JP3070113B2 - フォトレジストの現像処理装置 - Google Patents
フォトレジストの現像処理装置Info
- Publication number
- JP3070113B2 JP3070113B2 JP3041810A JP4181091A JP3070113B2 JP 3070113 B2 JP3070113 B2 JP 3070113B2 JP 3041810 A JP3041810 A JP 3041810A JP 4181091 A JP4181091 A JP 4181091A JP 3070113 B2 JP3070113 B2 JP 3070113B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoresist
- developing
- pitch
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの製造に用
いて好適なフォトレジストの現像処理装置に係わる。
いて好適なフォトレジストの現像処理装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクにおいては、その記録トラッ
クを挟んでその両側にグルーブ（溝）を形成し、また記
録情報としての凹凸ピットが形成される。
クを挟んでその両側にグルーブ（溝）を形成し、また記
録情報としての凹凸ピットが形成される。
【０００３】このような光ディスクの作製には、例えば
ガラス基板上に、フォトレジストを塗布し、これをパタ
ーン露光及び現像することによって上述のグルーブやピ
ットに対応するフォトレジストによる凹凸パターンを形
成し、この凹凸面上に、或いは、このフォトレジストを
マスクとして基板表面をエッチングして凹凸面を形成
し、これの上にメッキ等によって例えば光ディスク形成
用スタンパのマスタをつくるなどの方法が採られる。
ガラス基板上に、フォトレジストを塗布し、これをパタ
ーン露光及び現像することによって上述のグルーブやピ
ットに対応するフォトレジストによる凹凸パターンを形
成し、この凹凸面上に、或いは、このフォトレジストを
マスクとして基板表面をエッチングして凹凸面を形成
し、これの上にメッキ等によって例えば光ディスク形成
用スタンパのマスタをつくるなどの方法が採られる。
【０００４】このようなフォトレジストのパターンを正
確につくるには、露光後のフォトレジストの現像に当っ
ての現像液温度等の諸条件を勘案して処理時間を正確に
設定して、その現像が過剰に行われたり不足を生じたり
することなく、目的とするパターンすなわちトラックの
グルーブとか情報ピットの幅、深さ等が正確に形成され
るようにすることが要求される。
確につくるには、露光後のフォトレジストの現像に当っ
ての現像液温度等の諸条件を勘案して処理時間を正確に
設定して、その現像が過剰に行われたり不足を生じたり
することなく、目的とするパターンすなわちトラックの
グルーブとか情報ピットの幅、深さ等が正確に形成され
るようにすることが要求される。
【０００５】このような現像処理が過不足なく行われる
ようにするには、上述した光ディスク等におけるグルー
ブは、その半径方向に関して等ピッチを有するものであ
り、また情報ピットについても、その基板を回転させた
状態では実質的に半径方向に等ピッチとしてみることが
できることから、このようなグルーブのパターン、或い
は情報ピットのパターンに応じた露光潜像に対して現像
を行う場合、その現像が進行するにつれて生じるフォト
レジストの等ピッチ窓を回折格子として用いて、フォト
レジストが感光性を示さない長波長のモニター光を照射
し、これの回折光の検出によって現像処理を停止する方
法が採られる。
ようにするには、上述した光ディスク等におけるグルー
ブは、その半径方向に関して等ピッチを有するものであ
り、また情報ピットについても、その基板を回転させた
状態では実質的に半径方向に等ピッチとしてみることが
できることから、このようなグルーブのパターン、或い
は情報ピットのパターンに応じた露光潜像に対して現像
を行う場合、その現像が進行するにつれて生じるフォト
レジストの等ピッチ窓を回折格子として用いて、フォト
レジストが感光性を示さない長波長のモニター光を照射
し、これの回折光の検出によって現像処理を停止する方
法が採られる。
【０００６】その原理図を図３を参照して説明する。す
なわちこの場合、ガラス基板等の光透過性基板１上に塗
布されたフォトレジスト層２に対して所要のパターン例
えばグルーブあるいは情報ピット等の所要のパターンを
もってパターン露光を行う。
なわちこの場合、ガラス基板等の光透過性基板１上に塗
布されたフォトレジスト層２に対して所要のパターン例
えばグルーブあるいは情報ピット等の所要のパターンを
もってパターン露光を行う。
【０００７】そして、このパターン露光がなされた潜像
を有するフォトレジスト層２に対して通常のように例え
ば現像液を吹きつけてその現像を行うものであるが、例
えばこの現像と共にモニター光ＬM をフォトレジスト層
２を有する側より照射してフォトレジスト層２の現像が
進行して等ピッチパターンが生ずることによってこれが
回折格子となって発生する例えば１次回折光ＬM1の基板
１とは反対側から導出された光を、ダイオード等の光検
出素子３によって検出する。すなわち、モニター光ＬM
を所定の波長λに選定しておくことによって目的とする
等ピッチパターンが生じたときに光検出素子３における
所要の出力に達したときにこの検出信号をもってフォト
レジスト２に対する現像処理を停止するようにしてその
現像が過不足なく所定の幅、したがって間隔及び深さを
もって現像パターンが生じるようにする。
を有するフォトレジスト層２に対して通常のように例え
ば現像液を吹きつけてその現像を行うものであるが、例
えばこの現像と共にモニター光ＬM をフォトレジスト層
２を有する側より照射してフォトレジスト層２の現像が
進行して等ピッチパターンが生ずることによってこれが
回折格子となって発生する例えば１次回折光ＬM1の基板
１とは反対側から導出された光を、ダイオード等の光検
出素子３によって検出する。すなわち、モニター光ＬM
を所定の波長λに選定しておくことによって目的とする
等ピッチパターンが生じたときに光検出素子３における
所要の出力に達したときにこの検出信号をもってフォト
レジスト２に対する現像処理を停止するようにしてその
現像が過不足なく所定の幅、したがって間隔及び深さを
もって現像パターンが生じるようにする。
【０００８】また、この場合、そのモニター光ＬM とし
ては、フォトレジストを露光することのない波長の長い
可干渉性のモニター光が用いられる。
ては、フォトレジストを露光することのない波長の長い
可干渉性のモニター光が用いられる。
【０００９】ところが、光ディスク等における、より高
記録密度化の要求に伴って例えばトラックピッチがより
狭隘化されて、ディスクの半径方向のグルーブのピッチ
あるいはピット間隔がより狭小化されてくると、すなわ
ち例えば図３における光ディスクの半径方向の断面のフ
ォトレジストのピッチＰが狭隘化してくると光透過性基
板１に導入されたモニター光の回折光がこれとは反対側
の光検出素子に向って外部に導出されずこれが全反射し
てしまうという問題が生じてくる。
記録密度化の要求に伴って例えばトラックピッチがより
狭隘化されて、ディスクの半径方向のグルーブのピッチ
あるいはピット間隔がより狭小化されてくると、すなわ
ち例えば図３における光ディスクの半径方向の断面のフ
ォトレジストのピッチＰが狭隘化してくると光透過性基
板１に導入されたモニター光の回折光がこれとは反対側
の光検出素子に向って外部に導出されずこれが全反射し
てしまうという問題が生じてくる。
【００１０】すなわち、今図３に示すように基板１の屈
折率をｎとし外部の例えば大気の屈折率をｎ0 とし、波
長λのモニター光の回折角をθ1、出射角をθ2 とする
とき、光透過性基板１すなわちガラス基板１内の１次回
折角度θ1 については下記数１に示すようになる。
折率をｎとし外部の例えば大気の屈折率をｎ0 とし、波
長λのモニター光の回折角をθ1、出射角をθ2 とする
とき、光透過性基板１すなわちガラス基板１内の１次回
折角度θ1 については下記数１に示すようになる。
【数１】ｓｉｎθ1 ＝ｎ0 λ／ｎＰ また回折角θ1 と出射角θ2 との関係は、下記数２で与
えられる。
えられる。
【００１１】
【数２】ｎｓｉｎθ1 ＝ｎ0 ｓｉｎθ2
【００１２】ここにｎ0 ＝１とすると、θ2 ≧π／２つ
まり、回折光が基板１の面内で全反射する条件を前記数
１及び数２に導入するとＰ＝λが導き出される。すなわ
ち、パターンのピッチＰがモニター光ＬM の波長λより
短くなると図３の方式ではモニターが不可能となってく
る。
まり、回折光が基板１の面内で全反射する条件を前記数
１及び数２に導入するとＰ＝λが導き出される。すなわ
ち、パターンのピッチＰがモニター光ＬM の波長λより
短くなると図３の方式ではモニターが不可能となってく
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、狭ピッチの等ピッチパターンを有するフォ
トレジストを形成する場合においても、そのフォトレジ
スト層に生ずる目的とする等ピッチパターンを確実に検
出してこれによってフォトレジストの現像条件を制御す
ることができるようにすることである。
する課題は、狭ピッチの等ピッチパターンを有するフォ
トレジストを形成する場合においても、そのフォトレジ
スト層に生ずる目的とする等ピッチパターンを確実に検
出してこれによってフォトレジストの現像条件を制御す
ることができるようにすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の略線的構成図を示すように、光透過性基板１上に形
成された等ピッチパターンの露光による潜像を有するフ
ォトレジスト層２に対して現像処理を行うフォトレジス
トの現像処理手段４と、フォトレジスト層２が感光性を
示さない長波長の所定の波長λを有するモニター光ＬM
の光源５と、フォトレジスト２の現像が進行して生じる
パターンによる回折光を検出する光検出器３とを有し、
この検出出力によって現像処理手段４を制御するように
したフォトレジストの現像処理装置において、等ピッチ
の狭ピッチ化によってそのピッチＰと波長λがＰ≦λと
なる場合にモニター光光源５の光軸と光検出器３の光軸
間の距離ｌs が基板１の厚さをｄとし、基板１の屈折率
をｎとするとき、下記数３が成立つように選定する。
例の略線的構成図を示すように、光透過性基板１上に形
成された等ピッチパターンの露光による潜像を有するフ
ォトレジスト層２に対して現像処理を行うフォトレジス
トの現像処理手段４と、フォトレジスト層２が感光性を
示さない長波長の所定の波長λを有するモニター光ＬM
の光源５と、フォトレジスト２の現像が進行して生じる
パターンによる回折光を検出する光検出器３とを有し、
この検出出力によって現像処理手段４を制御するように
したフォトレジストの現像処理装置において、等ピッチ
の狭ピッチ化によってそのピッチＰと波長λがＰ≦λと
なる場合にモニター光光源５の光軸と光検出器３の光軸
間の距離ｌs が基板１の厚さをｄとし、基板１の屈折率
をｎとするとき、下記数３が成立つように選定する。
【００１５】
【数３】 ｌs ＝２ｄｔａｎ｛ｓｉｎ-1（λ／ｎＰ）｝・ｍ（ｍは０を除く整数）
【００１６】そして、現像処理手段４によるフォトレジ
スト層２の現像によってフォトレジスト層２に生じてく
る等ピッチパターンによるモニター光の回折光が、フォ
トレジスト層２へのモニター光ＬM の入射面とは反対側
の面で全反射した全反射光の、等ピッチパターンでの再
度の回折光を光検出器３によって検出するようにする。
スト層２の現像によってフォトレジスト層２に生じてく
る等ピッチパターンによるモニター光の回折光が、フォ
トレジスト層２へのモニター光ＬM の入射面とは反対側
の面で全反射した全反射光の、等ピッチパターンでの再
度の回折光を光検出器３によって検出するようにする。
【００１７】そして、この検出器３によって検出された
検出出力によって現像処理手段４の制御すなわちその現
像停止等を行う。
検出出力によって現像処理手段４の制御すなわちその現
像停止等を行う。
【００１８】
【作用】上述の本発明においては、図２にその光学的光
路図を示すように、Ｐ≦λにおいて、光源５からの長波
長のモニター光ＬM を、光透過性基板１上のフォトレジ
スト層２を有する例えば図において基板１の面１ａと直
交する方向に導入する場合、フォトレジスト２に対する
エッチングが進行してこれに等ピッチパターン即ち回折
格子が生じてくると、これによる１次回折光が基体１の
フォトレジスト２を有する面１ａとは反対側の面１ｂに
おいて全反射し、これが再びフォトレジスト層２による
等ピッチパターンによる回折格子に向い、その回折光が
例えば面１ａ側より外部に入射モニター光ＬM と平行に
導出されることから、この導出光を検出光ＬＤとして光
検出器３によって検出すれば、予め光検出器３と光源５
との間隔ｌs を前記数３が成り立つようにしておくこと
によって、光検出器３からの出力が予め選ばれた所定の
値になったとき、現像処理手段４による現像を停止する
ことによってフォトレジスト層２のパターンが所望のピ
ッチＰに設定された状態でその現像を停止することがで
きる。
路図を示すように、Ｐ≦λにおいて、光源５からの長波
長のモニター光ＬM を、光透過性基板１上のフォトレジ
スト層２を有する例えば図において基板１の面１ａと直
交する方向に導入する場合、フォトレジスト２に対する
エッチングが進行してこれに等ピッチパターン即ち回折
格子が生じてくると、これによる１次回折光が基体１の
フォトレジスト２を有する面１ａとは反対側の面１ｂに
おいて全反射し、これが再びフォトレジスト層２による
等ピッチパターンによる回折格子に向い、その回折光が
例えば面１ａ側より外部に入射モニター光ＬM と平行に
導出されることから、この導出光を検出光ＬＤとして光
検出器３によって検出すれば、予め光検出器３と光源５
との間隔ｌs を前記数３が成り立つようにしておくこと
によって、光検出器３からの出力が予め選ばれた所定の
値になったとき、現像処理手段４による現像を停止する
ことによってフォトレジスト層２のパターンが所望のピ
ッチＰに設定された状態でその現像を停止することがで
きる。
【００１９】言い換えれば、所定のピッチＰを有するフ
ォトレジスト層２を確実に得ることができることにな
る。
ォトレジスト層２を確実に得ることができることにな
る。
【００２０】
【実施例】図１を参照して本発明による現像処理装置の
一実施例を説明する。この場合、現像処理室１１内に、
回転基台１２を配し、これの上にフォトレジスト層２が
塗布されたガラス基板等の光透過性基板１を載置する。
一実施例を説明する。この場合、現像処理室１１内に、
回転基台１２を配し、これの上にフォトレジスト層２が
塗布されたガラス基板等の光透過性基板１を載置する。
【００２１】一方、この状態で、多数のノズルから現像
処理液がフォトレジスト層２に向って噴出することので
きるようにした現像処理手段４が光透過性基板１に対向
して配置される。
処理液がフォトレジスト層２に向って噴出することので
きるようにした現像処理手段４が光透過性基板１に対向
して配置される。
【００２２】１３は現像処理手段４に現像開始、停止等
の制御を行う制御部を示す。
の制御を行う制御部を示す。
【００２３】一方、フォトレジスト層２は予め所定のパ
ターン例えば光ディスクにおいて、そのトラック間のグ
ルーブあるいは記録ピットを形成するパターン露光がな
された潜像を有する。即ち、この場合、基板１の半径方
向に関して、或いは回転基台１２の回転との共働によっ
て実質的にその半径方向に関して等ピッチのグルーブあ
るいは記録ピットのパターン露光がなされた潜像を有す
るものとする。
ターン例えば光ディスクにおいて、そのトラック間のグ
ルーブあるいは記録ピットを形成するパターン露光がな
された潜像を有する。即ち、この場合、基板１の半径方
向に関して、或いは回転基台１２の回転との共働によっ
て実質的にその半径方向に関して等ピッチのグルーブあ
るいは記録ピットのパターン露光がなされた潜像を有す
るものとする。
【００２４】そして光源５からの光例えばレーザ光によ
るフォトレジスト層２が感光性を示さない長波長λのモ
ニター光ＬM を、照射する。
るフォトレジスト層２が感光性を示さない長波長λのモ
ニター光ＬM を、照射する。
【００２５】一方図２で説明したように、これと所定の
前記数３による距離ｌs を隔てた位置に光検出器３例え
ばフォトダイオードを配置する。この光検出器３は例え
ば複数配置することができる。
前記数３による距離ｌs を隔てた位置に光検出器３例え
ばフォトダイオードを配置する。この光検出器３は例え
ば複数配置することができる。
【００２６】１４は集光レンズ等のレンズ系を示し、光
透過性基板１の、モニター光ＬM の入射面１ａよりの再
回折光による出射光を効率よく、光検出器３に入射させ
るようになされている。
透過性基板１の、モニター光ＬM の入射面１ａよりの再
回折光による出射光を効率よく、光検出器３に入射させ
るようになされている。
【００２７】また一方、光検出器３よりの出力は、加算
増幅器１５によって加算され、比較回路１６によって予
め設定された基準レベルの比較電圧と比較されて制御部
１３を制御するようになされる。具体的には基準レベル
より大なる入力が比較回路１６に入力されたとき制御部
１３を制御して現像処理手段４からの現像液の供給を停
止する。
増幅器１５によって加算され、比較回路１６によって予
め設定された基準レベルの比較電圧と比較されて制御部
１３を制御するようになされる。具体的には基準レベル
より大なる入力が比較回路１６に入力されたとき制御部
１３を制御して現像処理手段４からの現像液の供給を停
止する。
【００２８】このようにしてフォトレジスト層２が現像
されて所定の等ピッチパターンが得られた時点で、その
現像を停止することができ、これによって現像液の温
度、その他諸条件の変動によっても確実にフォトレジス
ト層２に過不足ない現像を行う。
されて所定の等ピッチパターンが得られた時点で、その
現像を停止することができ、これによって現像液の温
度、その他諸条件の変動によっても確実にフォトレジス
ト層２に過不足ない現像を行う。
【００２９】このようにして結果的に目的とする所定の
間隔及び幅を有する所定のピッチのフォトレジスト層２
に対するパターンの形成を行うことができる。
間隔及び幅を有する所定のピッチのフォトレジスト層２
に対するパターンの形成を行うことができる。
【００３０】例えば数３から明らかなように、ｄ＝５ｍ
ｍ、λ＝０．６３３μｍ、ｎ＝１．５、Ｐ＝０．５μｍ
とするとき、ｌs ≒１８ｍｍに選定する。
ｍ、λ＝０．６３３μｍ、ｎ＝１．５、Ｐ＝０．５μｍ
とするとき、ｌs ≒１８ｍｍに選定する。
【００３１】尚、上述した図１の例においては、モニタ
ー光ＬM の入射面１ａ側に光検出器３を配置した場合で
