JP3071013B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ素子か
らの出射光を光情報記録媒体上に微小なスポット光とし
て照射させ、情報の記録，再生あるいは消去を行う光ピ
ックアップ装置に関する。
らの出射光を光情報記録媒体上に微小なスポット光とし
て照射させ、情報の記録，再生あるいは消去を行う光ピ
ックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の光ピックアップ装置に
おいて、例えば光ディスクのような光情報記録媒体から
の反射光は、入射光と分離され分割受光素子に導かれ
て、スポット光とトラック位置とのずれを示すトラック
エラー信号として出力される。
おいて、例えば光ディスクのような光情報記録媒体から
の反射光は、入射光と分離され分割受光素子に導かれ
て、スポット光とトラック位置とのずれを示すトラック
エラー信号として出力される。
【０００３】図６は、一般の光ピックアップ装置の光学
系を示すものであり、半導体レーザ素子１からの出射光
はカップリングレンズ２により平行光束にされ、ビーム
スプリッタ３，１／４波長板４を透過し対物レンズ５に
より集光され、光ディスク６の記録層上に直径１μｍ程
度の微小なスポット光を形成する。
系を示すものであり、半導体レーザ素子１からの出射光
はカップリングレンズ２により平行光束にされ、ビーム
スプリッタ３，１／４波長板４を透過し対物レンズ５に
より集光され、光ディスク６の記録層上に直径１μｍ程
度の微小なスポット光を形成する。
【０００４】光ディスク６からの反射光は、対物レンズ
５により平行光束にされて１／４波長板４を透過し、ビ
ームスプリッタ３により直角に反射されて入射光と分離
された後、集光レンズ７により収斂され、その収斂光束
１０のほぼ半分を第１の２分割受光素子８で受光してト
ラックエラー信号として出力し、残りの光束は集光点に
配設した第２の２分割受光素子９で受光して焦点信号と
して出力する。図７は上記の収斂光束１０により第１の
２分割受光素子８の受光面８ａ，８ｂが受光する受光部
８ａ′，８ｂ′を示すものである。
５により平行光束にされて１／４波長板４を透過し、ビ
ームスプリッタ３により直角に反射されて入射光と分離
された後、集光レンズ７により収斂され、その収斂光束
１０のほぼ半分を第１の２分割受光素子８で受光してト
ラックエラー信号として出力し、残りの光束は集光点に
配設した第２の２分割受光素子９で受光して焦点信号と
して出力する。図７は上記の収斂光束１０により第１の
２分割受光素子８の受光面８ａ，８ｂが受光する受光部
８ａ′，８ｂ′を示すものである。
【０００５】図８は、光ディスク６の記録層上に形成さ
れるスポット光の位置と、それに対応して第１の２分割
受光素子８の受光面８ａ，８ｂ上に形成される受光部の
光強度分布を示すものであり、受光面８ａ，８ｂからの
出力Ａ，Ｂの差信号によりトラックエラー信号を得るこ
とができる。
れるスポット光の位置と、それに対応して第１の２分割
受光素子８の受光面８ａ，８ｂ上に形成される受光部の
光強度分布を示すものであり、受光面８ａ，８ｂからの
出力Ａ，Ｂの差信号によりトラックエラー信号を得るこ
とができる。
【０００６】いま、対物レンズ５によって集光されるス
ポット光が光ディスク６の記録層の情報トラック１１上
に正確に形成されている図８の（ａ）に示す状態では、
受光面８ａ，８ｂが受光する光強度分布は、情報トラッ
ク１１と平行な分割線８ｃに関して対称となり、その時
の各受光量Ａ，ＢはＡ＝Ｂとなる。
ポット光が光ディスク６の記録層の情報トラック１１上
に正確に形成されている図８の（ａ）に示す状態では、
受光面８ａ，８ｂが受光する光強度分布は、情報トラッ
ク１１と平行な分割線８ｃに関して対称となり、その時
の各受光量Ａ，ＢはＡ＝Ｂとなる。
【０００７】図８の（ｂ）は、光ディスク６の記録層上
に形成されるスポット光の位置が情報トラック１１上か
らずれ、受光面８ａ，８ｂが受光する光強度が分割線８
ｃに関して非対称となり、Ａ＞Ｂとなった状態を示すも
のである。
に形成されるスポット光の位置が情報トラック１１上か
らずれ、受光面８ａ，８ｂが受光する光強度が分割線８
