JP3056895B2 - 一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法 - Google Patents
一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一方向性電磁鋼板の
良好なフォルステライト質絶縁被膜の形成方法を提案す
るものである。
良好なフォルステライト質絶縁被膜の形成方法を提案す
るものである。
【０００２】一方向性電磁鋼板の絶縁被膜形成方法とし
ては、所望の最終板厚に冷間圧延した電磁鋼用冷延板を
湿水素中で、 700℃〜 900℃の温度範囲内で脱炭焼鈍
し、その鋼板の表面にＳｉＯ2 を含むサブスケールを生
成させたのち、マグネシア（ＭｇＯ）を主成分とする焼
鈍分離剤を塗布し、コイル状に巻取って高温仕上焼鈍す
ることによりＭｇＯ−ＳｉＯ2 系フォルステライト質絶
縁被膜を形成させる方法が一般に行われている。このＭ
ｇＯ−ＳｉＯ2 系フォルステライト質絶縁被膜は、焼鈍
分離剤中のＭｇＯが高温仕上焼鈍中に鋼板表層にあるＳ
ｉＯ2 と反応することによって生成し、鋼板に対して熱
応力に起因する引張応力を付与し渦電流損を低下させる
役割を担うだけでなく、製品外観の良否を決定づけるも
のである。
ては、所望の最終板厚に冷間圧延した電磁鋼用冷延板を
湿水素中で、 700℃〜 900℃の温度範囲内で脱炭焼鈍
し、その鋼板の表面にＳｉＯ2 を含むサブスケールを生
成させたのち、マグネシア（ＭｇＯ）を主成分とする焼
鈍分離剤を塗布し、コイル状に巻取って高温仕上焼鈍す
ることによりＭｇＯ−ＳｉＯ2 系フォルステライト質絶
縁被膜を形成させる方法が一般に行われている。このＭ
ｇＯ−ＳｉＯ2 系フォルステライト質絶縁被膜は、焼鈍
分離剤中のＭｇＯが高温仕上焼鈍中に鋼板表層にあるＳ
ｉＯ2 と反応することによって生成し、鋼板に対して熱
応力に起因する引張応力を付与し渦電流損を低下させる
役割を担うだけでなく、製品外観の良否を決定づけるも
のである。
【０００３】したがって、製品の磁性及び外観などに顕
著な影響をおよぼすことから優れた被膜特性を有するフ
ォルステライト質絶縁被膜を形成させることは一方向性
電磁鋼板にとって非常に重要である。
著な影響をおよぼすことから優れた被膜特性を有するフ
ォルステライト質絶縁被膜を形成させることは一方向性
電磁鋼板にとって非常に重要である。
【０００４】
【従来の技術】これまで、フォルステライト質絶縁被膜
の形成に関しては数多くの研究がなされてきた。
の形成に関しては数多くの研究がなされてきた。
【０００５】たとえば、特公昭52-31296号公報の珪素鋼
板の熱処理用焼鈍分離剤によれば、粒度分布として３μ
ｍ以下が40〜70％、10μｍ以上が10〜25％で嵩比重が0.
18〜0.30ｇ／cm3 である焼鈍分離剤を塗布することが提
案されている。また、特開昭58-193373 号公報の磁気特
性のすぐれた一方向性珪素鋼板の製造方法には、粉末Ｘ
線回折法による回折線幅の拡がりから測定した粒径が0.
08〜0.18μｍの範囲に入るような焼鈍分離剤を塗布する
ことが提案されている。
板の熱処理用焼鈍分離剤によれば、粒度分布として３μ
ｍ以下が40〜70％、10μｍ以上が10〜25％で嵩比重が0.
18〜0.30ｇ／cm3 である焼鈍分離剤を塗布することが提
案されている。また、特開昭58-193373 号公報の磁気特
性のすぐれた一方向性珪素鋼板の製造方法には、粉末Ｘ
線回折法による回折線幅の拡がりから測定した粒径が0.
08〜0.18μｍの範囲に入るような焼鈍分離剤を塗布する
ことが提案されている。
【０００６】ここに、高温仕上焼鈍中のフォルステライ
ト質絶縁被膜形成は、脱炭焼鈍中に鋼板表面に形成され
た酸化物層中のＳｉＯ2 と焼鈍分離剤中のＭｇＯが固相
反応することにより形成される。この固相反応は、鋼板
上に塗布された焼鈍分離剤中のＭｇイオンが鋼板表面の
ＳｉＯ2 に向って拡散することで進行する。
ト質絶縁被膜形成は、脱炭焼鈍中に鋼板表面に形成され
た酸化物層中のＳｉＯ2 と焼鈍分離剤中のＭｇＯが固相
反応することにより形成される。この固相反応は、鋼板
上に塗布された焼鈍分離剤中のＭｇイオンが鋼板表面の
ＳｉＯ2 に向って拡散することで進行する。
【０００７】上記、特公昭52-31296号公報に記載の粒度
分布状態や、特開昭 58-193373号公報に記載の粒径を有
する場合では、この固相反応の進行が十分でなく、フォ
ルステライト質絶縁被膜の緻密性、均一性及び密着性が
安定して得られにくいという問題があった。
分布状態や、特開昭 58-193373号公報に記載の粒径を有
する場合では、この固相反応の進行が十分でなく、フォ
ルステライト質絶縁被膜の緻密性、均一性及び密着性が
安定して得られにくいという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、前記問題
点を有利に解決し、安定して緻密性、均一性及び密着性
に優れる一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被
膜の形成方法を提案することを目的とする。
点を有利に解決し、安定して緻密性、均一性及び密着性
に優れる一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被
膜の形成方法を提案することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＭｇＯを主
成分とする焼鈍分離剤の粒度分布とともに、仕上焼鈍中
の昇温速度がフォルステライト質絶縁被膜の形成に大き
く影響することを見出したことによるものである。
成分とする焼鈍分離剤の粒度分布とともに、仕上焼鈍中
の昇温速度がフォルステライト質絶縁被膜の形成に大き
く影響することを見出したことによるものである。
【００１０】すなわち、この発明の要旨は、最終冷間圧
延ののち脱炭焼鈍を施した一方向性電磁鋼用鋼板表面
に、主としてマグネシアからなる焼鈍分離剤を塗布した
のち、コイル状で高温仕上焼鈍を施す一方向性電磁鋼板
のフォルステライト質絶縁被膜形成方法において、焼鈍
分離剤が、 0.5μｍ以上の粒子径を有し、かつ、粒度分
布に関してａであらわした粒子径（μｍ）と積算量Ｘ
（％）が、下記式(1)を満たすこと、高温仕上焼鈍にお
ける 900℃〜1200℃の温度間の昇温速度が、２℃／ｈ〜
30℃／ｈの範囲にあることを特徴とする一方向性電磁鋼
板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法。 記
延ののち脱炭焼鈍を施した一方向性電磁鋼用鋼板表面
に、主としてマグネシアからなる焼鈍分離剤を塗布した
のち、コイル状で高温仕上焼鈍を施す一方向性電磁鋼板
のフォルステライト質絶縁被膜形成方法において、焼鈍
分離剤が、 0.5μｍ以上の粒子径を有し、かつ、粒度分
布に関してａであらわした粒子径（μｍ）と積算量Ｘ
（％）が、下記式(1)を満たすこと、高温仕上焼鈍にお
ける 900℃〜1200℃の温度間の昇温速度が、２℃／ｈ〜
30℃／ｈの範囲にあることを特徴とする一方向性電磁鋼
板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法。 記
【数２】 （85＋15log ａ) 〔％〕≧Ｘ〔％〕≧（55＋35log ａ）〔％〕‥‥‥ (1) ただし、 Ｘ〔％〕≦ 100〔％〕である。
【００１１】ここに、図１は横軸に粒子径（μｍ）を、
縦軸に積算量Ｘ（％）をとった場合のこの発明の焼鈍分
離剤の粒度分布の限定範囲を示すグラフで、図におい
て、領域Ｂがこの発明に適合する。
