JP3040545B2 - ２層ｔａｂテープの製造方法 - Google Patents
２層ｔａｂテープの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子実装用のＴ
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）テープの製造方法に関し、より詳細には２層ＴＡＢ
テープの製造方法に関するものである。
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）テープの製造方法に関し、より詳細には２層ＴＡＢ
テープの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体実装技術の進歩は著しい
が、中でもＴＡＢは、極めて高密度に導体パターンが形
成できるために、多ピン化に容易に対応でき、またボン
ディングの際にはワイヤーを用いる事なく、リード全体
を一度に半導体素子との配線接続（ギャングボンディン
グ）が可能であるため、高密度実装技術が必要とされて
いる現在、活発に開発が進められている。
が、中でもＴＡＢは、極めて高密度に導体パターンが形
成できるために、多ピン化に容易に対応でき、またボン
ディングの際にはワイヤーを用いる事なく、リード全体
を一度に半導体素子との配線接続（ギャングボンディン
グ）が可能であるため、高密度実装技術が必要とされて
いる現在、活発に開発が進められている。
【０００３】ＴＡＢテープとしては、２層構造と３層構
造との２種類あるが、３層構造（以下、３層ＴＡＢと略
す）は一般的に銅箔等の導体箔と耐熱性の樹脂フィルム
を接着剤で張り合わせたものであり、フィルムとして耐
熱性及び耐薬品性等の優れた特性を持つポリイミドを用
いても耐熱性に劣る接着剤層を持つため、その特性を充
分に生かすことが出来なかった。
造との２種類あるが、３層構造（以下、３層ＴＡＢと略
す）は一般的に銅箔等の導体箔と耐熱性の樹脂フィルム
を接着剤で張り合わせたものであり、フィルムとして耐
熱性及び耐薬品性等の優れた特性を持つポリイミドを用
いても耐熱性に劣る接着剤層を持つため、その特性を充
分に生かすことが出来なかった。
【０００４】一方、一般に２層構造ＴＡＢ（以下、２層
ＴＡＢと略す）は、ベースフィルムに接着剤層を持たな
いためにＴＡＢとしての耐熱性に優れるが、その製造法
の困難さ故に実用に供されることが少なかった。すなわ
ち２層ＴＡＢの製造法としてはポリイミド等の耐熱フィ
ルム上に、スパッタリング、蒸着、メッキ等の薄膜形成
技術を用いて導体層を設けた後、ベースフィルム及び導
体層にエッチング処理を施しデバイスホールやスプロケ
ットホールといった所定の開孔部、及び導体パターンを
形成する方法と、銅箔等の導体箔上にポリイミド等耐熱
樹脂のワニスを直接塗布、乾燥させ２層基板を形成した
後、樹脂層及び導体箔にエッチング処理を施して所定の
開孔部や導体パターンを形成する方法の２種類の方法で
製造されている。
ＴＡＢと略す）は、ベースフィルムに接着剤層を持たな
いためにＴＡＢとしての耐熱性に優れるが、その製造法
の困難さ故に実用に供されることが少なかった。すなわ
ち２層ＴＡＢの製造法としてはポリイミド等の耐熱フィ
ルム上に、スパッタリング、蒸着、メッキ等の薄膜形成
技術を用いて導体層を設けた後、ベースフィルム及び導
体層にエッチング処理を施しデバイスホールやスプロケ
ットホールといった所定の開孔部、及び導体パターンを
形成する方法と、銅箔等の導体箔上にポリイミド等耐熱
樹脂のワニスを直接塗布、乾燥させ２層基板を形成した
後、樹脂層及び導体箔にエッチング処理を施して所定の
開孔部や導体パターンを形成する方法の２種類の方法で
製造されている。
【０００５】しかし、前者では、屈曲性の優れた圧延箔
や強度の優れたＦｅ−Ｎｉ合金箔等を使用できないとい
った問題点や、ベースフィルム開孔部の形成にエッチン
グ法を用いて開孔部を設けなくてはならないために、３
層ＴＡＢの打ち抜き法と比較して生産性が著しく低下し
てしまう。一方、後者においても、カールやシワの発生
を防ぐために、用いる樹脂の線膨張係数を導体層である
銅箔と一致させる必要があるが、この様な樹脂は、一般
に剛直で耐溶剤性に優れるためアルカリエッチングが困
難なものが多く、フィルム層に開孔部を設けるためにエ
キシマレーザー等のドライエッチングを行わなくてはな
らず、生産性やコストが不利であるといった問題点を有
している。
や強度の優れたＦｅ−Ｎｉ合金箔等を使用できないとい
った問題点や、ベースフィルム開孔部の形成にエッチン
グ法を用いて開孔部を設けなくてはならないために、３
層ＴＡＢの打ち抜き法と比較して生産性が著しく低下し
てしまう。一方、後者においても、カールやシワの発生
を防ぐために、用いる樹脂の線膨張係数を導体層である
銅箔と一致させる必要があるが、この様な樹脂は、一般
に剛直で耐溶剤性に優れるためアルカリエッチングが困
難なものが多く、フィルム層に開孔部を設けるためにエ
キシマレーザー等のドライエッチングを行わなくてはな
らず、生産性やコストが不利であるといった問題点を有
している。
【０００６】更に、従来の様に単にデバイスホール等の
開孔部を有する形状のＴＡＢでは２層及び３層何れの方
式のＴＡＢでも、インナーリードが細くなるとリード自
身に剛性がなくなり位置合わせ精度が充分でない等の問
題点を有しており、インナーリードの細線化には限界が
あるといわれている。
開孔部を有する形状のＴＡＢでは２層及び３層何れの方
式のＴＡＢでも、インナーリードが細くなるとリード自
身に剛性がなくなり位置合わせ精度が充分でない等の問
題点を有しており、インナーリードの細線化には限界が
あるといわれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、接着剤層のない２層ＴＡＢの本来持っている耐
熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、電気特性を低下させる
ことなく、生産性、位置合わせ特性に優れた微細線化が
でき、高密度配線の可能な２層ＴＡＢテープの製造法を
提供するものである。
ころは、接着剤層のない２層ＴＡＢの本来持っている耐
熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、電気特性を低下させる
ことなく、生産性、位置合わせ特性に優れた微細線化が
でき、高密度配線の可能な２層ＴＡＢテープの製造法を
提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体箔上に形
成された半硬化状態の光透過性ポリアミック酸フィルム
と、離型フィルム上に形成された所定の開孔部を有する
半硬化状態のポリアミック酸フィルムとをポリアミック
酸フィルム面を合わせて加熱・圧着し、イミド化を完結
させ、次いで導体箔に所要のパターンを形成することを
特徴とする、光透過性ポリイミド層を下層に持つ部分的
にフィルム厚みの異なる支持フィルム層を有する２層Ｔ
ＡＢテープの製造方法である。
成された半硬化状態の光透過性ポリアミック酸フィルム
と、離型フィルム上に形成された所定の開孔部を有する
半硬化状態のポリアミック酸フィルムとをポリアミック
酸フィルム面を合わせて加熱・圧着し、イミド化を完結
させ、次いで導体箔に所要のパターンを形成することを
特徴とする、光透過性ポリイミド層を下層に持つ部分的
にフィルム厚みの異なる支持フィルム層を有する２層Ｔ
ＡＢテープの製造方法である。
【０００９】このようにして得られた２層ＴＡＢテープ
を用いれば、透明なポリイミド層の上にインナーリード
パターンが形成されているため、回路パターンを細線化
してもばらけることなく、しかもデバイスホールに相当
する部分は透明なポリイミド層のみから構成されるの
で、裏側（ポリイミド基板側）からＣＣＤカメラ等で容
易に位置合せができ、さらに耐熱性の優れた透明ポリイ
ミド層を介して裏面からヒートバーを当てることによ
り、容易に精度よく、ギャングボンディングを行うこと
が可能となる。
を用いれば、透明なポリイミド層の上にインナーリード
パターンが形成されているため、回路パターンを細線化
してもばらけることなく、しかもデバイスホールに相当
する部分は透明なポリイミド層のみから構成されるの
で、裏側（ポリイミド基板側）からＣＣＤカメラ等で容
易に位置合せができ、さらに耐熱性の優れた透明ポリイ
ミド層を介して裏面からヒートバーを当てることによ
り、容易に精度よく、ギャングボンディングを行うこと
が可能となる。
【００１０】ポリアミック酸フィルムに開孔部を設ける
方法としては、打ち抜き、切断、アルカリエッチング、
レーザー加工等を用いることが出来る。導体箔上に所定
のレジストパターンを形成し、導体パターンを形成した
後、導体箔上に残留するレジストを除去し、打ち抜き加
工によりスプロケットホールを形成する。
方法としては、打ち抜き、切断、アルカリエッチング、
レーザー加工等を用いることが出来る。導体箔上に所定
のレジストパターンを形成し、導体パターンを形成した
後、導体箔上に残留するレジストを除去し、打ち抜き加
工によりスプロケットホールを形成する。
【００１１】導体箔上に半硬化状態のポリアミック酸フ
ィルムを形成させる方法は、導体箔にポリアミック酸ワ
ニスを直接塗布・乾燥することにより得ることが出来
る。
ィルムを形成させる方法は、導体箔にポリアミック酸ワ
ニスを直接塗布・乾燥することにより得ることが出来
る。
【００１２】また離型フィルム上に半硬化状態のポリア
ミック酸フィルムを形成させる方法は、離型フィルムに
ポリアミック酸ワニスを直接塗布・乾燥したものの他、
必要により以下のような形のものを利用することも出来
る。同一組成または異なる組成の他の離型フィルム上に
形成されたポリアミック酸フィルムをアミック酸フィル
ム面を合わせて、あるいはこの間にアミック酸フィルム
を所定の枚数挿入し２枚以上同時に加熱・圧着し、厚み
の厚いポリアミック酸フィルムとしてもかまわない。
ミック酸フィルムを形成させる方法は、離型フィルムに
ポリアミック酸ワニスを直接塗布・乾燥したものの他、
必要により以下のような形のものを利用することも出来
る。同一組成または異なる組成の他の離型フィルム上に
形成されたポリアミック酸フィルムをアミック酸フィル
ム面を合わせて、あるいはこの間にアミック酸フィルム
を所定の枚数挿入し２枚以上同時に加熱・圧着し、厚み
の厚いポリアミック酸フィルムとしてもかまわない。
【００１３】即ち、離型フィルム上にポリアミック酸溶
液を塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリ
アミック酸フィルムを形成する。その後、ポリアミック
酸フィルム面を重ね合わせ、ポリアミック酸フィルム同
士を加熱・圧着し、最初に塗布・乾燥した厚みの整数倍
のポリアミック酸フィルムを作製する。このとき、必要
に応じてポリアミック酸の面同士を重ねられるように、
離型フィルムを剥離したポリアミック酸フィルムを所定
の枚数間に挿入してより厚いポリアミック酸フィルムを
得ることも出来る。また圧着後片側の離型フィルムを剥
し、同様のことを繰り返して更に厚いものを得ることも
出来る。
液を塗布し、タックフリー状態になるまで乾燥し、ポリ
アミック酸フィルムを形成する。その後、ポリアミック
酸フィルム面を重ね合わせ、ポリアミック酸フィルム同
士を加熱・圧着し、最初に塗布・乾燥した厚みの整数倍
のポリアミック酸フィルムを作製する。このとき、必要
に応じてポリアミック酸の面同士を重ねられるように、
離型フィルムを剥離したポリアミック酸フィルムを所定
の枚数間に挿入してより厚いポリアミック酸フィルムを
得ることも出来る。また圧着後片側の離型フィルムを剥
し、同様のことを繰り返して更に厚いものを得ることも
出来る。
【００１４】次に、その離型フィルムの付いたポリアミ
ック酸フィルムを通常の方法、例えば、打ち抜き、切
断、アルカリエッチング、レーザー等によって離型フィ
ルムと共に或はポリアミック酸フィルムのみを開孔させ
て孔加工を行うが、生産性、コストの面から打ち抜き加
工が好ましい。孔加工が終了した後、導体箔上のポリア
ミック酸フィルム面に開孔部を有するポリアミック酸フ
ィルムを加熱・圧着後、離型フィルムを剥離し、充分に
イミド化を行う。
ック酸フィルムを通常の方法、例えば、打ち抜き、切
断、アルカリエッチング、レーザー等によって離型フィ
ルムと共に或はポリアミック酸フィルムのみを開孔させ
て孔加工を行うが、生産性、コストの面から打ち抜き加
工が好ましい。孔加工が終了した後、導体箔上のポリア
ミック酸フィルム面に開孔部を有するポリアミック酸フ
ィルムを加熱・圧着後、離型フィルムを剥離し、充分に
イミド化を行う。
【００１５】本発明において、ポリアミック酸溶液を乾
燥させ、半硬化状態のポリアミック酸フィルムを形成さ
せる条件としては、８０〜２００℃、５〜３０分が適当
である。これより温度が低く時間が短い場合、導体箔と
加熱圧着する際、流動性が大きく、開孔部でのにじみ、
しみ出しが大きく、フィルム厚のバラツキも大きくな
り、イミド化後の寸法変化が大きくなる。またこれより
温度が高く時間が長い場合、導体箔と加熱・圧着する
際、流動性が小さすぎ、ポリアミック酸フィルム面同士
のピール強度が低下し、ボイドの発生が多くなる。
燥させ、半硬化状態のポリアミック酸フィルムを形成さ
せる条件としては、８０〜２００℃、５〜３０分が適当
である。これより温度が低く時間が短い場合、導体箔と
加熱圧着する際、流動性が大きく、開孔部でのにじみ、
しみ出しが大きく、フィルム厚のバラツキも大きくな
り、イミド化後の寸法変化が大きくなる。またこれより
温度が高く時間が長い場合、導体箔と加熱・圧着する
際、流動性が小さすぎ、ポリアミック酸フィルム面同士
のピール強度が低下し、ボイドの発生が多くなる。
【００１６】導体箔上の光透過性ポリアミック酸の塗布
厚みとしては、イミド化後の厚み20μｍ以下が適当であ
る。これより厚い場合は、光透過率が落ちるばかりか、
ギャングボンディング時の熱伝達が不十分となり、ボン
ディング特性が低下する。また、離型フィルム上のポリ
アミック酸１枚の塗布厚みとしては、イミド化後の厚み
50μｍ以下が適当である。これより厚い場合は、イミド
化に伴う収縮による応力が離型フィルムの支持力を上回
り、乾燥中に大きなカールを生じさせる。またフィルム
層が厚いため溶剤の蒸発速度が遅く、生産性が著しく低
下する。ポリアミック酸フィルム同士を加熱・圧着する
条件としては、プレス形式の場合は70〜200℃、5〜100k
g／cm2、5〜30分、ロール式ラミネータの場合は70〜200
℃、1〜500kg／cm2、0.1〜50ｍ／分の条件が適当であ
り、特に温度としてはポリアミック酸フィルムの乾燥温
度より10〜30℃低い温度で実施することが揮発物の発生
もなく望ましい。イミド化の条件は通常ポリイミドにお
いてとられる方法でよい。ポリアミック酸フィルムの状
態におけるイミド化率は10〜50％、望むべくは20〜40％
が望ましい。
厚みとしては、イミド化後の厚み20μｍ以下が適当であ
る。これより厚い場合は、光透過率が落ちるばかりか、
ギャングボンディング時の熱伝達が不十分となり、ボン
ディング特性が低下する。また、離型フィルム上のポリ
アミック酸１枚の塗布厚みとしては、イミド化後の厚み
50μｍ以下が適当である。これより厚い場合は、イミド
化に伴う収縮による応力が離型フィルムの支持力を上回
り、乾燥中に大きなカールを生じさせる。またフィルム
層が厚いため溶剤の蒸発速度が遅く、生産性が著しく低
下する。ポリアミック酸フィルム同士を加熱・圧着する
条件としては、プレス形式の場合は70〜200℃、5〜100k
g／cm2、5〜30分、ロール式ラミネータの場合は70〜200
℃、1〜500kg／cm2、0.1〜50ｍ／分の条件が適当であ
り、特に温度としてはポリアミック酸フィルムの乾燥温
度より10〜30℃低い温度で実施することが揮発物の発生
もなく望ましい。イミド化の条件は通常ポリイミドにお
いてとられる方法でよい。ポリアミック酸フィルムの状
態におけるイミド化率は10〜50％、望むべくは20〜40％
が望ましい。
【００１７】光透過性ポリイミド層は、イエローネスイ
ンデックス（ＪＩＳＫ７１０３）が３０以下、望むべく
は２０以下が好ましい。光透過性のポリイミドを得るた
めに使用できるモノマーとしては、酸二無水物では２，
２−ビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物などであり、ジアミンとして
は、酸二無水物との組合せにより若干変わるものの、ス
ルホン基を含有したｍ−置換ジアミン、エーテル結合の
ｍ−置換ジアミン及びヘキサフルオロプロピレン基を含
有したジアミンなどが挙げられる。
ンデックス（ＪＩＳＫ７１０３）が３０以下、望むべく
は２０以下が好ましい。光透過性のポリイミドを得るた
めに使用できるモノマーとしては、酸二無水物では２，
２−ビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物などであり、ジアミンとして
は、酸二無水物との組合せにより若干変わるものの、ス
ルホン基を含有したｍ−置換ジアミン、エーテル結合の
ｍ−置換ジアミン及びヘキサフルオロプロピレン基を含
有したジアミンなどが挙げられる。
【００１８】離型フィルムとして用いることのできる材
料としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエー
テルサルフォン、ポリイミド、ポリエチレン等のプラス
チックフィルムがあげられる。
料としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエー
テルサルフォン、ポリイミド、ポリエチレン等のプラス
チックフィルムがあげられる。
【００１９】導体層として用いることのできる材料とし
ては、銅、アルミニウム、ニッケル等の単体の金属箔に
加え、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金等の金属
箔が挙げられる。
ては、銅、アルミニウム、ニッケル等の単体の金属箔に
加え、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金等の金属
箔が挙げられる。
【００２０】
【作用】本発明は、導体箔上に光透過性のポリアミック
酸を直接塗布・乾燥させ、半硬化状態のポリアミック酸
フィルムを形成させた導体箔付ポリアミック酸フィルム
と、同様に離型フィルム上に形成された半硬化状態のポ
リアミック酸フィルムに孔加工を施した、所定の開孔部
を有するポリアミック酸フィルムとをポリアミック酸フ
ィルム面を合わせて加熱・圧着し、イミド化を完結さ
せ、導体配線を形成する工程をとることにより、容易に
かつ安価に、生産性・収率よく、光透過性ポリイミド層
を下層に持つ部分的にフィルム厚みの異なる支持フィル
ム層を有する２層ＴＡＢテープを得ることができる。
酸を直接塗布・乾燥させ、半硬化状態のポリアミック酸
フィルムを形成させた導体箔付ポリアミック酸フィルム
と、同様に離型フィルム上に形成された半硬化状態のポ
リアミック酸フィルムに孔加工を施した、所定の開孔部
を有するポリアミック酸フィルムとをポリアミック酸フ
ィルム面を合わせて加熱・圧着し、イミド化を完結さ
せ、導体配線を形成する工程をとることにより、容易に
かつ安価に、生産性・収率よく、光透過性ポリイミド層
を下層に持つ部分的にフィルム厚みの異なる支持フィル
ム層を有する２層ＴＡＢテープを得ることができる。
【００２１】
【実施例】（実施例１）図１に、本発明に係る２層ＴＡ
Ｂテープの製造工程（ａ）〜（ｊ）を示す。温度計、攪
拌装置、還流コンデンサー及び乾燥窒素ガス吹込み口を
備えた４つ口セパラブルフラスコに、３，３’−ジアミ
ノジフェニルスルフォンを１モルとり、これに無水のＮ
−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトルエン１０重
量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２０重
量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガスは
反応の準備段階より生成物取り出しまでの全工程にわた
り流しておいた。次いで、精製した無水の３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を１モ
ル攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反応であるた
め、外部水槽に約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却
した。添加後、内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌
し、反応を終了してポリアミック酸溶液（イ）を得た。
Ｂテープの製造工程（ａ）〜（ｊ）を示す。温度計、攪
拌装置、還流コンデンサー及び乾燥窒素ガス吹込み口を
備えた４つ口セパラブルフラスコに、３，３’−ジアミ
ノジフェニルスルフォンを１モルとり、これに無水のＮ
−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトルエン１０重
量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２０重
量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガスは
反応の準備段階より生成物取り出しまでの全工程にわた
り流しておいた。次いで、精製した無水の３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を１モ
ル攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反応であるた
め、外部水槽に約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却
した。添加後、内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌
し、反応を終了してポリアミック酸溶液（イ）を得た。
【００２２】また、同様な装置及び方法を用いて、精製
した無水のパラフェニレンジアミン１モルと４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル１モルをとり、これに無水
のＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトルエン１
０重量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２
０重量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガ
スは反応の準備段階より生成物取り出しまでの全工程に
わたり流しておいた。次いで、精製した無水の３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
１モルとピロメリット酸二無水物１モルを攪拌しながら
少量ずつ添加するが、発熱反応であるため、外部水槽に
約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却した。添加後、
内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌し、反応を終了
してポリアミック酸溶液（ロ）を得た。
した無水のパラフェニレンジアミン１モルと４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル１モルをとり、これに無水
のＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトルエン１
０重量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２
０重量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガ
スは反応の準備段階より生成物取り出しまでの全工程に
わたり流しておいた。次いで、精製した無水の３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
１モルとピロメリット酸二無水物１モルを攪拌しながら
少量ずつ添加するが、発熱反応であるため、外部水槽に
約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却した。添加後、
内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌し、反応を終了
してポリアミック酸溶液（ロ）を得た。
【００２３】３５μｍの圧延銅箔５上にポリアミック酸
溶液（イ）をスピンナでイミド化後の厚みが１０μｍに
なるように塗布し、１１０℃、１０分乾燥を行い、銅箔
５の付いたポリアミック酸フィルム１（ｂ）を得た。次
に市販のポリエステル離型フィルム３上に、ポリアミッ
ク酸溶液（ロ）をスピンナーでイミド化後の厚みが２５
μｍになるように塗布し、１１０℃、１５分乾燥を行
い、離型フィルム３の付いたポリアミック酸フィルム２
（ｄ）を得た。この離型フィルム付ポリアミック酸フィ
ルム２（ｄ）に金型を用いてデバイスホール４等に相当
する部分の孔加工を行い（ｅ）、銅箔付ポリアミック酸
フィルム１（ｂ）とポリアミック酸フィルム面を重ね合
わせ、９０℃、４０ｋｇ／ｃｍ２、１５分加熱・圧着を
行った（ｆ）。その後、離型フィルムを剥し、３８０℃
で１時間加熱を行い、イミド化を完結し、デバイスホー
ル４等に相当する孔を有するポリイミド層２’と光透過
性ポリイミド層１’を持つ２層基板（ｇ）を得た。
溶液（イ）をスピンナでイミド化後の厚みが１０μｍに
なるように塗布し、１１０℃、１０分乾燥を行い、銅箔
５の付いたポリアミック酸フィルム１（ｂ）を得た。次
に市販のポリエステル離型フィルム３上に、ポリアミッ
ク酸溶液（ロ）をスピンナーでイミド化後の厚みが２５
μｍになるように塗布し、１１０℃、１５分乾燥を行
い、離型フィルム３の付いたポリアミック酸フィルム２
（ｄ）を得た。この離型フィルム付ポリアミック酸フィ
ルム２（ｄ）に金型を用いてデバイスホール４等に相当
する部分の孔加工を行い（ｅ）、銅箔付ポリアミック酸
フィルム１（ｂ）とポリアミック酸フィルム面を重ね合
わせ、９０℃、４０ｋｇ／ｃｍ２、１５分加熱・圧着を
行った（ｆ）。その後、離型フィルムを剥し、３８０℃
で１時間加熱を行い、イミド化を完結し、デバイスホー
ル４等に相当する孔を有するポリイミド層２’と光透過
性ポリイミド層１’を持つ２層基板（ｇ）を得た。
【００２４】得られた２層基板（ｇ）を用い、導体箔上
に所定のレジスト６を施し、露光、現像処理を行うこと
により導体パターンを形成した（ｈ）後、導体箔上に残
留するレジスト６を除去し（ｉ）、打ち抜き加工により
スプロケットホール７を設けることにより２層ＴＡＢテ
ープを得た（ｊ）。
に所定のレジスト６を施し、露光、現像処理を行うこと
により導体パターンを形成した（ｈ）後、導体箔上に残
留するレジスト６を除去し（ｉ）、打ち抜き加工により
スプロケットホール７を設けることにより２層ＴＡＢテ
ープを得た（ｊ）。
【００２５】（実施例２）実施例１と同様のポリアミッ
ク酸フィルム２を用い、離型フィルム付のポリアミック
酸フィルム２面同士が向かい合うように重ね合わせ、プ
レスを用いて、１００℃、２０ｋｇ／ｃｍ２で、１０分
間、加熱・圧着を行い、ポリアミック酸積層フィルムと
した。このポリアミック酸フィルムを（ｄ）として、実
施例１と同様にして２層ＴＡＢテープを得た。
ク酸フィルム２を用い、離型フィルム付のポリアミック
酸フィルム２面同士が向かい合うように重ね合わせ、プ
レスを用いて、１００℃、２０ｋｇ／ｃｍ２で、１０分
間、加熱・圧着を行い、ポリアミック酸積層フィルムと
した。このポリアミック酸フィルムを（ｄ）として、実
施例１と同様にして２層ＴＡＢテープを得た。
【００２６】（実施例３） 市販のポリエステルフィルム上に、実施例１と同様のポ
リアミック酸溶液（ロ）をロールコーターでイミド化後
の厚みが25μｍになるように塗布し、110℃、15分乾燥
を行い、離型フィルムの付いたポリアミック酸フィルム
を得た。次に、このポリアミック酸フィルム面同士を重
ね合わせ、ロール式のラミネータを用いて、90℃、15kg
／cm2で、0.2ｍ／分で、加熱・圧着を行った後、金型を
用いて孔加工を行い、片面側の離型フィルムを剥し実施
例１と同様な銅箔付のポリアミック酸フィルムにポリア
ミック酸フィルム面を重ね合わせ、プレスを用いて90
℃、40kg／cm2、15分加熱・圧着を行った。その後、離
型フィルムを剥し、380℃で１時間加熱を行い、イミド
化を完結した。その後は、実施例１と同様の方法で２層
ＴＡＢテープを得た。
リアミック酸溶液（ロ）をロールコーターでイミド化後
の厚みが25μｍになるように塗布し、110℃、15分乾燥
を行い、離型フィルムの付いたポリアミック酸フィルム
を得た。次に、このポリアミック酸フィルム面同士を重
ね合わせ、ロール式のラミネータを用いて、90℃、15kg
／cm2で、0.2ｍ／分で、加熱・圧着を行った後、金型を
用いて孔加工を行い、片面側の離型フィルムを剥し実施
例１と同様な銅箔付のポリアミック酸フィルムにポリア
ミック酸フィルム面を重ね合わせ、プレスを用いて90
℃、40kg／cm2、15分加熱・圧着を行った。その後、離
型フィルムを剥し、380℃で１時間加熱を行い、イミド
化を完結した。その後は、実施例１と同様の方法で２層
ＴＡＢテープを得た。
【００２７】（実施例４）温度計、攪拌装置、還流コン
デンサー及び乾燥窒素ガス吹込み口を備えた４つ口セパ
ラブルフラスコに、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼンを１モルとり、これに無水のＮ−メチル−
２−ピロリドン９０重量％とトルエン１０重量％の混合
溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２０重量％になる
だけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガスは反応の準備
段階より生成物取り出しまでの全工程にわたり流してお
いた。次いで、精製した無水の３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物を１モル攪拌しなが
ら少量ずつ添加するが、発熱反応であるため、外部水槽
に約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却した。添加
後、内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌し、反応を
終了してポリアミック酸溶液（ハ）を得た。
デンサー及び乾燥窒素ガス吹込み口を備えた４つ口セパ
ラブルフラスコに、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼンを１モルとり、これに無水のＮ−メチル−
２−ピロリドン９０重量％とトルエン１０重量％の混合
溶剤を、全仕込原料中の固形分割合が２０重量％になる
だけの量を加えて溶解した。乾燥窒素ガスは反応の準備
段階より生成物取り出しまでの全工程にわたり流してお
いた。次いで、精製した無水の３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物を１モル攪拌しなが
ら少量ずつ添加するが、発熱反応であるため、外部水槽
に約１５℃の冷水を循環させてこれを冷却した。添加
後、内部温度を２０℃に設定し、５時間攪拌し、反応を
終了してポリアミック酸溶液（ハ）を得た。
【００２８】また、同様な装置及び方法を用いて、精製
した無水のパラフェニレンジアミンを１モルとり、これ
に無水のＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトル
エン１０重量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割
合が２０重量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥
窒素ガスは反応の準備段階より生成物取り出しまでの全
工程にわたり流しておいた。次いで、精製した無水の
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物１モルを攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反
応であるため、外部水槽に約１５℃の冷水を循環させて
これを冷却した。添加後、内部温度を２０℃に設定し、
５時間攪拌し、反応を終了してポリアミック酸溶液
（ニ）を得た。ポリアミック酸溶液（イ）の代わりにポ
リアミック酸溶液（ハ）を用い、ポリアミック酸溶液
（ロ）の代わりにポリアミック酸溶液（ニ）を用い、実
施例１と同様の方法で２層ＴＡＢテープを得た。
した無水のパラフェニレンジアミンを１モルとり、これ
に無水のＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量％とトル
エン１０重量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形分割
合が２０重量％になるだけの量を加えて溶解した。乾燥
窒素ガスは反応の準備段階より生成物取り出しまでの全
工程にわたり流しておいた。次いで、精製した無水の
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物１モルを攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反
応であるため、外部水槽に約１５℃の冷水を循環させて
これを冷却した。添加後、内部温度を２０℃に設定し、
５時間攪拌し、反応を終了してポリアミック酸溶液
（ニ）を得た。ポリアミック酸溶液（イ）の代わりにポ
リアミック酸溶液（ハ）を用い、ポリアミック酸溶液
（ロ）の代わりにポリアミック酸溶液（ニ）を用い、実
施例１と同様の方法で２層ＴＡＢテープを得た。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、生産性の優れた打ち抜
き加工によりデバイスホールに相当する部分に透明なポ
リイミド薄膜層を設けることにより、この透明薄膜層の
裏から直接ギャングボンディングを行うことが可能とな
り、位置合わせ及び細線加工が容易となり、しかもポリ
イミドのみの２層構造を採ることから、ハンドリングに
必要な剛性を保ちつつ、耐熱性、耐薬品性等に優れた２
層ＴＡＢを得ることができ、さらに蒸着法等では使用す
ることの出来なかった圧延箔を用いた２層ＴＡＢも作製
することが可能となった。本発明は、連続シートを用い
た連続工程にも容易に適用できるなど、工業的な２層Ｔ
ＡＢの製造方法として好適なものである。
き加工によりデバイスホールに相当する部分に透明なポ
リイミド薄膜層を設けることにより、この透明薄膜層の
裏から直接ギャングボンディングを行うことが可能とな
り、位置合わせ及び細線加工が容易となり、しかもポリ
イミドのみの２層構造を採ることから、ハンドリングに
必要な剛性を保ちつつ、耐熱性、耐薬品性等に優れた２
層ＴＡＢを得ることができ、さらに蒸着法等では使用す
ることの出来なかった圧延箔を用いた２層ＴＡＢも作製
することが可能となった。本発明は、連続シートを用い
た連続工程にも容易に適用できるなど、工業的な２層Ｔ
ＡＢの製造方法として好適なものである。
【図１】 本発明の工程を示す断面図
１…ポリアミック酸フィルム１１’…光透過性ポリイミ
ド層 ２…ポリアミック酸フィルム２ ２’…ポリイミド層 ３…ポリエステル離型フィルム ４…デバイスホール ５…銅箔 ６…レジスト ７…スプロケットホール
ド層 ２…ポリアミック酸フィルム２ ２’…ポリイミド層 ３…ポリエステル離型フィルム ４…デバイスホール ５…銅箔 ６…レジスト ７…スプロケットホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】 導体箔上に形成された半硬化状態の光透
過性ポリアミック酸フィルムと、離型フィルム上に形成
された所定の開孔部を有する半硬化状態のポリアミック
酸フィルムとをポリアミック酸フィルム面を合わせて加
熱・圧着し、イミド化を完結させ、次いで導体箔に所要
のパターンを形成することを特徴とする、光透過性ポリ
イミド層を下層に持つ部分的にフィルム厚みの異なる支
持フィルム層を有する２層ＴＡＢテープの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20500991A JP3040545B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | ２層ｔａｂテープの製造方法 |
| KR1019920702822A KR100229637B1 (ko) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | 2층 tab 테이프의 제조방법 |
| EP92906551A EP0529097B1 (en) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | Method of manufacturing two-layer tab tape |
| PCT/JP1992/000286 WO1992016970A1 (en) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | Method of manufacturing two-layer tab tape |
| US07/949,543 US5507903A (en) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | Process for producing two-layered tape for tab |
| DE69232894T DE69232894T2 (de) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | Herstellungsverfahren fuer zweischichtenband vom tab-typ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20500991A JP3040545B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | ２層ｔａｂテープの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338660A JPH04338660A (ja) | 1992-11-25 |
| JP3040545B2 true JP3040545B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=16499942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20500991A Expired - Lifetime JP3040545B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-05-15 | ２層ｔａｂテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040545B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP20500991A patent/JP3040545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04338660A (ja) | 1992-11-25 |
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