ｃに関して非対称となり、Ａ＞Ｂとなった状態を示すも
のである。
【０００８】図９は、スポット光が情報トラック１１を
横切った時のトラックエラー信号の状態を示すものであ
る。正常なトラックエラー信号は同図の（ａ）に示すよ
うに、０Ｖレベルを中心とした上下対称なｓｉｎ曲線を
示している。同図の（ｂ）は半導体レーザ素子１が正規
の状態から傾いてカップリングレンズ２を透過した平行
光束の強度中心と対物レンズ５の中心が一致しない状態
を示し、この状態ではトラックエラー信号にオフセット
ｘが生じトラックエラー信号に誤差が発生して、正常な
トラッキングを行うことができなくなる場合がある。
横切った時のトラックエラー信号の状態を示すものであ
る。正常なトラックエラー信号は同図の（ａ）に示すよ
うに、０Ｖレベルを中心とした上下対称なｓｉｎ曲線を
示している。同図の（ｂ）は半導体レーザ素子１が正規
の状態から傾いてカップリングレンズ２を透過した平行
光束の強度中心と対物レンズ５の中心が一致しない状態
を示し、この状態ではトラックエラー信号にオフセット
ｘが生じトラックエラー信号に誤差が発生して、正常な
トラッキングを行うことができなくなる場合がある。
【０００９】このように、半導体レーザ素子１の傾きに
よりトラックエラー信号にオフセットが生じる原因とし
ては、次のような場合が考えられる。すなわち、一般に
半導体レーザ光の強度ピークＰは図１０に示すように半
導体レーザ素子１の取付基準位置から最大３°のずれを
有するものとされている。いま、半導体レーザ光の強度
ピークがその取付基準位置から角度θずれると、図１１
に示すように平行光の光強度ピークＰの光軸Ｌからのず
れ量Δは、カップリングレンズ２の焦点距離をｆとする
と次式で表わすことができる。 Δ＝ｆ×ｓｉｎθ
よりトラックエラー信号にオフセットが生じる原因とし
ては、次のような場合が考えられる。すなわち、一般に
半導体レーザ光の強度ピークＰは図１０に示すように半
導体レーザ素子１の取付基準位置から最大３°のずれを
有するものとされている。いま、半導体レーザ光の強度
ピークがその取付基準位置から角度θずれると、図１１
に示すように平行光の光強度ピークＰの光軸Ｌからのず
れ量Δは、カップリングレンズ２の焦点距離をｆとする
と次式で表わすことができる。 Δ＝ｆ×ｓｉｎθ
【００１０】ここで、θ＝３°,ｆ＝１５mmとすると、
Δ＝１５×ｓｉｎ３°＝０.７８５mm、すなわち、平行
光の強度ピークＰの光軸Ｌからのずれ量は７８５μｍと
なる。
Δ＝１５×ｓｉｎ３°＝０.７８５mm、すなわち、平行
光の強度ピークＰの光軸Ｌからのずれ量は７８５μｍと
なる。
【００１１】従来、光ピックアップ装置の組付における
トラックエラー検出用の２分割受光素子８の調整方法と
しては、図１２に示すように、光ディスク６の情報トラ
ックが存在しない部分から受光面８ａ，８ｂが受光する
反射光の強度分布が等しくなるよう、すなわち、受光面
８ａ，８ｂの出力Ａ，ＢがＡ＝Ｂになるように第１の２
分割受光素子８の取付位置を調整していた。
トラックエラー検出用の２分割受光素子８の調整方法と
しては、図１２に示すように、光ディスク６の情報トラ
ックが存在しない部分から受光面８ａ，８ｂが受光する
反射光の強度分布が等しくなるよう、すなわち、受光面
８ａ，８ｂの出力Ａ，ＢがＡ＝Ｂになるように第１の２
分割受光素子８の取付位置を調整していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光ピックアップ装置にあっては、上記の調整
を行う時、図１１に示すように平行光の強度ピークＰが
対物レンズ５の光軸Ｌからずれている場合には、両受光
面の出力がＡ＝Ｂであっても、図１２に示すように第１
の２分割受光素子８の分割線８ｃが所定の位置からずれ
てしまうという問題点がある。
うな従来の光ピックアップ装置にあっては、上記の調整
を行う時、図１１に示すように平行光の強度ピークＰが
対物レンズ５の光軸Ｌからずれている場合には、両受光
面の出力がＡ＝Ｂであっても、図１２に示すように第１
の２分割受光素子８の分割線８ｃが所定の位置からずれ
てしまうという問題点がある。
【００１３】したがって、上記のように調整された光ピ
ックアップ装置を用いて対物レンズ５によるスポット光
を情報トラック上に形成させると、トラックエラーがな
い状態でも、図１３に示すようにＡ＞Ｂとなり、逆にト
ラックエラーがある状態でもＡ＝Ｂとなってトラックエ
ラー信号に誤差が発生する。
ックアップ装置を用いて対物レンズ５によるスポット光
を情報トラック上に形成させると、トラックエラーがな
い状態でも、図１３に示すようにＡ＞Ｂとなり、逆にト
ラックエラーがある状態でもＡ＝Ｂとなってトラックエ
ラー信号に誤差が発生する。
【００１４】図１４は、半導体レーザ素子１の傾きとト
ラック制御信号誤差との関係を示すものであり、半導体
レーザ素子１の傾き１°につきトラック制御信号誤差が
０.０３μｍ生じることが分る。一般にトラック制御信
号誤差は０.０１μｍ 以下にする必要があるので、光ピ
ックアップ装置内の光学系の光軸Ｌと半導体レーザ素子
１からの光出射方向との傾きを２０′以下に調整しなけ
ればならない。
ラック制御信号誤差との関係を示すものであり、半導体
レーザ素子１の傾き１°につきトラック制御信号誤差が
０.０３μｍ生じることが分る。一般にトラック制御信
号誤差は０.０１μｍ 以下にする必要があるので、光ピ
ックアップ装置内の光学系の光軸Ｌと半導体レーザ素子
１からの光出射方向との傾きを２０′以下に調整しなけ
ればならない。
【００１５】この発明は上記の点に鑑みてなされたもの
であり、トラック制御信号の誤差を排除して安定な記
録，再生あるいは消去を行うことが可能な光ピックアッ
プ装置を提供することを目的とする。
であり、トラック制御信号の誤差を排除して安定な記
録，再生あるいは消去を行うことが可能な光ピックアッ
プ装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、半導体レーザ素子からの出射光をカップ
リングレンズにより平行光束としてビームスプリッタを
透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体上に
微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あるい
は消去を行う光ピックアップ装置において、上記半導体
レーザ素子からの出射光の前記カップリングレンズに入
射する光束より外側の光束を複数の受光面を有する分割
受光素子で受光し、その出力に基づいて上記半導体レー
ザ素子の傾きを調整する調整手段を設けた光ピックアッ
プ装置を提供するものである。
達成するため、半導体レーザ素子からの出射光をカップ
リングレンズにより平行光束としてビームスプリッタを
透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体上に
微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あるい
は消去を行う光ピックアップ装置において、上記半導体
レーザ素子からの出射光の前記カップリングレンズに入
射する光束より外側の光束を複数の受光面を有する分割
受光素子で受光し、その出力に基づいて上記半導体レー
ザ素子の傾きを調整する調整手段を設けた光ピックアッ
プ装置を提供するものである。
【００１７】また、半導体レーザ素子からの出射光をカ
ップリングレンズにより平行光束としてビームスプリッ
タを透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体
上に微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あ
るいは消去を行う光ピックアップ装置において、上記半
導体レーザ素子からの出射光の上記カップリングレンズ
に入射する光束より外側の光束を上記カップリングレン
ズの外周部に設けたミラーで反射させ、その反射光を複
数の受光面を有する分割受光素子で受光し、その出力に
基づいて上記半導体レーザ素子の傾きを調整する調整手
段を設けた光ピックアップ装置も提供する。
ップリングレンズにより平行光束としてビームスプリッ
タを透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体
上に微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あ
るいは消去を行う光ピックアップ装置において、上記半
導体レーザ素子からの出射光の上記カップリングレンズ
に入射する光束より外側の光束を上記カップリングレン
ズの外周部に設けたミラーで反射させ、その反射光を複
数の受光面を有する分割受光素子で受光し、その出力に
基づいて上記半導体レーザ素子の傾きを調整する調整手
段を設けた光ピックアップ装置も提供する。
【００１８】なお、上記のミラーを有する光ピックアッ
プ装置において、ミラーはカップリングレンズと一体で
成形したモールド品であるようにするのが好ましく、さ
らに、これらの光ピックアップ装置において、上記分割
受光素子からの出力に基づいて上記半導体レーザ素子の
出力を制御する制御手段を設けることも可能である。
プ装置において、ミラーはカップリングレンズと一体で
成形したモールド品であるようにするのが好ましく、さ
らに、これらの光ピックアップ装置において、上記分割
受光素子からの出力に基づいて上記半導体レーザ素子の
出力を制御する制御手段を設けることも可能である。
【００１９】
【作用】この発明による光ピックアップ装置は上記のよ
うに構成することにより、分割受光素子の差信号で半導
体レーザ素子の出射角のずれを検出することができ、そ
のずれを調整することによりトラックエラー信号の誤差
を排除することが可能になる。また、上記分割受光素子
がカップリングレンズに入射する光束より外側の光束を
受光するようにしたので、半導体レーザ素子の出射光の
すべてを有効に利用することができる。
うに構成することにより、分割受光素子の差信号で半導
体レーザ素子の出射角のずれを検出することができ、そ
のずれを調整することによりトラックエラー信号の誤差
を排除することが可能になる。また、上記分割受光素子
がカップリングレンズに入射する光束より外側の光束を
受光するようにしたので、半導体レーザ素子の出射光の
すべてを有効に利用することができる。
【００２０】そして、その分割受光素子が、カップリン
グレンズの外周部に設けたミラーからの反射光を受光す
るようにしたものは、通常用いられている安価な受光素
子を用いることができ、そのミラーをカップリングレン
ズと一体に成形すると、生産性良好で光ピックアップ装
置を安価に供給することができる。
グレンズの外周部に設けたミラーからの反射光を受光す
るようにしたものは、通常用いられている安価な受光素
子を用いることができ、そのミラーをカップリングレン
ズと一体に成形すると、生産性良好で光ピックアップ装
置を安価に供給することができる。
【００２１】また、上記の光ピックアップ装置におい
て、上記分割受光素子の出力に基づいて半導体レーザ素
子の出力をも制御するようにすれば、別個にモニタ用の
受光素子を設ける必要がなくなる。
て、上記分割受光素子の出力に基づいて半導体レーザ素
子の出力をも制御するようにすれば、別個にモニタ用の
受光素子を設ける必要がなくなる。
【００２２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明するが、全体の光学系は図６に示した構成と
同様であるので、以下の図面ではそれと異なる構成から
なる光学系だけを示すものとする。図１はこの発明の一
実施例の要部光学系を示す構成並びに光路図、図２は半
導体レーザ素子１の出射光の光強度分布を示す線図であ
る。
体的に説明するが、全体の光学系は図６に示した構成と
同様であるので、以下の図面ではそれと異なる構成から
なる光学系だけを示すものとする。図１はこの発明の一
実施例の要部光学系を示す構成並びに光路図、図２は半
導体レーザ素子１の出射光の光強度分布を示す線図であ
る。
【００２３】この実施例では、カップリングレンズ２か
ら対物レンズ５に至る平行光束内に光軸Ｌを中心とする
同図の（ｂ）に示すようなリング状の２分割受光素子１
２を設け、その受光面を分割線１２ｃによってほぼ等分
に２分割して一対の受光面１２ａ，１２ｂを形成し、対
物レンズ５に入射する光束より外側の管状の光束を受光
面１２ａ，１２ｂによって受光させるようにした。
ら対物レンズ５に至る平行光束内に光軸Ｌを中心とする
同図の（ｂ）に示すようなリング状の２分割受光素子１
２を設け、その受光面を分割線１２ｃによってほぼ等分
に２分割して一対の受光面１２ａ，１２ｂを形成し、対
物レンズ５に入射する光束より外側の管状の光束を受光
面１２ａ，１２ｂによって受光させるようにした。
【００２４】半導体レーザ素子１からの出射光は、カッ
プリングレンズ２により平行光束とされ、その中心部の
光束は対物レンズ５により集光されて光ディスク６の記
録層上に微小なスポット光を形成し、その外側の光束は
２分割受光素子１２の受光面１２ａ，１２ｂによって受
光される。この受光面１２ａ，１２ｂによって受光され
る光束は、図２に示す光強度分布曲線の斜線を付した部
分１ａ，１ｂに相当し、部分１ａは受光面１２ａによ
り、部分１ｂは受光面１２ｂによりそれぞれ受光され
る。
プリングレンズ２により平行光束とされ、その中心部の
光束は対物レンズ５により集光されて光ディスク６の記
録層上に微小なスポット光を形成し、その外側の光束は
２分割受光素子１２の受光面１２ａ，１２ｂによって受
光される。この受光面１２ａ，１２ｂによって受光され
る光束は、図２に示す光強度分布曲線の斜線を付した部
分１ａ，１ｂに相当し、部分１ａは受光面１２ａによ
り、部分１ｂは受光面１２ｂによりそれぞれ受光され
る。
【００２５】半導体レーザ素子１からの出射光の方向が
光軸Ｌに平行であると、各受光面１２ａ，１２ｂからの
出力Ｓ１２ａ，Ｓ１２ｂは等しい。ここで、半導体レー
ザ素子１の出射光の傾き信号をＴとすると、Ｔ＝Ｓ１２
ａ−Ｓ１２ｂ＝０となる。半導体レーザ素子１の出射光
が傾いていると、受光面１２ａ，１２ｂに投光される部
分の面積が異なり、出力Ｓ１２ａ≠Ｓ１２ｂ，Ｔ≠０と
なる。したがって、この傾き信号Ｔがゼロとなるよう
に、図示しない公知の傾き調整手段により半導体レーザ
素子１の傾きを調整すればよい。
光軸Ｌに平行であると、各受光面１２ａ，１２ｂからの
出力Ｓ１２ａ，Ｓ１２ｂは等しい。ここで、半導体レー
ザ素子１の出射光の傾き信号をＴとすると、Ｔ＝Ｓ１２
ａ−Ｓ１２ｂ＝０となる。半導体レーザ素子１の出射光
が傾いていると、受光面１２ａ，１２ｂに投光される部
分の面積が異なり、出力Ｓ１２ａ≠Ｓ１２ｂ，Ｔ≠０と
なる。したがって、この傾き信号Ｔがゼロとなるよう
に、図示しない公知の傾き調整手段により半導体レーザ
素子１の傾きを調整すればよい。
【００２６】なお、２分割受光素子１２は、複数の受光
面を有する受光素子であって対物レンズ光束より外側の
光束を受光し得るものであれば、その形状はリング状に
限るものではなく、いかなる形状のものでもよく、その
位置もカップリングレンズ２と対物レンズ５との間なら
ば任意の位置に設けることができる。
面を有する受光素子であって対物レンズ光束より外側の
光束を受光し得るものであれば、その形状はリング状に
限るものではなく、いかなる形状のものでもよく、その
位置もカップリングレンズ２と対物レンズ５との間なら
ば任意の位置に設けることができる。
【００２７】次に、図３はこの発明の他の実施例を示す
ものであり、リング状の２分割受光素子１３を、半導体
レーザ素子１とカップリングレンズ２との間でカップリ
ングレンズ２への光束より外側の光束を受光し得る位置
に設け、その受光面を同図の（ｂ）に示すように中心を
通る分割線１３ｃによって２等分して受光面１３ａ，１
３ｂを形成している。この受光面１３ａ，１３ｂによっ
て受光される光束は、図４に示す光強度分布曲線の斜線
を付した部分１ｃ，１ｄであり、受光面１３ａ，１３ｂ
から出力される出力をＳ１３ａ，Ｓ１３ｂ，出射光の傾
き信号をＴとすると、傾き信号ＴはＴ＝Ｓ１３ａ−Ｓ１
３ｂで得ることができる。
ものであり、リング状の２分割受光素子１３を、半導体
レーザ素子１とカップリングレンズ２との間でカップリ
ングレンズ２への光束より外側の光束を受光し得る位置
に設け、その受光面を同図の（ｂ）に示すように中心を
通る分割線１３ｃによって２等分して受光面１３ａ，１
３ｂを形成している。この受光面１３ａ，１３ｂによっ
て受光される光束は、図４に示す光強度分布曲線の斜線
を付した部分１ｃ，１ｄであり、受光面１３ａ，１３ｂ
から出力される出力をＳ１３ａ，Ｓ１３ｂ，出射光の傾
き信号をＴとすると、傾き信号ＴはＴ＝Ｓ１３ａ−Ｓ１
３ｂで得ることができる。
【００２８】この実施例によれば、図４と図２を比較す
れば明らかなように、前実施例よりも多くの受光量を得
ることができ、傾き信号Ｔの検出感度を高めることがで
きると共に、カップリングレンズ２の径を小さくするこ
とが可能になる。
れば明らかなように、前実施例よりも多くの受光量を得
ることができ、傾き信号Ｔの検出感度を高めることがで
きると共に、カップリングレンズ２の径を小さくするこ
とが可能になる。
【００２９】また、図５はこの発明のさらに他の実施例
を示すものであり、カップリングレンズ２の外周部に同
図の（ｂ）に示すようにリング状の鍔部１４を一体にモ
ールド成形等によって形成し、この鍔部１４の半導体レ
ーザ素子１に対向する面に球面又は非球面の反射面１４
ｃ，１４ｄをそれぞれ形成し、半導体レーザ素子１から
の出射光の外側の光線を反射面１４ｃ，１４ｄで反射さ
せて分割受光素子に充当する一対の受光素子１５，１６
でそれぞれ受光させるようにした。この場合も、受光素
子１５，１６からの出力をＳ１５，Ｓ１６とすると、傾
き信号ＴはＴ＝Ｓ１５−Ｓ１６によって得ることができ
る。なお、鍔部１４はカップリングレンズ２と一体でな
く、その鏡筒部に設けてもよい。
を示すものであり、カップリングレンズ２の外周部に同
図の（ｂ）に示すようにリング状の鍔部１４を一体にモ
ールド成形等によって形成し、この鍔部１４の半導体レ
ーザ素子１に対向する面に球面又は非球面の反射面１４
ｃ，１４ｄをそれぞれ形成し、半導体レーザ素子１から
の出射光の外側の光線を反射面１４ｃ，１４ｄで反射さ
せて分割受光素子に充当する一対の受光素子１５，１６
でそれぞれ受光させるようにした。この場合も、受光素
子１５，１６からの出力をＳ１５，Ｓ１６とすると、傾
き信号ＴはＴ＝Ｓ１５−Ｓ１６によって得ることができ
る。なお、鍔部１４はカップリングレンズ２と一体でな
く、その鏡筒部に設けてもよい。
【００３０】この実施例によれば、これまでの各実施例
のように受光素子に特殊な形状を必要としないので、通
常の安価なものを用いることができる。また、鍔部１４
をカップリングレンズ２と一体成形するようにすれば、
生産性が向上しさらに安価に供給することができる。
のように受光素子に特殊な形状を必要としないので、通
常の安価なものを用いることができる。また、鍔部１４
をカップリングレンズ２と一体成形するようにすれば、
生産性が向上しさらに安価に供給することができる。
【００３１】さらに、上記の各実施例において、受光素
子１２，１３，１５，１６の和信号を用いて半導体レー
ザ素子１の出力を制御する制御手段を設け、上記の各受
光素子を半導体レーザ素子のモニタ用受光素子としても
用いるようにすることも可能である。
子１２，１３，１５，１６の和信号を用いて半導体レー
ザ素子１の出力を制御する制御手段を設け、上記の各受
光素子を半導体レーザ素子のモニタ用受光素子としても
用いるようにすることも可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明による光ピッ
クアップ装置は、半導体レーザ素子からの出射光を複数
の受光面を有する分割受光素子で受光し、その出力に基
づいて半導体受光素子の傾きを調整するようにしたの
で、トラックエラー信号の誤差を排除して安定な記録，
再生が可能になる。また、上記分割受光素子がカップリ
ングレンズに入射する光束より外側の光束を受光するよ
うにしたので、半導体レーザ素子の出射光のすべてを有
効に利用することができる。
クアップ装置は、半導体レーザ素子からの出射光を複数
の受光面を有する分割受光素子で受光し、その出力に基
づいて半導体受光素子の傾きを調整するようにしたの
で、トラックエラー信号の誤差を排除して安定な記録，
再生が可能になる。また、上記分割受光素子がカップリ
ングレンズに入射する光束より外側の光束を受光するよ
うにしたので、半導体レーザ素子の出射光のすべてを有
効に利用することができる。
【００３３】そして、上記半導体レーザ素子からの出射
光の外側の光束をカップリングレンズの外周部に設けた
ミラーで反射させ、その反射光を分割受光素子で受光す
るようにすれば、広く一般に用いられている安価な受光
素子を用いることが可能になる。
光の外側の光束をカップリングレンズの外周部に設けた
