JP3077399B2 - 電気回路用基板およびその製造方法 - Google Patents
電気回路用基板およびその製造方法Info
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- electric circuit
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- bonding agent
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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- Laminated Bodies (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハイブリッドＩ
Ｃ用の回路基板等ような熱膨張率の異なる複数層からな
る積層体構造の電気回路用基板、および、その電気回路
用基板の製造方法に関する。
Ｃ用の回路基板等ような熱膨張率の異なる複数層からな
る積層体構造の電気回路用基板、および、その電気回路
用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の層を貼り合わせて得られる積層体
構造の電気回路用基板、殊に電気回路基板、例えばハイ
ブリッドＩＣ基板（ＨＩＣ基板）にヒートシンクを接合
したものにおいては、はんだをその接合面に均一な厚さ
で塗布してその接合を行っていた。また、この基板上に
電子部品としてＩＣチップを搭載する場合にもはんだ付
けにより接合していた。このはんだとして、例えばＡｕ
−Ｓｉ合金からなるはんだを用いる場合には４００℃程
度の高温での加熱が必要である。このため、特に厚膜Ｈ
ＩＣ基板のようにＩＣチップを数多くマウントする例に
おいては、その特性が低下することが避けられなかっ
た。また、ＩＣチップとリード線との接合にもはんだが
用いられている。
構造の電気回路用基板、殊に電気回路基板、例えばハイ
ブリッドＩＣ基板（ＨＩＣ基板）にヒートシンクを接合
したものにおいては、はんだをその接合面に均一な厚さ
で塗布してその接合を行っていた。また、この基板上に
電子部品としてＩＣチップを搭載する場合にもはんだ付
けにより接合していた。このはんだとして、例えばＡｕ
−Ｓｉ合金からなるはんだを用いる場合には４００℃程
度の高温での加熱が必要である。このため、特に厚膜Ｈ
ＩＣ基板のようにＩＣチップを数多くマウントする例に
おいては、その特性が低下することが避けられなかっ
た。また、ＩＣチップとリード線との接合にもはんだが
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】熱膨張係数が異なる
材料同士をその接合面に加熱接合剤を用いて均一な厚さ
で接合した場合には、得られた積層体の内部に残留応力
が発生しがちである。このため、積層体に反りが生じ易
い。そして、上記外力の集中する周辺部においては剥離
等の不都合が起こり易い。ことに、固化した金属接合剤
内部および接合界面で亀裂および割れが起こり易いこと
も無視し得ない。そして、熱膨張率の異なる異種材料を
室温で貼り合わせて得られる積層体構造の電気回路用基
板の場合には、高温雰囲気で使用する場合に接合面でず
れが生じて破損し易い。
材料同士をその接合面に加熱接合剤を用いて均一な厚さ
で接合した場合には、得られた積層体の内部に残留応力
が発生しがちである。このため、積層体に反りが生じ易
い。そして、上記外力の集中する周辺部においては剥離
等の不都合が起こり易い。ことに、固化した金属接合剤
内部および接合界面で亀裂および割れが起こり易いこと
も無視し得ない。そして、熱膨張率の異なる異種材料を
室温で貼り合わせて得られる積層体構造の電気回路用基
板の場合には、高温雰囲気で使用する場合に接合面でず
れが生じて破損し易い。
【０００４】そこで、本発明の主たる目的は、電気回路
用基板に反り、割れ、剥離、熱伝導不良等を生じない電
気回路用基板およびその製造方法を開発することであ
る。
用基板に反り、割れ、剥離、熱伝導不良等を生じない電
気回路用基板およびその製造方法を開発することであ
