JP3054404B2 - 半導体装置の直接的温度検知 - Google Patents
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Description
を検知する装置及び方法に関するものであって、更に詳
細には、チップの上に温度センサーを直接的に配置する
ことによって集積回路チップの温度をより正確に検知す
る装置及び方法に関するものである。センサーの信号を
処理し且つチップ温度を決定するのに必要な回路が別の
基板上に位置されている。装置温度を決定するために受
取った信号を処理するのに使用するノイズモデリング及
びエラー相殺方法も本発明の一部として記載する。
温度をモニタするために半導体業界においては温度セン
サーが使用されている。典型的に、実際のセンサー及び
関連する検知回路はその温度をモニタする装置を包含す
るものとは別のチップ上に形成される。従って、センサ
ーチップは興味のある装置を包含するチップに近接して
配置される。このことは、実際には、温度センサーが該
装置の局所的環境の温度を測定するものであって、その
実際の温度を測定するものでないことを意味している。
回路装置用の温度センサーとして使用される。このよう
なダイオードセンサーを図1に示してある。このような
ダイオードが与えられた電流でバイアスされており且つ
接合温度が変化する場合には、該ダイオードを横断して
の電圧は温度に関しほぼ直線的な変化を示す。ダイオー
ド電圧対温度曲線は負の係数を有しており、ダイオード
電圧はゼロの絶対温度(0°K)においてシリコンのバ
ンドギャップ電圧に等しい。基準温度におけるダイオー
ド電圧Vd (Tr)と温度Tにおけるダイオード電圧V
d (T)との間の関係は以下のようにしてモデル化させ
ることが可能である。
ド方程式である。該方程式において、Vbgは該ダイオー
ドのシリコンバンドギャップ電圧である。明らかなよう
に、ダイオード電圧の測定値は温度検知用に直接的に使
用することが可能である。然しながら、Vd とTとの関
係は通常のシリコン動作温度範囲にわたって数%の程度
である温度対順方向電圧伝達関数の曲率(非線形性)を
有している。このようなセンサーは、処理毎に且つシリ
コンウエハにわたって(即ち、センサー毎に)変動を示
す。従って、接合ダイオードはキャリブレイション(較
正)を必要とし且つ温度センサーとして使用される場合
にエラーを導入する。
は、電流源(IF )及び逆飽和電流(IS )によって表
わすことも可能である。この場合には、ダイオード電圧
(VF )は次式の如くに表わされる。
る。
一のダイオードを使用することは、測定値が処理変動及
び非線形性問題によって影響を受けるという欠点を有し
ている。そのために、差動型の2センサー測定技術が時
折使用される。
する2つの接合の順方向電圧における差を測定すること
に基づいている。図2は差温度測定技術の一部としてど
のようにして2接合ダイオード温度センサーを使用する
ことが可能であるかを示した概略図である。ダイオード
面積及び電流の種々の組合わせで異なる電流密度を得る
ことが可能である。典型的なアプローチは、ダイオード
D1及びD2に対して等しいコレクタ電流であるが異な
る面積を与える場合がある(例えば、D2はD1の寸法
の10倍とする場合がある)。従って、それらの順方向
電圧の間の差異は、電流密度比の対数及び絶対温度に比
例し、次式の如く表わすことが可能である。
電流密度(単位面積当たりの電流)である。
(典型的に、1mV/K未満に過ぎない)、従って、そ
れは処理回路出力端においてより便利な温度係数(例え
ば、10mV/K)を発生すべく増幅される。この技術
は、絶対温度に比例する出力電圧又は電流を有するシリ
コン温度センサーを形成するために使用される。
用することが可能である接合ダイオード102から形成
した温度センサー100を示した概略図である。接合ダ
イオード102はその接合温度Tj によって特性付けら
れる。接合はN型基板内に導入されるP型領域から形成
される。ダイオード102は、典型的に、金属フレーム
104上に装着され、該フレーム104は、封止物質1
06と共に、センサー100に対するケースとして作用
する。このケースはケース温度TC によって特性付けら
れる。理解されるように、装置の温度を測定する場合
に、センサー100は、周囲温度TA によって特性付け
られる領域によって離隔され、興味のある装置に近接し
て配置される。
TA とは次式の如くに関連付けられている。
であり、且つPj は該接合において散逸されるパワー即
ち電力である。該接合において散逸されるパワーが小さ
い場合には、次式が成立する。
温度は接合温度に非常に近い。このことは、接合温度を
大気温度に対する妥当に良好な近似として使用すること
が可能であることを意味している。従って、非常に小さ
な電力散逸を有する接合ダイオードは、大気(周囲)環
境の温度を正確に検知するために使用することが可能で
ある。注意すべきことであるが、このことは、大気温度
が大気(周囲)領域内にある半導体装置の温度を正確に
表わすものであるか否かの問題を解決するものではな
い。
に、図1−3を参照して説明した従来の温度検知方法は
最近の集積回路に対しては満足いくものでない場合があ
る。より速いクロック速度を有する装置が開発されるに
従い、装置の温度を決定することの可能な精度がより重
要なものとなる。何故ならば、このような装置は、典型
的に、より低いクロック速度の装置よりもより多くの熱
を発生するからである。装置の破壊を防止するために
は、発生される熱、従ってその温度を密接にモニタする
ことが重要である。従って、動作期間中に実際の装置温
度を知ることは、装置の信頼性及び性能を評価する上で
の助けを与える。
上に形成されている装置の温度を検知するためにどのよ
うにして図3の温度センサーを典型的に使用されるかを
示した概略図である。図4において、IC1 は温度を測
定すべき集積回路である。集積回路IC1 はプリント回
路基板上に装着されている。このような回路の1例はマ
イクロプロセサである。IC2 は図3の集積回路温度セ
ンサー100であり、それはIC1 下側の空間の大気即
ち周囲温度を測定するために使用される。
る。然しながら、Pj1(IC1 のパワー散逸)は必ずし
も小さいものではない。更に、その値も時間従属性であ
る。以下の関係が与えられると、 Tj1−TA =θj1A Pj1 IC1 の温度(即ち、Tj1)を決定するためにTA の値
のみを測定することは不充分であることが明らかであ
る。更に、θj1A 及びPj1の値を知ることが必要であ
る。θj1A はIC1 を包含する特定のパッケージに対し
て別個に測定し且つ決定することが可能である。然しな
がら、Pj1は定数ではなく且つIC1 の動作状態に依存
する。
に、Pj1は非常に小さな値(例えば、アイドルモード)
から全速動作における非常に大きな値へ変化する場合が
ある。このことは、数百MHzのクロック速度で稼動し
ているマイクロプロセサの場合に特に言えることであ
る。集積回路における電力散逸はクロック速度に直接的
に比例するので、Pj1の値は信頼性をもって推定したり
又は見過ごしたりすることができないものである。この
ことは、従来の遠隔的な温度検知方法は、多くの場合に
おいて、高速装置の温度を正確に決定するために使用す
ることが可能なものではないことを意味している。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、半導体装置の実際の動作温度を正確に決定
する装置及び方法を提供することを目的とする。
作温度を直接的に測定する装置及び方法に関するもので
ある。その温度が興味のある装置を包含する基板の上に
温度センサーを直接的に配置させる。センサー信号を処
理するために使用される回路が別の基板上に設けられて
いる。該センサーは興味のある装置と同一の基板上に存
在しているので、該装置によって該基板内へ注入される
電子の結果としてセンサー信号内にノイズが発生する。
本発明は、装置の動作温度を非常に正確に決定するため
に温度測定におけるノイズ及びエラーを相殺する方法を
提供している。
動作温度をより正確に測定することは該装置を包含する
基板の上に直接的に温度センサーを配置することにより
得られるものであることを知得した。センサー信号を発
生し且つ処理するための関連する回路は第二基板上に位
置されている。このことは、その温度が興味のある装置
に対して該センサーを近接して配置させ、該温度のより
正確な測定値を与える。本発明者等は、更に、このセン
サーの配置は、該センサー及び装置の共通の基板内へ該
興味のある装置によって注入される電子に起因して、セ
ンサー信号のノイズ成分を増加させる場合があることを
認識した。このノイズ問題は、該ノイズをモデル化し且
つ相殺するための本発明技術によって解消されている。
度センサーは、典型的に、バイポーラ接合トランジスタ
又はCMOS装置のPN接合である。該接合を介して流
れる電流(I)と、該接合を横断しての電圧(VD )
と、該接合の温度(T)との間の関係は次式によって与
えられる。
あり、qは電子電荷であり、且つIS は接合面積に比例
する処理に関係したパラメータである。
るための本発明の第一実施例を示した概略ブロック図で
ある。図5に示した実施例は「シングルエンド」型検知
モードと呼ばれる。何故ならば、興味のある装置(図中
基板「B」で示してある)を包含する基板上に単一の検
知用接合(図中要素150として示してある)が配置さ
れている。
第一電流I1 を流し、次いで時間t2 において接合J1
150を介して第二電流I2 を流すことにより図5の装
置を使用して温度測定が行なわれる。時間t1 及びt2
における接合電圧における差異が決定され且つ接合温度
を推定するために使用される。
るための本発明の第二実施例を示した概略ブロック図で
ある。図6に示した実施例は「差動型」検知モードと呼
ばれる。何故ならば、2つの検知用接合(図中要素16
0及び162)が興味のある装置(図中基板「B」とし
て示してある)を包含する基板上に配置されており、且
つこれらの接合電圧の間の差異を使用して該温度を表わ
す。接合J1 160を介して第一電流I1 を流し、且つ
同時に、接合J2 162を介して第二電流I2を流すこ
とにより図6の装置を使用して温度測定が行なわれる。
すべき装置内部に検知用接合(それは単にダイオードと
することが可能である)を配置させることにより、検知
用装置IC2 (図中「A」として示した基板上に含まれ
ている)がIC1 (図中「B」として示した基板上に含
まれている)の接合温度を直接的に測定することが可能
である。IC2 によって処理された検知データは、デー
タがデジタル的に一連のパルスとして送信されるシリア
ルバスとすることが可能な「データ通信リンク」を介し
てIC1 へ送り戻すことが可能である。この情報は、次
いで、その動作を制御するか又は何らかのタイプのエラ
ー信号を開始させるためにIC1 上の装置によって使用
することが可能である。
ることが必要な2つの主要な問題点が存在している。
報を処理し且つIC1 における温度が臨界的なレベルに
増加する前に時を得た態様でそれをIC1 へ送信すべき
であり、且つ、(2)IC2 はIC1 の温度を正確に検
知すべきである。通常はダイオード電圧であるセンサー
情報がノイズによって影響される場合には、温度検知動
作が不正確なものとなる。検知用ダイオードは高速VL
SI(CMOS技術を使用して製造)内に位置されてい
るので、ダイオード電圧は基板注入ノイズによって影響
される蓋然性が非常に高い。
術は所要のデータを与えることが可能なものであるが、
以下の理由により差動型技術が好適である。
取を完了するために2つのクロックサイクルを必要とす
る。差動型技術を使用する場合には1つのクロックサイ
クルで充分である。
能力を必要とする。
ンデンサを使用して電圧差を直接的にサンプルすること
が可能である。このことは検知された信号を接地ノイズ
に対してより免疫性の強いものとさせる。
合面積が等しいものである必要はない。ことのことは同
一の電流比に対しシングルエンド型の場合と比較してよ
り正確な読みを与える。
は基板注入型ノイズに対するモデルを開発した。更に、
本発明温度検知技術を使用してノイズを除去するか又は
減少させるための方法を開発した。従って、本発明者等
は、基板ノイズをモデル化する態様を提案しており且つ
温度測定からのノイズの貢献分を取除く幾つかの形態を
提案している。本発明者等は単一ダイオード及び2ダイ
オードの両方の検知技術に対するノイズ問題について検
討した。
可能な速度は重要な性能基準である。ある適用例におい
ては、装置温度が非常に迅速に増加する場合がある。本
発明測定技術のユーザは、妥当な程度に高速且つ正確に
温度に関する情報を検知し且つ処理することが可能であ
ることが必要である。
チにおいては、2つの異なる電流密度に対し2つのシー
ケンシャルな時間間隔においてダイオード電圧を測定す
る。従って、温度対デジタルシリアルデータ変換は、各
ダイオードが2つの異なる電流密度で動作され且つダイ
オード電圧差が単一の時間間隔期間中に測定される2ダ
イオードアプローチよりも2倍程度速度が遅い。
ダイオードピンへのノイズ注入を、差動型測定技術を使
用してかなり相殺させることが可能であるということで
ある。本明細書においては、本発明者等は、より広い範
囲の適用場面をカバーするために単一ダイオード及び二
重ダイオードの両方のアプローチに対しての形態を提案
している。
度検知用接合が形成されている基板内へ注入されるノイ
ズのモデルを開発した。これは本発明の構成にとって特
定的な問題であり、温度センサーがその温度を検知する
装置と異なる基板上に配置させる場合には発生するもの
ではない。
モデル化の以下の説明において、NウエルCMOS技術
のみを考慮する。当業者によって理解されるように、同
一の概念はPウエルCMOS及びバイポーラ技術に対し
ても適用可能である。
される基板PNPトランジスタを温度検知用装置として
使用する。基板PNP構造は、温度検知用装置として使
用する基板トランジスタの構造を示した側面図である図
7に示したように、軽度にドープしたNウエル内側の高
度にドープしたP+拡散部及び軽度にドープしたP基板
によって形成されている。その図に示したように、P+
拡散領域及びNウエルがエミッタ・ベース接合を形成し
ており且つP基板対Nウエル基板がPNPトランジスタ
のコレクタ・ベース接合を形成している。Nウエル及び
P基板は、Pチャンネル及びNチャンネルMOSトラン
ジスタをNウエルCMOS技術を使用して構成する箇所
である。このような構造がデジタルCMOSVLSIと
同一のP基板を共用する場合には、P基板はスイッチン
グMOSトランジスタから基板へ注入される電荷に起因
して非常にノイズが多いものとなる。該ノイズ電荷はP
基板対Nウエル接合空乏容量によってNウエル内に注入
させることが可能である。これらの電荷のうちの幾らか
は、Nウエル(ベース)が接地されていたとしても、N
ウエル・P+接合を介してエミッタによって回収され
る。然しながら、このノイズ電荷注入の供給源は小さい
ものと予測される。典型的に、ノイズ電荷注入のより顕
著な供給源は、検知接合のエミッタ端子におけるESD
(静電放電)保護構造に起因する該検知接合のエミッタ
端子への直接的なアクセスである。ノイズ電荷注入は、
2つの最も一般的なESD構造、即ちNMOSクランプ
型又はダイオードクランプ型のいずれかが使用される場
合に顕著なものとなることが予測される。
て、検知信号に対するノイズ貢献分をモデル化すること
が可能である。図8−10は温度検知用接合を包含する
基板に対する基板注入ノイズのモデルの概略図である。
図8において、温度検知用PNP装置はQによって表わ
されており、デジタル基板内のランダムノイズは電圧源
Vsnによって提供され、且つ検知ピンへノイズを注入す
る接合容量はCj によって表わされており、尚Cj は電
圧依存性接合コンデンサである。
は次式で与えられる。
表わすことが可能である。
Vsn/dt Cj がVsnに弱く依存するものと仮定すると、上式は以
下の如くに書き直すことが可能である。
である。この式は小信号モデル化の目的のために線形化
させることが可能である。大信号モデル化の場合には、
使用することの可能な汎用式は次式である。
ル表示は、簡単化させ且つ図9に示したように描き直す
ことが可能である。図9から、等価な基板注入型電圧ノ
イズを派生させることが可能である。該ダイオードを介
して流れる電流(Id )は次式で与えられる。
得られる。
数であり、qは電子電荷であり、且つTは絶対温度であ
る)。In (上の式においてはin として示してある)
は基板注入型ノイズ電流であり、Is はダイオード飽和
電流であり且つIはバイアス電流である。vs に対する
方程式は以下に与えるように操作し且つ書き直すことが
可能である。
選択することにより)且つln(1+in /I)≒in
/Iであるから、上式を以下の如くに書き直すことが可
能である。
項と置換させることが可能であり、且つ2番目の項はe
n として命名することが可能であり、それにより次式が
得られる。
である。新たな等価ノイズ回路を図10に示してある。
知する一般的な技術について説明した。その次に、基板
注入型ノイズの温度検知用接合に与える影響及びメカニ
ズムについて説明した。基板注入型ノイズに対するモデ
ルについても説明した。
問題について戻り且つ基板注入型ノイズの影響を取除く
4つの温度検知用形態について説明する。その場合に、
ノイズが発生するVLSI回路における温度検知用の2
つの技術について検討する。第一の方法は異なる電流密
度を得るために2つの異なるバイアス電流において動作
する単一接合ダイオードを使用する。第二の方法は2つ
の接合ダイオードを使用し、その場合に、2つの異なる
電流密度が、異なる寸法のダイオード対又は異なる大き
さのバイアス電流を有することのいずれかによって達成
される。
ダイオード温度センサー 図11は本発明の直接的温度測定方法を実現するために
使用された場合の単一接合ダイオード200及びそれと
関連する電流ノイズ202を示した概略図である。2つ
の異なるレベルのバイアス電流(図中I1 及びI2 とし
て示してある)がスイッチS1 及びS2 を使用してシー
ケンシャルに即ち逐次的に印加される。注意すべきこと
であるが、I2 はI1 の整数倍である。
が閉成され且つスイッチS2 が開成される。出力ノード
(Out)における電圧は次式で表わされる。
飽和電流である。持続の時間間隔Δt2 の期間中、スイ
ッチS1 は開成され且つスイッチS2 は閉成される。こ
のインターバル即ち時間間隔に対する出力電圧は次式に
よって与えられる。
t2 において格納され且つ適宜の信号処理回路によって
互いに減算されると、電圧差ΔVo が得られ且つ次式で
与えられる。
より、次式が得られる。 ΔVo ≒VT (lnN+(in /I))=VT lnN+en (8) 式(8)における熱電圧VT は次式で与えられる。
To は基準温度(300°K)であり且つTは測定すべ
き温度である。
化した温度T/To に対する式を得ることが可能であ
る。式(10)において、ΔVo は電子的に計算された
(2つの逐次的な測定値によって)電圧差であり、VTo
は基準温度To における熱電圧であり、且つエラー項
(en)は温度検知エラーとして表われる等価のノイズ
電圧である。
度をエラー係数(en)内において測定することが可能
である。このエラーは、更なる測定を行なった場合には
除去することが可能である。
測定シーケンスを使用し、ノイズ電圧の値を決定するこ
とが可能である(これは実効的にはキャリブレイション
シーケンスである)。エラー項enがこの測定シーケン
ス期間中に決定されると、それを取除くことが可能であ
る。従って、T/To の比は次式によって与えられる。
換時間)を必要とし且つ処理回路内に付加的な複雑性を
導入する。
合ダイオード温度センサー 図12は本発明の直接温度測定方法を実現するために使
用した場合の関連する電流ノイズ項を具備する2接合ダ
イオードを示した概略図である。面積x及びNxを夫々
有する2つの接合ダイオード(図中要素210及び21
2)が、それらの関連する等価電圧エラーen及びen
2と共に示されている。各ダイオードを介して流れるバ
イアス電流は、両方とも、Iに等しい。出力電圧Vo1及
びVo2は同時的に測定することが可能であり且つ信号処
理回路によって互いに減算することが可能である。電圧
Vo1及びVo2は次式によって与えられる。
オードD1の面積はダイオードD2の面積よりもN倍大
きいので、大略en1 >en2 である。ところで、次の
式を定義する。
る。
注入型ノイズによって導入されるエラーΔenを包含し
ている。
技術 この部分においては、ノイズが発生するVLSI回路の
環境における温度検知用の4つの技術について説明す
る。図13乃至16はノイズが発生する回路の環境にお
いて本発明の温度検知方法を実現する4つの方法に対す
る測定装置を示した概略図である。これらの温度検知技
術において、異なるダイオード面積を使用することによ
り又は異なる電流の大きさを使用することによって2つ
の異なる電流密度が得られる。ノイズの相殺は、交差接
続した形態及びシーケンシャルな測定技術によって行な
われる。
態 レシオ型面積/レシオ型バイアス形態を図13に示して
ある。注意すべきことであるが、ダイオードD1 22
0はダイオードD2 222の面積のN倍に等しい面積
を有している。時間インターバルΔt1 において、スイ
ッチS1 が閉じられ且つスイッチS2 が開かれる。この
場合に、Vo1及びVo2は次のように表わすことが可能で
ある。
かれ且つスイッチS2が閉じられる。この状態において
は、次式が成立する。
は以下のように書き直すことが可能である。
ノイズ項enを除去している。
この形態においては、スイッチングバイアス電流源のう
ちの1つが非スイッチング(連続的)バイアスとされ
る。付加的な補助電流源バイアスがスイッチ動作によっ
て入られたり出されたりする。図14に示したように、
バイアス電流I1及びI2 が等しく、且つ付加的なバイ
アス電圧はI1 及びI2 の電流のN倍に等しい。ダイオ
ードD2 232の面積はダイオードD1 230の面
積のN倍である。
閉じられ且つスイッチS2 が開かれる。Vo1及びVo2は
次式の如くに表わされる。
スイッチS1 が開かれる。これは次式を与える。
可能である。
(I2 はI1 のN倍に等しい)。直列接続した2つのダ
イオードの結合(図中「D1a240」及び「D1b24
2」、「D2a244」、「D2b246」として示してあ
る)は、単一ダイオードD1 及びD2の各々を置換す
るために使用されている。一般的な回路図を図15に示
してある。
びS3 が閉じられ、且つスイッチS2 及びS4 が開かれ
る。項ΔVo1は次式の如くに表わすことが可能である。
られ且つスイッチS1 及びS3 が開かれる。項ΔVo2は
次式の如くに表わすことが可能である。
である。この場合には、時間間隔Δt1 において、スイ
ッチS1 及びS3 が閉じられ且つスイッチS2 が開かれ
る。従って、ΔVo1は次式の如くに表わされる。
れ且つスイッチS3 が開かれる。従って、ΔVo2は次式
の如くに表わされる。
能である。
ことが可能である。
ス/同一面積形態を図16に示してある。バイアス電流
I1 はバイアス電流I2 のN倍に等しい。2つの温度検
知ダイオードD1 250及びD2 252は等しい面積
を有している。
閉じられ且つS2 が開かれる。出力電圧は次式の如くに
表わされる。
表わされる。
2 が閉じられる。Vo1及びVo2の差は同様に次式の如く
に表わされる。
殺される。式(42)は次式の如くに書き直すことが可
能である。
たが、本発明は、これら具体例にのみ制限されるべきも
のではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに
種々の変形が可能であることは勿論である。例えば、本
明細書において使用した項及び式は、限定することを意
図して使用したものではなく、本明細書及び図面に記載
したものの均等物を排除する意図をもってなされたもの
ではない。
を示した概略図。
て2個の接合ダイオード温度センサーを使用するかを示
した概略図。
とが可能な接合ダイオードから形成した温度センサーを
示した概略図。
的に図3のセンサーがどのように使用されるかを示した
概略図。
の第一実施例を示した概略ブロック図。
の第二実施例を示した概略ブロック図。
ジスタの構造を示した概略側面図。
型ノイズモデルを示した概略図。
型ノイズモデルを示した概略図。
入型ノイズモデルを示した概略図。
に使用した場合の単一接合ダイオードとそれと関連する
電流ノイズ項を示した概略図。
に使用した場合の2個の接合ダイオードとそれと関連す
る電流ノイズ項を示した概略図。
明の温度検知方法を実現する1つの方法に対する測定装
置を示した概略図。
明の温度検知方法を実現する1つの方法に対する測定装
置を示した概略図。
明の温度検知方法を実現する1つの方法に対する測定装
置を示した概略図。
明の温度検知方法を実現する1つの方法に対する測定装
置を示した概略図。
Claims (2)
- 【請求項1】興味のある装置の温度を測定する装置にお
いて、 前記興味のある装置が形成されている第一基板、 前記第一基板上に形成されており第一接合ダイオードと
第二接合ダイオードとを具備している温度センサー、 第二基板上に形成されており且つ前記温度センサーによ
って与えられる信号を入力として持つような形態とされ
ている温度センサー信号処理回路、 を有しており、前記温度センサー信号処理回路が、前記
第一接合ダイオードを介して第一電流レベルの電流を通
過させ且つ前記第二接合ダイオードを介して第二電流レ
ベルの電流を通過させ、次いで前記第一接合ダイオード
を介して第二電流レベルの電流を通過させ且つ前記第二
接合ダイオードを介して第一電流レベルの電流を通過さ
せるべく動作可能なスイッチを有している、ことを特徴
とする装置。 - 【請求項2】請求項1において,前記第二電流レベルが
前記第一電流レベルの整数倍であることを特徴とする装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/988874 | 1997-12-11 | ||
US08/988,874 US6149299A (en) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | Direct temperature sensing of a semiconductor device semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11211574A JPH11211574A (ja) | 1999-08-06 |
JP3054404B2 true JP3054404B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=25534569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10258879A Expired - Fee Related JP3054404B2 (ja) | 1997-12-11 | 1998-09-11 | 半導体装置の直接的温度検知 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6149299A (ja) |
JP (1) | JP3054404B2 (ja) |
KR (1) | KR100294135B1 (ja) |
DE (1) | DE19839979A1 (ja) |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
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-
1998
- 1998-09-02 DE DE19839979A patent/DE19839979A1/de not_active Ceased
- 1998-09-10 KR KR1019980037400A patent/KR100294135B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-11 JP JP10258879A patent/JP3054404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100294135B1 (ko) | 2001-08-07 |
DE19839979A1 (de) | 1999-07-08 |
US6149299A (en) | 2000-11-21 |
JPH11211574A (ja) | 1999-08-06 |
KR19990062498A (ko) | 1999-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120407 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140407 Year of fee payment: 14 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |