得られることを
新規に知見した。
術の問題点を克服するために鋭意研究を重ねた結果、液
相エピタキシャル法において結晶を育成するために使用
するフラックスを溶融状態とし、その溶融体中において
従来の使用目的とは逆にエッチングを行うことにより、
再現性、膜厚均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全く劣化
しないリッジ型光導波路が極めて容易に得られることを
新規に知見した。
【００１０】すなわち、本発明は、マスクを介して基板
上に形成された薄膜をエッチングするチャンネル型光導
波路の形成方法であって、液相エピタキシャル法におい
ては結晶を育成するために使用するフラックスを飽和温
度以上に加熱したエッチング液を用いるとともに、当該
エッチングの工程において前記マスクが完全に溶解除去
されることを構成とするチャンネル型光導波路の形成方
法である。
上に形成された薄膜をエッチングするチャンネル型光導
波路の形成方法であって、液相エピタキシャル法におい
ては結晶を育成するために使用するフラックスを飽和温
度以上に加熱したエッチング液を用いるとともに、当該
エッチングの工程において前記マスクが完全に溶解除去
されることを構成とするチャンネル型光導波路の形成方
法である。
【００１１】
【作用】本発明のチャンネル型光導波路の形成方法は、
基板の上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、この上
に一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導波路
形状のマスクパターンを施した後、エッチング液として
飽和温度以上に加熱されたフラックスを用い、その溶融
体中においてエッチングを行うことが特徴である。ここ
で飽和温度とはフラックス中にフラックスの融解温度よ
りも高い融点を持つ物質を溶解させる際に、そのフラッ
クス以外の物質がフラックス中に完全に溶解する時の温
度をいう。なお、フラックス以外の成分が存在せず、フ
ラックスのみの場合、飽和温度はフラックスの融解温度
に等しくなる。溶融体中におけるエッチングは、従来の
エッチング液のような等方的なエッチングとはならず、
アンダーカットが生じないだけでなく、エッチング速度
の再現性にも優れ、またイオンビームエッチング、反応
性イオンエッチングのようにエッチング速度が不均一に
ならないため、膜厚均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全
く劣化しない。このため、光学的特性の優れたリッジ型
光導波路を極めて容易に形成することができる。
基板の上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、この上
に一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導波路
形状のマスクパターンを施した後、エッチング液として
飽和温度以上に加熱されたフラックスを用い、その溶融
体中においてエッチングを行うことが特徴である。ここ
で飽和温度とはフラックス中にフラックスの融解温度よ
りも高い融点を持つ物質を溶解させる際に、そのフラッ
クス以外の物質がフラックス中に完全に溶解する時の温
度をいう。なお、フラックス以外の成分が存在せず、フ
ラックスのみの場合、飽和温度はフラックスの融解温度
に等しくなる。溶融体中におけるエッチングは、従来の
エッチング液のような等方的なエッチングとはならず、
アンダーカットが生じないだけでなく、エッチング速度
の再現性にも優れ、またイオンビームエッチング、反応
性イオンエッチングのようにエッチング速度が不均一に
ならないため、膜厚均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全
く劣化しない。このため、光学的特性の優れたリッジ型
光導波路を極めて容易に形成することができる。
【００１２】前記エッチングに使用するフラックス組成
としては、薄膜を溶解せしめるものであれば特に限定さ
れないが、ＰｂＯ−ＰｂＦ2 、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 、Ｍ+
Ｆ、Ｍ+ Ｃｌ、Ｍ+2Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 、Ｍ+2Ｏ−ＭｏＯ3 、
Ｍ+2Ｏ−ＷＯ3 、Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ）系から選ばれる少なくとも１種のフラッ
クス組成が望ましい。特に、基板上の薄膜結晶がＬｉＮ
ｂＯ3 および異種元素を含むＬｉＮｂＯ3 の場合には、
Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）系が望まし
い。それは、Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ）系が、ＬｉＮｂＯ3および異種元素を含むＬｉＮｂ
Ｏ3 を溶解させても極めて安定であり、またＭ+2Ｏ−Ｖ
2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）系フラックスは、酸あ
るいは水に溶解するため、エッチング終了後に薄膜結晶
上に残留しても容易に除去することができるからであ
る。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜をエッチングさせる場
合は、以下の組成が有利である。ＬｉＶＯ3 −ＮａＶＯ
3 フラックス系の組成としては、Ｎａ2 Ｏ，ＭｇＯを除
いた、Ｌｉ2 Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 の組成範囲が、
Ｌｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 −Ｎｂ2 Ｏ5 の３成分系の三角図に
おいて、Ａ（８８．９０，２．２２，８．８８）、Ｂ
（５５．００，４３．００，２．００）、Ｃ（４６．５
０，５１．５０，２．００）、Ｄ（１１．１１，８０．
００，８．８９）、Ｅ（３７．５０，５．００，５７．
５０）の５組成点で囲まれる領域で示される組成範囲内
にあることが有利である。前記組成点は、（Ｌｉ2 Ｏの
モル％，Ｖ2 Ｏ5 のモル％，Ｎｂ2 Ｏ5 のモル％）を指
す。また、前記Ｎａ2 Ｏ，ＭｇＯを除いた、Ｌｉ2 Ｏ、
Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 の組成範囲としてはＬｉ2 Ｏ−Ｖ
2 Ｏ5 −Ｎｂ2 Ｏ5 の３成分系の三角図において、Ｆ
（４９．４９，４５．４６，５．０５）、Ｇ（１１．１
１，８０．００，８．８９）、Ｈ（４２．８１，２２．
９４，３４．２５）の３組成点で囲まれた組成割合であ
ることが好ましく、また、前記Ｌｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 −Ｎ
ｂ2 Ｏ5 の組成範囲は、３成分系の三角図において、Ｉ
（４７．６４，４６．１２，６．２４）、Ｊ（２７．０
１，６４．６９，８．３０）、Ｋ（３６．７１，３７．
９７，２５．３２）、Ｌ（４４．０５，３２．９７，２
２．９８）の４組成点で囲まれる範囲が好適であり、さ
らにＭ（４５．３６，４６．４５，８．１９）、Ｎ（３
２．８９，５７．０５，１０．０６）、Ｏ（３６．７
１，４４．３０，１８．９９）、Ｐ（４４．９５，４
０．５４，１４．５１）の４組成点で囲まれる範囲が最
適である。本発明におけるＮａ2 Ｏの組成割合として、
モル比でＮａ2 Ｏ／Ｌｉ2 Ｏが、２．０／９８．０〜９
３．５／６．５を満たす範囲であることが望ましい。前
記Ｎａ2 Ｏの組成割合として、モル比でＮａ2 Ｏ／Ｌｉ
2 Ｏが、７．４／９２．６〜８０．０／２０．０を満た
す範囲であることが望ましく、１６．７／８３．３〜４
８．４／５１．６を満たす範囲であることが好適であ
る。また、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇＯ／
ニオブ酸リチウムの値が、０．１／９９．９〜２５．０
／７５．０を満たす組成範囲であることが望ましい。前
記ニオブ酸リチウムとは溶融体組成から析出可能なニオ
ブ酸リチウムの理論量を意味する。さらに、ＭｇＯの組
成割合として、モル比でＭｇＯ／ニオブ酸リチウムの値
が、０．７／１００〜９．０／１００を満たす組成範囲
であることが好ましく、３．５／１００〜６．０／１０
０を満たす組成範囲であることが好適である。特にＬｉ
2 Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 がＬｉ2 Ｏ／Ｎｂ2 Ｏ5 ＞１を満たす
組成範囲では、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇ
Ｏ／Ｎｂ2 Ｏ5 が、０．２／９９．８〜４０．０／６
０．０を満たす範囲であることが望ましい。前記ＭｇＯ
の組成割合として、モル比でＭｇＯ／Ｎｂ2 Ｏ5 が、
０．７／５０．０〜９．０／５０．０を満たす範囲であ
ることが好ましく、３．５／５０．０〜６．０／５０．
０を満たす範囲であることが好適である。
としては、薄膜を溶解せしめるものであれば特に限定さ
れないが、ＰｂＯ−ＰｂＦ2 、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 、Ｍ+
Ｆ、Ｍ+ Ｃｌ、Ｍ+2Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 、Ｍ+2Ｏ−ＭｏＯ3 、
Ｍ+2Ｏ−ＷＯ3 、Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ）系から選ばれる少なくとも１種のフラッ
クス組成が望ましい。特に、基板上の薄膜結晶がＬｉＮ
ｂＯ3 および異種元素を含むＬｉＮｂＯ3 の場合には、
Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）系が望まし
い。それは、Ｍ+2Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ）系が、ＬｉＮｂＯ3および異種元素を含むＬｉＮｂ
Ｏ3 を溶解させても極めて安定であり、またＭ+2Ｏ−Ｖ
2 Ｏ5 （Ｍ+ ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）系フラックスは、酸あ
るいは水に溶解するため、エッチング終了後に薄膜結晶
上に残留しても容易に除去することができるからであ
る。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜をエッチングさせる場
合は、以下の組成が有利である。ＬｉＶＯ3 −ＮａＶＯ
3 フラックス系の組成としては、Ｎａ2 Ｏ，ＭｇＯを除
いた、Ｌｉ2 Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 の組成範囲が、
Ｌｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 −Ｎｂ2 Ｏ5 の３成分系の三角図に
おいて、Ａ（８８．９０，２．２２，８．８８）、Ｂ
（５５．００，４３．００，２．００）、Ｃ（４６．５
０，５１．５０，２．００）、Ｄ（１１．１１，８０．
００，８．８９）、Ｅ（３７．５０，５．００，５７．
５０）の５組成点で囲まれる領域で示される組成範囲内
にあることが有利である。前記組成点は、（Ｌｉ2 Ｏの
モル％，Ｖ2 Ｏ5 のモル％，Ｎｂ2 Ｏ5 のモル％）を指
す。また、前記Ｎａ2 Ｏ，ＭｇＯを除いた、Ｌｉ2 Ｏ、
Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 の組成範囲としてはＬｉ2 Ｏ−Ｖ
2 Ｏ5 −Ｎｂ2 Ｏ5 の３成分系の三角図において、Ｆ
（４９．４９，４５．４６，５．０５）、Ｇ（１１．１
１，８０．００，８．８９）、Ｈ（４２．８１，２２．
９４，３４．２５）の３組成点で囲まれた組成割合であ
ることが好ましく、また、前記Ｌｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 −Ｎ
ｂ2 Ｏ5 の組成範囲は、３成分系の三角図において、Ｉ
（４７．６４，４６．１２，６．２４）、Ｊ（２７．０
１，６４．６９，８．３０）、Ｋ（３６．７１，３７．
９７，２５．３２）、Ｌ（４４．０５，３２．９７，２
２．９８）の４組成点で囲まれる範囲が好適であり、さ
らにＭ（４５．３６，４６．４５，８．１９）、Ｎ（３
２．８９，５７．０５，１０．０６）、Ｏ（３６．７
１，４４．３０，１８．９９）、Ｐ（４４．９５，４
０．５４，１４．５１）の４組成点で囲まれる範囲が最
適である。本発明におけるＮａ2 Ｏの組成割合として、
モル比でＮａ2 Ｏ／Ｌｉ2 Ｏが、２．０／９８．０〜９
３．５／６．５を満たす範囲であることが望ましい。前
記Ｎａ2 Ｏの組成割合として、モル比でＮａ2 Ｏ／Ｌｉ
2 Ｏが、７．４／９２．６〜８０．０／２０．０を満た
す範囲であることが望ましく、１６．７／８３．３〜４
８．４／５１．６を満たす範囲であることが好適であ
る。また、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇＯ／
ニオブ酸リチウムの値が、０．１／９９．９〜２５．０
／７５．０を満たす組成範囲であることが望ましい。前
記ニオブ酸リチウムとは溶融体組成から析出可能なニオ
ブ酸リチウムの理論量を意味する。さらに、ＭｇＯの組
成割合として、モル比でＭｇＯ／ニオブ酸リチウムの値
が、０．７／１００〜９．０／１００を満たす組成範囲
であることが好ましく、３．５／１００〜６．０／１０
０を満たす組成範囲であることが好適である。特にＬｉ
2 Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 がＬｉ2 Ｏ／Ｎｂ2 Ｏ5 ＞１を満たす
組成範囲では、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇ
Ｏ／Ｎｂ2 Ｏ5 が、０．２／９９．８〜４０．０／６
０．０を満たす範囲であることが望ましい。前記ＭｇＯ
の組成割合として、モル比でＭｇＯ／Ｎｂ2 Ｏ5 が、
０．７／５０．０〜９．０／５０．０を満たす範囲であ
ることが好ましく、３．５／５０．０〜６．０／５０．
０を満たす範囲であることが好適である。
【００１３】前記エッチング速度は、フラックス溶融体
の温度、エッチング時間、フラックス組成によって調整
することが望ましい。特に、エッチング速度を遅くした
い場合には、エッチングされる薄膜結晶をあらかじめフ
ラックス中に溶解させておくことが有利である。それ
は、エッチング速度を遅くするためにフラックス溶融体
の温度を下げるとフラックスが不安定となり、フラック
ス成分あるいはフラックス中に溶解している成分が微結
晶として析出してエッチングが継続できなくなる恐れが
あるのに対して、エッチングされる薄膜結晶をあらかじ
めフラックス中に溶解させておくと、フラックス溶融体
が安定な、温度が充分高い状態であっても、フラックス
溶融体の薄膜結晶に対する溶解能力を低下させることが
できるからである。
の温度、エッチング時間、フラックス組成によって調整
することが望ましい。特に、エッチング速度を遅くした
い場合には、エッチングされる薄膜結晶をあらかじめフ
ラックス中に溶解させておくことが有利である。それ
は、エッチング速度を遅くするためにフラックス溶融体
の温度を下げるとフラックスが不安定となり、フラック
ス成分あるいはフラックス中に溶解している成分が微結
晶として析出してエッチングが継続できなくなる恐れが
あるのに対して、エッチングされる薄膜結晶をあらかじ
めフラックス中に溶解させておくと、フラックス溶融体
が安定な、温度が充分高い状態であっても、フラックス
溶融体の薄膜結晶に対する溶解能力を低下させることが
できるからである。
【００１４】前記エッチング時のマスク材の特性として
は、エッチングする薄膜結晶よりも融点が高いこと、エ
ッチングする温度において薄膜結晶中に拡散しないこ
と、溶融フラックスに対して薄膜結晶と同等以下の溶解
性を有することが必要である。
は、エッチングする薄膜結晶よりも融点が高いこと、エ