ミラーで反射させ、その反射光を分割受光素子で受光す
るようにすれば、広く一般に用いられている安価な受光
素子を用いることが可能になる。
【００３４】また、上記のミラーをカップリングレンズ
と一体に形成したモールド品とすると、ミラーを単体で
形成してカップリングレンズの外周部に取り付けるより
も安価で且つ高精度とすることができる。
と一体に形成したモールド品とすると、ミラーを単体で
形成してカップリングレンズの外周部に取り付けるより
も安価で且つ高精度とすることができる。
【００３５】さらに、上記の分割受光素子からの出力に
基づいて半導体レーザ素子の出力をも制御するようにす
れば、別個に半導体レーザ素子のモニタ用受光素子を設
ける必要がなく、光ピックアップ装置を安価に供給する
ことができる。
基づいて半導体レーザ素子の出力をも制御するようにす
れば、別個に半導体レーザ素子のモニタ用受光素子を設
ける必要がなく、光ピックアップ装置を安価に供給する
ことができる。
【図１】この発明の一実施例の要部光学系を示す構成並
びに光路図である。
びに光路図である。
【図２】同じくその半導体レーザ素子の出射光の光強度
分布を示す線図である。
分布を示す線図である。
【図３】この発明の他の実施例の要部光学系を示す構成
並びに光路図である。
並びに光路図である。
【図４】同じくその半導体レーザ素子の出射光の光強度
分布を示す線図である。
分布を示す線図である。
【図５】この発明のさらに他の実施例の要部光学系を示
す構成並びに光路図である。
す構成並びに光路図である。
【図６】一般の光ピックアップ装置の光学系を示す構成
並びに光路図である。
並びに光路図である。
【図７】同じくその２分割受光素子の受光部を示す説明
図である。
図である。
【図８】同じくそのトラックエラー信号の検出原理を示
す説明図である。
す説明図である。
【図９】同じくそのトラック信号の波形図である。
【図１０】同じくその半導体レーザ素子の出射角度と光
強度との関係を示す線図である。
強度との関係を示す線図である。
【図１１】同じくその半導体レーザ素子の出射角が傾い
た時の光路図である。
た時の光路図である。
【図１２】同じくその２分割受光素子がずれた場合の組
付時の調整状態を示す説明図である。
付時の調整状態を示す説明図である。
【図１３】同じくそのトラックエラー信号の検出状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図１４】同じくその半導体レーザ素子の傾きとトラッ
ク制御信号誤差との関係を示す線図である。
ク制御信号誤差との関係を示す線図である。
１ 半導体レーザ素子 ２ カップリング
レンズ ３ ビームスプリッタ ４ １／４波長板 ５ 対物レンズ ６ 光ディスク
（光情報記録媒体） ７ 集光レンズ ８ 第１の２分割
受光素子 ９ 第２の２分割受光素子 １０ 収斂光束 １１ 情報トラック １２，１３ ２分
割受光素子 １４ 鍔部 １４ｃ，１４ｄ
ミラー １５，１６ 受光素子
レンズ ３ ビームスプリッタ ４ １／４波長板 ５ 対物レンズ ６ 光ディスク
（光情報記録媒体） ７ 集光レンズ ８ 第１の２分割
受光素子 ９ 第２の２分割受光素子 １０ 収斂光束 １１ 情報トラック １２，１３ ２分
割受光素子 １４ 鍔部 １４ｃ，１４ｄ
ミラー １５，１６ 受光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−220228（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−149946（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−330646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−7250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−154659（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−73319（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−76215（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/12 - 7/22 G11B 7/08 - 7/085
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子からの出射光をカップ
リングレンズにより平行光束としてビームスプリッタを
透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体上に
微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あるい
は消去を行う光ピックアップ装置において、 前記半導体レーザ素子からの出射光の前記カップリング
レンズに入射する光束より外側の光束を複数の受光面を
有する分割受光素子で受光し、その出力に基づいて前記
半導体レーザ素子の傾きを調整する調整手段を設けたこ
とを特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項２】 半導体レーザ素子からの出射光をカップ
リングレンズにより平行光束としてビームスプリッタを
透過させ、対物レンズにより集光し光情報記録媒体上に
微小なスポット光を形成して、情報の記録，再生あるい
は消去を行う光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子からの出射光の前記カップリング
レンズに入射する光束より外側の光束を前記カップリン
グレンズの外周部に設けたミラーで反射させ、その反射
光を複数の受光面を有する分割受光素子で受光し、その
出力に基づいて前記半導体レーザ素子の傾きを調整する
調整手段 を設けたことを特徴とする光ピックアップ装
置。 - 【請求項３】 ミラーはカップリングレンズと一体で成
形したモールド品であることを特徴とする請求項２記載
の光ピックアップ装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか一項記載の光
ピックアップ装置において、前記分割受光素子からの出
力に基づいて前記半導体レーザ素子の出力を制御する制
御手段を設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3328881A JP3071013B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3328881A JP3071013B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166218A JPH05166218A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3071013B2 true JP3071013B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=18215142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3328881A Expired - Fee Related JP3071013B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071013B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008065890A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光ピックアップ装置及びそれを備える光ディスク装置 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP3328881A patent/JP3071013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166218A (ja) | 1993-07-02 |
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