JP3050996B2 - 光ビーム形状測定装置 - Google Patents

光ビーム形状測定装置

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JP3050996B2
JP3050996B2 JP4179094A JP17909492A JP3050996B2 JP 3050996 B2 JP3050996 B2 JP 3050996B2 JP 4179094 A JP4179094 A JP 4179094A JP 17909492 A JP17909492 A JP 17909492A JP 3050996 B2 JP3050996 B2 JP 3050996B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザープリンタ、複
写機、ファクシミリ装置など光ビームを走査して必要な
情報を読み書きする走査光学系を有する装置に関し、特
に光ビームの強度形状および径を測定する光ビーム形状
測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】このような走査光学系では、光ビームの
強度形状および径が設定値からずれると、記録された画
像のエッジがぼけたり、走査線われが生じたりして出力
画像が乱れ、画質が低下することが知られている。従っ
て、光ビームの強度形状および径を正確に測定すること
が必要であり、従来、次のような手法が提案されてい
る。
【0003】第1に、ポリゴンの回転を止め、静止ビー
ムに対して測定する手法として、スリットやピンホール
をビームを横切るように動かし、スリットやピンホール
を透過した光の強度分布を検出し、この光強度分布に基
づいて光ビームの強度形状および径を測定する手法が知
られている。この手法では、スリットやピンホールを動
かす方向を制御することにより、ビーム走査方向および
ビーム走査直角方向のビーム強度形状および径を求める
ことができる。
【0004】第2に、走査状態の光ビームの強度形状お
よび径を測定する手法として、光ビームの走査方向に対
してそれぞれ異なる角度で傾斜した3つのスリットを使
用し、楕円状強度分布をもつ光ビームの傾き角度と長径
と短径とを求める手法が知られている(特開平3−16
0329号公報)。
【0005】さらに、ビーム走査方向に対して45度傾
斜した第1のスリットと、ビーム走査方向に対して直角
な第2のスリットとを設け、走査直角方向に長軸をも
ち、かつ楕円状強度分布をもつ光ビームに対して、ビー
ム走査方向のビーム径とともにビーム走査直角方向の径
を求める手法も知られている(特開平3−120426
号公報)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、静止状態のビ
ーム形状を測定する手法では、ポリゴンを任意の位置に
静止させるのが困難である、ビーム走査全幅に渡って連
続的に測定するのが困難である、実際に装置として駆動
する場合のビーム走査状態におけるビーム形状の評価が
得られないなどといった多くの問題があった。
【0007】また、走査状態のビーム形状を測定する手
法においては、特開平3−160329号公報、特開平
3−120426号公報とも、ビーム走査方向のビーム
強度形状および径の両方について、ビーム走査方向に直
角にスリットを配置することで、その透過光信号に基づ
いて簡単に測定することができるが、ビーム走査直角方
向のビーム測定については、ビーム径を測定するために
複雑な演算手段を設ける必要があった。すなわち、一般
に、図15において、スリットS、光ビームB、光ビー
ムBの長径2a、短径2b、ビーム走査方向に対するス
リットSの傾斜角α、光ビームBがスリットSを横切り
始めて横切り終わるまでの移動距離のsinα倍を2
w、光ビームBの長径とビーム走査直角方向とのなす角
α0 とすると、
【0008】
【数1】 w2 =a2 cos2 (α−α0 )+b2 sin2 (α−α0 ) が成り立つ。そこで、特開平3−160329号公報で
は、異なる傾斜角をもつ3つのスリットからの光強度信
号に基づいて、数式1における3つの変数a、b、α0
を求めているが、これらの変数を求めるために複雑な演
算手段が必要であった。また、特開平3−120426
号公報では、α0 =0であるため、2つの変数a、bを
ビーム走査に直角なスリットと45°傾斜したスリット
からの光強度信号に基づいて求めているが、この場合に
も複雑な演算手段が必要となる。このように複雑な演算
手段が必要となるため、高価となり、さらに演算時間も
かかるので応答性の速いビーム径測定ができないという
問題があった。
【0009】また、走査直角方向のビーム強度形状測定
については、両公報とも走査方向に傾斜するスリットを
用いているが、スリットに直角方向の強度形状が測定さ
れるので、設定するスリットの傾斜角度によっては正し
く測定できない場合があった。
【0010】本発明は、このような事情の下になされた
もので、その目的は、ビーム走査状態でのビーム走査直
角方向のビーム強度形状およびビーム径を簡単な構成で
正確に測定し得る光ビーム形状測定装置を提供すること
である。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、走査光学系に使用され走査方向と略直交
する方向に長軸をもつ楕円状光ビームの形状を測定する
光ビーム形状測定装置において、少なくとも光ビームの
走査方向に対する傾斜角が0°より大きく12°以下で
ある直線状の傾斜エッジを有するマスクパターンが形成
されてなるマスクパターン形成体と、少なくとも光ビー
ム走査時に前記マスクパターンを透過した光信号に基づ
いてビーム走査直角方向の光ビームの強度形状および径
を測定する測定手段を備えている。
【0012】
【作用】今、マスクパターン形成体には直線状の傾斜エ
ッジを有するマスクパターンとして被測定ビーム径に比
し十分小さい巾をもつスリットが形成されているものと
する。
【0013】図16(a)に示したように、ビーム走査
方向Xに対するスリットSの傾斜角αが0°より大きく
12°以下と微小角度の場合、光ビームBを本来のビー
ム走査方向Xに走査しても、等価的には図16(b)の
ように、光ビームBをスリットSに対して直角に走査し
たのと同じほぼ状況になる。
【0014】そこで、図16(a)のように、被測定ビ
ームである光ビームBが本来のビーム走査方向Xに走査
されているとき、ビーム走査方向に対する傾斜角αが0
°より大きく12°以下の傾斜スリットSを、光ビーム
BがT1のタイミングで横切り始め、T2のタイミング
で横切り終えたものとすると、測定手段は、まず、光ビ
ームBが前記傾斜スリットを通過するのに要する通過所
要時間T(T2−T1)を計測する。この場合、ビーム
走査直角方向の光ビームBの径は、光ビームBの走査速
度をVとすると、ほぼT・V・sinαとなる。そこ
で、もし、光ビームBの走査速度Vが予め分かっておれ
ば、V・sinαは定数となるので、測定手段は、計測
した通過所要時間Tと定数(V・sinα)とを乗算す
ることにより、光ビームBのビーム走査直角方向の径を
測定する。
【0015】この場合、傾斜スリットSは、傾斜角αは
0°より大きく12°以下に設定されているので、測定
手段による測定結果においては、光ビームBの走査方向
に対して傾斜スリットSを傾斜させたことによる測定誤
差は低く抑えられる。また、傾斜スリットSを透過した
光信号は、ほぼビーム走査直角方向のビーム強度形状を
示している。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
【0017】図1は、本発明の実施例による光ビーム形
状測定装置の構成図である。本実施例は、平面走査式光
学装置に適用した例であるが、本発明は、回転走査式光
学装置にも適用できる。また、記録システム、読取シス
テムのいずれにも適用できる。
【0018】図1において、レーザ光源1から照射され
た光ビーム(レーザビーム)は、ポリゴン2の回転によ
り偏向され、fθレンズ3に入射される。fθレンズ3
は、ポリゴン2により偏向されたレーザービームを収束
し、走査面上で等速度となるようにして出射する。
【0019】走査面となるべき位置には、マスクパター
ン形成体としてスリット形成板4が設けられ、このスリ
ット形成板4の裏側(ポリゴン2やfθレンズ3とは反
対の側)には、光電変換素子、例えばフォトダイオード
5が密着されている。スリット形成板4はスリット部以
外は光を透過しない材質となっており、図2に示したよ
うな8つのスリットが形成されている。このスリットに
ついては後で詳細に説明する。スリット形成板4とフォ
トダイオード5とはステージSt上に設けられ、ビーム
走査方向およびビーム走査直角方向に移動可能に構成さ
れている。また、スリット形成板4とフォトダイオード
5とは一体で、走査面内で微小角度だけ回転調整して固
定できるようステージSt上に取付けられている。
【0020】fθレンズ3から出射されたレーザビーム
は、スリット部分でのみ通過し、それ以外の部分では遮
光される。そして、スリット部分を通過したレーザビー
ムは、フォトダイオード5にて光電変換され、アンプ6
にて増幅されて光強度信号として処理回路7に入力され
る。処理回路7は、入力された光強度信号に基づいてレ
ーザビームの強度形状および径を求め、表示器8に表示
する。
【0021】スリット形成板4に形成された8つのスリ
ットは、次のようになっている。すなわち、スリットS
1、S4は、ビーム走査方向に対して直角に形成され、
その高さ位置は同一となっている。また、スリットS
2、S3は、ビーム走査方向に対してそれぞれ微小角度
α、−αだけ傾斜して「ハ」の字状に並べられ、その高
さ位置が同一となるようにしてスリットS1、S4の間
に形成されている。スリットS1、S4の長さは、レー
ザビームのビーム走査直角方向の長さより十分長くして
あり、レーザビームの全体がスリットS1、S4を横切
ってビーム走査方向の強度形状及び径を測定できるよう
になっている。また、スリットS2、S3の長さをLと
すると、その長さLは、L・sin|α|の値がレーザ
ビームのビーム走査直角方向の長さより十分長くなるよ
うな値にして、レーザビームの全体がスリットS2、S
3を横切ってビーム走査直角方向の強度形状およひ径を
測定できるようになっている。
【0022】スリットS5、S6はスリットS1の右下
に、スリットS7、S8はスリットS4の右下に形成さ
れている。スリットS5〜S8は、いずれもビーム走査
方向と平行になっている。また、スリットS5とS6、
およびスリットS7とS8のビーム走査直角方向の間隔
は光ビームのビーム走査直角方向の径より狭く、かつビ
ーム走査方向の間隔は互いにオーバーラップしない程度
に近接している。
【0023】スリットS1〜S8の各スリットのスリッ
ト幅は、レーザービームの長径(約120ミクロン)及
び短径(約80ミクロン)に比し十分小さい値である5
ミクロンに設定した。スリット幅をレーザービームの6
%程度以下としたのは、この程度のスリット幅であれば
測定誤差は0.3%以下にでき、ほぼ無視できるからで
ある。
【0024】また、スリットS5とS6、スリットS7
とS8との直角方向の間隔は、レーザービームの長径の
約1/2となっている。
【0025】上記各スリットのうち、スリットS1、S
4を利用して、ビーム走査速度、およびビーム走査方向
のレーザービームの強度形状と径とが測定される。ま
た、スリットS1、S5、S6からなるスリット群、お
よびスリットS4、S7、S8からなるスリット群を利
用して、レーザービームの走査方向が測定される。ま
た、スリットS2、S3を利用してビーム走査直角方向
のレーザービームの強度形状と径とが測定される。
【0026】次に、スリットS2、S3の傾斜角度|α
|を12°以下とした意義について説明する。
【0027】ビーム走査直角方向に長径をもつ楕円状ビ
ームの長径方向のビーム径測定では、一般にビーム走査
方向に対してエッジが傾くと−方向に誤差が発生する。
【0028】図3は、被測定ビームのビームの楕円比
(短径/長径)が0.1〜1.0の範囲をとるとしたと
きの、ビーム走査直角方向のビーム径を測定するための
エッジの傾斜角とビーム走査直角方向の測定誤差との関
係を示している。
【0029】一般に被測定ビームのレーザービームはレ
ーザーダイオードの場合などで楕円ビームとなるが、そ
の楕円比は0.3以上である。また走査光学系では、高
品質画像を形成するためには、ビーム走査直角方向のビ
ーム径の測定誤差は約2%以下すなわち±1%程度以下
の精度が望まれている。
【0030】図3から明らかなように、楕円比が0.3
以上で、測定誤差を約2%以内に抑えるためにはエッジ
の傾斜角を12°以下に設定すればよいことがわかる。
【0031】本実施例では、エッジとしてスリットを用
いているが、この場合スリットの巾はビーム径測定に於
て+方向の誤差を発生させる原因となる。図4は被測定
ビームのビーム走査直角方向のビ−ム径が110〜13
0ミクロン、ビーム走査方向のビーム径が70〜90ミ
クロンの範囲をとるとしたときの、ビーム走査直角方向
のビーム径を測定するためのスリットの傾斜角および巾
と最大測定誤差の関係を示している。なおスリットの傾
斜角α=0°における測定誤差は図16(b)のように
被測定ビームの長軸方向と直交するスリットを被測定ビ
ームの長軸方向に走査する従来の手法の場合の被測定ビ
ームの長軸(ビーム走査直角方向のビーム径)の最大測
定誤差を示している。
【0032】図4より明らかなようにスリット巾が十分
小さい場合(2.5ミクロンや5ミクロン)、傾き角1
2°以下で誤差2%程度以内に抑えられている。また特
に、スリット巾による誤差の効果により、傾斜角α=0
°つまり、従来のスリット測定手法によるビーム径測定
誤差よりも測定誤差が小さくなる傾斜角の範囲があり、
この範囲に傾斜角を設定すれば従来手法より誤差を低減
できることがわかる。
【0033】以上のことを考慮すると、測定誤差が2%
以下となる範囲、より好ましくは前記図16(b)のよ
うに傾斜角α=0°のスリットで走査した場合より測定
誤差が小さくなる範囲で、スリットS2、S3のスリッ
ト幅と傾斜角を設定することが望ましい。
【0034】本実施例では、スリット幅は5ミクロン設
定されている。これは、ビーム走査直角方向のビーム径
に対してスリット幅が狭すぎると透過光信号のS/Nが
悪くなり、逆にスリット巾が広すぎると、強度形状の測
定分解能やビーム径測定の精度が劣化するため、本実施
例では5ミクロン前後が妥当であったためである。
【0035】さて、ビーム走査方向とビーム走査直角方
向とのビーム強度形状および径をただ1度のビーム走査
で同時に測定できることが望ましく、この実施例でも上
記の向のビーム強度形状および径を測定するスリットを
設けている。そのため、スリットS2、S3の傾斜角α
は、1/sinαの値が整数nとなるように設定してあ
る。これは、図5に示したように、ビーム走査方向のビ
ーム径を測定する場合、スリットS1からの信号Aの出
力信号を周波数Mのクロックでカウントして、スリット
S2からの信号Bの出力信号を周波数M/nのクロック
でカウントすると、ビーム走査方向とビーム走査直角方
向のビーム径を双方ともに簡単に求められるからであ
る。すなわち、1/sinαの値が整数nであれば、周
波数M/nのクロックが簡単に作成できる。また、周波
数M/nのクロックを用いてスリットS2からの信号B
の出力信号をカウントすることは、信号Bの出力信号に
sinαを乗算したことと等しくなり、両方の出力信号
とも1クロックに相当する距離が等しくなり、ビーム走
査直角方向のビーム径もビーム走査方向のビーム径と同
様に、単にカウント値に速度を乗算するだけで求めるこ
とが可能となる。
【0036】なお、実際には、スリットS2、S3の傾
斜角|α|は、4.1°、または3.8°に設定してい
る。これは、
【0037】
【表1】 |α| n 4.1° 14 3.8° 15 のように、傾斜角|α|が4.1°、3.8°の場合に
1/sinαが整数になり、かつ図4に示したように、
本実施例で設定したビーム走査直角方向のビーム径に対
するスリット幅が5ミクロンの場合に、測定誤差が極小
となる付近だからである。
【0038】次に、スリットS2とスリットS3とを正
負にα°傾斜させて「ハ」の字形に形成した意義につい
て説明する。これは、スリットS2、S3の傾斜|α|
は、上記のように4.1°、または3.8°と非常に小
さいので、ビーム走査方向が設定よりずれた場合の測定
誤差が大きくなるため、そのずれに基づく測定誤差を解
消する必要があるからである。
【0039】すなわち、図6に示したように、ビーム走
査方向が設定通りの場合のスリットS2とビーム走査方
向とのなす角をα、ビームがスリットS2を横切るのに
要する時間をtとする。この場合、ビーム走査方向が設
定からα1 度だけずれると、スリットS2とビーム走査
方向とのなす角は(α−α1 )と小さくなるため、ビー
ムがスリットS2を横切るのに要する時間はtよりも長
いt1 と長くなる。一方、ビーム走査方向が設定からα
1 度だけずれると、スリットS3とビーム走査方向との
なす角は(α+α1 )と大きくなるため、ビームがスリ
ットS3を横切るのに要する時間はtよりも短いt2
なる。従って、ビームがスリットS2を横切るのに要す
る時間t1 とビームがスリットS3を横切るのに要する
時間t2との平均値をとれば、ビーム走査方向が設定通
りの場合のビームのスリット通過所要時間tとほぼ等し
くなり、ビーム走査方向が設定からずれた場合の測定誤
差を解消できる。すなわち、ビーム走査方向のずれ角度
α1 が小さいとき、
【0040】
【数2】 t1 +t2 ≒2a〔{1/(α−α1 )}+{1/(α+α1 }〕 =4aα/{(α−α1 )(α+α1 )} =4a/{α−(α1 2/α)}≒4a/α=2t となり、t1 +t2 の平均である(t1 +t2 )/2
は、tとほぼ等しくなる。
【0041】ビーム走査速度は、[作用]の項で説明し
たようにビーム径を求めるための必須要件となるので、
ビーム走査速度が不明の場合はスリットS1とS4によ
り、ビーム走査速度を求める。すなわち、図7に示した
ように、スリットS1とS4の間隔は一定(x)である
ので、スリットS1とSからの信号のピーク値の時間間
隔Tを計測し、この時間間隔TでスリットS1とSとの
間隔xを割ることにより、光ビームBのビーム走査速度
を求めることができる。
【0042】図8は処理回路7の詳細を示すブロック図
であり、第1の2値化回路70、タイミング発生回路7
1、サンプルホールド回路72、差演算回路73、ビー
ム走査方向表示制御部74、速度測定用エッジ作成回路
75、速度測定回路76、乗算回路77、ビーム径表示
制御回路78、第1の閾値設定回路79、第2の2値化
回路80、第1のゲート回路81、第1のビーム径カウ
ント回路82、プロファイル出力回路83、第2の閾値
設定回路84、第3の2値化回路85、第2のゲート回
路86、第2のビーム径カウント回路87、およびクロ
ック発生回路88を有している。なお、第1の閾値設定
回路79、第2の2値化回路80、第1のゲート回路8
1、第2の閾値設定回路84、第3の2値化回路85、
および第2のゲート回路86には、同一機能の回路がそ
れぞれ2系統ずつ含まれており、2系統の回路を区別し
て説明する必要がある場合には、例えば第1の閾値設定
回路79a、第1の閾値設定回路79bのように数字の
後にa、bを付加して説明する。
【0043】アンプ6にて増幅されたフォトダイオード
5からの光強度信号は、第1の2値化回路70、サンプ
ルホールド回路72、速度測定用エッジ作成回路75、
第1の閾値設定回路79、第2の2値化回路80、プロ
ファイル出力回路83、第2の閾値設定回路84、およ
び第3の2値化回路85に並列に入力される。そして、
第1の2値化回路70とタイミング発生回路71とによ
り、各種のタイミング信号が発生される。また、サンプ
ルホールド回路72と、差演算回路73と、ビーム走査
方向表示制御部74とにより、ビーム走査方向が検定さ
れる。
【0044】なお、ビーム走査方向を検出する場合は、
スリット形成板4を上下方向に移動してビームがスリッ
トS5とS6、およびスリットS7とS8のほぼ真ん中
になるように位置決めして、ビームを走査する。そし
て、ビーム走査方向を検定した結果、ビーム走査方向が
ずれているとき、すなわちスリットS5、S6の部分で
はビームがほぼ真ん中を通るのに、スリットS7、S8
の部分では間ではビームが真ん中を通らないような場合
は、上記各部分でビームがほぼ真ん中を通るようスリッ
ト形成板4とフォトダイオード5を一体として微小角度
回転させる。或は、ビーム走査方向を示す差信号(差演
算回路73の出力)を図示しないメモリに記憶し、それ
に対応するビーム径の補正値を乗算回路77に出力して
乗算して補正するようにしてもよい。そして、この作業
が終わった後、ビーム径やビーム速度を測定すべく、ス
テージStを上下動させてビームがスリットS2、S3
の中央の位置にくるよう高さを調節する。
【0045】速度測定用エッジ作成回路75と速度測定
回路76とにより、ビーム速度が測定されて乗算回路7
7に出力される。
【0046】第1の閾値設定回路79と、第2の2値化
回路80と、第1のゲート回路81と、第1のビーム径
カウント回路82とは、スリットS1、S4に対応する
光強度信号により、ビーム走査方向のビーム径を測定す
るために活用される。
【0047】プロファイル出力回路83は、ビーム強度
形状をオシロスコープ等で見るためのアナログ波形を出
力する。第2の閾値設定回路84と、第3の2値化回路
85と、第2のゲート回路86と、第2のビーム径カウ
ント回路87とは、スリットS2、S3に対応する光強
度信号により、ビーム走査直角方向のビーム径を測定す
るために活用される。
【0048】次に、上記各回路の動作を図9、図10、
図11のタイムチャートに基づいて説明する。
【0049】図9は、ビーム径を測定する場合のタイミ
ング発生回路71の動作概略を示すタイムチャートであ
り、ステージを上下動させてビームがスリットS2、S
3の中央部に対応するようマスクパターン形成体4の高
さを調節し、ビームを走査すると、図9(a)に示した
ような光強度信号がアンプ6を介してフォトダイオード
5から出力される。ここで、図9(a)に丸で囲った各
信号群は、その1つ1つがマスクパターン形成体4を1
回走査した場合に対応している。すなわち、例えば10
回等の設定した回数の測定を行うため、図9(c)に示
した測定スタート信号がスイッチやパソコン等の外部か
ら入力されると、タイミング発生回路71は、図9
(d)に示したように、測定中信号をアクティブにし、
かつ図9(a)の光強度信号群に対応する図9(b)の
ようなパルス群を発生する。さらに、タイミング発生回
路71は、図9(b)、および(d)の信号が共に
「H」の期間だけ後述の各種タイミング信号を発生す
る。
【0050】フォトダイオード5から出力され、アンプ
6にて増幅された光強度信号aは、ビーム走査直角方向
が長軸の楕円状ビームの場合、たとえば図10の(a)
に示したように、スリットS1、S4に対応する部分S
1a、S4aでレベルが最も高く、スリットS2、S3
に対応する部分S2a、S3aもレベルが高くなってい
る。この光強度信号を第1の2値化回路70が所定の閾
値で2値化すると、図10(b)に示した2値信号bが
得られる。すると、タイミング発生回路71は、2値信
号bに基づいて、図10(b1)〜図10(b5)、図
10(e)、図10(g)、図11(k)に示したよう
な各種のタイミング信号を発生し、対応の回路に出力す
る。
【0051】速度測定用エッジ作成回路75は、アンプ
6にて増幅された光強度信号(a)のうち、スリットS
1に対応するピーク値を検出した後スリットS4に対応
するピーク値を検出するまでの期間Tだけ「H」となる
図10(c)の信号を作成する。そして、速度測定回路
76は、図10(c)の期間Tと、スリットS1とスリ
ットS4との間の距離とに基づいてビーム走査速度を計
算し、そのビーム走査速度を乗算回路77に出力する。
【0052】第1の閾値設定回路79a、79bは、各
々図10(b1)、(b4)のタイミング信号に基づい
て、図10(a)のスリットS1、S4に対応する信号
S1a、S4aのピーク値を検出し、それぞれα倍(α
<1)して閾値を作成し、第2の2値化回路80a、8
0bに出力する。第2の2値化回路80a、80bは、
スリットS1〜S4に対応する光強度信号の全てを、各
々第1の閾値設定回路79a、79bから与えられた閾
値に基づいて2値化し(図10(d)参照)、各々第1
のゲート回路81a、81bに出力する。なお、第2の
2値化回路80a、80bからそれぞれ出力される2値
信号は、厳密には異なっているがその差は小さく図面上
で区別することは困難なので、図10(d)のように1
つだけ示した。また、図10(d)は、第3の2値化回
路85a、85bからそれぞれ出力される2値信号をも
同様に示している。
【0053】ところで、第2の2値化回路80a、80
bは、上記説明から明らかなように、スリットS1〜S
4に対応する4つの光強度信号S1a〜S4aとも全
て、各々第1の閾値設定回路79a、79bから1つず
つ与えられた閾値に基づいて2値化して出力している
が、本実施例では、例えばスリットS1に対応する2値
信号としては、そのスリットS1に対応する光強度信号
S1aのピーク値をα倍した閾値に基づいて2値化され
たものを使用するといったように、自己の光強度信号の
ピーク値をα倍した閾値に基づいて2値化することによ
り、2値化対象の光強度信号S1a〜S4aの大小に拘
らず、その光強度信号S1a〜S4aから有効な信号範
囲として切り出す割合を一定にして正確を期すことを意
図している。しかし、上記説明から推測できるように、
第2の2値化回路80a、80bからの図10(d)に
示した2値信号中には、自己の光強度信号のピーク値を
α倍した閾値に基づいて2値化されたものは1つだけで
あり、残りの3つは他の光強度信号のピーク値をα倍し
た閾値に基づいて2値化されたものである。
【0054】そこで、第1のゲート回路81a、81b
は、図10(b5)、(e)のタイミング信号(ゲート
信号)に基づいてゲート制御を行うことにより、第2の
2値化回路80a、80bからの図10(d)に示した
