JP3094666B2 - 信号伝送装置 - Google Patents

信号伝送装置

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JP3094666B2
JP3094666B2 JP04170724A JP17072492A JP3094666B2 JP 3094666 B2 JP3094666 B2 JP 3094666B2 JP 04170724 A JP04170724 A JP 04170724A JP 17072492 A JP17072492 A JP 17072492A JP 3094666 B2 JP3094666 B2 JP 3094666B2
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敏夫 関口
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Yokogawa Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、測定すべき物理量が電
気信号に変換されこれをマイクロプロセッサを用いるパ
ルス幅変換手段により所定ビット数のパルス幅信号に所
定演算周期で変換してこれに対応する信号を出力する信
号伝送装置に係り、特にメモリなどのハードの持つ分解
能よりも高い分解能で出力できるように改良された信号
伝送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来の信号伝送装置として2線式
伝送器を例として示したブロック図である。2線式伝送
器10は外部回路11と伝送線L1、L2で接続されて
おり、この外部回路11は2線式伝送器10の回路電源
を供給するに必要な直流電圧Ebと受信抵抗R1が端子
T1、T2を介して伝送線L1、L2で直列に接続され
ている。この伝送線L1、L2の他端は2線式伝送器1
0の端子T3、T4に接続されている。
【0003】端子T3、T4の間には、ダイオードD
1、トランジスタQ1のエミッタとベース、トランジス
タQ2のコレクタとエミッタ、ダイオードD2、帰還抵
抗R2がそれぞれ直列に接続されている。また、トラン
ジスタQ1のエミッタとコレクタとの間には起動抵抗R
3が接続されている。
【0004】ダイオードD2と帰還抵抗R2の接続点C
N1と、起動抵抗R3とトランジスタQ1のコレクタの
接続点CN2との間にはツエナダイオードD3が接続さ
れ、これらの間に一定の電圧である1次電圧V1を得て
いる。
【0005】この1次電圧V1はスイッチング電源12
の一次端子T5と接続点CN1に接続された共通端子T
6との間に印加され、その二次端子T7と共通端子T6
との間に電圧変成された直流の二次電圧V2が出力され
る。この二次電圧V2は物理量を電気信号に変換するセ
ンサ13及びこの電気信号を信号処理するマイクロプロ
セッサを搭載した信号処理回路14等に供給される。
【0006】センサ13は圧力などの物理量を電気信号
に変換して信号処理回路14に出力する。信号処理回路
14はこの電気信号に対して直線性補正などの信号処理
をしてパルス幅信号PWMとして出力する。
【0007】VR1′、VR2′はこのパルス幅信号PWM
を所定のレベルにレベル変換するための基準電圧VR1
R2を発生する基準電圧源であり,これらの基準電圧源
R1′、VR2′はスイッチSW1の切換端の各一端と接
続点CN1との間に接続されている。
【0008】スイッチSW1の共通端は抵抗R4とコン
デンサC1で構成されるフイルタFLに接続され、パル
ス幅信号PWMにより切り換えられる。したがって、ス
イッチSW1の共通端にはレベルが基準電圧VR1とVR2
の間でパルス幅信号PWMにより切り換えられるパルス
状の信号が得られ、フイルタFLはこの信号を平滑して
対応するアナログ信号とする。
【0009】このアナログ信号はバッフア増幅器Q3に
よりバッフアリングされてその出力端にセンサ信号Va
として出力される。誤差増幅器Q4の反転入力端(−)
には基準電圧VR1を抵抗R5とR6で分圧した分圧電圧
が印加され、その非反転入力端(+)には帰還抵抗R2
の両端に発生した帰還電圧Vfとセンサ信号Vaの和の電
圧を抵抗R7、R8及び帰還抵抗R2で分圧した分圧電
圧が印加されている。
【0010】そして、誤差増幅器Q4はこれらの分圧電
圧が一致するようにトランジスタQ2のベース電流を制
御し、この結果としてトランジスタQ2のコレクタ電流
によりトランジスタQ1のベース電流が制御される。こ