ッチングする温度において薄膜結晶中に拡散しないこ
と、溶融フラックスに対して薄膜結晶と同等以下の溶解
性を有することが必要である。
【００１５】前記エッチング時のマスク材としては、エ
ッチングされる薄膜結晶および薄膜結晶の構成元素から
なることが有利である。その理由は、前記、マスク材の
要求特性を容易に満たしうるからである。例えば、薄膜
結晶がＬｉＮｂＯ3の場合には、マスク材としてはＬｉ
ＮｂＯ3 あるいは、Ｎｂ2 Ｏ5 を用いることが有利であ
る。
ッチングされる薄膜結晶および薄膜結晶の構成元素から
なることが有利である。その理由は、前記、マスク材の
要求特性を容易に満たしうるからである。例えば、薄膜
結晶がＬｉＮｂＯ3の場合には、マスク材としてはＬｉ
ＮｂＯ3 あるいは、Ｎｂ2 Ｏ5 を用いることが有利であ
る。
【００１６】前記エッチング時のマスク材の形成方法と
しては、スパッタ法、蒸着法、スピンコーティング法、
ディップコーティング法などが望ましいが、特にスパッ
タ法が好適である。その理由は、マスク材の膜厚制御が
容易であり、かつ、本発明の形成方法においては、マス
ク材の結晶性が高い必要がなく非晶質でも構わないた
め、スパッタ法で得られる程度の結晶性で充分その目的
を果たしうるためである。
しては、スパッタ法、蒸着法、スピンコーティング法、
ディップコーティング法などが望ましいが、特にスパッ
タ法が好適である。その理由は、マスク材の膜厚制御が
容易であり、かつ、本発明の形成方法においては、マス
ク材の結晶性が高い必要がなく非晶質でも構わないた
め、スパッタ法で得られる程度の結晶性で充分その目的
を果たしうるためである。
【００１７】前記エッチング時のマスク材の膜厚は、チ
ャンネル型光導波路において希望する段差と一致させる
ことが望ましい。その理由は、従来のイオンビームエッ
チング法などにおいては、マスク材下の薄膜結晶への影
響を抑えるために、その膜厚を充分厚く形成し、エッチ
ング終了後、そのマスク材の残留部分を化学エッチング
などの方法によって除去する必要があったが、本発明の
形成方法においては、マスク材がすべてエッチングされ
た時点で、マスク材の膜厚に相当する段差が既に形成さ
れており、更にエッチングを行ってもその段差は変わる
ことないため、マスク材の残留部分を除去する必要がな
く、またエッチングされたマスク材下の薄膜結晶の結晶
性には全く影響を与えないからである。
ャンネル型光導波路において希望する段差と一致させる
ことが望ましい。その理由は、従来のイオンビームエッ
チング法などにおいては、マスク材下の薄膜結晶への影
響を抑えるために、その膜厚を充分厚く形成し、エッチ
ング終了後、そのマスク材の残留部分を化学エッチング
などの方法によって除去する必要があったが、本発明の
形成方法においては、マスク材がすべてエッチングされ
た時点で、マスク材の膜厚に相当する段差が既に形成さ
れており、更にエッチングを行ってもその段差は変わる
ことないため、マスク材の残留部分を除去する必要がな
く、またエッチングされたマスク材下の薄膜結晶の結晶
性には全く影響を与えないからである。
【００１８】前記エッチングの際には、エッチング試料
を回転させることが望ましい。これは試料を回転させる
ことにより、エッチングが均一になされるからである。
を回転させることが望ましい。これは試料を回転させる
ことにより、エッチングが均一になされるからである。
【００１９】前記エッチング終了後には、試料を回転さ
せ、フラックスを振り切ることが望ましい。これは、フ
ラックスが薄膜結晶表面に残留すると、薄膜の結晶性、
光学特性、光伝搬損失が低下する恐れがあるためであ
る。
せ、フラックスを振り切ることが望ましい。これは、フ
ラックスが薄膜結晶表面に残留すると、薄膜の結晶性、
光学特性、光伝搬損失が低下する恐れがあるためであ
る。
【００２０】本発明の光導波路は、基板と薄膜導波層の
結晶格子を互いに整合（格子整合）させたものであるこ
とが望ましい。それは、このように基板と薄膜導波層と
を格子整合させると、格子の歪みや結晶欠陥が極めて少
なくなり、マイクロクラックなどのない高品質の薄膜導
波層を形成することができるからである。
結晶格子を互いに整合（格子整合）させたものであるこ
とが望ましい。それは、このように基板と薄膜導波層と
を格子整合させると、格子の歪みや結晶欠陥が極めて少
なくなり、マイクロクラックなどのない高品質の薄膜導
波層を形成することができるからである。
【００２１】このような格子整合に当たって、前記薄膜
導波層の格子定数は、基板の格子定数の９９．８１〜１
００．０３％であることが望ましい。この理由は、薄膜
導波層の格子定数が、基板の格子定数の９９．８１％よ
り小さくなると薄膜導波層にクラックが発生し、また、
薄膜導波層の格子定数が、基板の格子定数の１００．０
３％より大きくなると薄膜導波層にファセットが発生す
るため、いずれの場合においても光学用途に使用できる
高品質の薄膜導波層を得ることが困難となるためであ
る。
導波層の格子定数は、基板の格子定数の９９．８１〜１
００．０３％であることが望ましい。この理由は、薄膜
導波層の格子定数が、基板の格子定数の９９．８１％よ
り小さくなると薄膜導波層にクラックが発生し、また、
薄膜導波層の格子定数が、基板の格子定数の１００．０
３％より大きくなると薄膜導波層にファセットが発生す
るため、いずれの場合においても光学用途に使用できる
高品質の薄膜導波層を得ることが困難となるためであ
る。
【００２２】本発明において、前記薄膜導波層と基板と
の組み合せは、特に限定されるものではないが、例え
ば、薄膜導波層としては、ＬｉＮｂＯ3 、α−石英、Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、β−ＢａＢ2 Ｏ4 （ＢＢ
Ｏ）、ＫＨ2 ＰＯ4 （ＫＤＰ）、ＫＤ2 ＰＯ4 （ＫＤ*
Ｐ）、ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4 （ＡＤＰ）、Ｃ5 Ｈ2 ＡｓＯ4
（ＣＤＡ）、Ｃ5 Ｄ2 ＡｓＯ4 （ＣＤ* Ａ）、ＲｂＨ2
ＰＯ4 （ＲＤＰ）、ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 （ＲＤＡ）、Ｂｅ
ＳＯ4 ・４Ｈ2 Ｏ、ＬｉＣｌＯ4 ・３Ｈ2 Ｏ、ＬｉＣｌ
Ｏ3 、α−ＬｉＣｄＢＯ3 、ＬｉＢ3 Ｏ5 （ＬＢＯ）、
尿素、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12、（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ａｌ，Ｆｅ）
5 Ｏ12などのガーネット、Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15（ＢＮ
Ｎ）、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ2 Ｏ6 などが使用でき、この
薄膜導波層に組み合わせて用いる基板としては、例え
ば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＴａＯ3 薄膜が形成されたＬｉ
ＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、α−サファイア、ＢｅＯ、Ｚｎ
Ｏ、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12などのガーネット、ＫＴＰ、ＢＢ
Ｏ、ＬＢＯ、ＫＤＰおよび類似化合物、ソーダガラス、
パイレックスガラスなどが用いられる。
の組み合せは、特に限定されるものではないが、例え
ば、薄膜導波層としては、ＬｉＮｂＯ3 、α−石英、Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、β−ＢａＢ2 Ｏ4 （ＢＢ
Ｏ）、ＫＨ2 ＰＯ4 （ＫＤＰ）、ＫＤ2 ＰＯ4 （ＫＤ*
Ｐ）、ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4 （ＡＤＰ）、Ｃ5 Ｈ2 ＡｓＯ4
（ＣＤＡ）、Ｃ5 Ｄ2 ＡｓＯ4 （ＣＤ* Ａ）、ＲｂＨ2
ＰＯ4 （ＲＤＰ）、ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 （ＲＤＡ）、Ｂｅ
ＳＯ4 ・４Ｈ2 Ｏ、ＬｉＣｌＯ4 ・３Ｈ2 Ｏ、ＬｉＣｌ
Ｏ3 、α−ＬｉＣｄＢＯ3 、ＬｉＢ3 Ｏ5 （ＬＢＯ）、
尿素、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12、（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ａｌ，Ｆｅ）
5 Ｏ12などのガーネット、Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15（ＢＮ
Ｎ）、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ2 Ｏ6 などが使用でき、この
薄膜導波層に組み合わせて用いる基板としては、例え
ば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＴａＯ3 薄膜が形成されたＬｉ
ＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、α−サファイア、ＢｅＯ、Ｚｎ
Ｏ、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12などのガーネット、ＫＴＰ、ＢＢ
Ｏ、ＬＢＯ、ＫＤＰおよび類似化合物、ソーダガラス、
パイレックスガラスなどが用いられる。
【００２３】特に、薄膜導波層としてＬｉＮｂＯ3 を用
い、基板としてＬｉＴａＯ3 を用いる組み合せは最も望
ましい形態である。それは、これらの単結晶は、結晶構
造が互いに類似しており、格子整合させやすいからであ
る。
い、基板としてＬｉＴａＯ3 を用いる組み合せは最も望
ましい形態である。それは、これらの単結晶は、結晶構
造が互いに類似しており、格子整合させやすいからであ
る。
【００２４】次に、本発明の光導波路の薄膜導波層の製
造方法としては、液相エピタキシャル成長法、スパッタ
法、蒸着法などが望ましいが、特に液相エピタキシャル
成長法が好適である。この理由は、液相エピタキシャル
成長法によれば、結晶性に優れた均質な膜が得やすく、
その結果、光伝搬損失が小さく光導波路として好適な、
しかも単結晶本来が持つ非線形光学効果、電気光学効
果、音響光学効果などを充分活かせるからである。ま
た、液相エピタキシャル成長法の場合、エッチングのた
めのフラックスを新たに用意する必要がなく、薄膜成長
に使用した溶融液をそのまま使用することができるから
である。この場合は、溶融液の温度を薄膜成長させた温
度より充分高く、すなわち溶融液の飽和温度以上にする
ことでその目的を達成することができる。また、液相エ
ピタキシャル成長法の場合は、エッチングを行い、マス
ク材を完全に溶解させて希望の段差を形成した後に、溶
融液の温度を下げて通常の液相エピタキシャル成長を行
うことで、段差を維持したまま薄膜導波層の膜厚を厚く
することもできるという他の方法ではできない利点も有
する。
造方法としては、液相エピタキシャル成長法、スパッタ
法、蒸着法などが望ましいが、特に液相エピタキシャル
成長法が好適である。この理由は、液相エピタキシャル
成長法によれば、結晶性に優れた均質な膜が得やすく、
その結果、光伝搬損失が小さく光導波路として好適な、
しかも単結晶本来が持つ非線形光学効果、電気光学効
果、音響光学効果などを充分活かせるからである。ま
た、液相エピタキシャル成長法の場合、エッチングのた
めのフラックスを新たに用意する必要がなく、薄膜成長
に使用した溶融液をそのまま使用することができるから
である。この場合は、溶融液の温度を薄膜成長させた温
度より充分高く、すなわち溶融液の飽和温度以上にする
ことでその目的を達成することができる。また、液相エ
ピタキシャル成長法の場合は、エッチングを行い、マス
ク材を完全に溶解させて希望の段差を形成した後に、溶
融液の温度を下げて通常の液相エピタキシャル成長を行
うことで、段差を維持したまま薄膜導波層の膜厚を厚く
することもできるという他の方法ではできない利点も有
する。
【００２５】本発明の光導波路形成方法は、ＳＨＧ素子
などの光変調器、光偏向器、光スイッチ、光増幅素子、
光集積回路など、導波路型光デバイスすべてに適用でき
る。
などの光変調器、光偏向器、光スイッチ、光増幅素子、
光集積回路など、導波路型光デバイスすべてに適用でき
る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例１ （１） Ｌｉ2 ＣＯ3 １９．６ｇ、Ｖ2 Ｏ5 ５１．９
ｇ，Ｎｂ2 Ｏ5 １８．９ｇ、Ｎａ2 ＣＯ3 ９．７ｇ、Ｍ
ｇＯ ０．３ｇ秤量（Ｌｉ2 ＣＯ3 ４２．７モル％、Ｖ
2 Ｏ5 ４５．９モル％、Ｎｂ2 Ｏ5 １１．４モル％、Ｎ
ａ2 ＣＯ3 をＬｉ2 ＣＯ3 に対して２５．６モル％、Ｍ
ｇＯを前記溶融物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ3 の理
論量に対して５モル％添加（ＭｇＯ／（ＬｉＮｂＯ3 ＋
ＭｇＯ）＊１００＝５ｍｏｌ％を満たすようにＭｇＯを
添加｝）した混合物を白金ルツボに入れ、エピタキシャ
ル成長装置中で空気雰囲気下で１０５０℃まで加熱して
ルツボの内容物を溶解させ、１９．５時間攪拌した。溶
融体を１時間当たり１２０℃の冷却速度で１０００℃ま
で、さらに１時間当たり６０℃の冷却速度で９３９℃ま
で徐冷した。 （２） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
１の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシ
ャル成長法によりＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜２を３μｍの
膜厚でエピタキシャル成長させた。ＬｉＴａＯ3 単結晶
１とＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜２のａ軸の格子定数は５．
１５４Åで両者は略一致していた（図１工程Ａ）。 （３） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （４） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （５） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅５μ
ｍのＮｂ2 Ｏ5 膜６を形成したものをエッチング試料と
した。（図１ 工程Ｂ〜Ｅ） （６） フラックスＬｉＶＯ3 ９０モル％、ＬｉＮｂ
Ｏ3 １０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１０
０℃に加熱して、ルツボの内容物を溶解した。さらに溶
融体を白金プロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で
６時間撹拌させた。 （７） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９５
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９５０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら２
分間浸漬した。ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜およびＮｂ2 Ｏ
5 膜のエッチング速度は、共に約０．５μｍ／分であっ
た。 （８） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅５μｍ、膜厚３μｍのリッジ型光導波路７を得た。
（図１ 工程Ｆ） （９） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （１０） また、リッジ型光導波路の側面８は、極めて
平滑であった。（図２） （１１） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１２） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．３ｄＢ／ｃｍであった。
明する。 実施例１ （１） Ｌｉ2 ＣＯ3 １９．６ｇ、Ｖ2 Ｏ5 ５１．９
ｇ，Ｎｂ2 Ｏ5 １８．９ｇ、Ｎａ2 ＣＯ3 ９．７ｇ、Ｍ
ｇＯ ０．３ｇ秤量（Ｌｉ2 ＣＯ3 ４２．７モル％、Ｖ
2 Ｏ5 ４５．９モル％、Ｎｂ2 Ｏ5 １１．４モル％、Ｎ
ａ2 ＣＯ3 をＬｉ2 ＣＯ3 に対して２５．６モル％、Ｍ
ｇＯを前記溶融物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ3 の理
論量に対して５モル％添加（ＭｇＯ／（ＬｉＮｂＯ3 ＋
ＭｇＯ）＊１００＝５ｍｏｌ％を満たすようにＭｇＯを
添加｝）した混合物を白金ルツボに入れ、エピタキシャ
ル成長装置中で空気雰囲気下で１０５０℃まで加熱して
ルツボの内容物を溶解させ、１９．５時間攪拌した。溶
融体を１時間当たり１２０℃の冷却速度で１０００℃ま
で、さらに１時間当たり６０℃の冷却速度で９３９℃ま
で徐冷した。 （２） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
１の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシ
ャル成長法によりＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜２を３μｍの
膜厚でエピタキシャル成長させた。ＬｉＴａＯ3 単結晶
１とＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜２のａ軸の格子定数は５．
１５４Åで両者は略一致していた（図１工程Ａ）。 （３） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （４） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （５） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅５μ
ｍのＮｂ2 Ｏ5 膜６を形成したものをエッチング試料と
した。（図１ 工程Ｂ〜Ｅ） （６） フラックスＬｉＶＯ3 ９０モル％、ＬｉＮｂ
Ｏ3 １０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１０
０℃に加熱して、ルツボの内容物を溶解した。さらに溶
融体を白金プロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で
６時間撹拌させた。 （７） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９５
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９５０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら２
分間浸漬した。ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜およびＮｂ2 Ｏ
5 膜のエッチング速度は、共に約０．５μｍ／分であっ
た。 （８） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅５μｍ、膜厚３μｍのリッジ型光導波路７を得た。
（図１ 工程Ｆ） （９） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （１０） また、リッジ型光導波路の側面８は、極めて
平滑であった。（図２） （１１） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１２） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．３ｄＢ／ｃｍであった。
【００２７】実施例２ （１） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．６ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚２μｍ、幅５μ
ｍのＬｉＮｂＯ3 膜を形成したものをエッチング試料と
した。 （５） フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル
％、ＬｉＮｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物
を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中で空気雰囲気
下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内容物を溶解し
た。さらに溶融体を白金プロペラを用い、１００ｒｐｍ
の回転速度で６時間撹拌させた。 （６） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９４
５℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９４５℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら３
分間浸漬した。Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜
およびＬｉＮｂＯ3膜のエッチング速度は、共に約１μ
ｍ／分であった。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約２μｍ、
幅５μｍ、膜厚４μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．１ｄＢ／ｃｍであった。
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．６ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚２μｍ、幅５μ
ｍのＬｉＮｂＯ3 膜を形成したものをエッチング試料と
した。 （５） フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル
％、ＬｉＮｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物
を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中で空気雰囲気
下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内容物を溶解し
た。さらに溶融体を白金プロペラを用い、１００ｒｐｍ
の回転速度で６時間撹拌させた。 （６） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９４
５℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９４５℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら３
分間浸漬した。Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜
およびＬｉＮｂＯ3膜のエッチング速度は、共に約１μ
ｍ／分であった。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約２μｍ、
幅５μｍ、膜厚４μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．１ｄＢ／ｃｍであった。
【００２８】実施例３ （１） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
の（１１０）面を光学研磨した後、液相エピタキシャル
成長法により、Ｚｎ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜を２μ
ｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２６ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、１．４ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅３μ
ｍのＺｎ含有ＬｉＮｂＯ3 膜を形成したものをエッチン
グ試料とした。 （５） フラックスＮａＶＯ3 １００モル％の割合で調
製した混合物を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内
容物を溶解した。さらに溶融体を白金プロペラを用い、
１００ｒｐｍの回転速度で６時間撹拌させた。 （６） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９６
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９６０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら１
分間浸漬した。ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜およびＬｉＮｂ
Ｏ3膜のエッチング速度は、共に約１μｍ／分であっ
た。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅３μｍ、膜厚２μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２６ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．９ｄＢ／ｃｍであった。
の（１１０）面を光学研磨した後、液相エピタキシャル
成長法により、Ｚｎ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜を２μ
ｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２６ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、１．４ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅３μ
ｍのＺｎ含有ＬｉＮｂＯ3 膜を形成したものをエッチン
グ試料とした。 （５） フラックスＮａＶＯ3 １００モル％の割合で調
製した混合物を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内
容物を溶解した。さらに溶融体を白金プロペラを用い、
１００ｒｐｍの回転速度で６時間撹拌させた。 （６） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９６
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９６０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら１
分間浸漬した。ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜およびＬｉＮｂ
Ｏ3膜のエッチング速度は、共に約１μｍ／分であっ
た。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅３μｍ、膜厚２μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２６ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．９ｄＢ／ｃｍであった。
【００２９】実施例４ （１） ２インチφ、厚さ０．５ｍｍのＧａ3 Ｇａ5 Ｏ
12単結晶の（１１１）面を光学研磨した後、液相エピタ
キシャル成長法により、（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ｆｅ，Ａｌ）
5 Ｏ12単結晶薄膜を３μｍの膜厚でエピタキシャル成長
させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２３ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、１．０ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅５μ
ｍのＹ3 Ｆｅ54Ｏ12膜を形成したものをエッチング試料
とした。 （５） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９７
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９７０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら３
分間浸漬した。（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ｆｅ，Ａｌ）5 Ｏ12単
結晶薄膜およびＹ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜のエッチング速度は、
共に約０．５μｍ／分であった。 （６） フラックスとしてＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系を用い、
モル比でＰｂＯ／Ｂ2 Ｏ3 が１５．７となる割合で調製
した混合物を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中で
空気雰囲気下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内容
物を溶解した。さらに溶融体を白金プロペラを用い、１
００ｒｐｍの回転速度で６時間撹拌させた。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅５μｍ、膜厚２．５μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２３ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．５ｄＢ／ｃｍであった。
12単結晶の（１１１）面を光学研磨した後、液相エピタ
キシャル成長法により、（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ｆｅ，Ａｌ）
5 Ｏ12単結晶薄膜を３μｍの膜厚でエピタキシャル成長
させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２３ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、１．０ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚１μｍ、幅５μ
ｍのＹ3 Ｆｅ54Ｏ12膜を形成したものをエッチング試料
とした。 （５） 溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９７
０℃まで徐冷した後、このエッチング試料を９７０℃で
予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら３
分間浸漬した。（Ｂｉ，Ｙ）3 （Ｆｅ，Ａｌ）5 Ｏ12単
結晶薄膜およびＹ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜のエッチング速度は、
共に約０．５μｍ／分であった。 （６） フラックスとしてＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系を用い、
モル比でＰｂＯ／Ｂ2 Ｏ3 が１５．７となる割合で調製
した混合物を白金ルツボに入れエピタキシャル装置中で
空気雰囲気下で、１１００℃に加熱して、ルツボの内容
物を溶解した。さらに溶融体を白金プロペラを用い、１
００ｒｐｍの回転速度で６時間撹拌させた。 （７） 溶融体からエッチング試料を引き上げ、回転数
１０００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、段差約１μｍ、
幅５μｍ、膜厚２．５μｍのリッジ型光導波路を得た。 （８） また、薄膜導波層表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２３ｓｅｃであった。 （９） また、リッジ型光導波路の側面は、極めて平滑
であった。 （１０） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端
面研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニ
アフィールドパターンを観察したところ、レーザ光が導
波路内に良好に閉じ込められていることが確認できた。 （１１） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３
μｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法
によって測定したところ、１．５ｄＢ／ｃｍであった。
【００３０】比較例１ （１） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法によりＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜を３μｍの膜厚
でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのＡｌ膜を形成したものをエッチング試料とし
た。 （５） ＣＦ4 を反応ガスとして、反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ：ReactiveIon Etching）法により、エッ
チング試料を３時間エッチングした後、ＨＦにより残留
Ａｌ膜を除去し、段差約１μｍ、幅５μｍ、膜厚３μｍ
のリッジ型光導波路を得た。 （６） なお、薄膜導波層表面は基本的には鏡面であっ
たが、薄膜の結晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評
価したところ、ピーク半価幅は４０ｓｅｃと大きくなっ
た。 （７） また、リッジ型光導波路の側面には、かなりの
荒れが認められた。 （８） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端面
研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニア
フィールドパターンを観察したところ、導波路側面での
散乱および導波路以外の薄膜導波層へのレーザ光の洩れ
が認められた。 （９） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３μ
ｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法に
よって測定したところ、１３ｄＢ／ｃｍであった。
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法によりＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜を３μｍの膜厚
でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのＡｌ膜を形成したものをエッチング試料とし
た。 （５） ＣＦ4 を反応ガスとして、反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ：ReactiveIon Etching）法により、エッ
チング試料を３時間エッチングした後、ＨＦにより残留
Ａｌ膜を除去し、段差約１μｍ、幅５μｍ、膜厚３μｍ
のリッジ型光導波路を得た。 （６） なお、薄膜導波層表面は基本的には鏡面であっ
たが、薄膜の結晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評
価したところ、ピーク半価幅は４０ｓｅｃと大きくなっ
た。 （７） また、リッジ型光導波路の側面には、かなりの
荒れが認められた。 （８） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端面
研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニア
フィールドパターンを観察したところ、導波路側面での
散乱および導波路以外の薄膜導波層へのレーザ光の洩れ
が認められた。 （９） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３μ
ｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法に
よって測定したところ、１３ｄＢ／ｃｍであった。
【００３１】比較例２ （１） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．６ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのＴｉ膜を形成したものをエッチング試料とし
た。 （５） Ａｒを反応ガスとして、イオンビームエッチン
グ法により、エッチング試料を２時間エッチングした
後、ＨＦ＋ＨＮＯ3 により残留Ｔｉ膜を除去し、段差約
１μｍ、幅５μｍ、膜厚５μｍのリッジ型光導波路を得
た。 （６） なお、薄膜導波層表面は基本的には鏡面であっ
たが、薄膜の結晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評
価したところ、ピーク半価幅は３５ｓｅｃと大きくなっ
た。 （７） また、リッジ型光導波路の側面には、かなりの
荒れが認められた。 （８） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端面
研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニア
フィールドパターンを観察したところ、導波路側面での
散乱および導波路以外の薄膜導波層へのレーザ光の洩れ
が認められた。 （９） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３μ
ｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法に
よって測定したところ、１８ｄＢ／ｃｍであった。
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は１９ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．６ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのＴｉ膜を形成したものをエッチング試料とし
た。 （５） Ａｒを反応ガスとして、イオンビームエッチン
グ法により、エッチング試料を２時間エッチングした
後、ＨＦ＋ＨＮＯ3 により残留Ｔｉ膜を除去し、段差約
１μｍ、幅５μｍ、膜厚５μｍのリッジ型光導波路を得
た。 （６） なお、薄膜導波層表面は基本的には鏡面であっ
たが、薄膜の結晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評
価したところ、ピーク半価幅は３５ｓｅｃと大きくなっ
た。 （７） また、リッジ型光導波路の側面には、かなりの
荒れが認められた。 （８） 得られたリッジ型光導波路に対して垂直に端面
研磨を施して、レーザ光を端面入射させ、出射光のニア
フィールドパターンを観察したところ、導波路側面での
散乱および導波路以外の薄膜導波層へのレーザ光の洩れ
が認められた。 （９） 得られたリッジ型光導波路の、波長０．８３μ
ｍの半導体レーザに対する伝搬損失をカットバック法に
よって測定したところ、１８ｄＢ／ｃｍであった。
【００３２】比較例３ （１） ２インチφ、厚さ１ｍｍのＬｉＴａＯ3 単結晶
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのエッチングレジスト膜を形成したものをエッチ
ング試料とした。 （５）このエッチング試料をＨＦ＋ＨＮＯ3 （１：２）
によりエッチングを行い、レジストを除去し、段差約１
μｍ、幅４μｍ、膜厚３μｍのリッジ型光導波路を得
た。 （６）リッジ部のエッチング面にはアンダーカットが見
られ、サイドエッチングにより導波路がサイドエッチン
グのため導波路の幅が設定値より１μｍ狭くなった。 （７）上記工程を３回行ったが、全てのサンプルで段
差、サイドエッチングの度合いが異なり、再現性のある
エッチング速度、導波路の幅の制御は困難であった。
の（０００１）面を光学研磨した後、液相エピタキシャ
ル成長法により、Ｎａ、Ｍｇ含有ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄
膜を５μｍの膜厚でエピタキシャル成長させた。 （２） 得られた薄膜結晶表面は鏡面であり、薄膜の結
晶性を２結晶法ロッキングカーブにて評価したところ、
ピーク半価幅は２５ｓｅｃであった。 （３） 得られた薄膜結晶の、波長０．８３μｍの半導
体レーザに対する伝搬損失をプリズム移動法によって測
定したところ、０．８ｄＢ／ｃｍであった。 （４） ついで、この薄膜結晶上に、フォトリソグラフ
ィーおよびＲＦスパッタ法により、膜厚０．５μｍ、幅
５μｍのエッチングレジスト膜を形成したものをエッチ
ング試料とした。 （５）このエッチング試料をＨＦ＋ＨＮＯ3 （１：２）
によりエッチングを行い、レジストを除去し、段差約１
μｍ、幅４μｍ、膜厚３μｍのリッジ型光導波路を得
た。 （６）リッジ部のエッチング面にはアンダーカットが見
られ、サイドエッチングにより導波路がサイドエッチン
グのため導波路の幅が設定値より１μｍ狭くなった。 （７）上記工程を３回行ったが、全てのサンプルで段
差、サイドエッチングの度合いが異なり、再現性のある
エッチング速度、導波路の幅の制御は困難であった。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明方法によれ
ば、基板の上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、こ
の上に一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導
波路形状のマスクパターンを施した後、液相エピタキシ
ャル法において使用するフラックスを溶融状態とし、そ
の溶融体中においてエッチングを行う。このように溶融
体中においてエッチングすることにより、再現性、膜厚
均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全く劣化しないリッジ
型光導波路を極めて容易に形成することができる。
ば、基板の上部に光導波路となる薄膜部分を形成し、こ
の上に一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて光導
波路形状のマスクパターンを施した後、液相エピタキシ
ャル法において使用するフラックスを溶融状態とし、そ
の溶融体中においてエッチングを行う。このように溶融
体中においてエッチングすることにより、再現性、膜厚
均一性に優れ、かつ薄膜結晶性が全く劣化しないリッジ
型光導波路を極めて容易に形成することができる。
【図１】図１は、本発明に基づく製造工程の説明図
【図２】図２は、リッジ型チャンネル型光導波路の斜視
図
図
【図３】図３は、Ｌｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 −Ｎｂ2 Ｏ5 の３
成分系の三角図 （Ｌｉ2 Ｏのモル％，Ｖ2 Ｏ5 のモル％，Ｎｂ2 Ｏ5 の
モル％） Ａ（８８．９０，２．２２，８．８８） Ｂ（５５．００，４３．００，２．００） Ｃ（４６．５０，５１．５０，２．００） Ｄ（１１．１１，８０．００，８．８９） Ｅ（３７．５０，５．００，５７．５０） Ｆ（４９．４９，４５．４６，５．０５） Ｇ（１１．１１，８０．００，８．８９） Ｈ（４２．８１，２２．９４，３４．２５） Ｉ（４７．６４，４６．１２，６．２４） Ｊ（２７．０１，６４．６９，８．３０） Ｋ（３６．７１，３７．９７，２５．３２） Ｌ（４４．０５，３２．９７，２２．９８） Ｍ（４５．３６，４６．４５，８．１９） Ｎ（３２．８９，５７．０５，１０．０６） Ｏ（３６．７１，４４．３０，１８．９９） Ｐ（４４．９５，４０．５４，１４．５１）
成分系の三角図 （Ｌｉ2 Ｏのモル％，Ｖ2 Ｏ5 のモル％，Ｎｂ2 Ｏ5 の
モル％） Ａ（８８．９０，２．２２，８．８８） Ｂ（５５．００，４３．００，２．００） Ｃ（４６．５０，５１．５０，２．００） Ｄ（１１．１１，８０．００，８．８９） Ｅ（３７．５０，５．００，５７．５０） Ｆ（４９．４９，４５．４６，５．０５） Ｇ（１１．１１，８０．００，８．８９） Ｈ（４２．８１，２２．９４，３４．２５） Ｉ（４７．６４，４６．１２，６．２４） Ｊ（２７．０１，６４．６９，８．３０） Ｋ（３６．７１，３７．９７，２５．３２） Ｌ（４４．０５，３２．９７，２２．９８） Ｍ（４５．３６，４６．４５，８．１９） Ｎ（３２．８９，５７．０５，１０．０６） Ｏ（３６．７１，４４．３０，１８．９９） Ｐ（４４．９５，４０．５４，１４．５１）
１ ＬｉＴａＯ3 単結晶基板 ２ ＬｉＮｂＯ3 単結晶薄膜 ３ フォトレジスト ４ 導波路パターン ５ Ｎｂ2 Ｏ5 エッチングマスク ６ 導波路パターン（Ｎｂ2 Ｏ5 膜） ７ リッジ状チャンネル型光導波路 ８ リッジ状チャンネル型光導波路の側面部
Claims (1)
- 【請求項１】マスクを介して基板上に形成された薄膜を
エッチングするチャンネル型光導波路の形成方法であっ
て、液相エピタキシャル法においては結晶を育成するた
めに使用するフラックスを飽和温度以上に加熱したエッ
チング液を用いるとともに、当該エッチングの工程にお
いて前記マスクが完全に溶解除去されることを特徴とす
るチャンネル型光導波路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2715792A JP3096747B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | チャンネル型光導波路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2715792A JP3096747B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | チャンネル型光導波路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196828A JPH05196828A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3096747B2 true JP3096747B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=12213224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2715792A Expired - Lifetime JP3096747B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | チャンネル型光導波路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3096747B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP2715792A patent/JP3096747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05196828A (ja) | 1993-08-06 |
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