縦軸に積算量Ｘ（％）をとった場合のこの発明の焼鈍分
離剤の粒度分布の限定範囲を示すグラフで、図におい
て、領域Ｂがこの発明に適合する。
【００１２】
【作用】この発明を、実験例をもとにしてさらに詳しく
以下に述べる。まず、フォルステライト質絶縁被膜の形
成におよぼすＭｇＯ粒度分布の影響について述べる。フ
ォルステライト質絶縁被膜は、脱炭焼鈍時に鋼板表面に
形成されたＳｉＯ2とその表面に塗布したＭｇＯとが、
高温仕上焼鈍中に固相反応することで形成される。この
反応にはいわゆるカーケンダル現象が見られ、主として
ＭｇイオンのＳｉＯ2 側への拡散によりフォルステライ
ト質絶縁被膜が形成される。したがって、これまでＭｇ
Ｏの１次粒子が微細なほどフォルステライト質絶縁被膜
が形成されやすいとされてきた。
以下に述べる。まず、フォルステライト質絶縁被膜の形
成におよぼすＭｇＯ粒度分布の影響について述べる。フ
ォルステライト質絶縁被膜は、脱炭焼鈍時に鋼板表面に
形成されたＳｉＯ2とその表面に塗布したＭｇＯとが、
高温仕上焼鈍中に固相反応することで形成される。この
反応にはいわゆるカーケンダル現象が見られ、主として
ＭｇイオンのＳｉＯ2 側への拡散によりフォルステライ
ト質絶縁被膜が形成される。したがって、これまでＭｇ
Ｏの１次粒子が微細なほどフォルステライト質絶縁被膜
が形成されやすいとされてきた。
【００１３】しかしながら、焼鈍分離剤はスラリー状態
で鋼板に塗布されるため上記のことがあてはまらないこ
とを以下の実験により新たにつきとめた。図２は実験に
用いた焼鈍分離剤の粒度分布を示すグラフである。この
図２における焼鈍分離剤Ａ，Ｂ及びＣは、それぞれ前掲
図１に示した粒度分布領域Ａ，Ｂ及びＣにあるもので、
それぞれの焼鈍分離剤のフォルステライト形成能力を、
ＭｇＯとＳｉＯ2 が一定比率になるように焼鈍分離剤と
粉末ＳｉＯ2 を混合して高温焼鈍したのち、フォルステ
ライト生成率を赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）によ
り求めた。この調査結果を表１に示す。
で鋼板に塗布されるため上記のことがあてはまらないこ
とを以下の実験により新たにつきとめた。図２は実験に
用いた焼鈍分離剤の粒度分布を示すグラフである。この
図２における焼鈍分離剤Ａ，Ｂ及びＣは、それぞれ前掲
図１に示した粒度分布領域Ａ，Ｂ及びＣにあるもので、
それぞれの焼鈍分離剤のフォルステライト形成能力を、
ＭｇＯとＳｉＯ2 が一定比率になるように焼鈍分離剤と
粉末ＳｉＯ2 を混合して高温焼鈍したのち、フォルステ
ライト生成率を赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）によ
り求めた。この調査結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から明らかなように、フォルステライ
ト生成率は、粒度分布領域Ａ及びＢの焼鈍分離剤が高い
ことが判明した。
ト生成率は、粒度分布領域Ａ及びＢの焼鈍分離剤が高い
ことが判明した。
【００１６】一方、焼鈍分離剤はスラリー化して鋼板に
塗布される。このスラリー化により、ＭｇＯのＭｇ（Ｏ
Ｈ）2 化（水和現象）が起る。したがって、高温の仕上
焼鈍中にＭｇＯ（ＯＨ）2 →ＭｇＯ＋Ｈ2 Ｏの反応が進
行し、コイル層間の酸素ポテンシャルが増大する。この
現象が顕著になると、被膜のハゲ（欠落）や局所的な点
状剥離が発生しやすくなる。
塗布される。このスラリー化により、ＭｇＯのＭｇ（Ｏ
Ｈ）2 化（水和現象）が起る。したがって、高温の仕上
焼鈍中にＭｇＯ（ＯＨ）2 →ＭｇＯ＋Ｈ2 Ｏの反応が進
行し、コイル層間の酸素ポテンシャルが増大する。この
現象が顕著になると、被膜のハゲ（欠落）や局所的な点
状剥離が発生しやすくなる。
【００１７】そこで、上記の焼鈍分離剤Ａ，Ｂ及びＣを
脱炭焼鈍後の鋼板にそれぞれ塗布したのち仕上焼鈍を施
し、生成したフォルステライト質絶縁被膜の外観を調査
した。その調査結果を表２に示す。
脱炭焼鈍後の鋼板にそれぞれ塗布したのち仕上焼鈍を施
し、生成したフォルステライト質絶縁被膜の外観を調査
