CN101865730A - 一种双pn结线形温度传感器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Abstract
一种双PN结线形温度传感器,包括温度传感器,温度传感器的衬底上配置有第一PN结和第二PN结,第一PN结和第二PN结线路连接后再和温度传感器的电压输出端相连,PN结有电流通过时,其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关,当通过同样电流时,第一PN结和第二PN结的电流密度与面积成反比,第一PN结和第二PN结的正向压降之差只与绝对温度成正比,温度传感器的输出电压为第一PN结和第二PN结的正向电压降之差,第一PN结和第二PN结正向压降之差与绝对温度成线性关系,即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系,本发明具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及温度传感器技术领域,具体涉及一种双PN结线形温度传感器。
背景技术
自进入工业文明以来,温度传感器一直有着重要的作用,出现在社会生活各个领域,温度传感器主要包括热电偶、基于不同热膨胀系数的双金属片、热敏电阻、PN结温度传感器等。
PN结温度传感器是基于恒定电流驱动下其正向压降与温度的关系,这种PN结温度在一定范围内可以近似线性,结构简单,得到了普遍应用,但是在对线性度要求较高的场合就不再合适,而且因为工艺误差,电源波动,这种传感器一致性、重复性比较差。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的是提供一种双PN结线形温度传感器,具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种双PN结线形温度传感器,包括温度传感器1,温度传感器1的衬底2上配置有第一PN结3和第二PN结4,第一PN结3和第二PN结4线路连接后再和温度传感器1的电压输出端相连。
所述的第一PN结3和第二PN结4线路连接,分为串联和并联两种方式。
所述的第一PN结3和第二PN结4的面积成如下比例:达到给第一PN结3和第二PN结4通过同样电流时,温度传感器1的输出电压为第一PN结3和第二PN结4的正向电压降之差。
所述的第一PN结3和第二PN结4的材料采用硅单晶、多晶硅、非晶硅或金属材料。
本发明的工作原理为:PN结有电流通过时,其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关,当通过同样电流时,第一PN结3和第二PN结4的电流密度与面积成反比,第一PN结3和第二PN结4的正向压降之差只与绝对温度成正比,温度传感器1的输出电压为第一PN结3和第二PN结4的正向电压降之差,第一PN结3和第二PN结4正向压降之差与绝对温度成线性关系,即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系。
由于本发明配置有第一PN结3和第二PN结4,并且第一PN结3和第二PN结4的面积成比例,故而具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。
附图说明
附图为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
参照附图,一种双PN结线形温度传感器,包括温度传感器1,温度传感器1的衬底2上配置有第一PN结3和第二PN结4,第一PN结3和第二PN结4线路连接后再和温度传感器1的电压输出端相连。
所述的第一PN结3和第二PN结4线路连接,分为串联和并联两种方式。
所述的第一PN结3和第二PN结4的面积成如下比例:达到给第一PN结3和第二PN结4通过同样电流,温度传感器1的输出电压为第一PN结3和第二PN结4的正向电压降之差。
所述的第一PN结3和第二PN结4的材料采用硅单晶、多晶硅、非晶硅或金属材料。
本发明的工作原理为:PN结有电流通过时,其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关,当通过同样电流时,第一PN结3和第二PN结4的电流密度与面积成反比,第一PN结3和第二PN结4的正向压降之差只与绝对温度成正比,温度传感器1的输出电压为第一PN结3和第二PN结4的正向电压降之差,第一PN结3和第二PN结4正向压降之差与绝对温度成线性关系,即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系。
附图中:1为温度传感器;2为衬底;3为第一PN结,4为第二PN结。
Claims (4)
1.一种双PN结线形温度传感器,包括温度传感器(1),其特征在于:温度传感器(1)的衬底(2)上配置有第一PN结(3)和第二PN结(4),第一PN结(3)和第二PN结(4)线路连接后再和温度传感器(1)的电压输出端相连。
2.根据权利要求1所述的一种双PN结线形温度传感器,其特征在于:所述的第一PN结(3)和第二PN结(4)线路连接,分为串联和并联两种方式。
3.根据权利要求1所述的一种双PN结线形温度传感器,其特征在于:所述的第一PN结(3)和第二PN结(4)的面积成如下比例:达到给第一PN结(3)和第二PN结(4)通过同样电流时,温度传感器(1)的输出电压为第一PN结(3)和第二PN结(4)的正向电压降之差。
4.根据权利要求1所述的一种双PN结线形温度传感器,其特征在于:所述的第一PN结(3)和第二PN结(4)的材料采用硅单晶、多晶硅、非晶硅或金属材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010157719 CN101865730A (zh) | 2010-04-27 | 2010-04-27 | 一种双pn结线形温度传感器 |
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CN 201010157719 CN101865730A (zh) | 2010-04-27 | 2010-04-27 | 一种双pn结线形温度传感器 |
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---|---|
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Country | Link |
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CN (1) | CN101865730A (zh) |
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