れにより、トランジスタQ1はセンサ信号Vaに対応し
た統一の電流信号I0(=4mA〜20mA)として2
本の伝送線L1、L2を介して受信抵抗R1に出力す
る。
【0011】したがって、電流信号I0はセンサ13か
らの出力信号であるセンサ信号Vaにのみ応答する0〜
16mAの可変定電流とトランジスタQ1とツエナダイ
オードD3等を介して流れるベースの電流である4mA
(0%)の定電流との和の電流として受信抵抗R1に送
出される。
【0012】この場合の信号処理回路14の中には、N
ビットのビットメモリを有するパルス幅演算メモリPW
M1と、同じくNビットのビットメモリを有するパルス
幅出力メモリPWM2とを有するメモリ領域が設けられ
ている。
【0013】パルス幅演算メモリPWM1は、内蔵され
るマイクロプロセッサによりセンサ13からの出力信号
に対応するパルス幅信号を所定の演算プログラムにより
演算し、これが格納される。
【0014】パルス幅演算メモリPWM1に格納された
パルス幅信号は、パルス幅出力メモリPWM2に同一ビ
ット数で転送されて、図7に示すようにデュテイが例え
ば25%、或いは20%などとして1%刻みで演算周期
1ごとにスイッチSW1に出力される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような2線式伝送器は、パルス幅演算メモリPWM1が
パルス幅出力メモリPWM2と同じくNビットのメモリ
であり、1回の演算周期T1の間は同一のデュテイで出
力を続けるので、出力の分解能は1/2Nに制限され、
メモリを増設しなければこれ以上の分解能は得られない
という問題がある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決するための構成として、測定すべき物理量が電気信
号に変換されこれをマイクロプロセッサを用いるパルス
幅変換手段により所定ビット数のパルス幅信号に所定演
算周期で変換してこれに対応する信号を出力する信号伝
送装置において、先のマイクロプロセッサにより先の電
気信号に対応して先の所定演算周期で第1パルス幅信号
として変換されて格納される先の所定ビット数より大き
いビットメモリを持つパルス幅演算メモリと、この第1
パルス幅信号の所定の下位ビットにサイクリックに参照
パルスを加算して先の所定演算周期より短い周期で第2
パルス幅信号として出力する加算手段と、先の第2パル
ス幅信号のうち先の下位ビットがカットされて先の所定
ビット数として格納され出力されるパルス幅出力メモリ
とを具備するようにしたものである。
【0017】
【作 用】先の所定ビット数より大きいビットメモリを
持つパルス幅演算メモリには、マイクロプロセッサによ
り測定すべき物理量に関連する電気信号に対応して所定
演算周期で第1パルス幅信号として変換されて格納され
る。
【0018】加算手段は、この第1パルス幅信号の所定
の下位ビットにサイクリックに参照パルスを加算して先
の所定演算周期より短い周期で第2パルス幅信号として
出力する。
【0019】そして、パルス幅出力メモリは、先の第2
パルス幅信号のうち先の下位ビットがカットされて先の
所定ビット数として格納され出力される。これにより、
ハードとしてのメモリのビット数で決まる分解能より高
い分解能をハードを増設することなしに実現できる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図1は本発明の1実施例の構成を示すブロック
図である。なお、図6に示す従来の2線式伝送器と同一
の機能を有する部分には同一の符号を付して適宜にその
説明を省略する。
【0021】図1に示す実施例は、図6に示す信号処理
回路14の代わりに信号処理回路15に変更された2線
式伝送器16とされている以外は同一の構成である。信
号処理回路15はNビットのパルス幅出力メモリPWM
2のほかに、例えばNビットに下位nビット(図では下
位2ビット)を加えた(N+n)ビットを持つパルス幅
演算メモリPWM3が設けられている。
【0022】そして、これらのパルス幅出力メモリPW
M2とパルス幅演算メモリPWM3でのデータの読出
し、書込み、或いは演算などの手順は、信号処理回路1
5のなかの所定のメモリ領域に演算プログラムとして格
納されている。
【0023】以上の演算について、図2に示すフローチ
ャート図を用いてさらに詳細に説明する。信号処理回路
15に内蔵されるマイクロプロセッサはセンサ13から
出力される信号に対応して出力値を演算(ステップ1)
し、たとえば演算周期T1として250ms毎に15ビ
ット幅で、図3に示すように15ビット幅を有するパル
ス幅演算メモリPWM3にロードする(ステップ2)。
【0024】次に、このパルス幅演算メモリPWM3に
格納された15ビット幅のデータに対して、先ずこの下
位ビットに“1”の参照パルスを加える演算を実行する
(ステップ3)。この後、例えば250msより速い周
期の12.5ms毎に上位13ビットをパルス幅出力メ
モリPWM2にロードする(ステップ4)。
【0025】この参照パルスを加えた結果を、パルス幅
変調のデュテイの変化としてみると、図4に示すように
なる。つまり、パルス幅演算メモリPWM3に格納され
た15ビット幅のデータに対して下位の2ビットでの大
きさを評価して上位13ビットのパルス幅出力メモリP
WM2に反映させる訳である。
【0026】図4の例では、25%のデュテイであれ
ば、15ビット幅のデータの内容によって26%として
出力されることもありうる例として示してある。ステッ
プ5では、下位ビットに“1”の参照パルスを加える演
算を繰り返す演算を2ビット分実行したか否かが判断さ
れる。2ビット分実行していないときは、再びステップ
3に戻る。図3に示すように、これをサイクリックに繰
り返す。
【0027】これをタイムチャート図でみると図5に示
すようになる。250msの演算周期T1に対して1
2.5msの細かい周期で下位2ビットに0〜3をサイ
クリックに印加してデータを変動させる。
【0028】これにより、例えば12.5ms毎に25
%、25%、25%、26%と出力されれば、この平均
としてデュテイは25.25%として出力されることと
なり、図7に示す演算周期T1と同一の演算周期T1に対
して、図7の1%の分解能が本実施例では4倍に分解能
が改良されることとなる。
【0029】図2に戻り、2ビット分実行すると、ステ
ップ6に移行し、下位2ビットをリセットし、再びステ
ップ4に移行し初期状態とする。
【0030】
【発明の効果】以上、実施例と共に具体的に説明したよ
うに本発明によれば、所定の信号演算周期でパルス幅出
力メモリより大きいメモリ幅のパルス幅演算メモリに信
号演算結果が格納され、これに対して信号演算周期より
速い周期で所定の下位ビットに参照パルスをサイクリッ
クに加えて先のパルス幅出力メモリを介してデュテイ信
号を出力するようにしたので、デバイスの変更を伴うこ
となく分解能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】図1に示す実施例の動作を説明するフローチャ
ート図である。
【図3】図1に示すメモリの構成を示す構成図である。
【図4】図1に示す実施例のデュテイの変化を説明する
説明図である。
【図5】図1に示す実施例の動作を説明するタイムチャ
ート図である。
【図6】従来の2線式伝送器の構成を示すブロック図で
ある。
【図7】図6に示す2線式伝送器の動作を説明する説明
図である。
【符号の説明】
10、16 2線式伝送器 11 外部回路 12 スイッチング電源 13 センサ 14、15 信号処理回路 PWM1、PWM3 パルス幅演算メモリ PWM2 パルス幅出力メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−155069(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G08C 19/02

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】測定すべき物理量が電気信号に変換されこ
    れをマイクロプロセッサを用いるパルス幅変換手段によ
    り所定ビット数のパルス幅信号に所定演算周期で変換し
    てこれに対応する信号を出力する信号伝送装置におい
    て、前記マイクロプロセッサにより前記電気信号に対応
    して前記所定演算周期で第1パルス幅信号として変換さ
    れて格納される前記所定ビット数より大きいビットメモ
    リを持つパルス幅演算メモリと、この第1パルス幅信号
    の所定の下位ビットにサイクリックに参照パルスを加算
    して前記所定演算周期より短い周期で第2パルス幅信号
    として出力する加算手段と、前記第2パルス幅信号のう
    ち前記下位ビットがカットされて前記所定ビット数とし
    て格納され出力されるパルス幅出力メモリとを具備する
    ことを特徴とする信号伝送装置。
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