あるが、図２を参照して明らかなように、全反射光の、
再回折光は、光源５が配置される側の面１ａとは反対側
の面１ｂ側においても導出されることから、光源５と光
検出器３の配置関係を互いに反対側とすることもでき
る。例えば、回転基台１２を光源５からの光に対し透明
として、光源５を面１ｂ側に配置する構成とすることも
できるなど図示の例に限らず種々の変形変更を採り得
る。
ー光ＬM の入射面１ａ側に光検出器３を配置した場合で
あるが、図２を参照して明らかなように、全反射光の、
再回折光は、光源５が配置される側の面１ａとは反対側
の面１ｂ側においても導出されることから、光源５と光
検出器３の配置関係を互いに反対側とすることもでき
る。例えば、回転基台１２を光源５からの光に対し透明
として、光源５を面１ｂ側に配置する構成とすることも
できるなど図示の例に限らず種々の変形変更を採り得
る。
【００３２】
【発明の効果】上述したように本発明においては、フォ
トレジストに対するエッチングが進行することによって
生ずる等ピッチパターンを回折格子として利用するもの
であるが、このときそのピッチが充分狭ピッチ化された
場合においても全反射によるフォトレジストにおける等
ピッチパターンでの再度の回折光を利用してその検出を
行うようにしたので確実にフォトレジストに生じるパタ
ーンの検出を行って過不足なく現像の制御を行うことが
できる。
トレジストに対するエッチングが進行することによって
生ずる等ピッチパターンを回折格子として利用するもの
であるが、このときそのピッチが充分狭ピッチ化された
場合においても全反射によるフォトレジストにおける等
ピッチパターンでの再度の回折光を利用してその検出を
行うようにしたので確実にフォトレジストに生じるパタ
ーンの検出を行って過不足なく現像の制御を行うことが
できる。
【００３３】従って例えば光ディスクの、トラックのグ
ルーブあるいは記録ピットの形成に用いるフォトレジス
トのパターン形成に適用すれば、目的とする高密度トラ
ックを再現性よく確実に得ることができる。
ルーブあるいは記録ピットの形成に用いるフォトレジス
トのパターン形成に適用すれば、目的とする高密度トラ
ックを再現性よく確実に得ることができる。
【図１】本発明によるフォトレジストの現像処理装置の
一例の構成図である。
一例の構成図である。
【図２】本発明の光学的説明図である。
【図３】従来装置の説明図である。
１ 光透過性基板 ２ フォトレジスト層 ３ 光検出器 ４ 現像処理手段 ５ モニター光の光源
Claims (1)
- 【請求項１】 光透過性基板上に形成された等ピッチパ
ターンの露光による潜像を有するフォトレジスト層に対
して現像処理を行うフォトレジストの現像処理手段と、
上記フォトレジストが感光性を示さない長波長の所定の
波長λを有するモニター光の光源と、上記フォトレジス
トの現像が進行して生じるパターンによる回析光を検出
する光検出器とを有し、該検出出力によって上記現像手
段を制御するようにしたフォトレジストの現像処理装置
において、上記等ピッチの狭ピッチ化によってそのピッ
チＰと上記波長λがＰ≦λとなる場合に上記モニター光
光源の光軸と、上記光検出器の光軸間の距離ｌs が、上
記光透過性基板の厚さをｄとし、上記光透過性基板の屈
折率をｎとするとき、 ｌs ＝２ｄｔａｎ｛ｓｉｎ-1（λ／ｎＰ）｝・ｍ（ｍは０を除く整数） に選定し、上記現像によって上記フォトレジスト層に生
じてくる等ピッチパターンによる上記モニター光による
回折光が、上記モニター光の入射面とは反対側の面で全
反射した全反射光の、上記等ピッチパターンでの再回折
光を、上記光検出器によって検出して上記現像処理装置
を制御するようにしたことを特徴とするフォトレジスト
の現像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041810A JP3070113B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | フォトレジストの現像処理装置 |
| EP92103792A EP0502533B1 (en) | 1991-03-07 | 1992-03-05 | Apparatus for developing photoresist |
| DE69223826T DE69223826T2 (de) | 1991-03-07 | 1992-03-05 | Gerät zur Entwicklung von Photoresists |
| US07/848,649 US5218400A (en) | 1991-03-07 | 1992-03-09 | Developing apparatus of photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041810A JP3070113B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | フォトレジストの現像処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278235A JPH04278235A (ja) | 1992-10-02 |
| JP3070113B2 true JP3070113B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=12618671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3041810A Expired - Fee Related JP3070113B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | フォトレジストの現像処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5218400A (ja) |
| EP (1) | EP0502533B1 (ja) |
| JP (1) | JP3070113B2 (ja) |
| DE (1) | DE69223826T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821035A (en) * | 1996-03-06 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Resist developing apparatus and resist developing method |
| US6151290A (en) * | 1998-02-05 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Inexpensive safe light beam recorder |
| US6266125B1 (en) * | 1998-05-25 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | Resist processing method and apparatus |
| JP2010123230A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sony Disc & Digital Solutions Inc | 現像方法、及び現像装置 |
| CN102262351B (zh) * | 2010-05-25 | 2013-01-23 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 光掩膜层及其形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857843U (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-19 | パイオニア株式会社 | フオトレジスト湿式現像装置 |
| US4647172A (en) * | 1985-05-17 | 1987-03-03 | Gca Corporation | Resist development method |
| JPH0721643B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1995-03-08 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
| KR960016175B1 (en) * | 1987-08-28 | 1996-12-04 | Tokyo Electron Ltd | Exposing method and apparatus thereof |
| US4899195A (en) * | 1988-01-29 | 1990-02-06 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of wafer |
| JPH02137852A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フォトレジストの現像終点検出方法 |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JPH02254456A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-15 | Orc Mfg Co Ltd | フォトレジスト露光方法およびその装置 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3041810A patent/JP3070113B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-05 EP EP92103792A patent/EP0502533B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-05 DE DE69223826T patent/DE69223826T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-09 US US07/848,649 patent/US5218400A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0502533A1 (en) | 1992-09-09 |
| JPH04278235A (ja) | 1992-10-02 |
| US5218400A (en) | 1993-06-08 |
| EP0502533B1 (en) | 1998-01-07 |
| DE69223826T2 (de) | 1998-08-06 |
| DE69223826D1 (de) | 1998-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2752071B2 (ja) | 磁気記録媒体とこれを用いるサーボ装置 | |
| US5471455A (en) | High density optical storage system | |
| EP0304312B1 (en) | An optical disk for use in optical memory devices | |
| US5097464A (en) | Optical recording medium and optical recording/reproducing apparatus | |
| EP0108258B1 (en) | A master disk for optical disk manufacture, and a method and the system for manufacturing the same | |
| JPH0248983B2 (ja) | ||
| US5060223A (en) | Optical type information recording medium having specified pit and guide groove shapes | |
| GB2159299A (en) | Optical discs | |
| JP3070113B2 (ja) | フォトレジストの現像処理装置 | |
| JP3577870B2 (ja) | 記録媒体原盤の製造方法及び記録媒体 | |
| KR100458727B1 (ko) | 광기록매체 | |
| US6313453B1 (en) | Glassmastering photoresist read after write method and system | |
| KR100200803B1 (ko) | 정보소스 디스크와 이 정보소스 디스크의 광기록장치 및 그 정보소스 디스크의 복제방법과 그 복제장치 | |
| EP0464081A1 (en) | Method of manufacturing an optical disc | |
| EP0982716B1 (en) | Optical recording medium and master to produce it | |
| US20020022192A1 (en) | Glassmastering photoresist read after write method and system | |
| JP2001208517A (ja) | 光ディスク検査装置 | |
| JPH04141840A (ja) | フォトレジスト自動現像装置 | |
| KR100314089B1 (ko) | 광디스크제조용글래스원반감광제의현상상태검사시스템 | |
| JPS5811694B2 (ja) | 光学的記録装置 | |
| JPS6126136B2 (ja) | ||
| JPH0435819B2 (ja) | ||
| JP2822554B2 (ja) | 検出装置 | |
| JPS60133549A (ja) | 光学情報記録装置 | |
| JPH0729220A (ja) | 複数の高さを有する微細パターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |