JP3076872B2 - 固体電解コンデンサ製造用支持電解質組成物 - Google Patents
固体電解コンデンサ製造用支持電解質組成物Info
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- JP3076872B2 JP3076872B2 JP63322435A JP32243588A JP3076872B2 JP 3076872 B2 JP3076872 B2 JP 3076872B2 JP 63322435 A JP63322435 A JP 63322435A JP 32243588 A JP32243588 A JP 32243588A JP 3076872 B2 JP3076872 B2 JP 3076872B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電解重合法により固体電解質層を形成する
際に用いられる固体電解コンデンサ製造用支持電解質組
成物に関する。
際に用いられる固体電解コンデンサ製造用支持電解質組
成物に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点） 従来、固体電解コンデンサとして、アルミニウム、タ
ンタル等の金属を陽極体とし、その陽極体表面を酸化し
て形成した酸化金属皮膜上にピロール、チオフエン、ア
ニリン等の重合体を電解重合により、導電性高分子ポリ
マー膜を形成したものが知られている。また、これらの
電解重合には、一般的にドーパントになり得る支持電解
質（ClO4 -、BF4 -、PF6 -、ｐ−トルエンスルホン酸、AsF
6等のテトラアルキルアンモニウム塩）が使用されてい
るが、これらの塩は電気化学的に活性な電極（Pt、Au、
Ｃなど）についてのみ、使用できるものであって、Al2O
3のような電極を用いると溶解反応電流が流れ、電極上
での重合反応は進行しない。
ンタル等の金属を陽極体とし、その陽極体表面を酸化し
て形成した酸化金属皮膜上にピロール、チオフエン、ア
ニリン等の重合体を電解重合により、導電性高分子ポリ
マー膜を形成したものが知られている。また、これらの
電解重合には、一般的にドーパントになり得る支持電解
質（ClO4 -、BF4 -、PF6 -、ｐ−トルエンスルホン酸、AsF
6等のテトラアルキルアンモニウム塩）が使用されてい
るが、これらの塩は電気化学的に活性な電極（Pt、Au、
Ｃなど）についてのみ、使用できるものであって、Al2O
3のような電極を用いると溶解反応電流が流れ、電極上
での重合反応は進行しない。
そこで、電解重合時の電解液中の支持塩として、シュ
ウ酸、アジピン酸の水系での電解、ボロジサリチル酸ア
ンモニウム／水系の電解が提案されたが、これら水系で
の電解はモノマーが溶媒に難溶性であり、化成性が
高いので重合反応を起こすのに必要な電流が流れないな
どの問題点がある。
ウ酸、アジピン酸の水系での電解、ボロジサリチル酸ア
ンモニウム／水系の電解が提案されたが、これら水系で
の電解はモノマーが溶媒に難溶性であり、化成性が
高いので重合反応を起こすのに必要な電流が流れないな
どの問題点がある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
のであり、弁金属酸化物皮膜層上に電解重合法によりポ
リマー膜からなる固体電解質層を形成する際に使用され
る好適な固体電解コンデンサ製造用支持塩を提供するも
のであり、支持塩として下記一般式で表わされる芳香族
オキシカルボン酸の硼素錯体の４級アンモニウム塩を提
供する。
のであり、弁金属酸化物皮膜層上に電解重合法によりポ
リマー膜からなる固体電解質層を形成する際に使用され
る好適な固体電解コンデンサ製造用支持塩を提供するも
のであり、支持塩として下記一般式で表わされる芳香族
オキシカルボン酸の硼素錯体の４級アンモニウム塩を提
供する。
（ただし、R,R′は水素、アルキル基、水酸基、アミノ
基又はカルボキシル基で、かつR,R′は同一又は異なる
置換基である。Ｒ″は水素、炭素数１〜５のアルキル基
又はＲ″が共に結合して環状アンモニウムを形成するも
のである。） 上記本発明の４級アンモニウム塩からなる支持塩は、
非水系での重合が可能であり、化成物の主因である水の
影響を排除することができるため、重合がスムーズに進
行する利点がある。
基又はカルボキシル基で、かつR,R′は同一又は異なる
置換基である。Ｒ″は水素、炭素数１〜５のアルキル基
又はＲ″が共に結合して環状アンモニウムを形成するも
のである。） 上記本発明の４級アンモニウム塩からなる支持塩は、
非水系での重合が可能であり、化成物の主因である水の
影響を排除することができるため、重合がスムーズに進
行する利点がある。
上記本発明において提供される支持塩の、アニオン側
の芳香族オキシカルボン酸の硼素錯体として好ましい例
は、ボロジ−Ｎ−アミノサリチル酸（Ｎ＝3,4又は
５）、ボロジクレゾチン酸、ボロジ−２−ヒドロキシ−
Ｎ−フェニル安息香酸（Ｎ＝3,4,5又は６）、ボロジサ
リチル酸、ボロジ−２−Ｎ−ジオキシ安息香酸（Ｎ＝3,
4,5又は６）等が挙げられる。
の芳香族オキシカルボン酸の硼素錯体として好ましい例
は、ボロジ−Ｎ−アミノサリチル酸（Ｎ＝3,4又は
５）、ボロジクレゾチン酸、ボロジ−２−ヒドロキシ−
Ｎ−フェニル安息香酸（Ｎ＝3,4,5又は６）、ボロジサ
リチル酸、ボロジ−２−Ｎ−ジオキシ安息香酸（Ｎ＝3,
4,5又は６）等が挙げられる。
以上の構造式は第１表に例記する。
また、カチオン側の４級アンモニウムイオンとして
は、アルキルアンモニウム、例えばテトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のテトラアルキル
アンモニウム、N,N−ジメチルピペリジウム、N,N−ジメ
チルピロリジニウム、Ｎ−メチルルチジニウム等の環状
アンモニウムが挙げられる。
は、アルキルアンモニウム、例えばテトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のテトラアルキル
アンモニウム、N,N−ジメチルピペリジウム、N,N−ジメ
チルピロリジニウム、Ｎ−メチルルチジニウム等の環状
アンモニウムが挙げられる。
また、電解重合により形成される固体電解質のポリマ
ー膜を構成する電導性高分子化合物としては、ポリアセ
チレン、ポリピロール、ポリチオフエン、ポリシアノア
セチレン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、
ポリアニリン、ポリフタロシアニン、ポリアズレン等非
ベンゼン系芳香族化合物、及びこれらのポリマーを構成
するモノマーの誘導体の重合体等が挙げられる。
ー膜を構成する電導性高分子化合物としては、ポリアセ
チレン、ポリピロール、ポリチオフエン、ポリシアノア
セチレン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、
ポリアニリン、ポリフタロシアニン、ポリアズレン等非
ベンゼン系芳香族化合物、及びこれらのポリマーを構成
するモノマーの誘導体の重合体等が挙げられる。
（実施例） 以下に、実施例にて本発明を具体的に説明する。
なお、以下のいずれの実施例並びに比較例について
も、3cm×5cm、厚さ100μｍの高純度アルミニウム箔に
エッチング処理を行い、このアルミニウムを35Vの電圧
でリン酸溶液中で陽極酸化を行って表面に酸化アルミニ
ウムの誘電体層を形成した化成箔を、陽極として共通に
用いた。
も、3cm×5cm、厚さ100μｍの高純度アルミニウム箔に
エッチング処理を行い、このアルミニウムを35Vの電圧
でリン酸溶液中で陽極酸化を行って表面に酸化アルミニ
ウムの誘電体層を形成した化成箔を、陽極として共通に
用いた。
陰極には、容器を使用して３〜15mA/cm2の電流密度で
１時間電解重合を行った。次いで洗浄、乾燥後、カーボ
ンペーストと銀ペーストで陰極リードを引き出し、樹脂
封止した。
１時間電解重合を行った。次いで洗浄、乾燥後、カーボ
ンペーストと銀ペーストで陰極リードを引き出し、樹脂
封止した。
実施例1: 0.1mol/ボロジサリチル酸N,N−ジメチルピペリジウ
ム塩、0.05mol/ピロールのアセトニトリル溶液中で10
mA/cm2の電流密度で１時間電解重合した。
ム塩、0.05mol/ピロールのアセトニトリル溶液中で10
mA/cm2の電流密度で１時間電解重合した。
実施例2: 0.05mol/ボロジレゾルシル酸テトラｎ−ブチルアン
モニウム、0.05mol/３メチルピロールのジメチルホル
ムアルデヒド溶液中で10mA/cm2の電流密度で１時間電解
重合した。
モニウム、0.05mol/３メチルピロールのジメチルホル
ムアルデヒド溶液中で10mA/cm2の電流密度で１時間電解
重合した。
実施例3: 0.1mol/ボロジクレゾチン酸N,N−ジメチルピロリジ
ウム塩、0.05mol/アズレンのテトラヒドロフラン溶液
中で7mA/cm2の電流密度で１時間電解重合した。
ウム塩、0.05mol/アズレンのテトラヒドロフラン溶液
中で7mA/cm2の電流密度で１時間電解重合した。
比較例1: 0.1mol/シュウ酸、0.5mol/ピロールの水溶液中で
電解したが、重合に必要な電流が流れなく、膜が成長し
なかった。
電解したが、重合に必要な電流が流れなく、膜が成長し
なかった。
以上の結果を下記第２表、第３表に示す。なお、第２
表は初期の値、第３表は110℃、10V、2000時間の寿命試
験実施後の値である。
表は初期の値、第３表は110℃、10V、2000時間の寿命試
験実施後の値である。
第２表、第３表からみて、本発明実施例により得られ
る固体電解コンデンサは熱安定性及び耐久性のすぐれた
ものであることが判る。
る固体電解コンデンサは熱安定性及び耐久性のすぐれた
ものであることが判る。
（発明の効果） 以上詳細に説明した通り、本発明の電解重合用支持塩
を使用すれば、有機溶媒への溶解度が高いので電解重合
反応が進行し易く、よって得られる固体電解コンデンサ
は優れた熱安定性と電気的特性を有するものとなる。
を使用すれば、有機溶媒への溶解度が高いので電解重合
反応が進行し易く、よって得られる固体電解コンデンサ
は優れた熱安定性と電気的特性を有するものとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 達紀 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１ 日本ケミコン株式会社内 (72)発明者 横山 豊 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１ 日本ケミコン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−58818（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−32621（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−21913（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】弁金属酸化物皮膜層上に、電解重合法によ
り固体電解質層を形成する際に用いられる下記一般式で
表わされる芳香族オキシカルボン酸の硼素錯体の４級ア
ンモニウム塩からなる固体電解コンデンサ製造用支持電
解質組成物。 （ただし、R,R′は水素、アルキル基、水酸基、アミノ
基又はカルボキシル基で、かつR,R′は同一又は異なる
置換基である。Ｒ″は水素、炭素数１〜５のアルキル基
又はＲ″が共に結合して環状アンモニウムを形成するも
のである。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322435A JP3076872B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサ製造用支持電解質組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322435A JP3076872B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサ製造用支持電解質組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166713A JPH02166713A (ja) | 1990-06-27 |
| JP3076872B2 true JP3076872B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18143640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322435A Expired - Fee Related JP3076872B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサ製造用支持電解質組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076872B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288009B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-09-11 | Basf Corporation | Plant growth regulator compositions |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322435A patent/JP3076872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02166713A (ja) | 1990-06-27 |
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|---|---|---|---|
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