した。その調査結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２に示すように、上記においてフォルス
テライト生成率の高かった領域Ａの焼鈍分離剤Ａの場合
は局所的な点状剥離が生じやすい欠点を有することがわ
かった。
テライト生成率の高かった領域Ａの焼鈍分離剤Ａの場合
は局所的な点状剥離が生じやすい欠点を有することがわ
かった。
【００２０】これらの実験結果をもとに、さらにフォル
ステライト生成率及び鋼板表面上に形成されたフォルス
テライト質絶縁被膜外観の双方を満足するような焼鈍分
離剤の粒度分布を調査した結果、前掲図１の領域Ｂで示
される粒度分布を有する焼鈍分離剤がよいことが判明し
た。
ステライト生成率及び鋼板表面上に形成されたフォルス
テライト質絶縁被膜外観の双方を満足するような焼鈍分
離剤の粒度分布を調査した結果、前掲図１の領域Ｂで示
される粒度分布を有する焼鈍分離剤がよいことが判明し
た。
【００２１】したがって、良好なフォルステライト質絶
縁被膜を得るためには、焼鈍分離剤の粒度分布は、前掲
図１に示した領域Ｂ、すなわち、 0.5μｍ以上の粒子径
ａ（μｍ）と積算量Ｘ（％）が、
縁被膜を得るためには、焼鈍分離剤の粒度分布は、前掲
図１に示した領域Ｂ、すなわち、 0.5μｍ以上の粒子径
ａ（μｍ）と積算量Ｘ（％）が、
【数３】 （85＋15log ａ) 〔％〕≧Ｘ〔％〕≧（55＋35log ａ）〔％〕 ただし、 Ｘ〔％〕≦ 100〔％〕 の式を満たすことを必要とする。
【００２２】ところで、鋼板表面上でのフォルステライ
ト質絶縁被膜の形成は、 900℃以上の温度で進行し、 9
50℃以上の温度でその形成速度はより速くなる。そこ
で、上記焼鈍分離剤Ｂを用い、主として昇温速度を変え
てコイルの高温仕上焼鈍を実施した結果、フォルステラ
イトの形成が進行する温度領域での昇温速度がフォルス
テライト質絶縁被膜特性に影響を与えることがわかっ
た。
ト質絶縁被膜の形成は、 900℃以上の温度で進行し、 9
50℃以上の温度でその形成速度はより速くなる。そこ
で、上記焼鈍分離剤Ｂを用い、主として昇温速度を変え
てコイルの高温仕上焼鈍を実施した結果、フォルステラ
イトの形成が進行する温度領域での昇温速度がフォルス
テライト質絶縁被膜特性に影響を与えることがわかっ
た。
【００２３】ここに、上記調査結果から、高温仕上焼鈍
時の昇温速度とフォルステライト質絶縁被膜特性の関係
を図３に示す。なお、図３における被膜特性は表３に示
す判定基準にもとづいて５段階評価したものである。
時の昇温速度とフォルステライト質絶縁被膜特性の関係
を図３に示す。なお、図３における被膜特性は表３に示
す判定基準にもとづいて５段階評価したものである。
【００２４】
【表３】
【００２５】仕上焼鈍における昇温速度が２℃／ｈ以下
では、フォルステライト質絶縁被膜形成中にＳｉＯ2 の
鋼中での解離しうる時間が増加するために、被膜の密着
性の劣化及び被膜の剥離が生じ外観が不均一になる。逆
に、昇温速度が速くなると、焼鈍分離剤によりコイル層
間に持ち込まれたＨ2 Ｏ分の放出タイミングがより高温
までずれ込むので、フォルステライト質絶縁被膜の劣化
を招く恐れがあり、上記図３においても昇温速度30℃／
ｈを超えると被膜特性は劣化している。したがって、高
温仕上焼鈍における 900℃〜1200℃の温度間の昇温速度
を２℃／ｈ〜30℃／ｈの範囲とすることにより良好なフ
ォルステライト質絶縁被膜が得られることが明らかとな
った。
では、フォルステライト質絶縁被膜形成中にＳｉＯ2 の
鋼中での解離しうる時間が増加するために、被膜の密着
性の劣化及び被膜の剥離が生じ外観が不均一になる。逆
に、昇温速度が速くなると、焼鈍分離剤によりコイル層
間に持ち込まれたＨ2 Ｏ分の放出タイミングがより高温
までずれ込むので、フォルステライト質絶縁被膜の劣化
を招く恐れがあり、上記図３においても昇温速度30℃／
ｈを超えると被膜特性は劣化している。したがって、高
温仕上焼鈍における 900℃〜1200℃の温度間の昇温速度
を２℃／ｈ〜30℃／ｈの範囲とすることにより良好なフ
