JP3040882B2 - ビーム径検査装置 - Google Patents
ビーム径検査装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザープリンタ、複
写機、ファクシミリ装置など光ビームを走査して必要な
情報を読み書きする光学走査系を有する装置に関し、特
に光ビームの径を検査するビーム径検査装置に関する。
写機、ファクシミリ装置など光ビームを走査して必要な
情報を読み書きする光学走査系を有する装置に関し、特
に光ビームの径を検査するビーム径検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような光学走査系では、光ビームの
径が設定値からずれると、記録された画像のエッジがぼ
けたり、走査線われが生じたりして出力画像が乱れ、画
質が低下することが知られている。従って、光ビームの
径を正確に検査することが必要であり、従来、次のよう
な手法が提案されている。
径が設定値からずれると、記録された画像のエッジがぼ
けたり、走査線われが生じたりして出力画像が乱れ、画
質が低下することが知られている。従って、光ビームの
径を正確に検査することが必要であり、従来、次のよう
な手法が提案されている。
【０００３】第１に、ポリゴンの回転を止め、静止ビー
ムに対してスリットやピンホールを横切るように動か
し、スリットやピンホールを通過した光の強度分布を検
出し、この光強度分布に基づいてビーム径を検査する手
法が知られている。この手法では、スリットやピンホー
ルを動かす方向を制御することにより、ビーム走査方向
およびビーム走査直角方向のビーム径を求めることがで
きる。
ムに対してスリットやピンホールを横切るように動か
し、スリットやピンホールを通過した光の強度分布を検
出し、この光強度分布に基づいてビーム径を検査する手
法が知られている。この手法では、スリットやピンホー
ルを動かす方向を制御することにより、ビーム走査方向
およびビーム走査直角方向のビーム径を求めることがで
きる。
【０００４】第２に、走査状態の光ビームの径を検査す
る手法として、光ビームの走査方向に対して傾斜した第
１のスリットと、ビーム走査方向と直交する第２のスリ
ットとを設け、光ビームが各スリットを横切るのに要す
る時間に基づいて、各スリットに対して直交する方向の
ビーム径を求める手法が知られている（特開昭６４−１
３５１４号公報）。
る手法として、光ビームの走査方向に対して傾斜した第
１のスリットと、ビーム走査方向と直交する第２のスリ
ットとを設け、光ビームが各スリットを横切るのに要す
る時間に基づいて、各スリットに対して直交する方向の
ビーム径を求める手法が知られている（特開昭６４−１
３５１４号公報）。
【０００５】また、光ビームの走査方向に対してそれぞ
れ異なる角度で傾斜した３つのスリットを使用し、楕円
状強度分布をもつ光ビームの傾斜角と長径と短径とを求
める手法が知られている（特開平３−１６０３２９号公
報）。
れ異なる角度で傾斜した３つのスリットを使用し、楕円
状強度分布をもつ光ビームの傾斜角と長径と短径とを求
める手法が知られている（特開平３−１６０３２９号公
報）。
【０００６】さらに、ビーム走査方向に対して４５度傾
斜した第１のスリットと、ビーム走査方向に対して垂直
な第２のスリットとを設け、ビーム走査直角方向に長軸
をもち、かつ楕円状強度分布をもつ光ビームに対して、
ビーム走査方向およびビーム走査直角方向のビーム径を
求める手法も知られている（特開平３−１２０４２６号
公報）。
斜した第１のスリットと、ビーム走査方向に対して垂直
な第２のスリットとを設け、ビーム走査直角方向に長軸
をもち、かつ楕円状強度分布をもつ光ビームに対して、
ビーム走査方向およびビーム走査直角方向のビーム径を
求める手法も知られている（特開平３−１２０４２６号
公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、静止状態のビ
ーム径を検査する手法では、ポリゴンを任意の位置に静
止させるのが困難である、ビーム走査全幅に渡って連続
的に検査するのが困難である、実際に装置として駆動す
る場合のビーム走査状態におけるビーム径の評価が得ら
れないなどといった多くの問題があった。
ーム径を検査する手法では、ポリゴンを任意の位置に静
止させるのが困難である、ビーム走査全幅に渡って連続
的に検査するのが困難である、実際に装置として駆動す
る場合のビーム走査状態におけるビーム径の評価が得ら
れないなどといった多くの問題があった。
【０００８】また、走査状態のビーム径を検査する手法
においては、次のような問題があった。すなわち、像を
形成するための走査光学系においては、ビーム走査直角
方向（副走査方向）に画像ムラを生じやすいため、特に
ビーム走査直角方向のビーム径を詳しく検査して管理す
る必要がある。
においては、次のような問題があった。すなわち、像を
形成するための走査光学系においては、ビーム走査直角
方向（副走査方向）に画像ムラを生じやすいため、特に
ビーム走査直角方向のビーム径を詳しく検査して管理す
る必要がある。
【０００９】しかし、特開昭６４−１３５１４号公報で
は、スリットに対して直角な方向のビーム径が得られ、
ビーム走査方向に対して直角な方向（副走査方向）のビ
ーム径が得られないという問題があった。
は、スリットに対して直角な方向のビーム径が得られ、
ビーム走査方向に対して直角な方向（副走査方向）のビ
ーム径が得られないという問題があった。
【００１０】また、特開平３−１６０３２９号公報、特
開平３−１２０４２６号公報とも、ビーム走査方向のビ
ーム径については、その透過光信号に基づいて簡単に検
査することができるが、ビーム走査垂直方向のビーム径
については、ビーム径を検査するために複雑な演算手段
を設ける必要があるため、高価となり、さらに演算時間
もかかるので応答性の速い検査ができないという問題が
あった。
開平３−１２０４２６号公報とも、ビーム走査方向のビ
ーム径については、その透過光信号に基づいて簡単に検
査することができるが、ビーム走査垂直方向のビーム径
については、ビーム径を検査するために複雑な演算手段
を設ける必要があるため、高価となり、さらに演算時間
もかかるので応答性の速い検査ができないという問題が
あった。
【００１１】本発明は、このような事情の下になされた
もので、その目的は、ビーム走査直角方向のビーム径
を、ビーム走査状態で簡単な構成で正確に検査し得るビ
ーム径検査装置を提供することである。
もので、その目的は、ビーム走査直角方向のビーム径
を、ビーム走査状態で簡単な構成で正確に検査し得るビ
ーム径検査装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、楕円状ビームの短軸の向きがビーム走査
方向とほぼ一致し、長軸の長さ２ｙ、短軸の長さ２ｘの
仕様の楕円状のビームの径を検査するビーム径検査装置
において、 １／ｔａｎθ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 なる角度
θでビーム走査方向と交差する１つの直線状のエッジを
有するマスクパターンが形成されてなるマスクパターン
形成体と、ビーム走査時に前記マスクパターン形成体を
透過した光信号に基づいてビームが前記エッジを通過す
る際のビームの移動距離を計測し、この移動距離をビー
ム走査直角方向のビーム径の検査値として出力する検査
手段を備えている。
め、本発明は、楕円状ビームの短軸の向きがビーム走査
方向とほぼ一致し、長軸の長さ２ｙ、短軸の長さ２ｘの
仕様の楕円状のビームの径を検査するビーム径検査装置
において、 １／ｔａｎθ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 なる角度
θでビーム走査方向と交差する１つの直線状のエッジを
有するマスクパターンが形成されてなるマスクパターン
形成体と、ビーム走査時に前記マスクパターン形成体を
透過した光信号に基づいてビームが前記エッジを通過す
る際のビームの移動距離を計測し、この移動距離をビー
ム走査直角方向のビーム径の検査値として出力する検査
手段を備えている。
【００１３】
【作用】今、ビームの短軸の向きがビーム走査方向とほ
ぼ一致し、長軸の長さ２ｙ、短軸の長さ２ｘの仕様の楕
円状のビームの径を検査するために、マスクパターン形
成体には、直線状のエッジを有するマスクパターンとし
て、 １／ｔａｎθ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 なる角度
θでビーム走査方向と交差する１つのスリットが形成さ
れているものとする。この場合、図９に示したように、
１／ｔａｎθ＝ａとし、ビームＢがスリットＳを横切る
のに要する移動距離を２ｗとすると、一般に、
ぼ一致し、長軸の長さ２ｙ、短軸の長さ２ｘの仕様の楕
円状のビームの径を検査するために、マスクパターン形
成体には、直線状のエッジを有するマスクパターンとし
て、 １／ｔａｎθ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 なる角度
θでビーム走査方向と交差する１つのスリットが形成さ
れているものとする。この場合、図９に示したように、
１／ｔａｎθ＝ａとし、ビームＢがスリットＳを横切る
のに要する移動距離を２ｗとすると、一般に、
【００１４】
【数１】ｗ2 ＝ｘ2 ＋ａ2 ｙ2 なる関係式が成り立ち、ａ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝
1/2 であるため、２ｗ＝２ｙとなる。これは、ビームＢ
がスリットＳを横切るのに要する移動距離は、ビーム走
査直角方向のビーム径と等しくなることを意味する。
1/2 であるため、２ｗ＝２ｙとなる。これは、ビームＢ
がスリットＳを横切るのに要する移動距離は、ビーム走
査直角方向のビーム径と等しくなることを意味する。
【００１５】そこで、検査手段は、スリットをビームＢ
が横切るのに要する移動距離ｗを、たとえばビームＢが
横切るのに要する時間に基づいて計測し、その移動距離
をビーム走査直角方向のビーム径の検査値として出力す
る。
が横切るのに要する移動距離ｗを、たとえばビームＢが
横切るのに要する時間に基づいて計測し、その移動距離
をビーム走査直角方向のビーム径の検査値として出力す
る。
【００１６】このように、１つのスリットだけを用い
て、簡単にビーム走査直角方向のビーム径を検査するこ
とができる。
て、簡単にビーム走査直角方向のビーム径を検査するこ
とができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１８】図１は、本発明の実施例による光ビーム形
状測定装置の構成図である。本実施例は、平面走査式光
学装置に適用した例であるが、本発明は、回転走査式光
学装置にも適用できる。また、記録システム、読取シス
テムのいずれにも適用できる。
状測定装置の構成図である。本実施例は、平面走査式光
学装置に適用した例であるが、本発明は、回転走査式光
学装置にも適用できる。また、記録システム、読取シス
テムのいずれにも適用できる。
【００１９】図１において、レーザ光源１から照射され
た光ビーム（レーザビーム）は、ポリゴン２の回転によ
り偏向され、ｆθレンズ３に入射される。ｆθレンズ３
は、ポリゴン２により偏向されたレーザービームを収束
し、走査面上で等速度となるようにして出射する。
た光ビーム（レーザビーム）は、ポリゴン２の回転によ
り偏向され、ｆθレンズ３に入射される。ｆθレンズ３
は、ポリゴン２により偏向されたレーザービームを収束
し、走査面上で等速度となるようにして出射する。
【００２０】走査面となるべき位置には、マスクパター
ン形成板４が設けられ、このマスクパターン形成板４の
裏側（ポリゴン２やｆθレンズ３とは反対の側）には、
フォトダイオード５が密着されている。マスクパターン
形成板４は、図２に示したような１つのスリットＳが形
成されており、スリットＳの部分以外は光を透過しない
材質となっている。このスリットＳについては後で詳細
に説明する。マスクパターン形成板４とフォトダイオー
ド５とはステージＳｔ上に設けられ、ビーム走査方向お
よびビーム走査直角方向に移動可能に構成されている。
また、マスクパターン形成板４は、垂直面内で微小角度
だけ回転調整して固定できるようステージＳｔ上に取付
けられている。ｆθレンズ３から出射されたレーザビー
ムは、スリット部分でのみ通過し、それ以外の部分では
遮光される。そして、スリット部分を通過したレーザビ
ームは、フォトダイオード５にて光電変換され、アンプ
６にて増幅され、Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル信号に
変換されてＲＡＭ８に光量データとして記憶される。Ｃ
ＰＵ９は、ＲＡＭ８に記憶された光量データを読出し、
その光量データに基づいてビーム走査直角方向のレーザ
ビームの径を求め、表示器１０に表示する。
ン形成板４が設けられ、このマスクパターン形成板４の
裏側（ポリゴン２やｆθレンズ３とは反対の側）には、
フォトダイオード５が密着されている。マスクパターン
形成板４は、図２に示したような１つのスリットＳが形
成されており、スリットＳの部分以外は光を透過しない
材質となっている。このスリットＳについては後で詳細
に説明する。マスクパターン形成板４とフォトダイオー
ド５とはステージＳｔ上に設けられ、ビーム走査方向お
よびビーム走査直角方向に移動可能に構成されている。
また、マスクパターン形成板４は、垂直面内で微小角度
だけ回転調整して固定できるようステージＳｔ上に取付
けられている。ｆθレンズ３から出射されたレーザビー
ムは、スリット部分でのみ通過し、それ以外の部分では
遮光される。そして、スリット部分を通過したレーザビ
ームは、フォトダイオード５にて光電変換され、アンプ
６にて増幅され、Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル信号に
変換されてＲＡＭ８に光量データとして記憶される。Ｃ
ＰＵ９は、ＲＡＭ８に記憶された光量データを読出し、
その光量データに基づいてビーム走査直角方向のレーザ
ビームの径を求め、表示器１０に表示する。
【００２１】エッジパターン形成板４に形成されたスリ
ットＳは、図２のようになっている。すなわち、スリッ
トＳのビーム走査方向に対する傾斜角θは、長軸の長さ
２ｙ、短軸の長さ２ｘの仕様の楕円状のビームの径を検
査するために、その仕様に合わせて、１／ｔａｎθ＝
｛ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 となるよう設定されてい
る。
ットＳは、図２のようになっている。すなわち、スリッ
トＳのビーム走査方向に対する傾斜角θは、長軸の長さ
２ｙ、短軸の長さ２ｘの仕様の楕円状のビームの径を検
査するために、その仕様に合わせて、１／ｔａｎθ＝
｛ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝1/2 となるよう設定されてい
る。
【００２２】次に、ＣＰＵ９によるビーム走査方向、お
よびビーム走査直角方向のレーザビームの径の検査処理
について説明する。
よびビーム走査直角方向のレーザビームの径の検査処理
について説明する。
【００２３】今、図３に示したように、楕円状のレーザ
ビームＢが、その短軸の方向がビーム走査方向Ｘと一致
するようにして走査されてスリットＳを横切ったものと
する。この場合、フォトダイオード５は図４に示したよ
うなアナログ信号を出力する。なお、図４中のＳＳはス
リットＳを通過したレーザビームＢの光量を示し、これ
ら光量の分布は一般にガウス分布となっている。そし
て、図４に示したようなレーザビームＢの光量データ
（アナログデータ）は、Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル
データに変換されてＲＡＭ８に記憶される。
ビームＢが、その短軸の方向がビーム走査方向Ｘと一致
するようにして走査されてスリットＳを横切ったものと
する。この場合、フォトダイオード５は図４に示したよ
うなアナログ信号を出力する。なお、図４中のＳＳはス
リットＳを通過したレーザビームＢの光量を示し、これ
ら光量の分布は一般にガウス分布となっている。そし
て、図４に示したようなレーザビームＢの光量データ
（アナログデータ）は、Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル
データに変換されてＲＡＭ８に記憶される。
【００２４】そこで、ＣＰＵ９は、ＲＡＭ８に記憶され
た光量データについてピーク値を検出し、そのピーク値
に対して所定の割合となっている図４中に破線で示した
スライスレベルでスライスすることにより、スリットＳ
に対応する光量データＳＳを検出し、光量データＳＳの
出力時間ｔ、すなわち、レーザビームＢがスリットＳを
横切るのに要した時間ｔを求める。
た光量データについてピーク値を検出し、そのピーク値
に対して所定の割合となっている図４中に破線で示した
スライスレベルでスライスすることにより、スリットＳ
に対応する光量データＳＳを検出し、光量データＳＳの
出力時間ｔ、すなわち、レーザビームＢがスリットＳを
横切るのに要した時間ｔを求める。
【００２５】次に、ＣＰＵ９は、レーザビームＢがスリ
ットＳを横切るのに要した時間ｔに、レーザビームＢの
走査速度を乗算することにより、レーザビームＢがスリ
ットＳを横切るのに要した移動距離２ｗを算出する。そ
して、この移動距離２ｗは、上記のようにレーザビーム
Ｂのビーム走査直角方向のビーム径２ｙに等しいので、
算出した移動距離２ｗを、そのままビーム走査直角方向
のビーム径として表示器１０に表示する。
ットＳを横切るのに要した時間ｔに、レーザビームＢの
走査速度を乗算することにより、レーザビームＢがスリ
ットＳを横切るのに要した移動距離２ｗを算出する。そ
して、この移動距離２ｗは、上記のようにレーザビーム
Ｂのビーム走査直角方向のビーム径２ｙに等しいので、
算出した移動距離２ｗを、そのままビーム走査直角方向
のビーム径として表示器１０に表示する。
【００２６】このように、１つのスリットＳを横切るの
に要した移動距離２ｗを計測するだけで簡単にビーム走
査直角方向のビーム径を検査することができる。なお、
ビーム走査方向のビーム径については、レーザビームＢ
が仕様からずれる場合は、相似形をなしずれることが多
いので、ビーム走査直角方向のビーム径から容易に推定
することができる。 ［第２実施例］図５は、第２実施例におけるマスクパタ
ーン形成板４を示す図であり、第２実施例では、マスク
パターンとして、光を透過するナイフエッジＫＥ１が形
成されている。ナイフエッジＫＥ１のエッジＥ１の傾斜
角は、第１実施例におけるスリットＳの傾斜角と同一に
設定されている。
に要した移動距離２ｗを計測するだけで簡単にビーム走
査直角方向のビーム径を検査することができる。なお、
ビーム走査方向のビーム径については、レーザビームＢ
が仕様からずれる場合は、相似形をなしずれることが多
いので、ビーム走査直角方向のビーム径から容易に推定
することができる。 ［第２実施例］図５は、第２実施例におけるマスクパタ
ーン形成板４を示す図であり、第２実施例では、マスク
パターンとして、光を透過するナイフエッジＫＥ１が形
成されている。ナイフエッジＫＥ１のエッジＥ１の傾斜
角は、第１実施例におけるスリットＳの傾斜角と同一に
設定されている。
【００２７】このようなマスクパターンでは、フォトダ
イオード５からは、図６（ａ）に示したような光量デー
タが出力される。なお図６（ａ）中のｄは、ナイフエッ
ジＫＥ１のエッジＥ１に対応している。
イオード５からは、図６（ａ）に示したような光量デー
タが出力される。なお図６（ａ）中のｄは、ナイフエッ
ジＫＥ１のエッジＥ１に対応している。
【００２８】そこで、ＣＰＵ９は、図６（ａ）の光量デ
ータを図（ｂ）に示したように微分し、その微分データ
に基づいて第１実施例と同様の処理を行い、レーザビー
ムＢがナイフエッジＫＥ１のエッジＥ１を横切るのに要
した移動距離２ｗを求め、その移動距離２ｗを、ビーム
走査直角方向のビーム径として表示器１０に出力する。 ［第３実施例］図７は、第３実施例におけるマスクパタ
ーン形成板４を示す図であり、第３実施例では、マスク
パターンとして、遮光型のナイフエッジＫＥ２が形成さ
れている。ナイフエッジＫＥ２のエッジＥ２の傾斜角
も、第１実施例におけるスリットＳの傾斜角と同一に設
定されている。
ータを図（ｂ）に示したように微分し、その微分データ
に基づいて第１実施例と同様の処理を行い、レーザビー
ムＢがナイフエッジＫＥ１のエッジＥ１を横切るのに要
した移動距離２ｗを求め、その移動距離２ｗを、ビーム
走査直角方向のビーム径として表示器１０に出力する。 ［第３実施例］図７は、第３実施例におけるマスクパタ
ーン形成板４を示す図であり、第３実施例では、マスク
パターンとして、遮光型のナイフエッジＫＥ２が形成さ
れている。ナイフエッジＫＥ２のエッジＥ２の傾斜角
も、第１実施例におけるスリットＳの傾斜角と同一に設
定されている。
【００２９】このような、マスクパターンでは、フォト
ダイオード５からは、図８（ａ）に示したような光量デ
ータが出力される。なお図８（ａ）中のｄｄは、ナイフ
エッジＫＥ２のエッジＥ２に対応している。
ダイオード５からは、図８（ａ）に示したような光量デ
ータが出力される。なお図８（ａ）中のｄｄは、ナイフ
エッジＫＥ２のエッジＥ２に対応している。
【００３０】そこで、ＣＰＵ９は、図８（ａ）の光量デ
ータを図８（ｂ）に示したように微分し、その微分デー
タに基づいて第１実施例と同様の処理を行い、レーザビ
ームＢがナイフエッジＫＥ２のエッジＥ２を横切るのに
要した移動距離２ｗを求め、その移動距離２ｗを、ビー
ム走査直角方向のビーム径として表示器１０に出力す
る。
ータを図８（ｂ）に示したように微分し、その微分デー
タに基づいて第１実施例と同様の処理を行い、レーザビ
ームＢがナイフエッジＫＥ２のエッジＥ２を横切るのに
要した移動距離２ｗを求め、その移動距離２ｗを、ビー
ム走査直角方向のビーム径として表示器１０に出力す
る。
【００３１】なお、本発明は、上記の各実施例に限定さ
れることなく、たとえば、ビーム走査方向と交差する角
度θのスリットのほかにビーム走査方向と交差する角度
−θのスリットも形成し、２つのスリットによる計測値
の平均を検査値として出力するようにしてもよい。また
ビーム走査速度が不明の場合は、ビーム走査方向に直交
するスリットを所定の間隔で２つ配置し、各スリットに
対応する光量データのピーク値を検出してそれらピーク
値の時間間隔を計測し、この計測した時間間隔でスリッ
ト間の一定な間隔を割ることにより光ビームのビーム走
査速度を求め、その速度データからビーム径の検査がで
きるようにしてもよい。また、ビームと被走査体とが相
対的に移動する他の装置にも適用できる。さらにマスク
パターン形成板は、レーザビームが反射してレーザ光源
に戻ったり、検査者の方向に反射したりしないよう、レ
ーザビームの光軸に対して微小量傾けてもよい。
れることなく、たとえば、ビーム走査方向と交差する角
度θのスリットのほかにビーム走査方向と交差する角度
−θのスリットも形成し、２つのスリットによる計測値
の平均を検査値として出力するようにしてもよい。また
ビーム走査速度が不明の場合は、ビーム走査方向に直交
するスリットを所定の間隔で２つ配置し、各スリットに
対応する光量データのピーク値を検出してそれらピーク
値の時間間隔を計測し、この計測した時間間隔でスリッ
ト間の一定な間隔を割ることにより光ビームのビーム走
査速度を求め、その速度データからビーム径の検査がで
きるようにしてもよい。また、ビームと被走査体とが相
対的に移動する他の装置にも適用できる。さらにマスク
パターン形成板は、レーザビームが反射してレーザ光源
に戻ったり、検査者の方向に反射したりしないよう、レ
ーザビームの光軸に対して微小量傾けてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のビーム径
検査装置によれば、ビーム走査方向と所定の角度で交差
するエッジを有するマスクパターンを用いており、この
エッジを通過する際のビームの移動距離がそのままビー
ム走査直角方向のビーム径となるので、ビーム走査直角
方向のビーム径を簡単な構成で正確に検査することがで
きる。また、複雑な演算手段が不要となるため、安価に
製作でき、かつ応答性の速いビーム径検査も可能とな
る。
検査装置によれば、ビーム走査方向と所定の角度で交差
するエッジを有するマスクパターンを用いており、この
エッジを通過する際のビームの移動距離がそのままビー
ム走査直角方向のビーム径となるので、ビーム走査直角
方向のビーム径を簡単な構成で正確に検査することがで
きる。また、複雑な演算手段が不要となるため、安価に
製作でき、かつ応答性の速いビーム径検査も可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例によるビーム径検査装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】マスクパターン形成板に形成されたスリットを
示す図である。
示す図である。
【図３】ビームの向きとビーム走査方向との関係を示す
図である。
図である。
【図４】図２のスリットをビームが透過した場合のフォ
トダイオードからの信号を示す図である。
トダイオードからの信号を示す図である。
【図５】マスクパターン形成板に形成された光透過型の
ナイフエッジの例を示す図である。
ナイフエッジの例を示す図である。
【図６】図５のナイフエッジをビームが透過した場合の
フォトダイオードからの信号と、その処理の仕方を示す
図である。
フォトダイオードからの信号と、その処理の仕方を示す
図である。
【図７】マスクパターン形成板に形成された遮光型のナ
イフエッジの例を示す図である。
イフエッジの例を示す図である。
【図８】図７のナイフエッジでビームが遮光された場合
のフォトダイオードからの信号と、その処理の仕方を示
す図である。
のフォトダイオードからの信号と、その処理の仕方を示
す図である。
【図９】本発明の原理を説明するための原理説明図であ
る。
る。
１ レーザ光源 ２ ポリゴン ３ ｆθレンズ ４ マスクパターン形成板 ５ フォトダイオード ６ アンプ ７ Ａ／Ｄ変換器 ８ ＲＡＭ ９ ＣＰＵ １０ 表示器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 光晴 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株 式会社内 (56)参考文献 特開 平３−120426（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−160329（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−114709（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01J 1/00 - 1/60 H04N 1/113
Claims (3)
- 【請求項１】 楕円状ビームの短軸の向きがビーム走査
方向とほぼ一致し、長軸の長さ２ｙ、短軸の長さ２ｘの
仕様の楕円状のビームの径を検査するビーム径検査装置
において、１／ｔａｎθ＝｛（ｙ2 −ｘ2 ）／ｙ2 ｝
1/2 なる角度θでビーム走査方向と交差する１つの直線
状のエッジを有するマスクパターンが形成されてなるマ
スクパターン形成体と、ビーム走査時に前記マスクパタ
ーン形成体を透過した光信号に基づいてビームが前記エ
ッジを通過する際のビームの移動距離を計測し、この移
動距離をビーム走査直角方向のビーム径の検査値として
出力する検査手段を備えたことを特徴とするビーム径検
査装置。 - 【請求項２】 前記マスクパターンは、スリットである
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム径検査装置。 - 【請求項３】 前記マスクパターンは、ナイフエッジで
あることを特徴とする請求項１に記載のビーム径検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179093A JP3040882B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ビーム径検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179093A JP3040882B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ビーム径検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346312A JPH05346312A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3040882B2 true JP3040882B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=16059938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4179093A Expired - Fee Related JP3040882B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ビーム径検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040882B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4179093A patent/JP3040882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05346312A (ja) | 1993-12-27 |
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