2値信号のうち、各々、自己の光強度信号のピーク値を
α倍した閾値に基づいて2値化された2値信号D1、D
4(各々スリットS1、S4に対応)のみを通過させて
第1のビーム径カウント回路82に出力する(図10
(f)参照)。
【0055】第1のビーム径カウント回路82は、図1
0(f)の信号について、スリットS1、S4に対応す
る2値信号の「H」レベルの期間を、クロック発生回路
88にて発生された所定周波数Mのクロックでカウント
し、そのカウント値(時間)を乗算回路77に出力す
る。すると、乗算回路77は、第1のビーム径カウント
回路82からのカウント値と、速度測定回路76からの
ビーム速度とを乗算することにより、ビーム走査方向の
ビーム径を算出し、ビーム径測定表示制御回路78に出
力する。
【0056】第2の閾値設定回路84、第3の2値化回
路85、第2のゲート回路86、第2のビーム径カウン
ト回路87の動作は、各々対応する第1の閾値設定回路
79、第2の2値化回路80、第1のビーム径カウント
回路82とほぼ同様であるので簡単に説明する。
【0057】第2の閾値設定回路84a、84bは、各
々図10(b2)、(b3)のタイミング信号に基づい
て、スリットS2、S3に対応する光強度信号S2a、
S3aを2値化するための閾値を光強度信号S2a、S
3aのピーク値から作成し、第3の2値化回路85a、
85bに出力する。第3の2値化回路85a、85bは
与えられた閾値に基づいて光強度信号S1a〜S4aを
2値化し、第2のゲート回路86a、86bに出力す
る。第2のゲート回路86a、86bは、図10(b
5)、(g)のタイミング信号に基づいて、スリットS
2、S3に対応する光強度信号S2a、S3aをその光
強度信号S2a、S3aから作成した閾値で2値化した
2値信号のみを第2のビーム径カウント回路87に出力
する(図10(h)参照)。第2のビーム径カウント回
路87は、図10(h)の信号について、スリットS
2、S3に対応する2値信号の「H」レベルの期間を、
クロック発生回路88にて発生された所定周波数M/n
のクロックでカウントし、そのカウント値(時間)を乗
算回路77に出力する。すると、乗算回路77は、第2
のビーム径カウント回路87からのカウント値と、速度
測定回路76からのビーム速度とを乗算することによ
り、ビーム走査直角方向のビーム径を算出し、ビーム径
測定表示制御回路78に出力する。
【0058】次に、ビーム走査方向検出動作を図11に
基づいて説明する。
【0059】今、ビームがスリットS5、S6の中間を
通る位置にステージの直角方向の位置を位置決めし、ビ
ームを水平方向に走査した結果、図11(i)に示した
光強度信号が得られたものとする。なお、図11(i)
に示した光強度信号中、S1b、S4b、S5a、S6
a、S7a、S8aは、それぞれスリットS1、S4、
S5、S6、S7、S8に対応する部分である。この場
合、第1の2値化回路70は、図11(j)に示したよ
うな2値信号をタイミング発生回路71に出力する。そ
こでタイミング発生回路71は、スリットS1、S4に
対応する2値信号に基づいて図11(k)に示したよう
なスリットS5、S6、S7、S8に対応するサンプリ
ングタイミング信号を発生し、サンプルホールド回路7
2に出力する。すると、サンプルホールド回路72は、
そのサンプリングタイミング信号に基づいて、図11
(i)の光強度信号のうち、スリットS5、S6、S
7、S8に対応する部分S5a、S6a、S7a、S8
aをサンプルホールドする。そこで、差演算回路71
は、(S5a−S6a)−(S7a−S8a)の演算を
行い、ビーム走査方向を判断する。 [第2実施例]図12は、第2実施例による光ビーム形
状測定装置の構成図であり、第1実施例と同様のレーザ
ー光源1、ポリゴン2、fθレンズ3、スリット形成板
4、フォトダイオード5、アンプ6、ステージStの
他、光学式リニアエンコーダ9と、第1実施例とは少し
構成の異なる処理回路7aと、アンプ6aとを有してい
る。
【0060】光学式リニアエンコーダー9は、ビームス
プリッタ9a、互いに平行なスリット格子が等間隔で形
成された格子形成体9b、格子形成体9bの裏側に固着
されたフォトセンサ9cにより構成されている。この場
合、レーザー光源1、ポリゴン2、およびfθレンズ3
を介してビーム走査が行われると、レーザビームはビー
ムスプリッタ9aにより分岐され、スリット形成板4と
格子形成体9bとに投光される。そして、格子形成体9
bに投光されたレーザビームは、スリット格子の部分の
みを通過し、フォトセンサ9cにより光電変換される。
この光電変換された光信号は、アンプ6aにより増幅さ
れて処理回路7aに出力される。
【0061】図13は、第2実施例による処理回路7a
のブロック図であり、第1実施例におけるクロック発生
回路88の代わりに、第4の2値化回路88aと、PL
L(Phase Locked loop)回路88b
と、1/n回路88cとからなるPLLクロック発生回
路7aaを有している。
【0062】第4の2値化回路88aは、フォトセンサ
8cからの光強度信号を2値化して、PLL回路88b
に出力する(図14(b)参照)。なお、図14(a)
は、フォトダイオード5からの光強度信号を示してい
る。そして、PLL回路88bは、2値化されたビーム
径信号をてい倍して周波数がほぼMのクロックを第1の
ビーム径カウンタ82と、1/n回路88cとに出力す
る(図14(c)参照)。すると、1/n回路88c
は、PLL回路88bによりてい倍された周波数Mのク
ロックを1/nし、周波数がほぼM/nのクロックを第
2のビーム径カウンタ87に出力する(図14(d)参
照)。
【0063】このように、第2実施例では、ビーム走査
速度を忠実に反映した信号に基づいて作成されたクロッ
クによりカウントするようにしている。このようにする
と、例えビーム走査速度が変動したとしても、正確にビ
ーム径を測定することが可能となる。
【0064】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ことなく、例えば、スリット形成体上に、ビーム光量を
検出するための開口を形成し、この開口により1回の走
査で同時にビーム光量の計測を行えるようにし、それを
利用して2値化する際のしきい値を変更するようにして
もよい。また、スリット形成体は、レーザビームが反射
してレザー光源1に戻ったり、測定者の方向に反射した
りしないよう、レーザビームの光軸に対して微小量傾け
てもよい。さらに、ビーム走査方向の検出結果に基づい
て、スリット形成体を自動的に回転させるようにしても
よい。また上記実施例ではエッジとしてスリットを用い
ているが、エッジをナイフエッジとし、そのナイフエッ
ジから得られた信号を微分し、その微分信号を利用して
ビーム走査直角方向及びビーム走査方向の強度形状やビ
ーム径を測定するようにしてもよい。また、ビームと被
走査体とが相対的に移動する装置であればよく、ビーム
自体は一方向に投光され、被走査体の方が移動する装置
にも適用できる。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のビーム形
状測定装置によれば、傾斜エッジの傾斜角を適切に設定
することにより、複雑な演算手段を用いない簡単な構成
でビーム走査状態でビーム走査直角方向のビーム強度形
状及び径を正確に測定することができる。また、複雑な
演算手段が不要となるため、安価に製作でき、かつ応答
性の速いビーム径測定も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるビーム形状測定装置
の構成図である。
【図2】マスクパターン形成体に形成されたスリットを
示す図である。
【図3】測定対象の楕円ビームが楕円比(短径/長径)
0.1〜1.0の場合において、ビーム走査直角方向の
ビーム径を測定するためのエッジの傾斜角と測定誤差と
の関係を示す図である。
【図4】測定対象のビームが楕円の場合において、ビー
ム走査直角方向のビーム径を測定するためのスリットの
傾斜角、および幅と、測定誤差との関係を示す図であ
る。
【図5】ビーム径を測定する際にビームがスリットを通
過する通過所要時間を計測すための2つのクロックを説
明するための図である。
【図6】実施例において採用したビーム走査直角方向の
ビーム径を測定するために2つの傾斜したスリットを設
けた意義を説明するための図である。
【図7】ビーム走査速度を検出する原理を示す原理説明
図である。
【図8】第1実施例における処理回路の詳細を示すブロ
ック図である。
【図9】図8の処理回路の動作タイミング発生回路の動
作概要を示すタイムチャートである。
【図10】ビーム径を測定する場合の図8の処理回路の
動作を示すタイムチャートである。
【図11】ビーム走査方向を検出する場合の図8の処理
回路の動作を示すタイムチャートである。
【図12】本発明の第2実施例によるビーム形状測定装
置の構成図である。
【図13】第2実施例における処理回路の詳細を示すブ
ロック図である。
【図14】ビーム走査方向を検出する場合の第2実施例
に特有な動作を示すタイムチャートである。
【図15】ビーム走査方向に対して傾斜させたスリット
による一般的なビーム径の測定原理を説明する原理説明
図である。
【図16】本発明の原理を説明するための原理説明図で
ある。
【符号の説明】 4 スリット形成板 5 フォトダイオード 7 処理回路 71 タイミング発生回路 77 乗算回路 79 第1の閾値設定回路 80 第2の2値化回路 81 第1のゲート回路 82 第1のビーム径カウント回路 83 プロファイル出力回路 84 第2の閾値設定回路 85 第3の2値化回路 86 第2のゲート回路 87 第2のビーム径カウント回路 88 クロック発生回路 S1〜S4 スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 光晴 東京都日野市さくら町1番地 コニカ株 式会社内 (56)参考文献 特開 平4−50631(JP,A) 特開 平1−253619(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01J 1/00 - 1/60 H04N 1/113

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査光学系に使用され走査方向と略直交
    する方向に長軸をもつ楕円状光ビームの形状を測定する
    光ビーム形状測定装置において、少なくとも光ビームの
    走査方向に対する傾斜角が0°より大きく12°以下で
    ある直線状の傾斜エッジを有するマスクパターンが形成
    されてなるマスクパターン形成体と、少なくとも光ビー
    ム走査時に前記マスクパターンを透過した光信号に基づ
    いてビーム走査直角方向の光ビームの強度形状および径
    を測定する測定手段を備えたことを特徴とする光ビーム
    形状測定装置。
  2. 【請求項2】 前記マスクパターン形成体は前記傾斜エ
    ッジが傾斜スリットであるスリット形成体であって、該
    スリットの傾斜角は、前記範囲の傾斜角のうち所定の被
    測定ビーム径範囲に対してスリットを走査方向と直交す
    る方向に走査してビーム走査直角方向の光ビームの径を
    測定した場合の測定誤差よりも小さい測定誤差となる範
    囲で選択された傾斜角であることを特徴とする請求項1
    に記載の光ビーム形状測定装置。
  3. 【請求項3】 前記マスクパターン形成体は、光ビーム
    の走査方向に対する傾斜角が正負に同角度に設定された
    2つの傾斜エッジが形成され、前記測定手段は、光ビー
    ムが前記2つの傾斜エッジを通過するとき得られるマス
    クパターンを透過した2つの光信号の平均値に基づいて
    ビーム走査直角方向の光ビームの強度形状および径を測
    定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載
    の光ビーム形状測定装置。
  4. 【請求項4】 前記マスクパターン形成体は、請求項
    1、請求項2または請求項3に記載の傾斜エッジの他
    に、ビーム走査方向検出用のマスクパターンをも形成
    し、前記測定手段は、該ビーム走査方向検出用のマスク
    パターンを透過した光信号に基づいてビーム走査方向を
    測定し、その測定したビーム走査方向に基づいて光ビー
    ムが前記傾斜エッジを通過するとき得られるマスクパタ
    ーンを透過した光信号に基づいて測定したビーム走査直
    角方向の光ビームの強度形状および径を補正することを
    特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載
    の光ビーム形状測定装置。
  5. 【請求項5】 前記ビーム走査方向検出用のマスクパタ
    ーンは、ビーム走査直角方向に形成された垂直スリット
    と、該垂直スリットのビーム走査方向側に配置されビー
    ム走査方向と平行な2つの水平スリットであつて、ビー
    ム走査直角方向の間隔は光ビームの径より狭く、かつビ
    ーム走査方向の間隔は互いにオーバーラップしない程度
    に近接した2つの水平スリットとからなるスリット群が
    ビーム走査方向と平行する線上に2群形成されてなるこ
    とを特徴とする請求項4に記載の光ビーム形状測定装
    置。
  6. 【請求項6】 前記マスクパターン形成体は、前記傾斜
    エッジの他にビーム走査方向の光ビームの強度形状およ
    び径を測定するためにビーム走査直角方向に形成された
    垂直エッジをも形成し、ビーム走査直角方向の光ビーム
    の強度形状および径を測定するための前記傾斜エッジの
    傾斜角αは、sinαの逆数が整数nとなるよう設定さ
    れ、前記測定手段は、該垂直エッジを通過するとき得ら
    れるマスクパターン透過光信号を周波数Mのクロックで
    カウントすることによりビーム走査方向の光ビームの強
    度形状および径を測定し、前記傾斜エッジを通過すると
    き得られるマスクパターン透過光信号を周波数M/nの
    クロックでカウントすることによりビーム走査直角方向
    の光ビームの強度形状および径を測定することを特徴と
    する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光ビ
    ーム形状測定装置。
  7. 【請求項7】 前記マスクパターン形成体は、前記傾斜
    エッジの他にビーム走査速度検出用のエッジをも形成
    し、前記測定手段は、該ビーム走査速度検出用のエッジ
    を通過するとき得られるマスクパターン透過光信号に基
    づいてビーム走査速度を測定し、測定したビーム走査速
    度と前記傾斜エッジを通過するとき得られるマスクパタ
    ーン透過光信号とを利用してビーム走査直角方向の光ビ
    ームの強度形状および径を測定することを特徴とする請
    求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光ビーム形
    状測定装置。
  8. 【請求項8】前記測定手段は、ビーム走査中に分岐され
    た光ビームに基づいてビーム走査速度を検出するビーム
    走査速度検出手段を含み、測定したビーム走査速度と前
    記傾斜エッジを通過するとき得られる透過光信号とを利
    用してビーム走査直角方向の光ビームの強度形状および
    径を測定することを特徴とする請求項1から請求項6の
    いずれか1項に記載の光ビーム形状測定装置。
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