JP3052847B2 - Lsiレイアウト方式 - Google Patents

Lsiレイアウト方式

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JP3052847B2
JP3052847B2 JP8220399A JP22039996A JP3052847B2 JP 3052847 B2 JP3052847 B2 JP 3052847B2 JP 8220399 A JP8220399 A JP 8220399A JP 22039996 A JP22039996 A JP 22039996A JP 3052847 B2 JP3052847 B2 JP 3052847B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スタンダードセル
方式の半導体集積回路に関し、特に、配置配線設計に関
する。
【0002】
【従来の技術】図1に、スタンダードセルを用いた半導
体集積回路(「LSI」という)でのレイアウト設計の
一例を示す。図中、1〜11は、基本論理回路である、
インバータ、2入力NAND、3入力NANDといった
機能をもつスタンダードセルを示している。また、図
中、白抜四角の記号で示した端子は入力端子、黒塗四角
の記号で示した端子は出力端子を示し、これらを接続す
る配線を矢印で表示している。
【0003】LSIの微細化などのため、半導体プロセ
スが、第1の半導体プロセス(“テクノロジA”)から
第2の半導体プロセス(“テクノロジB”)に更新され
る場合を考える。
【0004】この第2の半導体プロセスにおいては、半
導体基板上で回路を構成する設計寸法が更新され、微細
化に伴って各部寸法が縮小されるのが一般的である。
【0005】LSIのレイアウト設計の従来方式では、
配置・配線を、自動化ツールにより行う都合上、ある基
本単位寸法のピッチで並ぶ格子に沿って素子配置、配線
を行なっている。
【0006】しかしながら、上記したような半導体プロ
セスの更新により、設計寸法が縮小変更された場合、性
能追及をするためには、図3に示すように、個々の基本
回路のスタンダードセルの大きさの縮小が回路によって
異なり、その結果、各セルの配置の相対的位置の関係が
異なることになる。
【0007】また、LSIの微細化への方法としてLS
Iの機能部の全体を一律に各寸法を縮小(リダクショ
ン)する手法がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来方式は下
記記載の問題点を有している。
【0009】(1)第1の問題点は、半導体製造プロセ
スの更新によりLSIの微細化が行なわれると、再度、
LSIの配置、配線のレイアウト設計を行なわねばなら
ず、莫大な設計作業量を要する、ということである。
【0010】その理由は、半導体プロセス更新に伴う設
計寸法の変更により、論理機能を構成する基本論理セル
の大きさが異なり、このため各セルの配置の相対的位置
関係がくずれてしまう、ことによる。
【0011】(2)第2の問題点は、LSIの機能部の
全体を一律に縮小する場合、機能を構成する各階層のブ
ロックを流用することができず、各LSIを、個別にレ
イアウト設計することが必要とされ、やはり大きな設計
作業量を要する、ということである。
【0012】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものであって、その目的は、スタンダードセル
方式のLSI設計において、LSIの微細化等を伴い、
新たなLSI設計を行う際に、半導体プロセスによら
ず、スタンダードセル及びこれを組合せた論理ブロック
の配置、配線情報を流用せしめ、これにより設計に要す
る作業工数を低減し、短期でのLSI開発を可能とする
レイアウト方式を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、複数のトランジスタ素子をもつ論理機能
ブロックを複数個半導体集積回路基板に形成するスタン
ダードセル方式の半導体集積回路のレイアウト方式にお
いて、基本の論理単位を構成するセルを半導体基板上に
おいて形成する際に占める外形の大きさ、入出力信号及
び電源供給端子位置、複数の素子を接続する配線経路
を、基本寸法単位のピッチの整数倍で構成し、前記基本
論理セルの大きさを、前記基本寸法単位のピッチの整数
倍として、半導体プロセスによらないセルを規定し、前
記基本寸法単位のピッチ寸法は半導体プロセスで定まる
設計寸法に応じて可変に調整され、異なる半導体プロセ
スに対しても前記基本寸法単位ピッチ上で前記基本論理
セルの相対的位置関係を同一としたことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態を以
下に説明する。本発明は、その好ましい実施の形態にお
いて、LSIの基本の論理セルをLSI基板レイアウト
上で構成する際に、セルの大きさ、入出力端子の位置
を、基本寸法単位のピッチによる格子上に配列する上
で、半導体プロセス上での設計寸法によらず、各基本セ
ルのピッチ上で換算した大きさを同一とし、配置位置の
相対関係を、基本寸法単位のピッチの格子上で保ったセ
ルとしてレイアウト設計を行うようにしたものである。
【0015】また、本発明の実施の形態においては、基
本論理単位のセルを、好ましくは、基本寸法単位のピッ
チの整数倍に組合せ配置し、階層的に大規模な論理ブロ
ックを構成するものである。
【0016】さらに、本発明の実施の形態においては、
基本寸法単位のピッチは、半導体製造プロセスに関る、
異なる設計寸法に対応し可変とされる。
【0017】これにより、異なる設計寸法の半導体プロ
セスに対するLSIのレイアウト設計においても、LS
I全体あるいはLSI内の一部機能構成ブロックについ
て、基本寸法単位を変更することのみで、内部のセルの
配置の相対的な位置を変えることなく、既存のレイアウ
トデータ資源の流用活用を行なうことができる。
【0018】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して以下
に説明する。図1を参照すると、本発明の実施例におい
ては、基本の論理単位のセル1〜11の各々を、基本寸
法単位のピッチの整数倍の大きさで構成し、各信号端子
および配線を基本寸法単位のピッチで配列する格子(図
示しない)上に配置接続し、LSIを構成したものであ
る。
【0019】図2は、図1に示したLSIに対して、異
なる半導体プロセスにて微細化を図った際の、本実施例
によるレイアウト結果の一例を示す図であり、図1で使
用の基本セルの基本寸法単位のピッチを縮小して、LS
I配置を行なったものである。
【0020】図2に示すように、各セル1〜11の配置
の相対的位置関係は、図1におけるLSIの各セルの配
置の相対的位置関係と等価であることがわかる。
【0021】本実施例においては、プロセスによらず、
セルの大きさ、端子位置を基本寸法単位のピッチ上で同
一とした基本論理セルを規定することにより、LSIを
構成する基本論理セルとこれを階層的に組合わせた論理
機能ブロックを、基本寸法単位を半導体プロセスに応じ
て設定し、配置・配線を行なう。これらのデータの縮小
/拡大の寸法設定の作業は、市販のCADツール又はレ
イアウト、情報データのテキスト・レベルでの変換によ
り極く一般的に可能である。
【0022】図1を参照して、半導体プロセス“テクノ
ロジA”による、スタンダードセルのインバータ1はピ
ッチ幅1ピッチのセル、2入力NANDセル2はピッチ
幅2ピッチのセル、3入力NANDセル3はピッチ幅3
ピッチのセル…等に規定されて任意の論理機能を実現す
るために配置されている。また信号端子及び配線は図示
しない格子上に配置され、セル内端子位置はセル内での
相対的位置を固定されているものである。
【0023】図2は、図1の論理機能を半導体プロセス
“テクロノジB”にて実現しているものであり、基本寸
法単位のピッチを、図1の1/2としたものであり、各
セルの相対的な配置関係は図1と同一である。
【0024】これに対して、前述した従来の方式では、
図3に示すように、セル構成をテクノロジAと無関係に
規定したものでのセルの相対的な配置が異なるため、配
置の再設計が必要とされている。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
既存のLSI、レイアウト設計資源が流用することがで
き、LSI開発作業量を低減することができる、という
効果を奏する。
【0026】その理由は、本発明においては、基本論理
セルを半導体プロセスに依存することなく、基本寸法単
位のピッチにより規定し、この基本寸法を半導体設計に
応じて可変できるものとしたことによる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を説明するための図であり、第
1の半導体プロセスによるLSIの配置配線例を示す図
である。
【図2】本発明の実施例を説明するための図であり、第
2の半導体プロセスによるLSIの配置配線例を示す図
である。
【図3】従来方式での半導体プロセスによるLSIの配
置配線例を示す図である。
【符号の説明】
1〜11 基本論理セル 1ピッチ 基本寸法単位 INV、2NAND 論理機能 テクノロジA、B 半導体プロセス名

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のトランジスタ素子をもつ論理機能ブ
    ロックを複数個半導体集積回路基板に形成するスタンダ
    ードセル方式の半導体集積回路のレイアウト方式におい
    て、 基本の論理単位を構成するセルを半導体基板上において
    形成する際に占める外形の大きさ、入出力信号及び電源
    供給端子位置、複数の素子を接続する配線経路を、基本
    寸法単位のピッチの整数倍で構成し 基本論理セルの大きさを、前記基本寸法単位のピッチの
    整数倍として、半導体プロセスによらないセルを規定
    し、 前記基本寸法単位のピッチ寸法は、半導体プロセスで定
    まる設計寸法に応じて可変に調整され、異なる半導体プ
    ロセスに対しても前記基本寸法単位ピッチ上で前記基本
    論理セルの相対的位置関係を同一とした ことを特徴とす
    る半導体集積回路のレイアウト方式。
  2. 【請求項2】前記基本論理単位のセルを、基本寸法単位
    のピッチの整数倍に組合せ配置し、階層的に大規模な論
    理ブロックを構成する、ことを特徴とする請求項1記載
    の半導体集積回路のレイアウト方式。
  3. 【請求項3】前記基本寸法単位のピッチは、半導体製造
    プロセスに関る、異なる設計寸法に対応し可変としたこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路のレイア
    ウト方式。
  4. 【請求項4】半導体製造プロセスによらず、基本寸法単
    位のピッチで規定してなる前記基本論理セルおよび大規
    模論理ブロックを組合せてレイアウト設計を行うことを
    特徴とする請求項1〜のいずれか一に記載の半導体集
    積回路のレイアウト方式。
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