る。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】このような目的は、下
記の本発明により達成される。すなわち、熱膨張係数が
異なる少なくとも２つの層が加熱接合剤を介して接合さ
れる積層体構造の電気回路用基板において、上記加熱接
合剤は、その密度が上記２層の接合面の第１の部分で密
に、この第１の部分とは異なる第２の部分で疎となるよ
うに、分布させた電気回路用基板である。また、上記第
１の部分は上記接合面の中央部であり、上記第２の部分
は上記接合面の周辺部である。さらに、上記電気回路用
基板は回路素子部品を搭載するとともに、上記接合面に
あってこの回路素子部品搭載部分に対応する部分を上記
第１の部分とし、非搭載部分を上記第２の部分としてい
る。
記の本発明により達成される。すなわち、熱膨張係数が
異なる少なくとも２つの層が加熱接合剤を介して接合さ
れる積層体構造の電気回路用基板において、上記加熱接
合剤は、その密度が上記２層の接合面の第１の部分で密
に、この第１の部分とは異なる第２の部分で疎となるよ
うに、分布させた電気回路用基板である。また、上記第
１の部分は上記接合面の中央部であり、上記第２の部分
は上記接合面の周辺部である。さらに、上記電気回路用
基板は回路素子部品を搭載するとともに、上記接合面に
あってこの回路素子部品搭載部分に対応する部分を上記
第１の部分とし、非搭載部分を上記第２の部分としてい
る。
【０００６】また、本発明は、熱膨張係数が異なる２つ
の層を加熱接合剤を介して接合することにより、少なく
とも２層からなる積層体構造の電気回路用基板を製造す
る電気回路用基板の製造方法において、上記加熱接合剤
を、上記２層の接合面の中央部で密に、周辺部で疎とな
るように分布させる電気回路用基板の製造方法である。
また、上記接合面の中央部に硬質の加熱接合剤を、その
周辺部に軟質の加熱接合剤を配する電気回路用基板の製
造方法である。
の層を加熱接合剤を介して接合することにより、少なく
とも２層からなる積層体構造の電気回路用基板を製造す
る電気回路用基板の製造方法において、上記加熱接合剤
を、上記２層の接合面の中央部で密に、周辺部で疎とな
るように分布させる電気回路用基板の製造方法である。
また、上記接合面の中央部に硬質の加熱接合剤を、その
周辺部に軟質の加熱接合剤を配する電気回路用基板の製
造方法である。
【０００７】
【作用】このように、積層体構造の電気回路用基板の接
合面における接合剤の分布に疎密を与えることにより、
特に疎の分布を与えられた周辺部は、塑性変形が容易と
なるので、残留応力が低減し、反りの小さな電気回路用
基板を得ることができる。また、電気回路用基板におい
て、発熱素子の搭載部位の直下の接合剤の分布を密とす
ることにより、十分に良好な熱伝導性を得ることができ
る。さらに、接合剤の密度だけでなく、同一接合面にお
いて、硬質接合剤と軟質接合剤を組み合わせて使用する
ことにより、前述の効果をより高めることができる。そ
して、本発明の方法によれば、接着強度も十分に良好で
ある。
合面における接合剤の分布に疎密を与えることにより、
特に疎の分布を与えられた周辺部は、塑性変形が容易と
なるので、残留応力が低減し、反りの小さな電気回路用
基板を得ることができる。また、電気回路用基板におい
て、発熱素子の搭載部位の直下の接合剤の分布を密とす
ることにより、十分に良好な熱伝導性を得ることができ
る。さらに、接合剤の密度だけでなく、同一接合面にお
いて、硬質接合剤と軟質接合剤を組み合わせて使用する
ことにより、前述の効果をより高めることができる。そ
して、本発明の方法によれば、接着強度も十分に良好で
ある。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例について詳述する。図
１は本発明の一実施例を示すものであり、図２は本発明
の他の実施例を示すものである。
１は本発明の一実施例を示すものであり、図２は本発明
の他の実施例を示すものである。
【０００９】図１に示すように、ＡｌＮ基板（積層体構
造の電気回路用基板）１１の裏面にはアルミニウム板の
ヒートシンク１２がはんだ（接合剤）１３を介して貼り
合わせられている。このはんだ１３はＡｌＮ基板１１の
裏面またはヒートシンク１２の表面にスポット状に塗
布、配設されるが、そのはんだスポットの分布はその面
の中央部が密に、その周辺部が疎となるように分布密度
を変化させている。図中１３Ａははんだスポットが密の
部分を、１３Ｂは疎の部分を、それぞれ示している。は
んだ１３をスポット状（またはドット状）として塗布す
る場合、上記中央部１３Ａのドットの分布を密としたも
のである。このような疎密分布を与えることにより、接
合後の残留応力が低下し、ＡｌＮ基板１１およびヒート
シンク１２からなる電気回路用基板が反ったり、それら
の接合界面で剥離したりする現象を抑えることができ
る。特にその電気回路用基板の周辺部においては、外力
に対する塑性変形が容易となるため、応力の緩和、残留
応力の低減をより効果的に行うことができる。さらに、
このはんだ１３の疎密分布を中央部から周辺部に向かっ
て連続的に変化させるならば、本発明の効果がより高め
られる。
造の電気回路用基板）１１の裏面にはアルミニウム板の
ヒートシンク１２がはんだ（接合剤）１３を介して貼り
合わせられている。このはんだ１３はＡｌＮ基板１１の
裏面またはヒートシンク１２の表面にスポット状に塗
布、配設されるが、そのはんだスポットの分布はその面
の中央部が密に、その周辺部が疎となるように分布密度
を変化させている。図中１３Ａははんだスポットが密の
部分を、１３Ｂは疎の部分を、それぞれ示している。は
んだ１３をスポット状（またはドット状）として塗布す
る場合、上記中央部１３Ａのドットの分布を密としたも
のである。このような疎密分布を与えることにより、接
合後の残留応力が低下し、ＡｌＮ基板１１およびヒート
シンク１２からなる電気回路用基板が反ったり、それら
の接合界面で剥離したりする現象を抑えることができ
る。特にその電気回路用基板の周辺部においては、外力
に対する塑性変形が容易となるため、応力の緩和、残留
応力の低減をより効果的に行うことができる。さらに、
このはんだ１３の疎密分布を中央部から周辺部に向かっ
て連続的に変化させるならば、本発明の効果がより高め
られる。
【００１０】図２に示すように、ハイブリッドＩＣ基板
２１の上面の所定位置に発熱素子であるＩＣチップ２４
を搭載した場合、その裏面にヒートシンク２２をはんだ
２３を介して接合するが、この場合、ＩＣチップ（例え
ばパワートランジスタ）２４の直下の部分２３Ａについ
てスポット状のはんだ２３の塗布を密にし、他の部分２
３Ｂを疎としている。これにより、従来よりも少ないは
んだ使用量で上述の良好な熱伝導効果を得ることができ
る。特に、このハイブリッドＩＣ基板に作用する熱サイ
クルの際に生じる繰り返し応力の緩和、解放に有力であ
る。この金属系接合剤としては、はんだ、ろう等のあら
ゆる接合剤を使用することができる。なお、これらの接
合剤は電気回路用基板を構成する層材の種類などに応じ
て決定されるものである。
２１の上面の所定位置に発熱素子であるＩＣチップ２４
を搭載した場合、その裏面にヒートシンク２２をはんだ
２３を介して接合するが、この場合、ＩＣチップ（例え
ばパワートランジスタ）２４の直下の部分２３Ａについ
てスポット状のはんだ２３の塗布を密にし、他の部分２
３Ｂを疎としている。これにより、従来よりも少ないは
んだ使用量で上述の良好な熱伝導効果を得ることができ
る。特に、このハイブリッドＩＣ基板に作用する熱サイ
クルの際に生じる繰り返し応力の緩和、解放に有力であ
る。この金属系接合剤としては、はんだ、ろう等のあら
ゆる接合剤を使用することができる。なお、これらの接
合剤は電気回路用基板を構成する層材の種類などに応じ
て決定されるものである。
【００１１】また、上記金属系接合剤に代えて、無機系
または有機系の接合剤を用いることができる。無機系接
合剤としては、セメント、水ガラス、セラミックソル
ダ、はんだ（ろう）等の全ての無機接合剤を使用するこ
とができる。また、有機系の接合剤としては、以下のも
のが用いられる。例えば、酢酸ビニル樹脂、メタフリル
酸メチル、アクリル酸エステル等のエマルジョン接着
剤、クロロプレンゴム等のコンタクト接着剤、エピクロ
ルヒドリン＋ビスフェノールＡ等のエポキシ接着剤、ア
クリル系、エポキシ系、ポリエン・チオール系等の光硬
化型接着剤、尿素＋ホルマリン等のユリア樹脂接着剤、
フェノール＋ホルマリン等のフェノール系接着剤、エチ
レン＋酢酸ビニル等のホットメルト接着剤、メタクリル
酸エステル等の嫌気性接着剤、アルファシアノアクリル
酸エステル等の瞬間接着剤、トリレジンイソシアナート
等のウレタン樹脂接着剤、シリコーンゴム等のシリコー
ン樹脂接着剤等のあらゆる接着剤である。なお、これら
の接合剤も電気回路用基板を構成する層材の種類などに
応じて決定されるものである。
または有機系の接合剤を用いることができる。無機系接
合剤としては、セメント、水ガラス、セラミックソル
ダ、はんだ（ろう）等の全ての無機接合剤を使用するこ
とができる。また、有機系の接合剤としては、以下のも
のが用いられる。例えば、酢酸ビニル樹脂、メタフリル
酸メチル、アクリル酸エステル等のエマルジョン接着
剤、クロロプレンゴム等のコンタクト接着剤、エピクロ
ルヒドリン＋ビスフェノールＡ等のエポキシ接着剤、ア
クリル系、エポキシ系、ポリエン・チオール系等の光硬
化型接着剤、尿素＋ホルマリン等のユリア樹脂接着剤、
フェノール＋ホルマリン等のフェノール系接着剤、エチ
レン＋酢酸ビニル等のホットメルト接着剤、メタクリル
酸エステル等の嫌気性接着剤、アルファシアノアクリル
酸エステル等の瞬間接着剤、トリレジンイソシアナート
等のウレタン樹脂接着剤、シリコーンゴム等のシリコー
ン樹脂接着剤等のあらゆる接着剤である。なお、これら
の接合剤も電気回路用基板を構成する層材の種類などに
応じて決定されるものである。
【００１２】また、本発明の他の態様においては、電気
回路用基板の接合面の中央部に金属系硬質加熱接合剤、
周辺部に軟質加熱接合剤を塗布する。このように、接合
剤を塗布することにより、周辺部の軟質接合剤が熱歪を
吸収して、電気回路用基板の撓みを低減することができ
る。硬質接合剤あるいは軟質接合剤の硬度は、例えば固
化状態をビッカース硬度で評価する。硬質接合剤として
は、無機系接合剤においては融点の高いもの、有機系接
合剤においては、数平均分子量の大きなものを選定する
と好適である。また、軟質接合剤としては、低融点、低
数平均分子量のものを選定すれば効果的である。特に、
接合剤としてはんだを用いる場合は、硬質はんだとして
Ａｕ−Ｓｉ合金はんだ等を、軟質はんだとしてＩｎ系は
んだ等を選定すればよい。本発明の適用範囲として、前
述の疎密分布にこの硬軟接合剤の塗布方法を組み合わせ
る例も包含されることは当然のことである。
回路用基板の接合面の中央部に金属系硬質加熱接合剤、
周辺部に軟質加熱接合剤を塗布する。このように、接合
剤を塗布することにより、周辺部の軟質接合剤が熱歪を
吸収して、電気回路用基板の撓みを低減することができ
る。硬質接合剤あるいは軟質接合剤の硬度は、例えば固
化状態をビッカース硬度で評価する。硬質接合剤として
は、無機系接合剤においては融点の高いもの、有機系接
合剤においては、数平均分子量の大きなものを選定する
と好適である。また、軟質接合剤としては、低融点、低
数平均分子量のものを選定すれば効果的である。特に、
接合剤としてはんだを用いる場合は、硬質はんだとして
Ａｕ−Ｓｉ合金はんだ等を、軟質はんだとしてＩｎ系は
んだ等を選定すればよい。本発明の適用範囲として、前
述の疎密分布にこの硬軟接合剤の塗布方法を組み合わせ
る例も包含されることは当然のことである。
【００１３】「実験例１」 ＮｉメッキしたＡｌ製の６０×１１×０．５ｍｍのヒー
トシンクにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）製の４８×１２×
０．６５ｍｍのハイブリッドＩＣ基板を接合した。接合
は、Ｉｎはんだを用い、図３に示すような２×２ｍｍの
モザイク状（Ａ）および図４に示すような２×１１ｍｍ
のバーコード状（Ｂ）に配して、中央部を密に、周辺部
を疎となるようにした。Ｂにおいてはバーコードの間隔
は２ｍｍおよび１５ｍｍとした。また、比較例として、
上記と全く同じＨＩＣ基板を、はんだに疎密分布を与え
ずに均一分布として作製した。図５にその分布状態
（Ｃ）を示す。上記３枚のハイブリッドＩＣ基板を６時
間室温にて放置し、残留応力を緩和させた後、その反り
を３次元測定器にて測定した。また、３点曲試験にて剥
離試験を行った。その結果を表１に示す。この結果、反
りは均一分布のサンプルＣに比べ、モザイク状Ａでは約
１／３、バーコード状Ｂでは約１／８に低減した。ま
た、曲げ試験による破壊モードはすべて基板割れであ
り、接合部での剥離は認められず、ＨＩＣ基板を保持す
るに十分な接合がなされている。
トシンクにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）製の４８×１２×
０．６５ｍｍのハイブリッドＩＣ基板を接合した。接合
は、Ｉｎはんだを用い、図３に示すような２×２ｍｍの
モザイク状（Ａ）および図４に示すような２×１１ｍｍ
のバーコード状（Ｂ）に配して、中央部を密に、周辺部
を疎となるようにした。Ｂにおいてはバーコードの間隔
は２ｍｍおよび１５ｍｍとした。また、比較例として、
上記と全く同じＨＩＣ基板を、はんだに疎密分布を与え
ずに均一分布として作製した。図５にその分布状態
（Ｃ）を示す。上記３枚のハイブリッドＩＣ基板を６時
間室温にて放置し、残留応力を緩和させた後、その反り
を３次元測定器にて測定した。また、３点曲試験にて剥
離試験を行った。その結果を表１に示す。この結果、反
りは均一分布のサンプルＣに比べ、モザイク状Ａでは約
１／３、バーコード状Ｂでは約１／８に低減した。ま
た、曲げ試験による破壊モードはすべて基板割れであ
り、接合部での剥離は認められず、ＨＩＣ基板を保持す
るに十分な接合がなされている。
【００１４】
【表１】
【００１５】「実験例２」 実験例１の図３に示すモザイク状配列の中央部密分布の
部分のはんだを、硬質はんだであるＰｂ−Ｉｎ−Ａｇ
に、周辺部疎分布の部分を、軟質はんだであるＩｎに、
それぞれ変更した他は同一の基板を用い、同様の測定方
法によりこのサンプルの評価を行った。その結果、実験
例１の全面Ｉｎはんだを使用して疎密分布を与えたサン
プルＡと比較して反りは低減した。
部分のはんだを、硬質はんだであるＰｂ−Ｉｎ−Ａｇ
に、周辺部疎分布の部分を、軟質はんだであるＩｎに、
それぞれ変更した他は同一の基板を用い、同様の測定方
法によりこのサンプルの評価を行った。その結果、実験
例１の全面Ｉｎはんだを使用して疎密分布を与えたサン
プルＡと比較して反りは低減した。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、積層体構造の電気回路用基板
の貼り合わせ界面に塗布する接合剤に疎密分布を与え、
かつ硬質および軟質接合剤を使い分けることにより、反
りや撓み等の変形および剥離や割れ等の破壊のおこらな
い電気回路用基板を与えることができる。
の貼り合わせ界面に塗布する接合剤に疎密分布を与え、
かつ硬質および軟質接合剤を使い分けることにより、反
りや撓み等の変形および剥離や割れ等の破壊のおこらな
い電気回路用基板を与えることができる。
【図１】本発明に係る電気回路用基板において接合面に
塗布される接合剤の疎密分布をドット状に配した場合の
平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。
塗布される接合剤の疎密分布をドット状に配した場合の
平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明方法において、発熱素子直下の接合剤密
度をその周辺より高めた場合の電気回路用基板の断面図
（Ａ）、および、その接合剤分布を示す平面図（Ｂ）で
ある。
度をその周辺より高めた場合の電気回路用基板の断面図
（Ａ）、および、その接合剤分布を示す平面図（Ｂ）で
ある。
【図３】本発明方法において、発熱素子直下の接合剤密
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
【図４】本発明方法において、発熱素子直下の接合剤密
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
【図５】本発明方法において、発熱素子直下の接合剤密
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
度をその周辺より高めた場合のその接合剤分布を示す平
面図である。
１１ ハイブリッドＩＣ基板、１２ ヒートシンク、１
３ はんだ。
３ はんだ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭55−42523（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 H01L 23/12 - 23/14 H05K 1/03
Claims (5)
- 【請求項１】 熱膨張係数が異なる少なくとも２つの層
が加熱接合剤を介して接合される積層体構造の電気回路
用基板において、 上記加熱接合剤は、その密度が上記２層の接合面の第１
の部分で密に、この第１の部分とは異なる第２の部分で
疎となるように、分布させたことを特徴とする電気回路
用基板。 - 【請求項２】 上記第１の部分は上記接合面の中央部で
あり、上記第２の部分は上記接合面の周辺部である請求
項１に記載の電気回路用基板。 - 【請求項３】 上記電気回路用基板は回路素子部品を搭
載するとともに、上記接合面にあってこの回路素子部品
搭載部分に対応する部分を上記第１の部分とし、非搭載
部分を上記第２の部分とした請求項１に記載の電気回路
用基板。 - 【請求項４】 熱膨張係数が異なる２つの層を加熱接合
剤を介して接合することにより、少なくとも２層からな
る積層体構造の電気回路用基板を製造する電気回路用基
板の製造方法において、 上記加熱接合剤を、上記２層の接合面の中央部で密に、
周辺部で疎となるように分布させることを特徴とする電
気回路用基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記接合面の中央部に硬質の加熱接合剤
を、その周辺部に金属系加熱接合剤を配する請求項４に
記載の電気回路用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04194936A JP3077399B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04194936A JP3077399B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH068366A JPH068366A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3077399B2 true JP3077399B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16332807
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04194936A Expired - Fee Related JP3077399B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077399B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP4702294B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2011-06-15 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール |
| DE102013217348A1 (de) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 3D-Micromac Ag | Verfahren und System zum Herstellen eines Mehrschichtelements sowie Mehrschichtelement |
| JP7360019B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-10-12 | 横浜ゴム株式会社 | 接合体、及び基材の接合方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP04194936A patent/JP3077399B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH068366A (ja) | 1994-01-18 |
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