ォルステライト質絶縁被膜が得られることが明らかとな
った。
【００２６】
【実施例】Ｃ：0.007wt ％，Ｓｉ：3.25wt％，Ｍｎ：0.
07wt％，Ｓｅ：0.017wt ％，Ａｌ：0.023wt ％，および
Ｎ：0.0085wt％を含み、残部は実質的にＦｅの組成にな
る板厚： 0.23mmの電磁鋼用冷延鋼帯を、湿水素中で 8
50℃の温度で脱炭焼鈍した鋼板に、ＭｇＯ 100重量部に
対して10重量部の固相反応促進剤(TiO2)を添加し、20℃
×60分間の水和処理を施した焼鈍分離剤スラリーを塗布
し、コイル状に巻取ったのち高温仕上焼鈍を施し、形成
されたフォルステライト質絶縁被膜特性を調査した。そ
の際、焼鈍分離剤には６種類の異なる粒度分布を有する
ものを用い、高温仕上焼鈍にあっては、 900℃〜1200℃
の温度間の昇温速度をそれぞれ１℃／ｈ，５℃／ｈ，10
℃／ｈ，30℃／ｈ及び50℃／ｈで行った。焼鈍分離剤の
粒度分布とあわせてフォルステライト質絶縁被膜特性の
調査結果を表４に示す。
07wt％，Ｓｅ：0.017wt ％，Ａｌ：0.023wt ％，および
Ｎ：0.0085wt％を含み、残部は実質的にＦｅの組成にな
る板厚： 0.23mmの電磁鋼用冷延鋼帯を、湿水素中で 8
50℃の温度で脱炭焼鈍した鋼板に、ＭｇＯ 100重量部に
対して10重量部の固相反応促進剤(TiO2)を添加し、20℃
×60分間の水和処理を施した焼鈍分離剤スラリーを塗布
し、コイル状に巻取ったのち高温仕上焼鈍を施し、形成
されたフォルステライト質絶縁被膜特性を調査した。そ
の際、焼鈍分離剤には６種類の異なる粒度分布を有する
ものを用い、高温仕上焼鈍にあっては、 900℃〜1200℃
の温度間の昇温速度をそれぞれ１℃／ｈ，５℃／ｈ，10
℃／ｈ，30℃／ｈ及び50℃／ｈで行った。焼鈍分離剤の
粒度分布とあわせてフォルステライト質絶縁被膜特性の
調査結果を表４に示す。
【００２７】
【表４】
【００２８】なお、表４に示したフォルステライト質絶
縁被膜特性のランクは以下の通りである。 良好：被膜外観均一、被膜密着性良好 ａ：被膜に局所的な点状剥離が発生 ｂ：被膜外観が不均一で模様が発生 ｃ：被膜密着性不良が発生 ｄ：被膜が部分的に剥離
縁被膜特性のランクは以下の通りである。 良好：被膜外観均一、被膜密着性良好 ａ：被膜に局所的な点状剥離が発生 ｂ：被膜外観が不均一で模様が発生 ｃ：被膜密着性不良が発生 ｄ：被膜が部分的に剥離
【００２９】表４から明らかなように、焼鈍分離材がこ
の発明に適合する前掲図１に示した領域Ｂの粒度分布を
有し、かつ高温仕上焼鈍における昇温速度がこの発明に
適合する５℃／ｈ，10℃／ｈ及び30℃／ｈの適合例にの
み良好なフォルステライト質絶縁被膜が形成されてい
る。
の発明に適合する前掲図１に示した領域Ｂの粒度分布を
有し、かつ高温仕上焼鈍における昇温速度がこの発明に
適合する５℃／ｈ，10℃／ｈ及び30℃／ｈの適合例にの
み良好なフォルステライト質絶縁被膜が形成されてい
る。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、焼鈍分離剤の粒度分
布ならびに高温仕上焼鈍時の 900℃〜1200℃の温度間の
昇温速度を適性範囲に限定することにより、従来よりも
はるかに安定して良好なフォルステライト質絶縁被膜を
形成させることができる。
布ならびに高温仕上焼鈍時の 900℃〜1200℃の温度間の
昇温速度を適性範囲に限定することにより、従来よりも
はるかに安定して良好なフォルステライト質絶縁被膜を
形成させることができる。
【図１】この発明の焼鈍分離剤の粒度分布の限定範囲を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図２】実験に用いた焼鈍分離剤の粒度分布を示すグラ
フである。
フである。
【図３】仕上焼鈍時の昇温速度とフォルステライト質絶
縁被膜特性の関係を示すグラフである。
縁被膜特性の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−224629（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−66935（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−65367（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 22/00 - 22/86 C21D 1/70 H01F 1/12
Claims (1)
- 【請求項１】 最終冷間圧延ののち脱炭焼鈍を施した一
方向性電磁鋼用鋼板表面に、主としてマグネシアからな
る焼鈍分離剤を塗布したのち、コイル状で高温仕上焼鈍
を施す一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜
形成方法において、 焼鈍分離剤が、 0.5μｍ以上の粒子径を有し、かつ、粒
度分布に関してａであらわした粒子径（μｍ）と積算量
Ｘ（％）が、下記式(1)を満たすこと、 高温仕上焼鈍における 900℃〜1200℃の温度間の昇温速
度が、２℃／ｈ〜30℃／ｈの範囲にあることを特徴とす
る一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成
方法。 記 【数１】 （85＋15log ａ) 〔％〕≧Ｘ〔％〕≧（55＋35log ａ）〔％〕‥‥‥ (1) ただし、 Ｘ〔％〕≦ 100〔％〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4270344A JP3056895B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4270344A JP3056895B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116736A JPH06116736A (ja) | 1994-04-26 |
| JP3056895B2 true JP3056895B2 (ja) | 2000-06-26 |
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ID=17484956
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4270344A Expired - Fee Related JP3056895B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 一方向性電磁鋼板のフォルステライト質絶縁被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056895B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1088244A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-07 | Kawasaki Steel Corp | 方向性電磁鋼板製造時における焼鈍分離剤用のＭｇＯ |
| JP4632775B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-02-16 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 焼鈍分離剤用のＭｇＯの製造方法 |
| JP5418844B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-02-19 | 新日鐵住金株式会社 | 方向性電磁鋼板の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP4270344A patent/JP3056895B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06116736A (ja) | 1994-04-26 |
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