JP3037215B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
関し、特にPLLの位相調整機能を用いて位相調整を行
う半導体集積回路に関する。
により制御している従来例が、特開平3−205920
号公報に記載されている。図5は、従来例の回路構成を
示すブロック図である。図5に示す従来例は、レジスタ
を用いた場合、チャージポンプのゲイン量またはフィル
タのフィルタ定数または電圧制御発振器の中心周波数の
うち少なくとも1つを変更する技術である。
波数および位相比較を行う位相比較器502、位相比較
器502の比較した位相差に応じた期間一定電流を出力
するチャージポンプ503、チャージポンプ503の電
流出力を電圧に変換するフィルタ504、フィルタ50
4の電圧に応じた周波数のクロックであるSyncCl
ock506を発生するVCO(電圧制御発振器)50
5からなるPLL、およびこれらの各ブロックに対して
ゲイン量やフィルタ定数等の切換情報を蓄えるレジスタ
507、レジスタ507の書き込みを行うためのマイコ
ンバス508、全体の演算処理を行うCPU509、全
体の制御を行うHDC(バードディスクコントローラ)
510、CPUのプログラムおよび最適定数などのデー
タが記憶されているRAMまたはROM511よりな
る。
らPLLの定数をもつ情報を選択し、マイコンバス50
8を通して、レジスタ507に書き込み、その情報をP
LLの各ブロックに送り、各ブロックはその情報をもと
にゲイン量またはフィルタ定数または電圧制御発振器の
中心周波数の変更を行う位相同期回路である。
Lの位相調整機能を用いる場合、PLL出力を遅延素子
群に接続し、遅延素子群で決められる遅延を付けた位相
調整信号と被位相調整信号の位相調整を行うが、遅延値
が固定されているため、LSI製造後、ボード実装した
後において遅延値を変更することができないという問題
が生じる。
め、同一クロックを用いた位相調整時間の異なる他のL
SIを接続し、正常動作させることができないという問
題が生じる。
SIをボードに実装した後においても位相調整時間を可
変にすることができ、また同一クロックを用いた他のL
SIに接続しても正常動作が可能となる半導体集積回路
を提供することにある。
調整機能を用いる回路において、PLLの出力に遅延素
子群を接続し、前記遅延素子群の遅延値の異なる複数出
力を選択する外部から書き換え可能なレジスタを有し、
前記レジスタで前記遅延素子群の前記複数出力から選択
する手段を有する。
の前記複数出力から選択することにより、外部から位相
調整が可能となり、同一クロックを用いた様々なLSI
に接続が可能になる。
について図面を参照して詳細に説明する。
同期回路)の位相調整機能を用いた回路の実施の形態を
示すブロック図であり、図2は、PLLの構成を示すブ
ロック図である。
1と位相調整信号202の位相比較を行う位相比較器
8、位相比較器8の比較した位相差に応じた期間一定電
流を出力するチャージポンプ9、チャージポンプ9の電
流出力を電圧に変換するフィルタ10、フィルタ10の
電圧の周波数であるクロック203を発生するVCO
(電圧制御発振器)11とにより構成されている。
の位相調整機能を用いた回路の実施の形態を説明する。
一のCLKで動作可能なLSI2に供給されるととも
に、PLL回路1に供給される。PLL回路1の出力1
02は、ラツチ回路3,4に供給されるとともに、遅延
素子群6に供給される。ここで、CPU5から書き換え
可能なレジスタ7で遅延素子群6の複数出力から位相調
整信号103を選択し、CLK101と位相調整信号1
03の位相調整を行い、出力102をラツチ回路3,4
に入力する。CPU5から出力したデータ104をラツ
チ回路3に入力し、ラツチ回路3の出力データを、CL
K101を用いて動作するLSI2に書き込みを行う。
LSI2からデータを読み出し、ラッチ回路4に入力
し、ラツチ回路4が出力したデータ104をCPU5に
入力し、LSI2に読み書きしたデータが一致している
かCPU5が確認を行う。
03を選択する動作について説明する。まず、レジスタ
7を0にし(ステップA1)、CPU5からLSI2に
データを書き込み(ステップA2)、LSI2からCP
U5にデータを読み込む(ステップA3)。次に、ステ
ップA2でのWRITEデータとステップA3でのRE
ADデータとが一致しているかCPU5が判定する(ス
テップA4)。一致したときは現在のレジスタ7の値を
保管し(ステップA5)、一致していない場合は保管を
行わずにステップA6に進む。ステップA6では、ステ
ップA2からステップA5の処理を位相調整可能な範囲
で全て行ったかを判定する。行っていなければレジスタ
7の値に1を加算し(ステップA7)、ステップA2か
らステップA5までの処理を行う。位相調整可能な範囲
を全てチェックした(ステップA6)後、ステップA5
で保管したレジスタ7の値の中心値をとり動作させる
(ステップA8)。
能な範囲内での位相調整時間の選択が可能となる。
いた回路の第2の実施の形態について図4を参照して説
明する。被位相調整信号であるCLK401を前記第1
の実施の形態を持ったLSI12,13,14に接続
し、さらにRAM15に接続する。図1の動作と同様に
CPU16からLSI12を介し、RAM15データの
書き込みを行い、RAM15からデータをLSI12を
介しCPU16にデータを読み出す作業を行い、位相調
整可能な範囲を全て行い、データが一致した時のレジス
タの値の中心値をとり動作させ、同様の処理をLSI1
3,LSI14について行うことによって、同一のCL
Kを用いた位相調整時間の異なる複数のLSIを接続し
ても動作が可能となる。
位相調整時間を変更できる機能を有することにより、本
LSIを製造後においても位相調整時間を可変にするこ
とができる。
更できる機能を有することにより、本LSIをボードに
実装した後においても位相調整時間を可変にすることが
できる。
可変にすることにより、本LSIと同一クロックを用い
た他のLSIに接続しても正常動作が可能となる。
ロック図である。
示すフローチャートである。
ロック図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 他のLSIへ供給されるクロック信号が
被位相調整信号として入力され、外部から位相調整時間
が設定可能な位相調整手段と、 該位相調整手段により位相が調整された前記クロック信
号が入力されて、このクロック信号に基づいて前記他の
LSIへの入力データを記憶する第1の記憶手段と、 前記位相が調整された前記クロック信号が入力されて、
このクロック信号に基づいて前記他のLSIの出力デー
タを記憶する第2の記憶手段とを有し、 前記第1の記憶手段の出力から前記入力データを前記他
のLSIへ出力して書き込み、その後前記他のLSIか
ら前記書き込まれたデータを読み出して前記第2の記憶
手段で記憶し、前記入力データと前記第2の記憶手段の
記憶データとが一致するように前記位相調整時間を設定
することにより、前記他のLSIを正常に動作させるも
のである ことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 被位相調整信号としてのクロック信号と
位相調整信号とが位相比較器に入力されるPLL回路
と、 該PLL回路の出力信号が入力される複数の遅延素子か
ら構成される遅延素子群と、 CPUからの信号により設定された設定値に基づいて、
遅延を可変にさせるために前記遅延素子群のうち少なく
とも1つを選択して前記位相調整信号として出力させる
レジスタ回路と、 前記PLL回路の出力信号が入力され、この出力信号に
基づいて、前記クロック信号と同一クロックで動作する
他のLSIへの入力データを記憶する第1の記憶手段
と、 前記PLL回路の出力信号が入力され、この出力信号に
基づいて、前記他のLSIの出力データを記憶する第2
の記憶手段とを有し、前記第1の記憶手段の出力から前記入力データを前記他
のLSIへ出力して書き込み、その後前記他のLSIか
ら前記書き込まれたデータを読み出して前記第2の記憶
手段で記憶し、前記入力データと前記第2の記憶手段の
記憶データとが一致するように前記レジスタ回路の前記
設定値を設定することにより、前記他の LSIを正常に
動作させるものである ことを特徴とする半導体集積回
路。 - 【請求項3】 前記請求項2記載の半導体集積回路にお
いて、 前記CPUが、前記書き込んだデータと前記読み出した
データを比較し、 前記比較の結果一致した場合に前記レジスタの設定値を
保管し、 前記比較の結果一致しない場合に前記レジスタの設定値
をインクリメントし、 位相調整可能範囲内で前記レジスタを全て可動させたか
チェックし、全て可動させたことを確認後、 前記保管されたレジスタ
の設定値から中心値を抽出し、この中心値を前記レジスタに設定値として設定し、 このCPUから設定された設定値に基づいて動作するも
のである ことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項4】 前記請求項1または2のいずれかに記載
の半導体集積回路において、前記第1および第2の記憶
手段がラッチ回路であることを特徴とする半導体集積回
路。 - 【請求項5】 前記請求項1または2のいずれかに記載
の半導体集積回路において、前記他のLSIが半導体記
憶装置であることを特徴とする半導体集積回路。
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