JP3047131B2 - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JP3047131B2 JP3047131B2 JP13438191A JP13438191A JP3047131B2 JP 3047131 B2 JP3047131 B2 JP 3047131B2 JP 13438191 A JP13438191 A JP 13438191A JP 13438191 A JP13438191 A JP 13438191A JP 3047131 B2 JP3047131 B2 JP 3047131B2
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal device
- alignment film
- insulating film
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、コンピュータ端末、
画像表示装置、シャッターのようなシステムに使用され
る液晶を用いた電気光学装置に関する。
画像表示装置、シャッターのようなシステムに使用され
る液晶を用いた電気光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図4に示すように41a、41b
はガラス、プラスチック等でできた基板で、表面に電極
層42a、42b、配向膜層43a、43bが設置され
ている。一対の基板は配向膜面が対向するように設置さ
れている。44a、44bは液晶を封入するためのシー
リング剤、45は液晶材料、46a、46bは偏光板で
ある。
はガラス、プラスチック等でできた基板で、表面に電極
層42a、42b、配向膜層43a、43bが設置され
ている。一対の基板は配向膜面が対向するように設置さ
れている。44a、44bは液晶を封入するためのシー
リング剤、45は液晶材料、46a、46bは偏光板で
ある。
【0003】従来の液晶装置の配向膜の形成方法として
は、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布
等で一定方向にラビングする方法が知られている。例え
ば、特開昭55−143525号公報にこのような構造
が開示されている。
は、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布
等で一定方向にラビングする方法が知られている。例え
ば、特開昭55−143525号公報にこのような構造
が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の液晶装
置では、液晶層と電極層の間の配向膜層が絶縁層として
働き、液晶セルとして組立後に静電気が電極パッド部に
印加されると、配向膜層と液晶中に帯電した電荷が、長
時間保持され、液晶分子配向が不可逆的影響を受け、液
晶装置における焼付き現象の原因になるという課題があ
った。特に配向膜層の材料としてポリイミド等の高分子
系材料を使用した場合には帯電した電荷の影響は大きか
った。
置では、液晶層と電極層の間の配向膜層が絶縁層として
働き、液晶セルとして組立後に静電気が電極パッド部に
印加されると、配向膜層と液晶中に帯電した電荷が、長
時間保持され、液晶分子配向が不可逆的影響を受け、液
晶装置における焼付き現象の原因になるという課題があ
った。特に配向膜層の材料としてポリイミド等の高分子
系材料を使用した場合には帯電した電荷の影響は大きか
った。
【0005】そこで、この発明の目的は、従来のこのよ
うな課題を解決するため、配向膜と液晶中に帯電する高
電圧の電荷量を減らすということである。
うな課題を解決するため、配向膜と液晶中に帯電する高
電圧の電荷量を減らすということである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は基板上に透明電極、電極上に配向膜を設
けた一対の基板で液晶を挟持してなる液晶装置、さらに
基板上の透明電極と配向膜の間に絶縁膜を設けた一対の
基板で液晶を挟持してなる液晶装置において、配向膜あ
るいは絶縁膜表面には直径が人間の目で見えない限界値
である10μm以下の穴が、平方ミリメートルあたり1
00個以上あるようにした。
に、この発明は基板上に透明電極、電極上に配向膜を設
けた一対の基板で液晶を挟持してなる液晶装置、さらに
基板上の透明電極と配向膜の間に絶縁膜を設けた一対の
基板で液晶を挟持してなる液晶装置において、配向膜あ
るいは絶縁膜表面には直径が人間の目で見えない限界値
である10μm以下の穴が、平方ミリメートルあたり1
00個以上あるようにした。
【0007】
【作用】上記のように構成された液晶装置においては、
液晶層と電極層が接触するために配向膜層、あるいは絶
縁膜層が完全な絶縁膜として働くことがなくなるので、
膜と液晶層中に長時間帯電する電荷量が減り、放電時間
も短くなるため、液晶装置の焼付きはなくなる。
液晶層と電極層が接触するために配向膜層、あるいは絶
縁膜層が完全な絶縁膜として働くことがなくなるので、
膜と液晶層中に長時間帯電する電荷量が減り、放電時間
も短くなるため、液晶装置の焼付きはなくなる。
【0008】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図1において、11a、11bはガラス、プラ
スチック等でできた基板で、表面に電極層12a、12
b、配向膜層13a、13bが設置されている。一対の
基板は配向膜面が対向するように設置されている。14
a、14bは液晶を封入するためのシーリング剤、15
は液晶材料、16a、16bは偏光板である。配向膜層
表面には直径が10μm以下の穴17a、17b、17
c、17d、17e、17fが、平方ミリメートルあた
り100個以上ある。液晶装置はツイスト角度が240
゜のスーパーツイスト型である。
明する。図1において、11a、11bはガラス、プラ
スチック等でできた基板で、表面に電極層12a、12
b、配向膜層13a、13bが設置されている。一対の
基板は配向膜面が対向するように設置されている。14
a、14bは液晶を封入するためのシーリング剤、15
は液晶材料、16a、16bは偏光板である。配向膜層
表面には直径が10μm以下の穴17a、17b、17
c、17d、17e、17fが、平方ミリメートルあた
り100個以上ある。液晶装置はツイスト角度が240
゜のスーパーツイスト型である。
【0009】まずポリイミド系配向膜材料を基板表面に
印刷した後、200℃で2時間焼成し、500Åの厚さ
とした。次に布をロールに巻き付けたラビングロールに
より配向処理を行った後、突起を設けた布を配向膜層表
面に押しつけて、直径が10μmの穴を平方ミリメート
ルあたり150個設けた。以上のように形成された配向
膜層を使った基板により構成された液晶装置において
は、液晶装置の焼付きは減少した。
印刷した後、200℃で2時間焼成し、500Åの厚さ
とした。次に布をロールに巻き付けたラビングロールに
より配向処理を行った後、突起を設けた布を配向膜層表
面に押しつけて、直径が10μmの穴を平方ミリメート
ルあたり150個設けた。以上のように形成された配向
膜層を使った基板により構成された液晶装置において
は、液晶装置の焼付きは減少した。
【0010】本実施例においては、ポリイミド系の配向
膜材料について述べたが、液晶層と電極層間の絶縁膜層
として働く配向膜であれば材料の種類に関係なく同様の
効果が得られる。また配向膜層にあけられる穴の直径は
10μmより大きい場合、液晶装置中の欠陥として見え
るため、10μm以下が望ましい。
膜材料について述べたが、液晶層と電極層間の絶縁膜層
として働く配向膜であれば材料の種類に関係なく同様の
効果が得られる。また配向膜層にあけられる穴の直径は
10μmより大きい場合、液晶装置中の欠陥として見え
るため、10μm以下が望ましい。
【0011】さらに配向膜中にあけられる穴の数は、平
方ミリメートルあたり100個以上で効果があったが、
配向膜の穴の面積が50%以上にすると、配向不良によ
る表示むらの問題が発生する。図2において、21a、
21bはガラス、プラスチック等でできた基板で、表面
に電極層22a、22b、絶縁膜層23、配向膜層24
a、24bが設置されている。一対の基板は配向膜面が
対向するように設置されている。25a、25bは液晶
を封入するためのシーリング剤、26は液晶材料、27
a、27bは偏光板である。絶縁膜層表面には直径が1
0μm以下の穴28a、28b、28cが、平方ミリメ
ートルあたり100個以上ある。
方ミリメートルあたり100個以上で効果があったが、
配向膜の穴の面積が50%以上にすると、配向不良によ
る表示むらの問題が発生する。図2において、21a、
21bはガラス、プラスチック等でできた基板で、表面
に電極層22a、22b、絶縁膜層23、配向膜層24
a、24bが設置されている。一対の基板は配向膜面が
対向するように設置されている。25a、25bは液晶
を封入するためのシーリング剤、26は液晶材料、27
a、27bは偏光板である。絶縁膜層表面には直径が1
0μm以下の穴28a、28b、28cが、平方ミリメ
ートルあたり100個以上ある。
【0012】まず、酸化シリコン溶液を基板表面に印刷
した後、200℃で2時間焼成し、300Åの厚さの絶
縁膜層を形成した。この表面に突起を設けた布を絶縁膜
層表面に押しつけて、直径が10μmの穴を平方ミリメ
ートルあたり150個設けた。そしてこの表面に配向膜
層を形成した。以上のように形成された絶縁膜層を使っ
た基板により構成された液晶装置においては、液晶装置
の焼付きは減少した。
した後、200℃で2時間焼成し、300Åの厚さの絶
縁膜層を形成した。この表面に突起を設けた布を絶縁膜
層表面に押しつけて、直径が10μmの穴を平方ミリメ
ートルあたり150個設けた。そしてこの表面に配向膜
層を形成した。以上のように形成された絶縁膜層を使っ
た基板により構成された液晶装置においては、液晶装置
の焼付きは減少した。
【0013】次に、図3において、31a、31bはガ
ラス、プラスチック等でできた基板で、表面に電極層3
2a、32b、絶縁膜層33a、33b、配向膜層34
a、34bが設置されている。一対の基板は配向膜面が
対向するように設置されている。35a、35bは液晶
を封入するためのシーリング剤、36は液晶材料、37
a、37bは偏光板である。絶縁膜層表面には直径が1
0μm以下の穴38a、38b、38c、38d、38
e、38fが、平方ミリメートルあたり100個以上あ
る。
ラス、プラスチック等でできた基板で、表面に電極層3
2a、32b、絶縁膜層33a、33b、配向膜層34
a、34bが設置されている。一対の基板は配向膜面が
対向するように設置されている。35a、35bは液晶
を封入するためのシーリング剤、36は液晶材料、37
a、37bは偏光板である。絶縁膜層表面には直径が1
0μm以下の穴38a、38b、38c、38d、38
e、38fが、平方ミリメートルあたり100個以上あ
る。
【0014】図3のように絶縁膜層が一対の基板上に2
層形成されているような液晶装置においても液晶装置の
焼付きは減少し同様の効果が得られた。本実施例におい
ては、酸化シリコン系の絶縁膜材料について述べたが、
液晶層と電極層間の絶縁膜層として働く絶縁膜であれば
材料の種類に関係なく同様の効果が得られる。
層形成されているような液晶装置においても液晶装置の
焼付きは減少し同様の効果が得られた。本実施例におい
ては、酸化シリコン系の絶縁膜材料について述べたが、
液晶層と電極層間の絶縁膜層として働く絶縁膜であれば
材料の種類に関係なく同様の効果が得られる。
【0015】また、絶縁膜層にあけられる穴の直径は1
0μmより大きい場合、液晶装置中の欠陥として見える
ため、10μm以下が望ましい。さらに、配向膜中にあ
けられる穴の数は、平方ミリメートルあたり100個以
上で効果があった。
0μmより大きい場合、液晶装置中の欠陥として見える
ため、10μm以下が望ましい。さらに、配向膜中にあ
けられる穴の数は、平方ミリメートルあたり100個以
上で効果があった。
【0016】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、基板
上に透明電極、電極上に配向膜を設けた一対の基板で液
晶を挟持してなる液晶装置、さらに基板上の透明電極と
配向膜の間に絶縁膜を設けた一対の基板で液晶を挟持し
てなる液晶装置において、配向膜あるいは絶縁膜表面に
は直径が10μm以下の穴が、平方ミリメートルあたり
100個以上あるという構成としたので、膜中に帯電す
る電荷量が減り、放電時間も短くなるため、液晶装置の
焼付きはなくなる効果がある。
上に透明電極、電極上に配向膜を設けた一対の基板で液
晶を挟持してなる液晶装置、さらに基板上の透明電極と
配向膜の間に絶縁膜を設けた一対の基板で液晶を挟持し
てなる液晶装置において、配向膜あるいは絶縁膜表面に
は直径が10μm以下の穴が、平方ミリメートルあたり
100個以上あるという構成としたので、膜中に帯電す
る電荷量が減り、放電時間も短くなるため、液晶装置の
焼付きはなくなる効果がある。
【図1】本発明の液晶装置の断面を示した説明図であ
る。
る。
【図2】本発明の液晶装置の断面を示した説明図であ
る。
る。
【図3】本発明の液晶装置の断面を示した説明図であ
る。
る。
【図4】従来の液晶装置の断面を示した説明図である。
11a、11b 基板 12a、12b 電極層 13a、13b 配向膜層 14a、14b シーリング剤 15 液晶材料 16a、16b 偏光板 17a、17b、17c、17d、17e、17f 穴
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に透明電極と前記電極上に絶縁性
膜であるポリイミド系配向膜とを設けた一対の基板で液
晶を挟持してなる液晶装置において、前記配向膜には前
記透明電極まで貫通した10μm以下の穴が形成されて
いることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項2】 前記穴は、少なくとも有効表示部の単位
面積当たりの前記穴の総面積は、0.1〜50%である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶装置。 - 【請求項3】 前記透明電極上の前記配向膜上に更なる
絶縁膜が積層しされており、前記穴は、少なくとも有効
表示部の単位面積当たりの前記絶縁性膜の穴の総面積は
0.1〜50%であることを特徴とする請求項1記載の
液晶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13438191A JP3047131B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13438191A JP3047131B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 液晶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04359222A JPH04359222A (ja) | 1992-12-11 |
JP3047131B2 true JP3047131B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=15127066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13438191A Expired - Fee Related JP3047131B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 液晶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3047131B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1304888C (zh) | 2000-08-30 | 2007-03-14 | 松下电器产业株式会社 | 液晶画面显示装置 |
JP4631334B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、電子機器 |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13438191A patent/JP3047131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04359222A (ja) | 1992-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |