JP3050528B2 - ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 - Google Patents

ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法

Info

Publication number
JP3050528B2
JP3050528B2 JP9027023A JP2702397A JP3050528B2 JP 3050528 B2 JP3050528 B2 JP 3050528B2 JP 9027023 A JP9027023 A JP 9027023A JP 2702397 A JP2702397 A JP 2702397A JP 3050528 B2 JP3050528 B2 JP 3050528B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel
layer
alloy layer
gold
phosphorus alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9027023A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10219469A (ja
Inventor
隆博 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP9027023A priority Critical patent/JP3050528B2/ja
Publication of JPH10219469A publication Critical patent/JPH10219469A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3050528B2 publication Critical patent/JP3050528B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子が搭載される回路基板や半導体集積回路素子などの電
子部品を収容する電子部品用バッケージ本体等をなす配
線基板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージ等の配線基板を作
成する際、例えば、素材であるセラミック絶縁基板上に
タングステンからなるメタライズ金属層を形成し、この
メタライズ金属層の表面に還元型の無電解めっきにより
ニッケル−ホウ素（Ｎｉ−Ｂ）合金層を形成し、この上
に同じく還元型の無電解めっきによりニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）合金層を形成し、この上に無電解めっきに
より金（Ａｕ）層を形成していた。
【０００３】ここで、ニッケル−ホウ素合金層は、粗面
なメタライズ金属層の上にピンホール（小穴）やボイド
（小空隙）を形成することなく均一な厚みに被着される
点で有用であり、また、ニッケル−リン合金層は、表層
である金層と下層であるニッケル−ホウ素合金層との密
着を強固にする役割を果たす点で有用である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、還元
型の無電解めっきによりニッケル−リン合金層を形成さ
せた後、このニッケル−リン合金層にシンタリングを行
っていた。しかしながら、このようなシンタリングを行
ったニッケル−リン合金層の上に無電解めっきにより金
層を形成して得られた配線基板を、その表層である金層
にアルミワイヤーボンディングして用いた場合、ニッケ
ル−リン合金層と金層との間で剥離が起きることがあっ
た（図３参照）。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、表層である金層にワイヤボンディングを施したと
き、ニッケル−リン合金層と金層との間で剥離が起きる
ことのない配線基板を製造する方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記課題を解決するため、請求項１記載の発
明は、表層にワイヤボンディングを施すための配線基板
を製造する方法であって、素材上に還元型の無電解めっ
きによりニッケル−リン合金層を形成するＮｉ−Ｐ形成
工程と、このニッケル−リン合金層を６００〜７００℃
で処理するシンタリング工程と、シンタリング後のニッ
ケル−リン合金層に無電解めっきにより表層としての金
層を形成するＡｕ形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】本発明におけるＮｉ−Ｐ工程に用いる素材
としては、セラミック基板やガラス基板等の絶縁基板を
そのまま用いてもよいし、あるいは、これら絶縁基板の
上に金属層（例えばタングステン、モリブデン、モリブ
デン−マンガン合金等のメタライズ金属層や、ニッケル
−ホウ素合金層など）が形成されたものを用いてもよい
し、あるいは、絶縁基板上のメタライズ金属層にロウ付
けした銅−タングステン（ロウ付け前にニッケル合金で
めっきされていてもよい）を用いてもよい。
【０００８】また、Ｎｉ−Ｐ形成工程では、還元型の無
電解めっきのめっき液としては従来公知の硫酸ニッケル
と還元剤である次亜リン酸ナトリウムを含むめっき液な
どを用いることができ、具体的には上村工業（株）製の
ニムデン７８Ｓ等の市販のめっき液を用いることができ
る。
【０００９】本発明におけるシンタリング工程では、６
００〜７００℃で処理する。例えば、ニッケル−リン合
金層が形成された素材を、入口から出口にかけての温度
分布が略正規分布形状であり、配線基板の最高温度が６
００〜７００℃となるように加熱装置内を通過させるこ
とが、量産性の点で好ましい。このとき、最高温度を６
００〜７００℃としつつ、６００℃以上のキープ時間が
１０分以上となるようにすると、温度にバラツキを生じ
ても確実に配線基板を６００〜７００℃の間の温度で処
理できるので好ましい。
【００１０】本発明におけるＡｕ形成工程では、シンタ
リング後のニッケル−リン合金層に無電解めっきにより
表層としての金層を形成する。一般に、ニッケル−リン
合金層に、直接、還元型無電解めっきにより厚い（例え
ば＞０．３μｍ）金層を形成しようとしてもニッケル−
リン合金層の上にうまく金が析出しないため、膜厚の厚
い金層を形成するには、請求項２に記載したように、ま
ずニッケル−リン合金層に置換型の無電解めっきによっ
て金めっきを施して薄い金層（例えば０．０１〜０．１
μｍ）を被着形成し、その後に還元型の無電解めっきに
よって金めっきを施して厚い金層を被着形成し、厚みを
厚くする方法が採られる。
【００１１】尚、置換型の無電解めっきによって金を被
着形成する際のめっき液としては、従来公知の可溶性金
塩にシアン化アルカリ安定化剤等を添加しためっき液等
を用いることができ、具体的にはエヌ・イーケムキャッ
ト社製のアトメックス（商品名）などを用いることがで
きる。また、還元型の無電解めっきによって金を被着形
成する際のめっき液としては、従来公知の水素化ホウ素
ナトリウムを還元剤として含むめっき液等を用いること
ができ、具体的には奥野製薬（株）製のＯＰＣムデンゴ
ールド２５（商品名）などを用いることができる。
【００１２】本発明の製造方法によれば、シンタリング
工程を６００〜７００℃の温度範囲で行うことにより、
この配線基板の表層である金層にワイヤボンディングを
施して用いた場合に、ニッケル−リン合金層と金層との
間の剥離が起きることを防止できるという効果が得られ
る。
【００１３】シンタリング工程を６００℃未満の温度で
行った場合や７００℃を超える温度で行った場合には、
両層の間の剥離が起きる率が高くなるという問題が発生
する。このようにシンタリング温度によって両層間の剥
離の起きる率が変化する理由は今のところ明らかではな
い。しかし、ＳＥＭの断面観察等によれば、６００〜７
００℃でシンタリングを行った場合にはニッケル−リン
合金層のリン成分が多い部分と少ない部分とが表面から
下方にかけて斑（まだら）状に分布していることが認め
られる。
【００１４】これは、ニッケル−リン合金層中におい
て、加熱により、 Ｎｉ3Ｐが生成されて集まり、リン成
分の多い部分を形成する一方、他の部分のリン成分が相
対的に少なくなるのでリン成分の少ない部分を形成し
て、斑状構造を呈するものと考えられる。そして、この
成分分布構造が両層間の剥離に関与しているのではない
かと推察される。
【００１５】本発明において、請求項３に記載したよう
に、ニッケル−リン合金層のリン含有量が５〜１０重量
％となるようにした場合には、ニッケル−リン合金層の
上に金層が一様に形成され、且つ、両層間にフクレやハ
ガレが発生せず歩留まりが際立って向上する点で好まし
い。なお、このリン含有量の定量分析方法は特に限定す
るものではないが、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析
装置により定量することが好ましい。
【００１６】ここで、リン含有量が１０重量％を超える
と、ニッケル−リン合金層の耐食性が高くなるため、例
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層からニッケルが溶出しにくく
なり、その結果金が析出しにくくなる傾向にあるため、
好ましくない。
【００１７】一方、リン含有量が５重量％未満では、例
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層と金層との界面においてニッ
ケル酸化層が形成されやすくなること等によって両層の
密着性が悪くなる傾向にあるため、好ましくない。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の好適な実施例を図面に基づ
いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施
例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲
に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。 ［実施例１］図１は本実施例の電子部品用パッケージ本
体の構造を表す断面図である。
【００１９】電子部品用パッケージ本体１は、図１に示
すように、アルミナセラミックからなる絶縁基板２、メ
タライズ金属層３、ニッケル−ホウ素合金層４、ニッケ
ル−リン合金層５、金層６を備えており、各層はこの順
序に積み上げられるように形成されている。
【００２０】かかる電子部品用パッケージ本体１は、以
下の手順により製造した。即ち、所定のアルミナ原料粉
体に有機溶剤等を添加混合してスラリーとし、これをド
クターブレード法等を採用することによりセラミックグ
リーンシートとし、しかる後、タングステン粉末等から
なる導体ペーストを用いてセラミックグリーンシートに
スクリーン印刷し、次いで、これを図示はしないが適数
枚積層、圧着し、１６００℃にて同時焼成した。これに
より、絶縁基板２上にメタライズ金属層３を一体的に形
成した。
【００２１】そして、このメタライズ金属層３の上に、
硫酸ニッケルとＤＭＡＢジメチルアミンボランを還元剤
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のトップ
ケミアロイＢ−１（商品名））を用いて、液温６５℃、
ｐＨ６．７、めっき時間１５分という条件でめっきを行
い、ニッケル−ホウ素合金層４を厚さ１．２μｍ被着、
形成し、その後図示しないピンを銀ロウによりロウ付け
した。
【００２２】次いで、このニッケル−ホウ素合金層４の
上に、硫酸ニッケルと次亜リン酸ナトリウムを還元剤と
して含む無電解めっき液（上村工業（株）製のニムデン
７８Ｓ（商品名））を用いて、液温９０℃、ｐＨ６．
０、めっき時間１０分という条件でめっきを行い、ニッ
ケル−リン合金層５を厚さ３．０μｍ被着形成した。
【００２３】次いで、光洋リンドバーク社製のメッシュ
ベルト式連続炉を用いてシンタリングを行った。この加
熱装置は、入口から出口にかけての温度分布が略正規分
布形状であり、基板の最高温度が６５０℃、６００℃以
上のキープ時間が１０分となるように設定した。尚、加
熱装置の通過距離は３０５０ｍｍ、通過時間は２２分で
あった。このようにすると、基板を確実に６００℃以上
に加熱できる。
【００２４】続いて、置換型無電解金めっき用のめっき
液（エヌ・イーケムキャット（株）製のアトメックス
（商品名））を用いて、液温８５℃、ｐＨ６．０、めっ
き時間３分という条件でめっきを行い、金層６のうち下
層に相当する第１金層６ａを厚さ０．０１〜０．１μｍ
被着形成した。
【００２５】最後に、水素化ホウ素ナトリウムを還元剤
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のＯＰＣ
ムデンゴールド２５（商品名））を用いて、液温７３
℃、ｐＨ１３．５、めっき時間３０分という条件でめっ
きを行い、金層６のうち上層に相当する第２金層６ｂを
厚さ２．０μｍ被着形成した。
【００２６】このようにして、図１に示す構造の電子部
品用パッケージ本体１を作製した。 ［実施例２、３及び比較例１〜４］実施例２、３及び比
較例１〜４では、上記実施例１においてニッケル−リン
合金層を還元型無電解めっきにより被着形成した後のシ
ンタリング工程の最高温度を、下記表１に示す最高温度
に設定した以外は、上記実施例１と同様にして図１と同
様の構造の電子部品用パッケージ本体を作製した。
【００２７】
【表１】
【００２８】［試験例］以上のようにして得られた実施
例１〜３及び比較例１〜４の表層である金層６上に、ワ
イヤボンディングの代替物として強制剥がし用のニッケ
ル−リン合金層７を無電解めっきにより厚さ１０〜１５
μｍとなるように形成し、図２に示すように３ｍｍ四方
の試験片が合計１００ピースとなるように格子状にカッ
ターナイフで傷をつけた。そして、カッターナイフの先
でニッケル−リン合金層７を引っかけるようにして強制
的に引き剥がし、ニッケル−リン合金層５と金層６との
間のハガレ発生率及びハガレ面積率を求めた。
【００２９】ハガレ発生率 試験片１００ピースのうちニッケル−リン合金層５と金
層６との間のハガレが全面又は部分的に起きたピース
を、ハガレが発生したピースとしてカウントし、「（ハ
ガレが発生したピース）／１００ピース」として表記し
た。
【００３０】ハガレ面積率 試験片１００ピースのうちハガレが発生したピースにつ
いて、「（実際に剥離した面積）／（ピースの全面の面
積）の平均パーセンテージ」を算出し、これを表記し
た。
【００３１】
【表２】
【００３２】尚、各試験例においてニッケル−リン合金
層５を無電解めっきにより被着形成した際（シンタリン
グ前）に、ニッケル−リン合金層５のリン含有量の定量
分析を行った。この定量分析は、機種：ＪＥＯＬ（日本
電子（株））製のＪＳＭ−８２０、検出器：トレイコア
・ノーザン（株）製のエネルギー分散型Ｘ線分析装置を
用いて、加速電圧２０ｋＶ、分析倍率３７００倍（３０
×２３μｍ）という条件で行った。その結果、リン含有
量は５〜１０重量％の範囲にあった。
【００３３】上記表２から明らかなように、ニッケル−
リン合金層５を被着形成した後のシンタリングの最高温
度が６００〜７００℃の範囲にあるときには、ハガレ発
生率がゼロであり、ニッケル−リン合金層５と金層６と
の密着性が極めて強固となることがわかった。このた
め、例えばＩＣチップと配線基板１上のパッドとを接続
するためにアルミワイヤボンディングを行った場合、図
３に示すようなニッケル−リン合金層と金層との間の剥
離が起きるおそれがない。
【００３４】また、実施例１〜３の電子部品用パッケー
ジ本体につき、４５０℃で５分放置したところ、熱によ
る変色がほとんどないという効果が得られた。更に、塩
水噴霧試験を行ったところ、ほとんど腐食されないとい
う効果も得られた。このことから、６００〜７００℃で
シンタリングしたニッケル−リン合金層５は金層６に拡
散しにくくこの結果金層６の色が変化しないものと推察
され、また耐食性が向上しているものと推察される。
【００３５】尚、ニッケル−リン合金層５のリン含有量
が５〜１０重量％から外れた場合についても、上記実施
例と同様にして電子部品用パッケージ本体を作製した
が、５重量％未満では４５０℃で加熱した際にニッケル
−リン合金層と金層との間にハガレやフクレを生じ、ま
た、１０重量％を超えると金層が形成されない無めっき
部分を生じた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１の電子部品用パッケージ本体の構造
を表す断面図である。
【図２】 試験例に用いるサンプルの説明図である。
【図３】 従来例の説明図である。
【符号の説明】
１・・・電子部品用パッケージ本体、２・・・絶縁基
板、３・・・メタライズ金属層、４・・・ニッケル−ホ
ウ素合金層、５・・・ニッケル−リン合金層、６・・・
金層、６ａ・・・第１金層、６ｂ・・・第２金層。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表層にワイヤボンディングを施すための
    配線基板を製造する方法であって、 素材上に還元型の無電解めっきによりニッケル−リン合
    金層を形成するＮｉ−Ｐ形成工程と、 このニッケル−リン合金層を６００〜７００℃で処理す
    るシンタリング工程と、 シンタリング後のニッケル−リン合金層に無電解めっき
    により表層としての金層を形成するＡｕ形成工程とを含
    むことを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記Ａｕ形成工程では、置換型の無電解
    金めっきを行った上で還元型の無電解金めっきを行うこ
    とにより表層としての金層を形成することを特徴とする
    請求項１記載の配線基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記ニッケル−リン合金層はリン含有量
    が５〜１０重量％であることを特徴とする請求項１又は
    ２記載の配線基板の製造方法。
JP9027023A 1997-02-10 1997-02-10 ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 Expired - Fee Related JP3050528B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9027023A JP3050528B2 (ja) 1997-02-10 1997-02-10 ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9027023A JP3050528B2 (ja) 1997-02-10 1997-02-10 ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10219469A JPH10219469A (ja) 1998-08-18
JP3050528B2 true JP3050528B2 (ja) 2000-06-12

Family

ID=12209495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9027023A Expired - Fee Related JP3050528B2 (ja) 1997-02-10 1997-02-10 ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3050528B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200925A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Denso Corp 圧力センサ
JP5214179B2 (ja) * 2007-06-12 2013-06-19 株式会社トクヤマ メタライズド基板およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10219469A (ja) 1998-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001319946A5 (ja)
EP0061010B1 (en) Process for forming refractory metal layers on ceramic substrates
JP3050528B2 (ja) ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法
JP3561240B2 (ja) 配線基板の製造方法
JPS583962A (ja) 応力のないニツケル層を与える方法
JP3005202B2 (ja) 電子部品をＡｕ−Ｓｉでロウ付けするための配線基板及びその製造方法
JP4081576B2 (ja) 無電解めっき皮膜の形成方法、それに用いる置換触媒溶液、並びにプリント配線基板及び放熱めっき部材
JP4986757B2 (ja) 多数個取り基板の製造方法
JP3079083B2 (ja) 低応力無電解付着ニッケル層の製造方法
JPS6314877B2 (ja)
JP3450626B2 (ja) 電子部品搭載用基板及びその製造方法
JPH10168579A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2003105549A (ja) 配線基板およびその製造方法
US6068912A (en) Platible non-metallic filler material for metallurgical screening paste
JP2524129B2 (ja) セラミツク配線基板
JP3265968B2 (ja) ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法
JP2004332036A (ja) 無電解めっき方法
JP3512617B2 (ja) 電子部品
JPH07161567A (ja) 電子部品の電極及びその製造方法
JP2765000B2 (ja) セラミック配線板
JP2002256444A (ja) 配線基板
JP2003283110A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP3914832B2 (ja) 配線基板の製造方法
US20040131869A1 (en) Method for producing a conductive coating on an insulating substrate
JP3771854B2 (ja) 配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees