JP3093751B2 - 改良エポキシ樹脂、その製法および改良エポキシ樹脂を含有する高耐熱性材料 - Google Patents
改良エポキシ樹脂、その製法および改良エポキシ樹脂を含有する高耐熱性材料Info
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- JP3093751B2 JP3093751B2 JP11063077A JP6307799A JP3093751B2 JP 3093751 B2 JP3093751 B2 JP 3093751B2 JP 11063077 A JP11063077 A JP 11063077A JP 6307799 A JP6307799 A JP 6307799A JP 3093751 B2 JP3093751 B2 JP 3093751B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は改良エポキシ樹脂、
その製造方法および改良エポキシ樹脂を含有する高耐熱
性材料に関するものである。
その製造方法および改良エポキシ樹脂を含有する高耐熱
性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気積層板（例えば電気回路積層板）
や、ICパッケージング材料などの電気素子は、使用時に
多量の電流が流れて、高熱を生じるために、このような
素子の基材は、高い耐熱性を必要とする。
や、ICパッケージング材料などの電気素子は、使用時に
多量の電流が流れて、高熱を生じるために、このような
素子の基材は、高い耐熱性を必要とする。
【０００３】現在、これら電気素子における耐熱性基材
として、一般に例えばテトラブロモビスフェノールAな
どのエポキシ樹脂が常用されているが、その耐熱性は満
足すべきものではない。
として、一般に例えばテトラブロモビスフェノールAな
どのエポキシ樹脂が常用されているが、その耐熱性は満
足すべきものではない。
【０００４】改良エポキシ樹脂の一例として、中華民国
（台湾）の特許公報（出願番号：第79104628号）は、ポ
リエポキシ化合物とポリイソシアン酸エステル化合物と
の反応によって得られる、末端にエポキシ基を含有する
ポリオキサゾロンを開示する。この改良エポキシ樹脂
は、優れた耐熱性（高ガラス転移温度）を示すものと、
報告されている。
（台湾）の特許公報（出願番号：第79104628号）は、ポ
リエポキシ化合物とポリイソシアン酸エステル化合物と
の反応によって得られる、末端にエポキシ基を含有する
ポリオキサゾロンを開示する。この改良エポキシ樹脂
は、優れた耐熱性（高ガラス転移温度）を示すものと、
報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】もっとも、上記の特許
文献記載の樹脂を含め、関連した既知のエポキシ樹脂
は、すべて、メタンジイソシアン酸エステル（MDI）、
トルエンジイソシアン酸エステル（TDI）などのポリイ
ソシアン酸エステル化合物を反応原料として使用してい
る。これらイソシアン酸エステル化合物は毒性が強く、
しかも反応性が高いため、人体や反応施設や反応容器な
どに悪影響をもたらす。したがって、この分野では、毒
性が低い高耐熱性材料の開発が望まれていたのである。
文献記載の樹脂を含め、関連した既知のエポキシ樹脂
は、すべて、メタンジイソシアン酸エステル（MDI）、
トルエンジイソシアン酸エステル（TDI）などのポリイ
ソシアン酸エステル化合物を反応原料として使用してい
る。これらイソシアン酸エステル化合物は毒性が強く、
しかも反応性が高いため、人体や反応施設や反応容器な
どに悪影響をもたらす。したがって、この分野では、毒
性が低い高耐熱性材料の開発が望まれていたのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者は上記の
問題を解決すべくため、鋭意検討を重ねた結果、毒性が
イソシアン酸エステルよりも低いカルバミン酸エステル
化合物に着目し、このカルバミン酸エステル化合物を、
触媒の存在下、常圧または減圧下で、グリシジルエーテ
ル類エポキシ樹脂と反応させると、耐熱性の優れた窒素
複素環式エポキシ樹脂を製造できることを見出し、この
知見により本発明を完成するに至ったのである。従っ
て、本発明によれば、前記イソシアン酸エステルを原料
として使用するに際し起こりうる人体や反応容器や施設
に対する毒性上の問題を解決することができた。
問題を解決すべくため、鋭意検討を重ねた結果、毒性が
イソシアン酸エステルよりも低いカルバミン酸エステル
化合物に着目し、このカルバミン酸エステル化合物を、
触媒の存在下、常圧または減圧下で、グリシジルエーテ
ル類エポキシ樹脂と反応させると、耐熱性の優れた窒素
複素環式エポキシ樹脂を製造できることを見出し、この
知見により本発明を完成するに至ったのである。従っ
て、本発明によれば、前記イソシアン酸エステルを原料
として使用するに際し起こりうる人体や反応容器や施設
に対する毒性上の問題を解決することができた。
【０００７】本発明の第1目的は改良エポキシ樹脂を提
供することである。本発明の改良エポキシ樹脂はカルバ
ミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポキシ
樹脂との反応により得られる。
供することである。本発明の改良エポキシ樹脂はカルバ
ミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポキシ
樹脂との反応により得られる。
【０００８】本発明の第2目的は上記改良エポキシ樹脂
の製法を提供することである。本発明の製法は、カルバ
ミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポキシ
樹脂を触媒の存在下、常圧または減圧下で縮合反応を行
うことを特徴とする。
の製法を提供することである。本発明の製法は、カルバ
ミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポキシ
樹脂を触媒の存在下、常圧または減圧下で縮合反応を行
うことを特徴とする。
【０００９】本発明の第3目的は高耐熱性材料を提供す
ることであり、特に電子、電気領域で使用される高耐熱
性材料を提供するものである。これら高耐熱性材料は本
発明の改良エポキシ樹脂を主成分として含有することを
特徴とするものである。
ることであり、特に電子、電気領域で使用される高耐熱
性材料を提供するものである。これら高耐熱性材料は本
発明の改良エポキシ樹脂を主成分として含有することを
特徴とするものである。
【００１０】本発明の改良エポキシ樹脂の合成に使用さ
れるカルバミン酸エステルは、式：-NH-C-(=O)OR1〔式
中、R1は後記と同じ。〕で示される基を含む、二官能性
または三官能性化合物であり、特に、式：
れるカルバミン酸エステルは、式：-NH-C-(=O)OR1〔式
中、R1は後記と同じ。〕で示される基を含む、二官能性
または三官能性化合物であり、特に、式：
【化５】 R1-O-C(=O)-NH-R2-NH-C(=O)-OR1 （I） または式：
【化６】 〔式中、R1は、互いに同じでも異なってもよく、炭素原
子数1〜6のアルキル基または炭素原子数3〜8のシクロア
ルキル基、R2は、炭素原子数1〜18のアルキレン基、炭
素原子数3〜8のシクロアルキレン基、1〜4個の炭素原子
数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニレン
基またはR3-W-R3-、R3は、炭素原子数3〜8のシクロアル
キレン基または1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で
置換されていてもよいフェニレン基、およびWは炭素原
子数1〜4のアルキレン基、-O-、-SO-または-SO2-を意味
する。〕で示される化学構造を有するものが好ましい。
子数1〜6のアルキル基または炭素原子数3〜8のシクロア
ルキル基、R2は、炭素原子数1〜18のアルキレン基、炭
素原子数3〜8のシクロアルキレン基、1〜4個の炭素原子
数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニレン
基またはR3-W-R3-、R3は、炭素原子数3〜8のシクロアル
キレン基または1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で
置換されていてもよいフェニレン基、およびWは炭素原
子数1〜4のアルキレン基、-O-、-SO-または-SO2-を意味
する。〕で示される化学構造を有するものが好ましい。
【００１１】上記式（I）において、R1のうち、炭素原
子数1〜6のアルキル基としては、直鎖状または分岐状の
アルキル基、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル
基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチ
ル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、ヘキシル基などが挙げられる。
子数1〜6のアルキル基としては、直鎖状または分岐状の
アルキル基、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル
基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチ
ル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、ヘキシル基などが挙げられる。
【００１２】上記式（I）において、R1のうち、炭素原
子数3〜8のシクロアルキル基としては、例えばシクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などが挙げられ、特にシクロヘキシル基が好
ましく用いられる。
子数3〜8のシクロアルキル基としては、例えばシクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などが挙げられ、特にシクロヘキシル基が好
ましく用いられる。
【００１３】式（I）において、R2のうち、炭素原子数1
〜18のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状のア
ルキレン基、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプ
チレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ド
デシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基など
が挙げられ、特にメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などの炭
素原子数1〜6のアルキレン基が好ましく用いられる。
〜18のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状のア
ルキレン基、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプ
チレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ド
デシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基など
が挙げられ、特にメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などの炭
素原子数1〜6のアルキレン基が好ましく用いられる。
【００１４】式（I）において、R2のうち、炭素原子数3
〜8のシクロアルキレン基としては、例えばシクロプロ
ピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シ
クロヘキシレン基などが挙げられ、特にシクロヘキシレ
ン基が好ましく用いられる。式（I）において、R2のう
ち、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で置換されて
いてもよいフェニレン基としては、例えばフェニレン
基、モノメチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、
モノエチルフェニレン基などが挙げられ、特にフェニレ
ン基またはモノメチルフェニレン基が好ましく用いられ
る。
〜8のシクロアルキレン基としては、例えばシクロプロ
ピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シ
クロヘキシレン基などが挙げられ、特にシクロヘキシレ
ン基が好ましく用いられる。式（I）において、R2のう
ち、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で置換されて
いてもよいフェニレン基としては、例えばフェニレン
基、モノメチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、
モノエチルフェニレン基などが挙げられ、特にフェニレ
ン基またはモノメチルフェニレン基が好ましく用いられ
る。
【００１５】式（I）において、R2は、-R3-W-R3であっ
てよい。R3としての炭素原子数3〜8のシクロアルキレン
基は、前記R2についての例示と同じである。また、R3の
うち、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で置換され
ていてもよいフェニレン基も、前記R2についての例示と
同じである。Wとしての炭素原子数1〜4のアルキレン基
は、例えば直鎖状または分岐状のアルキレン基、例えば
アルキレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基
などであり、特にメチレン基が好ましく用いられる。
てよい。R3としての炭素原子数3〜8のシクロアルキレン
基は、前記R2についての例示と同じである。また、R3の
うち、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキル基で置換され
ていてもよいフェニレン基も、前記R2についての例示と
同じである。Wとしての炭素原子数1〜4のアルキレン基
は、例えば直鎖状または分岐状のアルキレン基、例えば
アルキレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基
などであり、特にメチレン基が好ましく用いられる。
【００１６】本発明に使用されるカルバミン酸エステル
化合物の具体的なものとして、例えば二官能性カルバミ
ン酸エステル化合物、より具体的にはメタンジカルバミ
ン酸メチル、メタンジカルバミン酸エチル、メタンジカ
ルバミン酸プロピル、メタンジカルバミン酸ブチル、エ
タン-1,2-ジカルバミン酸メチル、エタン-1,2-ジカルバ
ミン酸エチル、エタン-1,2-ジカルバミン酸プロピル、
エタン-1,2-ジカルバミン酸ブチル、プロパン-1,3-ジカ
ルバミン酸メチル、プロパン-1,3-ジカルバミン酸エチ
ル、プロパン-1,3-ジカルバミン酸プロピル、プロパン-
1,3-ジカルバミン酸ブチル、ブタン-1,1-ジカルバミン
酸メチル、ブタン-1,1-ジカルバミン酸エチル、ブタン-
1,1-ジカルバミン酸プロピル、ブタン-1,1-ジカルバミ
ン酸ブチル、ブタン-1,2-ジカルバミン酸メチル、ブタ
ン-1,2-ジカルバミン酸エチル、ブタン-1,2-ジカルバミ
ン酸プロピル、ブタン-1,2-ジカルバミン酸ブチル、ブ
タン-1,4-ジカルバミン酸メチル、ブタン-1,4-ジカルバ
ミン酸エチル、ブタン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、
ブタン-1,4-ジカルバミン酸ブチル、ペンタン-1,5-ジカ
ルバミン酸メチル、ペンタン-1,5-ジカルバミン酸エチ
ル、ペンタン-1,5-ジカルバミン酸プロピル、ペンタン-
1,5-ジカルバミン酸ブチル、ペンタン-1,5-ジカルバミ
ン酸シクロヘキシル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミ
ン酸メチル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸エチ
ル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、2-
メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸ブチル、2-メチル-
ブタン-1,4-ジカルバミン酸シクロヘキシル、2,2-ジメ
チルペンタン-1,5-ジカルバミン酸メチル、2,2-ジメチ
ルペンタン-1,5-ジカルバミン酸メチル、2,2-メチルペ
ンタン-1,5-ジカルバミン酸エチル、2,2-ジメチルペン
タン-1,5-ジカルバミン酸プロピル、2,2-ジメチルペン
タン-1,5-ジカルバミン酸ブチル、2,2-ジメチルペンタ
ン-1,5-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ヘキサン-1,6-
ジカルバミン酸メチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸
エチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸プロピル、ヘキ
サン-1,6-ジカルバミン酸ブチル、ヘキサン-1,6-ジカル
バミン酸ペンチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸ヘキ
シル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸メチル、シクロヘ
キサン-1,3-ジカルバミン酸エチル、シクロヘキサン-1,
3-ジカルバミン酸プロピル、シクロヘキサン-1,3-ジカ
ルバミン酸ブチル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン
酸ペンチル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸ヘキ
シル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸シクロヘキ
シル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸メチル、シ
クロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸エチル、シクロヘキ
サン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、シクロヘキサン-1,
4-ジカルバミン酸ブチル、シクロヘキサン-1,4-ジカル
バミン酸ペンチル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン
酸ヘキシル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸シク
ロヘキシル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸メチル、ヘ
プタン-1,7-ジカルバミン酸エチル、ヘプタン-1,7-ジカ
ルバミン酸プロピル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸ブ
チル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
オクタン-1,8-ジカルバミン酸メチル、オクタン-1,8-ジ
カルバミン酸エチル、オクタン-1,8-ジカルバミン酸プ
ロピル、オクタン-1,8-ジカルバミン酸ブチル、オクタ
ン-1,8-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ノナン-1,9-ジ
カルバミン酸メチル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸エチ
ル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸プロピル、ノナン-1,9
ジカルバミン酸ブチル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸シ
クロヘキシル、デカン-1,10-ジカルバミン酸メチル、デ
カン-1,10-ジカルバミン酸エチル、デカン-1,10-ジカル
バミン酸プロピル、デカン-1,10-ジカルバミン酸ブチ
ル、デカン-1,10-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジ
シクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジ
シクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、
ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシ
ル、ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸シク
ロヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸メ
チル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチル、1
-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸プロピル、1-メチ
ルフェニル-2,4-ジカルバミン酸ブチル、1-メチルフェ
ニル-2,4-ジカルバミン酸ペンチル、1-メチルフェニル-
2,4-ジカルバミン酸ヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-
ジカルバミン酸シクロヘキシル、1-メチルフェニル-2,6
-ジカルバミン酸メチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカル
バミン酸エチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン
酸プロピル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ブ
チル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ペンチ
ル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ヘキシル、1
-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェ
ニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルメ
タン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルメタン
-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルメタン-4,4'-
ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカ
ルバミン酸ヘキシル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバ
ミン酸シクロヘキシル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカル
バミン酸メチル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン
酸エチル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸プロ
ピル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ブチル、
ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフ
ェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニ
ルメタン-2,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェ
ニルエーテル-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニル
エーテル-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルエー
テル-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルエーテ
ル-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルエーテル-
4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルエーテル-4,
4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニルエーテル-4,4'
-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェニルエーテル-
2,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルエーテル-2,4'
-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジ
カルバミン酸プロピル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカ
ルバミン酸ブチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバ
ミン酸ペンチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバミ
ン酸ヘキシル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバミン
酸シクロヘキシル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,
4'-ジカルバミン酸メチル、3,3'-ジメチルジフェニルメ
タン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、3,3'-ジメチルジフ
ェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、3,3'-ジ
メチルジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、
3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸
ペンチル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,4'-ジカ
ルバミン酸ヘキシル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-
4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルス
ルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルス
ルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニル
スルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニ
ルスルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
ジフェニルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフ
ェニルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニ
ルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニル
スルホン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルスル
ホン-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルスルホ
ン-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニルスルホン
-4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシルなどが挙げられ
る。さらに、三官能基カルバミン酸エステル化合物とし
ては、例えばトリフェニルメタントリカルバミン酸メチ
ル、トリフェニルメタントリカルバミン酸エチル、トリ
フェニルメタントリカルバミン酸プロピル、トリフェニ
ルメタントリカルバミン酸ブチル、トリフェニルメタン
トリカルバミン酸ペンチル、トリフェニルメタントリカ
ルバミン酸ヘキシル、トリフェニルメタントリカルバミ
ン酸シクロヘキシルなどが挙げられる。
化合物の具体的なものとして、例えば二官能性カルバミ
ン酸エステル化合物、より具体的にはメタンジカルバミ
ン酸メチル、メタンジカルバミン酸エチル、メタンジカ
ルバミン酸プロピル、メタンジカルバミン酸ブチル、エ
タン-1,2-ジカルバミン酸メチル、エタン-1,2-ジカルバ
ミン酸エチル、エタン-1,2-ジカルバミン酸プロピル、
エタン-1,2-ジカルバミン酸ブチル、プロパン-1,3-ジカ
ルバミン酸メチル、プロパン-1,3-ジカルバミン酸エチ
ル、プロパン-1,3-ジカルバミン酸プロピル、プロパン-
1,3-ジカルバミン酸ブチル、ブタン-1,1-ジカルバミン
酸メチル、ブタン-1,1-ジカルバミン酸エチル、ブタン-
1,1-ジカルバミン酸プロピル、ブタン-1,1-ジカルバミ
ン酸ブチル、ブタン-1,2-ジカルバミン酸メチル、ブタ
ン-1,2-ジカルバミン酸エチル、ブタン-1,2-ジカルバミ
ン酸プロピル、ブタン-1,2-ジカルバミン酸ブチル、ブ
タン-1,4-ジカルバミン酸メチル、ブタン-1,4-ジカルバ
ミン酸エチル、ブタン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、
ブタン-1,4-ジカルバミン酸ブチル、ペンタン-1,5-ジカ
ルバミン酸メチル、ペンタン-1,5-ジカルバミン酸エチ
ル、ペンタン-1,5-ジカルバミン酸プロピル、ペンタン-
1,5-ジカルバミン酸ブチル、ペンタン-1,5-ジカルバミ
ン酸シクロヘキシル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミ
ン酸メチル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸エチ
ル、2-メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、2-
メチル-ブタン-1,4-ジカルバミン酸ブチル、2-メチル-
ブタン-1,4-ジカルバミン酸シクロヘキシル、2,2-ジメ
チルペンタン-1,5-ジカルバミン酸メチル、2,2-ジメチ
ルペンタン-1,5-ジカルバミン酸メチル、2,2-メチルペ
ンタン-1,5-ジカルバミン酸エチル、2,2-ジメチルペン
タン-1,5-ジカルバミン酸プロピル、2,2-ジメチルペン
タン-1,5-ジカルバミン酸ブチル、2,2-ジメチルペンタ
ン-1,5-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ヘキサン-1,6-
ジカルバミン酸メチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸
エチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸プロピル、ヘキ
サン-1,6-ジカルバミン酸ブチル、ヘキサン-1,6-ジカル
バミン酸ペンチル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸ヘキ
シル、ヘキサン-1,6-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸メチル、シクロヘ
キサン-1,3-ジカルバミン酸エチル、シクロヘキサン-1,
3-ジカルバミン酸プロピル、シクロヘキサン-1,3-ジカ
ルバミン酸ブチル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン
酸ペンチル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸ヘキ
シル、シクロヘキサン-1,3-ジカルバミン酸シクロヘキ
シル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸メチル、シ
クロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸エチル、シクロヘキ
サン-1,4-ジカルバミン酸プロピル、シクロヘキサン-1,
4-ジカルバミン酸ブチル、シクロヘキサン-1,4-ジカル
バミン酸ペンチル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン
酸ヘキシル、シクロヘキサン-1,4-ジカルバミン酸シク
ロヘキシル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸メチル、ヘ
プタン-1,7-ジカルバミン酸エチル、ヘプタン-1,7-ジカ
ルバミン酸プロピル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸ブ
チル、ヘプタン-1,7-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
オクタン-1,8-ジカルバミン酸メチル、オクタン-1,8-ジ
カルバミン酸エチル、オクタン-1,8-ジカルバミン酸プ
ロピル、オクタン-1,8-ジカルバミン酸ブチル、オクタ
ン-1,8-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ノナン-1,9-ジ
カルバミン酸メチル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸エチ
ル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸プロピル、ノナン-1,9
ジカルバミン酸ブチル、ノナン-1,9-ジカルバミン酸シ
クロヘキシル、デカン-1,10-ジカルバミン酸メチル、デ
カン-1,10-ジカルバミン酸エチル、デカン-1,10-ジカル
バミン酸プロピル、デカン-1,10-ジカルバミン酸ブチ
ル、デカン-1,10-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジシ
クロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジ
シクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジ
シクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、
ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシ
ル、ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジカルバミン酸シク
ロヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸メ
チル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチル、1
-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸プロピル、1-メチ
ルフェニル-2,4-ジカルバミン酸ブチル、1-メチルフェ
ニル-2,4-ジカルバミン酸ペンチル、1-メチルフェニル-
2,4-ジカルバミン酸ヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-
ジカルバミン酸シクロヘキシル、1-メチルフェニル-2,6
-ジカルバミン酸メチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカル
バミン酸エチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン
酸プロピル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ブ
チル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ペンチ
ル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ヘキシル、1
-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェ
ニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルメ
タン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルメタン
-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルメタン-4,4'-
ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカ
ルバミン酸ヘキシル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバ
ミン酸シクロヘキシル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカル
バミン酸メチル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン
酸エチル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸プロ
ピル、ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ブチル、
ジフェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフ
ェニルメタン-2,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニ
ルメタン-2,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェ
ニルエーテル-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニル
エーテル-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルエー
テル-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルエーテ
ル-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルエーテル-
4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルエーテル-4,
4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニルエーテル-4,4'
-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェニルエーテル-
2,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルエーテル-2,4'
-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジ
カルバミン酸プロピル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカ
ルバミン酸ブチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバ
ミン酸ペンチル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバミ
ン酸ヘキシル、ジフェニルエーテル-2,4'-ジカルバミン
酸シクロヘキシル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,
4'-ジカルバミン酸メチル、3,3'-ジメチルジフェニルメ
タン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、3,3'-ジメチルジフ
ェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、3,3'-ジ
メチルジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、
3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン酸
ペンチル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-4,4'-ジカ
ルバミン酸ヘキシル、3,3'-ジメチルジフェニルメタン-
4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニルスル
ホキシド-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニルス
ルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルス
ルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニル
スルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニ
ルスルホキシド-4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシル、
ジフェニルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸メチル、ジフ
ェニルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸エチル、ジフェニ
ルスルホン-4,4'-ジカルバミン酸プロピル、ジフェニル
スルホン-4,4'-ジカルバミン酸ブチル、ジフェニルスル
ホン-4,4'-ジカルバミン酸ペンチル、ジフェニルスルホ
ン-4,4'-ジカルバミン酸ヘキシル、ジフェニルスルホン
-4,4'-ジカルバミン酸シクロヘキシルなどが挙げられ
る。さらに、三官能基カルバミン酸エステル化合物とし
ては、例えばトリフェニルメタントリカルバミン酸メチ
ル、トリフェニルメタントリカルバミン酸エチル、トリ
フェニルメタントリカルバミン酸プロピル、トリフェニ
ルメタントリカルバミン酸ブチル、トリフェニルメタン
トリカルバミン酸ペンチル、トリフェニルメタントリカ
ルバミン酸ヘキシル、トリフェニルメタントリカルバミ
ン酸シクロヘキシルなどが挙げられる。
【００１７】上記カルバミン酸エステル化合物のうち、
好ましい化合物としては、例えばジフェニルメタン-4,
4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジ
カルバミン酸エチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバ
ミン酸プロピル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン
酸ブチル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸メチ
ル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチル、1-
メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸プロピル、1-メチ
ルフェニル-2,4-ジカルバミン酸ブチル、1-メチルフェ
ニル-2,4-ジカルバミン酸ペンチル、1-メチルフェニル-
2,4-ジカルバミン酸ヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-
ジカルバミン酸シクロヘキシル、1-メチルフェニル-2,6
-ジカルバミン酸メチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカル
バミン酸エチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン
酸プロピル、1-アミノフェニル-2,6-ジカルバミン酸ブ
チル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ペンチ
ル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ヘキシル、1
-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸シクロヘキシルな
どが挙げられる。
好ましい化合物としては、例えばジフェニルメタン-4,
4'-ジカルバミン酸メチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジ
カルバミン酸エチル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバ
ミン酸プロピル、ジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン
酸ブチル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸メチ
ル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチル、1-
メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸プロピル、1-メチ
ルフェニル-2,4-ジカルバミン酸ブチル、1-メチルフェ
ニル-2,4-ジカルバミン酸ペンチル、1-メチルフェニル-
2,4-ジカルバミン酸ヘキシル、1-メチルフェニル-2,4-
ジカルバミン酸シクロヘキシル、1-メチルフェニル-2,6
-ジカルバミン酸メチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカル
バミン酸エチル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン
酸プロピル、1-アミノフェニル-2,6-ジカルバミン酸ブ
チル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ペンチ
ル、1-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸ヘキシル、1
-メチルフェニル-2,6-ジカルバミン酸シクロヘキシルな
どが挙げられる。
【００１８】特に好ましいカルバミン酸エステル化合物
としては、例えばジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン
酸エチル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチ
ルなどが挙げられる。
としては、例えばジフェニルメタン-4,4'-ジカルバミン
酸エチル、1-メチルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチ
ルなどが挙げられる。
【００１９】本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際に
用いられるグリシジルエーテル類エポキシ樹脂として
は、例えばビスフェノール系ジグリシジルエーテル、ビ
スフェノールグリシジルエーテル、フェノールアルデヒ
ドポリグリシジルエーテル、ポリフェノール系ポリグリ
シジルエーテル類などが挙げられる。
用いられるグリシジルエーテル類エポキシ樹脂として
は、例えばビスフェノール系ジグリシジルエーテル、ビ
スフェノールグリシジルエーテル、フェノールアルデヒ
ドポリグリシジルエーテル、ポリフェノール系ポリグリ
シジルエーテル類などが挙げられる。
【００２０】上記ビスフェノール系ジグリシジルエーテ
ルとして、例えばビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェ
ノールADジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールAジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールFジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールADジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールSジグ
リシジルエーテル、テトラブロモビスフェノールAジグ
リシジルエーテル、テトラクロロビスフェノールAジグ
リシジルエーテルなどが挙げられる。
ルとして、例えばビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェ
ノールADジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールAジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールFジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールADジグ
リシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールSジグ
リシジルエーテル、テトラブロモビスフェノールAジグ
リシジルエーテル、テトラクロロビスフェノールAジグ
リシジルエーテルなどが挙げられる。
【００２１】ビスフェノールグリシジルエーテルとして
は、例えば4,4'-ビスフェノールグリシジルエーテル、
3,3'-ジメチル-4,4'-ビスフェノールグリシジルエーテ
ル、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ビスフェノールグリ
シジルエーテルなどが挙げられる。フェノールアルデヒ
ドポリグリシジルエーテルとしては、例えばフェノール
ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、クレゾール
ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、ビスフェノ
ールA-ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、テト
ラブロモビスフェノールA-ホルムアルデヒドポリグリシ
ジルエーテルなどが挙げられる。
は、例えば4,4'-ビスフェノールグリシジルエーテル、
3,3'-ジメチル-4,4'-ビスフェノールグリシジルエーテ
ル、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ビスフェノールグリ
シジルエーテルなどが挙げられる。フェノールアルデヒ
ドポリグリシジルエーテルとしては、例えばフェノール
ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、クレゾール
ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、ビスフェノ
ールA-ホルムアルデヒドポリグリシジルエーテル、テト
ラブロモビスフェノールA-ホルムアルデヒドポリグリシ
ジルエーテルなどが挙げられる。
【００２２】ポリフェノール系ポリグリシジルエーテル
としては、例えばトリス（フェニル-4-ヒドロキシル）
エタンポリグリシジルエーテル、トリス（フェニル-4-
ヒドロキシル）プロパンポリグリシジルエーテル、トリ
ス（フェニル-4-ヒドロキシル）ブタンポリグリシジル
エーテル、トリス（フェニル-3-メチル-4-ヒドロキシ
ル）メタンポリグリシジルエーテル、トリス（フェニル
-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシル）メタンポリグリシジル
エーテル、テトラキス（フェニル-4-ヒドロキシル）エ
タンポリグリシジルエーテル、テトラキス（フェニル-
3,5-ジメチル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシジル
エーテルなどが挙げられる。
としては、例えばトリス（フェニル-4-ヒドロキシル）
エタンポリグリシジルエーテル、トリス（フェニル-4-
ヒドロキシル）プロパンポリグリシジルエーテル、トリ
ス（フェニル-4-ヒドロキシル）ブタンポリグリシジル
エーテル、トリス（フェニル-3-メチル-4-ヒドロキシ
ル）メタンポリグリシジルエーテル、トリス（フェニル
-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシル）メタンポリグリシジル
エーテル、テトラキス（フェニル-4-ヒドロキシル）エ
タンポリグリシジルエーテル、テトラキス（フェニル-
3,5-ジメチル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシジル
エーテルなどが挙げられる。
【００２３】本発明に使用されるグリシジルエーテル類
エポキシ樹脂のうち、より好ましいものとして、二官能
型のビスフェノールAジグリシジルエーテルおよびテト
ラブロモビスフェノールAジグリシジルエーテル、三官
能型のトリス（フェニル-4-ヒドロキシル）メタンポリ
グリシジルエーテル、および四官能型のテトラキス（フ
ェニル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシジルエーテ
ルなどが挙げられる。
エポキシ樹脂のうち、より好ましいものとして、二官能
型のビスフェノールAジグリシジルエーテルおよびテト
ラブロモビスフェノールAジグリシジルエーテル、三官
能型のトリス（フェニル-4-ヒドロキシル）メタンポリ
グリシジルエーテル、および四官能型のテトラキス（フ
ェニル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシジルエーテ
ルなどが挙げられる。
【００２４】本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際
に、上記グリシジルエーテル類エポキシ樹脂は単独で使
用してもよく、また2またはそれ以上のエポキシ樹脂を
併用してもよい。
に、上記グリシジルエーテル類エポキシ樹脂は単独で使
用してもよく、また2またはそれ以上のエポキシ樹脂を
併用してもよい。
【００２５】本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際
に、カルバミン酸エステル化合物の使用量は、カルバミ
ン酸エステル化合物およびグリシジルエーテル類エポキ
シ樹脂の総量に対し、5〜95重量％、より好ましくは10
〜90重量％、さらに好ましくは10〜80重量％、特に好ま
しくは15〜60重量％の範囲である。
に、カルバミン酸エステル化合物の使用量は、カルバミ
ン酸エステル化合物およびグリシジルエーテル類エポキ
シ樹脂の総量に対し、5〜95重量％、より好ましくは10
〜90重量％、さらに好ましくは10〜80重量％、特に好ま
しくは15〜60重量％の範囲である。
【００２６】本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際
に、グリシジルエーテル類エポキシ樹脂の使用量は、カ
ルバミン酸エステル化合物およびグリシジルエーテル類
エポキシ樹脂の総量に対し、95〜5重量％、より好まし
くは90〜10重量％、さらに好ましくは90〜20重量％、特
に好ましくは85〜40重量％の範囲である。
に、グリシジルエーテル類エポキシ樹脂の使用量は、カ
ルバミン酸エステル化合物およびグリシジルエーテル類
エポキシ樹脂の総量に対し、95〜5重量％、より好まし
くは90〜10重量％、さらに好ましくは90〜20重量％、特
に好ましくは85〜40重量％の範囲である。
【００２７】本発明の縮合反応は好適な触媒の存在下で
行われる。本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際に用
いられる好適な触媒として、例えば第三級アミン、第三
級ホスフィン、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニ
ウム塩、トリフルオロホウ素錯塩、リチウム化合物、イ
ミダゾール化合物などが挙げられる。
行われる。本発明の改良エポキシ樹脂を合成する際に用
いられる好適な触媒として、例えば第三級アミン、第三
級ホスフィン、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニ
ウム塩、トリフルオロホウ素錯塩、リチウム化合物、イ
ミダゾール化合物などが挙げられる。
【００２８】上記の触媒のうち、第三級アミンとして
は、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメ
チルエタノールアミン、トリス（Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミ
ノメチル）フェノール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミノメチル
フェノールなどが挙げら、第三級ホスフィンとしては、
例えばトリフェニルホスフィンなどが挙げられ、第四級
アンモニウム塩としては、例えば塩化テトラメチルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テト
ラメチルアンモニウム、塩化トリエチルベンジルアンモ
ニウム、臭化トリエチルベンジルアンモニウム、ヨウ化
トリエチルベンジルアンモニウムなどが挙げられる。
は、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメ
チルエタノールアミン、トリス（Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミ
ノメチル）フェノール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミノメチル
フェノールなどが挙げら、第三級ホスフィンとしては、
例えばトリフェニルホスフィンなどが挙げられ、第四級
アンモニウム塩としては、例えば塩化テトラメチルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テト
ラメチルアンモニウム、塩化トリエチルベンジルアンモ
ニウム、臭化トリエチルベンジルアンモニウム、ヨウ化
トリエチルベンジルアンモニウムなどが挙げられる。
【００２９】さらに、前記触媒のうち、第四級ホスホニ
ウム塩としては、例えば塩化テトラブチルホスホニウ
ム、臭化テトラブチルホスホニウム、ヨウ化テトラブチ
ルホスホニウム、酢酸テトラブチルホスホニウム酢酸錯
化合物、塩化テトラフェニルホスホニウム、臭化テトラ
フェニルホスホニウム、ヨウ化テトラフェニルホスホニ
ウム、塩化エチルトリフェニルホスホニウム、臭化エチ
ルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化エチルトリフェニ
ルホスホニウム、酢酸エチルトリフェニルホスホニウム
酢酸錯化合物、酢酸エチルトリフェニルホスホニウムリ
ン酸錯化合物、塩化プロピルトリフェニルホスホニウ
ム、臭化プロピルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化プ
ロピルトリフェニルホスホニウム、塩化ブチルトリフェ
ニルホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホニウ
ム、ヨウ化ブチルトリフェニルホスホニウムなどが挙げ
られる。
ウム塩としては、例えば塩化テトラブチルホスホニウ
ム、臭化テトラブチルホスホニウム、ヨウ化テトラブチ
ルホスホニウム、酢酸テトラブチルホスホニウム酢酸錯
化合物、塩化テトラフェニルホスホニウム、臭化テトラ
フェニルホスホニウム、ヨウ化テトラフェニルホスホニ
ウム、塩化エチルトリフェニルホスホニウム、臭化エチ
ルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化エチルトリフェニ
ルホスホニウム、酢酸エチルトリフェニルホスホニウム
酢酸錯化合物、酢酸エチルトリフェニルホスホニウムリ
ン酸錯化合物、塩化プロピルトリフェニルホスホニウ
ム、臭化プロピルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化プ
ロピルトリフェニルホスホニウム、塩化ブチルトリフェ
ニルホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホニウ
ム、ヨウ化ブチルトリフェニルホスホニウムなどが挙げ
られる。
【００３０】また、イミダゾール化合物として、例えば
2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エ
チル-4-メチルイミダゾール、2-ドデシルイミダゾー
ル、2-ヘプタデシルイミダゾールなどが挙げられる。
2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エ
チル-4-メチルイミダゾール、2-ドデシルイミダゾー
ル、2-ヘプタデシルイミダゾールなどが挙げられる。
【００３１】本発明の改良エポキシ樹脂合成の際に使用
される前記の触媒うち、より好ましくは、イミダゾール
化合物および第四級ホスホニウムが用いられ、特に2-メ
チルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、酢酸エチ
ルトリフェニルホスホニウム酢酸錯化合物、臭化ブチル
トリフェニルホスホニウムなどが最も好ましく用いられ
る。前記触媒は単独で使用してもよく、また2またはそ
れ以上の触媒を併用してもよい。
される前記の触媒うち、より好ましくは、イミダゾール
化合物および第四級ホスホニウムが用いられ、特に2-メ
チルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、酢酸エチ
ルトリフェニルホスホニウム酢酸錯化合物、臭化ブチル
トリフェニルホスホニウムなどが最も好ましく用いられ
る。前記触媒は単独で使用してもよく、また2またはそ
れ以上の触媒を併用してもよい。
【００３２】本発明の改良エポキシ樹脂縮合反応の際に
使用される触媒の量は、用いられるカルバミン酸エステ
ル化合物およびグリシジルエーテル類エポキシ樹脂の総
量に対し、50〜5000ppm 、より好ましくは100〜3000ppm
、さらに好ましくは200〜10000ppm 、最も好ましくは5
00〜2000ppm が用いられる。触媒量を多量に使用した場
合、反応に必要な時間を短縮することができるが、副生
成物を生じやすく、しかもその後に、例えば電気回路積
層板として用いる場合に、電気特性、耐湿性、吸水性な
どに悪影響を与え、不利となる。触媒の使用量が少なす
ぎる場合、反応速度が低くなり効率が悪いという欠点を
生じる。
使用される触媒の量は、用いられるカルバミン酸エステ
ル化合物およびグリシジルエーテル類エポキシ樹脂の総
量に対し、50〜5000ppm 、より好ましくは100〜3000ppm
、さらに好ましくは200〜10000ppm 、最も好ましくは5
00〜2000ppm が用いられる。触媒量を多量に使用した場
合、反応に必要な時間を短縮することができるが、副生
成物を生じやすく、しかもその後に、例えば電気回路積
層板として用いる場合に、電気特性、耐湿性、吸水性な
どに悪影響を与え、不利となる。触媒の使用量が少なす
ぎる場合、反応速度が低くなり効率が悪いという欠点を
生じる。
【００３３】本発明の改良エポキシ樹脂の縮合反応を行
う際の反応温度は、20〜300℃、より好ましくは50〜250
℃、さらに好ましくは100〜200℃、最も好ましくは120
〜200℃の範囲である。温度が高すぎると副反応が生じ
やすく、しかも反応速度をコントロールしにくくなり、
かつ樹脂の劣化速度が早くなる。しかし、反応温度が低
すぎると効率が悪くなるばかりでなく、生じた樹脂の特
性として高温下の使用目的に合わなくなる。
う際の反応温度は、20〜300℃、より好ましくは50〜250
℃、さらに好ましくは100〜200℃、最も好ましくは120
〜200℃の範囲である。温度が高すぎると副反応が生じ
やすく、しかも反応速度をコントロールしにくくなり、
かつ樹脂の劣化速度が早くなる。しかし、反応温度が低
すぎると効率が悪くなるばかりでなく、生じた樹脂の特
性として高温下の使用目的に合わなくなる。
【００３４】本発明の改良エポキシ樹脂の合成は、常圧
または減圧下で縮合反応を行うのが好ましい。但し、カ
ルバミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポ
キシ樹脂との反応中に有機アルコール類を生じるので、
反応を進める際に、減圧下で行うのが良く、またははじ
めに常圧下で反応を進行させ、その後減圧下でアルコー
ル類副生成物を回収しながら反応を進めることが好まし
い。反応系の圧力は、例えば0〜760 mmHg、より好まし
くは10〜700 mmHg、最も好ましくは50〜600 mmHgであ
る。
または減圧下で縮合反応を行うのが好ましい。但し、カ
ルバミン酸エステル化合物とグリシジルエーテル類エポ
キシ樹脂との反応中に有機アルコール類を生じるので、
反応を進める際に、減圧下で行うのが良く、またははじ
めに常圧下で反応を進行させ、その後減圧下でアルコー
ル類副生成物を回収しながら反応を進めることが好まし
い。反応系の圧力は、例えば0〜760 mmHg、より好まし
くは10〜700 mmHg、最も好ましくは50〜600 mmHgであ
る。
【００３５】本発明の製造方法によって合成した改良エ
ポキシ樹脂は、式：-NHC(=O)-で示される窒素複素環を
有する化合物である。この窒素複素環構造によって、本
発明の改良エポキシ樹脂は、従来からのエポキシ樹脂に
比し、高い耐熱性および耐燃性を示すことができ、高耐
熱性材料として使用することができ、特に電子、電気分
野で使用される高耐熱性材料に適し、例えば電気積層
板、ICパッケージング材料、高耐熱性粉末材料（例えば
高耐熱性粉体塗料）などとして用いられる。本発明の改
良エポキシ樹脂を高耐熱性材料、例えば電気回路積層板
として使用する場合、本発明の改良エポキシ樹脂を硬化
剤、触媒、溶剤などの好適な添加剤に混合し、次いで常
法によって高耐熱性材料を製造することができる。
ポキシ樹脂は、式：-NHC(=O)-で示される窒素複素環を
有する化合物である。この窒素複素環構造によって、本
発明の改良エポキシ樹脂は、従来からのエポキシ樹脂に
比し、高い耐熱性および耐燃性を示すことができ、高耐
熱性材料として使用することができ、特に電子、電気分
野で使用される高耐熱性材料に適し、例えば電気積層
板、ICパッケージング材料、高耐熱性粉末材料（例えば
高耐熱性粉体塗料）などとして用いられる。本発明の改
良エポキシ樹脂を高耐熱性材料、例えば電気回路積層板
として使用する場合、本発明の改良エポキシ樹脂を硬化
剤、触媒、溶剤などの好適な添加剤に混合し、次いで常
法によって高耐熱性材料を製造することができる。
【００３６】本発明の改良エポキシ樹脂に混合して高耐
熱性材料を製造する際に用いられる硬化剤は、例えばア
ミン類、ポリフェノール類、フェノールアルデヒド類化
合物などが挙げられる。そのうち、好適なアミン類とし
ては、例えばジシアノカルボジアミド、ジアミノジフェ
ニルメタンなどが挙られる。
熱性材料を製造する際に用いられる硬化剤は、例えばア
ミン類、ポリフェノール類、フェノールアルデヒド類化
合物などが挙げられる。そのうち、好適なアミン類とし
ては、例えばジシアノカルボジアミド、ジアミノジフェ
ニルメタンなどが挙られる。
【００３７】好適なポリフェノールとして、例えばトリ
ス（フェニル-4-ヒドロキシル）メタン、トリス（フェ
ニル-4-ヒドロキシル）エタン、トリス（フェニル-4-ヒ
ドロキシル）プロパン、トリス（フェニル-4-ヒドロキ
シル）ブタン、トリス（フェニル-3-メチル-4-ヒドロキ
シル）メタン、トリス（フェニル-3,5-ジメチル-4-ヒド
ロキシル）メタン、テトラキス（フェニル-4-ヒドロキ
シル）エタン、テトラキス（フェニル-3,5-ジメチル-4-
ヒドロキシル）エタンなどが用いられる。
ス（フェニル-4-ヒドロキシル）メタン、トリス（フェ
ニル-4-ヒドロキシル）エタン、トリス（フェニル-4-ヒ
ドロキシル）プロパン、トリス（フェニル-4-ヒドロキ
シル）ブタン、トリス（フェニル-3-メチル-4-ヒドロキ
シル）メタン、トリス（フェニル-3,5-ジメチル-4-ヒド
ロキシル）メタン、テトラキス（フェニル-4-ヒドロキ
シル）エタン、テトラキス（フェニル-3,5-ジメチル-4-
ヒドロキシル）エタンなどが用いられる。
【００３８】好適なフェノールアルデヒド類化合物とし
て、例えばフェノールホルムアルデヒド縮合化合物、ク
レゾールホルムアルデヒド縮合化合物、ビスフェノール
Aホルムアルデヒド縮合化合物、テトラブロモビスフェ
ノールA・ホルムアルデヒド縮合化合物などが挙げられ
る。
て、例えばフェノールホルムアルデヒド縮合化合物、ク
レゾールホルムアルデヒド縮合化合物、ビスフェノール
Aホルムアルデヒド縮合化合物、テトラブロモビスフェ
ノールA・ホルムアルデヒド縮合化合物などが挙げられ
る。
【００３９】硬化剤の添加用量は、用いられる硬化剤中
の総反応活性水素当量および本発明の改良エポキシ樹脂
中の総エポキシ当量によって決定される。通常、用いら
れる硬化剤の総反応活性水素当量は、本発明の改良エポ
キシ樹脂中の総エポキシ当量の20〜95％、より好ましく
は40〜90％、特に好ましくは50〜90％である。
の総反応活性水素当量および本発明の改良エポキシ樹脂
中の総エポキシ当量によって決定される。通常、用いら
れる硬化剤の総反応活性水素当量は、本発明の改良エポ
キシ樹脂中の総エポキシ当量の20〜95％、より好ましく
は40〜90％、特に好ましくは50〜90％である。
【００４０】さらに、本発明の改良エポキシ樹脂と混合
して高耐熱性材料を合成する際に用いられる別の触媒と
して、例えば第三級アミン、第三級ホスフィン、第四級
アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、イミダゾール
化合物などが挙げられる。
して高耐熱性材料を合成する際に用いられる別の触媒と
して、例えば第三級アミン、第三級ホスフィン、第四級
アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、イミダゾール
化合物などが挙げられる。
【００４１】上記触媒のうち、好ましい第三級アミンと
しては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジメチルエタノールアミン、トリス（Ｎ,Ｎ-ジメチル-
アミノメチル）フェノール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミノメ
チルフェノールなどが挙げられ、好ましい第三級ホスフ
ィンとしては、例えばトリフェニルホスフィンなどが挙
げら、好ましい第四級アンモニウム塩としては、例えば
塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアン
モニウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、塩化トリ
エチルベンジルアンモニウム、臭化トリエチルベンジル
アンモニウム、ヨウ化トリエチルベンジルアンモニウム
などが挙げられる。
しては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジメチルエタノールアミン、トリス（Ｎ,Ｎ-ジメチル-
アミノメチル）フェノール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-アミノメ
チルフェノールなどが挙げられ、好ましい第三級ホスフ
ィンとしては、例えばトリフェニルホスフィンなどが挙
げら、好ましい第四級アンモニウム塩としては、例えば
塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアン
モニウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、塩化トリ
エチルベンジルアンモニウム、臭化トリエチルベンジル
アンモニウム、ヨウ化トリエチルベンジルアンモニウム
などが挙げられる。
【００４２】好ましい第四級ホスホニウム塩としては、
例えば塩化テトラブチルホスホニウム、臭化テトラブチ
ルホスホニウム、ヨウ化テトラブチルホスホニウム、酢
酸テトラブチルホスホニウム酢酸錯化合物、塩化テトラ
フェニルホスホニウム、臭化テトラフェニルホスホニウ
ム、ヨウ化テトラフェニルホスホニウム、塩化エチルト
リフェニルホスホニウム、臭化エチルトリフェニルホス
ホニウム、ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム、酢
酸エチルトリフェニルホスホニウム酢酸錯化合物、酢酸
エチルトリフェニルホスホニウムリン酸錯化合物、塩化
プロピルトリフェニルホスホニウム、臭化プロピルトリ
フェニルホスホニウム、ヨウ化プロピルトリフェニルホ
スホニウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、臭
化ブチルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化ブチルトリ
フェニルホスホニウムなどが挙げられる。
例えば塩化テトラブチルホスホニウム、臭化テトラブチ
ルホスホニウム、ヨウ化テトラブチルホスホニウム、酢
酸テトラブチルホスホニウム酢酸錯化合物、塩化テトラ
フェニルホスホニウム、臭化テトラフェニルホスホニウ
ム、ヨウ化テトラフェニルホスホニウム、塩化エチルト
リフェニルホスホニウム、臭化エチルトリフェニルホス
ホニウム、ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム、酢
酸エチルトリフェニルホスホニウム酢酸錯化合物、酢酸
エチルトリフェニルホスホニウムリン酸錯化合物、塩化
プロピルトリフェニルホスホニウム、臭化プロピルトリ
フェニルホスホニウム、ヨウ化プロピルトリフェニルホ
スホニウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、臭
化ブチルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化ブチルトリ
フェニルホスホニウムなどが挙げられる。
【００４３】上記の触媒のうち、好ましいイミダゾール
化合物として、例えば2-メチルイミダゾール、2-フェニ
ルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-
ドデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾールな
どが挙げられる。
化合物として、例えば2-メチルイミダゾール、2-フェニ
ルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-
ドデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾールな
どが挙げられる。
【００４４】前記触媒のうち、好適な触媒は、イミダゾ
ール化合物および第四級ホスホニウム塩であり、その内
でもさらに好ましい触媒は、例えば2-メチルイミダゾー
ル、2-フェニルイミダゾール、酢酸エチルトリフェニル
ホスホニウム酢酸錯化合物、臭化ブチルトリフェニルホ
スホニウムなどである。これらの触媒は単独使用しても
よく、二種類混合してもよく、さらに三種類以上併用し
てもよい。
ール化合物および第四級ホスホニウム塩であり、その内
でもさらに好ましい触媒は、例えば2-メチルイミダゾー
ル、2-フェニルイミダゾール、酢酸エチルトリフェニル
ホスホニウム酢酸錯化合物、臭化ブチルトリフェニルホ
スホニウムなどである。これらの触媒は単独使用しても
よく、二種類混合してもよく、さらに三種類以上併用し
てもよい。
【００４５】本発明の改良エポキシ樹脂を用いて高耐熱
性材料、例えば電気回路積層板を製造する際、上記触媒
の使用量は、改良エポキシ樹脂および硬化剤の総量に対
し、0.005〜5.0重量％、好ましくは0.005〜4.5重量％、
さらに好ましくは0.1〜4.0重量％、特に好ましくは0.15
〜3.0重量％範囲で用いられる。なお、本発明の改良エ
ポキシ樹脂によって電気回路積層板を製造する場合、通
常、本発明のエポキシ樹脂と、前記硬化剤、触媒および
好適な溶剤とを混合して、透明なラッカー液形態で処理
する。ラッカー液を都合よく使用するには、触媒量は、
ラッカー液のゲル時間が30〜500秒／171℃の範囲内に入
るように、コントロールする必要がある（ゲル時間は、
本発明の改良エポキシ樹脂、硬化剤、触媒などを混合し
て透明のラッカー液にした後、少量のラッカー液を用い
て、171℃の温度下で測定した）。触媒の添加量が多す
ぎると、硬化反応の時間は短縮されるが、副生成物を生
じ易く、かつ硬化反応の均一性に悪影響をもたらす。し
かし、触媒の添加量が少なすぎると、反応速度が低くな
り効率が悪い結果となる。
性材料、例えば電気回路積層板を製造する際、上記触媒
の使用量は、改良エポキシ樹脂および硬化剤の総量に対
し、0.005〜5.0重量％、好ましくは0.005〜4.5重量％、
さらに好ましくは0.1〜4.0重量％、特に好ましくは0.15
〜3.0重量％範囲で用いられる。なお、本発明の改良エ
ポキシ樹脂によって電気回路積層板を製造する場合、通
常、本発明のエポキシ樹脂と、前記硬化剤、触媒および
好適な溶剤とを混合して、透明なラッカー液形態で処理
する。ラッカー液を都合よく使用するには、触媒量は、
ラッカー液のゲル時間が30〜500秒／171℃の範囲内に入
るように、コントロールする必要がある（ゲル時間は、
本発明の改良エポキシ樹脂、硬化剤、触媒などを混合し
て透明のラッカー液にした後、少量のラッカー液を用い
て、171℃の温度下で測定した）。触媒の添加量が多す
ぎると、硬化反応の時間は短縮されるが、副生成物を生
じ易く、かつ硬化反応の均一性に悪影響をもたらす。し
かし、触媒の添加量が少なすぎると、反応速度が低くな
り効率が悪い結果となる。
【００４６】本発明の改良エポキシ樹脂を含有する透明
ラッカー液の粘度は、添加する溶剤によって調整され
る。好ましい溶剤として、例えばベンゼン類、ケトン
類、プロトン系溶剤、エーテル類やエステル類などが用
いられる。そのうち、より好ましい溶剤としては、トル
エン、キシレンなどのベンゼン類；アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；
Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシドなどのプロトン系溶剤；エ
チレングリコールモノメチルエーテル、プロパンジオー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸エチル、
イソプロピオン酸エチルなどのエステル類が挙げられ
る。より好ましくは、本発明の改良エポキシ樹脂を含有
する透明ラッカー液は、20〜500cps／25℃の粘度に調整
する（粘度の測定はJISK-7233の方法による）。
ラッカー液の粘度は、添加する溶剤によって調整され
る。好ましい溶剤として、例えばベンゼン類、ケトン
類、プロトン系溶剤、エーテル類やエステル類などが用
いられる。そのうち、より好ましい溶剤としては、トル
エン、キシレンなどのベンゼン類；アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；
Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシドなどのプロトン系溶剤；エ
チレングリコールモノメチルエーテル、プロパンジオー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸エチル、
イソプロピオン酸エチルなどのエステル類が挙げられ
る。より好ましくは、本発明の改良エポキシ樹脂を含有
する透明ラッカー液は、20〜500cps／25℃の粘度に調整
する（粘度の測定はJISK-7233の方法による）。
【００４７】本発明の改良エポキシ樹脂を用いて高耐熱
性材料、例えば高耐熱性積層板を製造する場合、高耐熱
性材料は、通常、常法によって製造でき、例えば本発明
の改良エポキシ樹脂を含有する透明ラッカー液をガラス
繊維に含浸し、さらに加熱乾燥して、樹脂含浸物を得た
後、他の積層物と積層することにより製造される。必要
な場合、さらに一層または多層の銅箔と積層し、加圧加
熱下で上記積層板を硬化させて、電気回路積層板を形成
する。
性材料、例えば高耐熱性積層板を製造する場合、高耐熱
性材料は、通常、常法によって製造でき、例えば本発明
の改良エポキシ樹脂を含有する透明ラッカー液をガラス
繊維に含浸し、さらに加熱乾燥して、樹脂含浸物を得た
後、他の積層物と積層することにより製造される。必要
な場合、さらに一層または多層の銅箔と積層し、加圧加
熱下で上記積層板を硬化させて、電気回路積層板を形成
する。
【００４８】上記の硬化反応に用いる圧力範囲は5〜100
kg/cm2であり、硬化反応温度は20〜350℃、好ましくは5
0〜300℃、より好ましくは100〜250℃、特に好適には12
0〜220℃範囲である。温度が高すぎると、副反応を生じ
易く、しかも反応速度をコントロールするのが難しく、
かつ樹脂の劣化速度を早くする欠点があり、逆に温度が
低すぎると効率が悪くなるばかりでなく、得られた樹脂
の特性が高温に使用の特性を満足できない問題が生じ
る。
kg/cm2であり、硬化反応温度は20〜350℃、好ましくは5
0〜300℃、より好ましくは100〜250℃、特に好適には12
0〜220℃範囲である。温度が高すぎると、副反応を生じ
易く、しかも反応速度をコントロールするのが難しく、
かつ樹脂の劣化速度を早くする欠点があり、逆に温度が
低すぎると効率が悪くなるばかりでなく、得られた樹脂
の特性が高温に使用の特性を満足できない問題が生じ
る。
【００４９】
【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに詳しく
説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものでは
ない。まず、本発明の実施例との比較のために用いたグ
リシジルエーテル類エポキシ樹脂（以下エポキシ樹脂
A、B、C、Dと呼ぶ）、カルバミン酸エステル化合物、硬
化剤および触媒について説明する。エポキシ樹脂Cおよ
びDは市販の電気回路積層板に汎用されているエポキシ
樹脂である。
説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものでは
ない。まず、本発明の実施例との比較のために用いたグ
リシジルエーテル類エポキシ樹脂（以下エポキシ樹脂
A、B、C、Dと呼ぶ）、カルバミン酸エステル化合物、硬
化剤および触媒について説明する。エポキシ樹脂Cおよ
びDは市販の電気回路積層板に汎用されているエポキシ
樹脂である。
【００５０】エポキシ樹脂A：長春合成樹脂社製品、商
品名BE188ELとして市販されているビスフェノールAジグ
リシジルエーテル。そのエポキシ当量は185〜195ｇ/当
量で、塩素含量は200ppm以下で、粘度は11,000〜15,000
cps／25℃である。エポキシ樹脂B ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB350と
して市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジル
エーテル。そのエポキシ当量は340〜380ｇ／当量、臭素
含量は46〜49.5重量％である。エポキシ樹脂C ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB530A80
として市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジ
ルエーテル。そのエポキシ当量は430〜450ｇ／当量、臭
素含量は18.5〜20.5重量％である。エポキシ樹脂D ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB526A80
として市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジ
ルエーテル。そのエポキシ当量は410〜430ｇ／当量、臭
素含量は19.0〜21.0重量％である。MDU ：ジフェニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチル。硬化剤A ：長春合成樹脂社製品、商品名PF1120Hとして市
販のフェノール-ホルムアルデヒド縮合樹脂。硬化剤B ：ジシアノジアミド。触媒A ：2-フェニルイミダゾール。触媒B ：2-メチルイミダゾール。触媒C ：2-メチル-4-フェニルイミダゾール。触媒D ：臭化ブチルトリフェニルホスホニウム。
品名BE188ELとして市販されているビスフェノールAジグ
リシジルエーテル。そのエポキシ当量は185〜195ｇ/当
量で、塩素含量は200ppm以下で、粘度は11,000〜15,000
cps／25℃である。エポキシ樹脂B ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB350と
して市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジル
エーテル。そのエポキシ当量は340〜380ｇ／当量、臭素
含量は46〜49.5重量％である。エポキシ樹脂C ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB530A80
として市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジ
ルエーテル。そのエポキシ当量は430〜450ｇ／当量、臭
素含量は18.5〜20.5重量％である。エポキシ樹脂D ：長春合成樹脂社製品、商品名BEB526A80
として市販のテトラブロモビスフェノールAジグリシジ
ルエーテル。そのエポキシ当量は410〜430ｇ／当量、臭
素含量は19.0〜21.0重量％である。MDU ：ジフェニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチル。硬化剤A ：長春合成樹脂社製品、商品名PF1120Hとして市
販のフェノール-ホルムアルデヒド縮合樹脂。硬化剤B ：ジシアノジアミド。触媒A ：2-フェニルイミダゾール。触媒B ：2-メチルイミダゾール。触媒C ：2-メチル-4-フェニルイミダゾール。触媒D ：臭化ブチルトリフェニルホスホニウム。
【００５１】本明細書において用いられるエポキシ当量
（EEW）、ラッカー液粘度、ゲル化時間、改良エポキシ
樹脂の固形物含量、電気回路積層板の耐熱性などは以下
の方法によって測定したものである。
（EEW）、ラッカー液粘度、ゲル化時間、改良エポキシ
樹脂の固形物含量、電気回路積層板の耐熱性などは以下
の方法によって測定したものである。
【００５２】1．エポキシ当量（EEW）：エポキシ樹脂を
クロロベンゼンとクロロホルムの混合溶液（1：1）に溶
解させ、臭化水素／氷酢酸を用いて滴定し、ASTM D1652
に示す方法によって求めた。指示薬としてクリスタルバ
イオレットを用いた。
クロロベンゼンとクロロホルムの混合溶液（1：1）に溶
解させ、臭化水素／氷酢酸を用いて滴定し、ASTM D1652
に示す方法によって求めた。指示薬としてクリスタルバ
イオレットを用いた。
【００５３】2．粘度：改良エポキシ樹脂を含有するラ
ッカー液を、25℃の恒温槽中に4時間置き、ブルックフ
ィールド粘度計を用いて25℃で測定した。
ッカー液を、25℃の恒温槽中に4時間置き、ブルックフ
ィールド粘度計を用いて25℃で測定した。
【００５４】3．ゲル化時間：JISK-7233に記載の方法に
従い、エポキシ樹脂を含むラッカー液試料50ｇと、混合
溶液（ジシアノジアミド10.00ｇ、2-メチルイミダゾー
ル0.54ｇおよびメチルセルロ-ス141.83ｇ）15.24ｇとを
混合し、さらに30分間攪拌した後、171℃のホットプレ
ート上に7滴滴下し、60秒後にとがった捧で円を描き、
樹脂のゲル化時間を測定する（ゲル化時間はホットプレ
ートに滴下し始めた時点から計測する）。
従い、エポキシ樹脂を含むラッカー液試料50ｇと、混合
溶液（ジシアノジアミド10.00ｇ、2-メチルイミダゾー
ル0.54ｇおよびメチルセルロ-ス141.83ｇ）15.24ｇとを
混合し、さらに30分間攪拌した後、171℃のホットプレ
ート上に7滴滴下し、60秒後にとがった捧で円を描き、
樹脂のゲル化時間を測定する（ゲル化時間はホットプレ
ートに滴下し始めた時点から計測する）。
【００５５】4．エポキシ樹脂固形物含量：本発明の改
良エポキシ樹脂を含有する溶液を、1ｇとり、150℃で1
時間乾燥した後、秤量してエポキシ樹脂の重量％を求め
る。
良エポキシ樹脂を含有する溶液を、1ｇとり、150℃で1
時間乾燥した後、秤量してエポキシ樹脂の重量％を求め
る。
【００５６】5．耐熱性：電気回路積層板を288℃のスズ
溶接槽に浸たし、その剥離時間を調べ、180秒以上を合
格とする。
溶接槽に浸たし、その剥離時間を調べ、180秒以上を合
格とする。
【００５７】1）窒素複素環を含む改良エポキシ樹脂の
製造 実施例1 加熱器、温度コントロール装置、電気攪拌器、マグネチ
ック、スターラー、窒素ガス導入口、サーモカップル、
冷却器、原料供給口などを備えた五つ口反応フラスコ
に、エポキシ樹脂A（704ｇ、エポキシ当量（EEW）＝18
8）、エポキシ樹脂B（680ｇ、EEW＝367）およびMDU240
ｇを加え、窒素ガスを導入しながら、120℃まで加熱
し、エポキシ樹脂A、エポキシ樹脂BおよびMDUが完全に
溶解した後、真空にして上記の原料化合物を乾燥させ、
さらに窒素ガスを導入し、二回程上記の操作をくりかえ
す。次に触媒A（1.4ｇ）を加え、窒素ガスの雰囲気下に
攪拌し、150℃まで加熱し、同温度で約10分間保ち、液
体が留出し始めた時点で反応器を減圧しておき、上記留
出液を冷却器を通して集める。減圧を続けながら、160
℃に加熱し、同温度で3時間保ち、留出液の増加がなく
なった時点で反応を終了させる。反応器内の残渣を集
め、常温下で固体形態の本発明の改良エポキシ樹脂1632
ｇを得る。エポキシ当量は388であり、FTIR分析（遠赤
外線分光器）により、波数1755cm-1に窒素複素環構造の
-NH-C(=O)-の吸収を確認した。
製造 実施例1 加熱器、温度コントロール装置、電気攪拌器、マグネチ
ック、スターラー、窒素ガス導入口、サーモカップル、
冷却器、原料供給口などを備えた五つ口反応フラスコ
に、エポキシ樹脂A（704ｇ、エポキシ当量（EEW）＝18
8）、エポキシ樹脂B（680ｇ、EEW＝367）およびMDU240
ｇを加え、窒素ガスを導入しながら、120℃まで加熱
し、エポキシ樹脂A、エポキシ樹脂BおよびMDUが完全に
溶解した後、真空にして上記の原料化合物を乾燥させ、
さらに窒素ガスを導入し、二回程上記の操作をくりかえ
す。次に触媒A（1.4ｇ）を加え、窒素ガスの雰囲気下に
攪拌し、150℃まで加熱し、同温度で約10分間保ち、液
体が留出し始めた時点で反応器を減圧しておき、上記留
出液を冷却器を通して集める。減圧を続けながら、160
℃に加熱し、同温度で3時間保ち、留出液の増加がなく
なった時点で反応を終了させる。反応器内の残渣を集
め、常温下で固体形態の本発明の改良エポキシ樹脂1632
ｇを得る。エポキシ当量は388であり、FTIR分析（遠赤
外線分光器）により、波数1755cm-1に窒素複素環構造の
-NH-C(=O)-の吸収を確認した。
【００５８】上記方法によって得た改良エポキシ樹脂を
用い、電気回路積層板などの高耐熱性材料を製造する際
に、処理を容易にするため、メチルエチルケトン546ｇ
を徐々に反応器の底部に加え、改良エポキシ樹脂を溶解
させ、均一になるよう攪拌する。このようにして得た改
良エポキシ樹脂含有溶液を樹脂Wと呼ぶ。固形分を測定
した結果、74.93重量％であった。
用い、電気回路積層板などの高耐熱性材料を製造する際
に、処理を容易にするため、メチルエチルケトン546ｇ
を徐々に反応器の底部に加え、改良エポキシ樹脂を溶解
させ、均一になるよう攪拌する。このようにして得た改
良エポキシ樹脂含有溶液を樹脂Wと呼ぶ。固形分を測定
した結果、74.93重量％であった。
【００５９】実施例2 実施例1の方法を繰り返した。但し、触媒Aに代えて触媒
B（1.4ｇ）を使用した。常温で固体で、軟化温度73.9℃
およびエポキシ当量383を有する改良エポキシ樹脂1550
ｇを得た。FTIR分析により、波数1755cm-1に窒素複素環
構造の-NH-C(=O)-の存在を確認した。さらに、実施例1
と同様にしてメチルエチルケトン530ｇを反応器の底部
に徐々に加え、改良エポキシ樹脂を溶かし、均一になる
まで攪拌を続けて、改良エポキシ樹脂含有溶液を得た。
この樹脂を、樹脂Uと呼ぶ。分析によると、固形分は74.
57重量％であった。
B（1.4ｇ）を使用した。常温で固体で、軟化温度73.9℃
およびエポキシ当量383を有する改良エポキシ樹脂1550
ｇを得た。FTIR分析により、波数1755cm-1に窒素複素環
構造の-NH-C(=O)-の存在を確認した。さらに、実施例1
と同様にしてメチルエチルケトン530ｇを反応器の底部
に徐々に加え、改良エポキシ樹脂を溶かし、均一になる
まで攪拌を続けて、改良エポキシ樹脂含有溶液を得た。
この樹脂を、樹脂Uと呼ぶ。分析によると、固形分は74.
57重量％であった。
【００６０】実施例3 実施例1の方法を繰り返した。但し、エポキシ樹脂A、エ
ポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ731.4ｇ、639.0ｇお
よび40.3ｇの用量で用いて反応を行った。常温で固体
で、軟化温度65.0℃およびエポキシ当量376.5を有する
改良エポキシ樹脂1541ｇを得た。FTIR測定によって、波
数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の吸収特性を
確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メチ
ルエチルケトン516.4ｇを反応器に徐々に加え、改良エ
ポキシ樹脂を溶かして樹脂Vを得た。分析した結果、固
形分は74.67重量％であった。
ポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ731.4ｇ、639.0ｇお
よび40.3ｇの用量で用いて反応を行った。常温で固体
で、軟化温度65.0℃およびエポキシ当量376.5を有する
改良エポキシ樹脂1541ｇを得た。FTIR測定によって、波
数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の吸収特性を
確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メチ
ルエチルケトン516.4ｇを反応器に徐々に加え、改良エ
ポキシ樹脂を溶かして樹脂Vを得た。分析した結果、固
形分は74.67重量％であった。
【００６１】実施例4 実施例1と同じ方法を繰り返した。但し、エポキシ樹脂
A、エポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ654.9ｇ、627.
3ｇおよび270.0ｇの用量で用いて反応を行った。常温で
固体で、軟化温度86.5℃およびエポキシ当量436を有す
る改良エポキシ樹脂1478ｇを得た。FTIR分析により、波
数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の吸収特性を
確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メチ
ルエチルケトン497グラムを反応器中に徐々に加え、改
良エポキシ樹脂を溶かし、均一になる迄攪拌し、改良エ
ポキシ樹脂含有溶液として樹脂Xを得た。分析による
と、固形分は75.02重量％であることがわかった。
A、エポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ654.9ｇ、627.
3ｇおよび270.0ｇの用量で用いて反応を行った。常温で
固体で、軟化温度86.5℃およびエポキシ当量436を有す
る改良エポキシ樹脂1478ｇを得た。FTIR分析により、波
数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の吸収特性を
確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メチ
ルエチルケトン497グラムを反応器中に徐々に加え、改
良エポキシ樹脂を溶かし、均一になる迄攪拌し、改良エ
ポキシ樹脂含有溶液として樹脂Xを得た。分析による
と、固形分は75.02重量％であることがわかった。
【００６２】実施例5 実施例1と同様な方法を繰り返した。但し、エポキシ樹
脂A、エポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ675.0ｇ、63
3.0ｇおよび255.3ｇの用量で用いて反応を行った。常温
で固体で、軟化温度82.3℃およびエポキシ当量412を有
する改良エポキシ樹脂1490ｇを得た。FTIR分析により、
波数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の特性吸収
を確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メ
チルエチルケトン497ｇを反応器中に徐々に加え、改良
エポキシ樹脂を溶かし、均一になるまで攪拌して、改良
エポキシ樹脂含有溶液として樹脂Zを得た。分析した結
果、固形分は75.13重量％であることがわかった。
脂A、エポキシ樹脂BおよびMDUを、それぞれ675.0ｇ、63
3.0ｇおよび255.3ｇの用量で用いて反応を行った。常温
で固体で、軟化温度82.3℃およびエポキシ当量412を有
する改良エポキシ樹脂1490ｇを得た。FTIR分析により、
波数1755cm-1に窒素複素環構造の-NH-C(=O)-の特性吸収
を確認した。さらに実施例1と同様な方法によって、メ
チルエチルケトン497ｇを反応器中に徐々に加え、改良
エポキシ樹脂を溶かし、均一になるまで攪拌して、改良
エポキシ樹脂含有溶液として樹脂Zを得た。分析した結
果、固形分は75.13重量％であることがわかった。
【００６３】2）本発明の改良エポキシ樹脂を含むラッ
カー液および電気回路積層板の製造 実施例6および7 攪拌機を備えた容器内に、常温下にて、以下の表1に示
した組成で硬化剤、触媒、溶剤および本発明の改良エポ
キシ樹脂を加え、均一になるまで攪拌を続けて本発明の
改良エポキシ樹脂を含むラッカー液を得た。得られたラ
ッカー液を、ガラス繊維布地（台湾ガラス社製品、E-gl
ass,No.7628型）に含浸させ、ローラーで圧延した後、1
50℃で加熱乾燥して樹脂含有浸漬物を得た。さらに、浸
漬物を8層重ね合わせ、上下にそれぞれ35μ厚の銅箔を
積層し、175℃の温度および25kg/cm2の圧力条件下に圧
縮して、本発明の改良エポキシ樹脂およびガラス繊維布
地を含んでなる積層板を得た。示差走査型熱量計（ DS
C、米国テキサス儀器社製品、TA2910型）を用いて、積
層板のガラス転移温度を測定した。その結果を表1に示
す。
カー液および電気回路積層板の製造 実施例6および7 攪拌機を備えた容器内に、常温下にて、以下の表1に示
した組成で硬化剤、触媒、溶剤および本発明の改良エポ
キシ樹脂を加え、均一になるまで攪拌を続けて本発明の
改良エポキシ樹脂を含むラッカー液を得た。得られたラ
ッカー液を、ガラス繊維布地（台湾ガラス社製品、E-gl
ass,No.7628型）に含浸させ、ローラーで圧延した後、1
50℃で加熱乾燥して樹脂含有浸漬物を得た。さらに、浸
漬物を8層重ね合わせ、上下にそれぞれ35μ厚の銅箔を
積層し、175℃の温度および25kg/cm2の圧力条件下に圧
縮して、本発明の改良エポキシ樹脂およびガラス繊維布
地を含んでなる積層板を得た。示差走査型熱量計（ DS
C、米国テキサス儀器社製品、TA2910型）を用いて、積
層板のガラス転移温度を測定した。その結果を表1に示
す。
【００６４】比較例1および2 上記実施例6および7と同様な方法に従い、攪拌機を備え
た容器内に、以下の表1に示した組成で、エポキシ樹脂
C、エポキシ樹脂D、硬化剤、触媒および溶剤を加え、均
一になるまで攪拌混合してエポキシ樹脂ラッカー液を得
た。このようにして得たラッカー液を、ガラス繊維布地
に含浸させ、ローラーで圧延した後、150℃で加熱乾燥
して樹脂含有浸漬物を得た。この浸漬物を8層重ね合わ
せ、その上下にそれぞれ35μ厚の銅箔を積層し、温度17
5℃および圧力25kg/cm2の条件で圧縮して、エポキシ樹
脂およびガラス繊維布地を含んでなる積層板を得た。示
差走査型熱量計（DSC、米国テキサス儀器社製品、A2910
型）によって積層板のガラス転移温度を測定した。結果
を表1に示す。
た容器内に、以下の表1に示した組成で、エポキシ樹脂
C、エポキシ樹脂D、硬化剤、触媒および溶剤を加え、均
一になるまで攪拌混合してエポキシ樹脂ラッカー液を得
た。このようにして得たラッカー液を、ガラス繊維布地
に含浸させ、ローラーで圧延した後、150℃で加熱乾燥
して樹脂含有浸漬物を得た。この浸漬物を8層重ね合わ
せ、その上下にそれぞれ35μ厚の銅箔を積層し、温度17
5℃および圧力25kg/cm2の条件で圧縮して、エポキシ樹
脂およびガラス繊維布地を含んでなる積層板を得た。示
差走査型熱量計（DSC、米国テキサス儀器社製品、A2910
型）によって積層板のガラス転移温度を測定した。結果
を表1に示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】表1の結果から、本発明の製造方法によっ
て得られた改良エポキシ樹脂Wは、先行技術の電気回路
積層板製造用エポキシ樹脂CおよびDに比し、より高いガ
ラス転移温度を示し、その耐熱性も優れており、高耐熱
性を必要とする電気素子などの製造に有用であることが
判明した。さらに本発明方法は、イソシアン酸エステル
類化合物を原料とする先行技術における人体の健康や機
器／設備に与えた悪影響を避けることが可能となり、人
体の健康上、環境保全上共に有利である。
て得られた改良エポキシ樹脂Wは、先行技術の電気回路
積層板製造用エポキシ樹脂CおよびDに比し、より高いガ
ラス転移温度を示し、その耐熱性も優れており、高耐熱
性を必要とする電気素子などの製造に有用であることが
判明した。さらに本発明方法は、イソシアン酸エステル
類化合物を原料とする先行技術における人体の健康や機
器／設備に与えた悪影響を避けることが可能となり、人
体の健康上、環境保全上共に有利である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 59/14 C08G 59/02 C08G 59/12 H01L 23/29 C08J 5/24
Claims (25)
- 【請求項１】 改良エポキシ樹脂の総量に対し、5〜95
重量％のカルバミン酸エステル化合物と、95〜5重量％
のグリシジルエーテル類エポキシ樹脂とを反応させて得
られる、窒素複素環基を含む改良エポキシ樹脂であっ
て、上記カルバミンエステル化合物は、式：-NH-C(=O)-
OR1〔式中、R1は後記と同じ。〕で示される基を含み、
式： 【化１】R1-O-C(=O)-NH-R2-NH-C(=O)-OR1
（I） または式： 【化２】 〔式中、R1は、互いに同じでも異なってもよく、炭素原
子数1〜6のアルキル基または炭素原子数3〜8のシクロア
ルキル基、 R2は、炭素原子数1〜18のアルキレン基、炭素原子数3〜
8のシクロアルキレン基、1〜4個の炭素原子数1〜4のア
ルキル基で置換されていてもよいフェニレン基または-R
3-W-R3-、 R3は、炭素原子数3〜8のシクロアルキレン基または1〜4
個の炭素原子数1〜4のアルキル基で置換されていてもよ
いフェニレン基、およびWは炭素原子数1〜4のアルキレ
ン基、-O-、-SO-または-SO2-を意味する。〕で示される
ことを特徴とする改良エポキシ樹脂。 - 【請求項２】 R1は、炭素原子数1〜6のアルキル基であ
る請求項1記載の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項３】 R2は、-R3-W-R3-である請求項1記載の改
良エポキシ樹脂。 - 【請求項４】 R3は、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキ
ル基で置換されていてもよいフェニレン基であり、かつ
Wは、炭素原子数1〜4のアルキレン基である請求項3記載
の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項５】 R2は、1〜4個の炭素原子数1〜4のアルキ
ル基で置換されていてもよいフェニレン基である請求項
1記載の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項６】 カルバミン酸エステル化合物は、ジフェ
ニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチルまたは1-メチ
ルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチルである請求項1記
載の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項７】 カルバミン酸エステル化合物は、ジフェ
ニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチルである請求項6
記載の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項８】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂は、
ビスフェノール系ジグリシジルエーテル、ビスフェノー
ルグリシジルエーテル、フェノールアルデヒドポリグリ
シジルエーテルおよびポリフェノール系ポリグリシジル
エーテルからなる群から選ばれる請求項1記載の改良エ
ポキシ樹脂。 - 【請求項９】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂は、
ビスフェノールAジグリシジルエーテル、テトラブロモ
ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノー
ルFジグリシジルエーテル、トリス（フェニル-4-ヒドロ
キシル）メタンポリグリシジルエーテルおよびテトラキ
ス（フェニル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシジル
エーテルからなる群から選ばれる請求項8記載の改良エ
ポキシ樹脂。 - 【請求項１０】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂
は、ビスフェノールAジグリシジルエーテルとテトラブ
ロモビスフェノールAジグリシジルエーテルの混合物で
ある請求項9記載の改良エポキシ樹脂。 - 【請求項１１】 請求項1記載の改良エポキシ樹脂を製
造する方法において、 改良エポキシ樹脂の総量に対し、5〜95重量％のカルバ
ミン酸エステル化合物と95〜5重量％のグリシジルエー
テル類エポキシ樹脂とを、触媒の存在下、温度20〜300
℃および圧力0〜760 mmHgを含む条件下に反応させるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 R1は、炭素原子数1〜6のアルキルであ
る請求項11記載の方法。 - 【請求項１３】 R2は、-R3-W-R3-である請求項11記載
の方法。 - 【請求項１４】 R3は、1〜4個の炭素原子数1〜4のアル
キル基で置換されていてもよいフェニレン基であり、か
つWは、炭素原子数1〜4のアルキレン基である請求項13
記載の方法。 - 【請求項１５】 R2は、1〜4個の炭素原子数1〜4のアル
キル基で置換されていてもよいフェニレン基である請求
項11記載の方法。 - 【請求項１６】 カルバミン酸エステル化合物は、ジフ
ェニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチルまたは1-メ
チルフェニル-2,4-ジカルバミン酸エチルである請求項1
1記載の方法。 - 【請求項１７】 カルバミン酸エステル化合物は、ジフ
ェニルメタン-4,4’-ジカルバミン酸エチルである請求
項16記載の方法。 - 【請求項１８】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂
は、ビスフェノール系ジグリシジルエーテル、ビスフェ
ノールグリシジルエーテル、フェノールアルデヒドポリ
グリシジルエーテルおよびポリフェノール系ポリグリシ
ジルエーテルからなる群から選ばれる請求項11記載の方
法。 - 【請求項１９】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂
は、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、テトラブ
ロモビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェ
ノールFジグリシジルエーテル、トリス（フェニル-4-ヒ
ドロキシル）メタンポリグリシジルエーテルおよびテト
ラキス（フェニル-4-ヒドロキシル）エタンポリグリシ
ジルエーテルからなる群から選ばれる請求項11記載の方
法。 - 【請求項２０】 グリシジルエーテル類エポキシ樹脂
は、ビスフェノールAジグリシジルエーテルとテトラブ
ロモビスフェノールAジグリシジルエーテルの混合物で
ある請求項19記載の方法。 - 【請求項２１】 前記触媒は、第三級アミン、第三級ホ
スフィン、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム
塩、トリフルオロホウ素錯塩、リチウム化合物およびイ
ミダゾール化合物からなる群から選ばれる請求項11記載
の方法。 - 【請求項２２】 前記触媒の使用量は、カルバミン酸エ
ステル化合物およびグリシジルエーテル類エポキシ樹脂
の総重量に対し、50〜50,000 ppmである請求項11記載の
方法。 - 【請求項２３】 請求項1記載の改良エポキシ樹脂を含
んでなることを特徴とする高耐熱性材料。 - 【請求項２４】 電気回路積層板、ICパッケージング材
料または高耐熱性粉末材料として使用される請求項23記
載の高耐熱性材料。 - 【請求項２５】 電気回路積層板に使用される請求項24
記載の高耐熱性材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87112720A TWI247763B (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Manufacturing method of modified epoxy resin |
| TW87112720 | 1998-08-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000063493A JP2000063493A (ja) | 2000-02-29 |
| JP3093751B2 true JP3093751B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=21630891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11063077A Expired - Lifetime JP3093751B2 (ja) | 1998-08-03 | 1999-03-10 | 改良エポキシ樹脂、その製法および改良エポキシ樹脂を含有する高耐熱性材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093751B2 (ja) |
| TW (1) | TWI247763B (ja) |
-
1998
- 1998-08-03 TW TW87112720A patent/TWI247763B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063077A patent/JP3093751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000063493A (ja) | 2000-02-29 |
| TWI247763B (en) | 2006-01-21 |
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