JP3037173B2 - 減圧処理装置 - Google Patents
減圧処理装置Info
- Publication number
- JP3037173B2 JP3037173B2 JP9011079A JP1107997A JP3037173B2 JP 3037173 B2 JP3037173 B2 JP 3037173B2 JP 9011079 A JP9011079 A JP 9011079A JP 1107997 A JP1107997 A JP 1107997A JP 3037173 B2 JP3037173 B2 JP 3037173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dust
- closed chamber
- exhaust
- speed
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は減圧処理装置に係わ
り、特に半導体装置の製造工程に用いるドライエッチン
グ装置や成長装置やＣＶＤ装置等の減圧処理装置に関す
る。
り、特に半導体装置の製造工程に用いるドライエッチン
グ装置や成長装置やＣＶＤ装置等の減圧処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、特開平４−２８４６２２号公報
に開示された給排気装置で、図示のように、密閉室２１
は主・副２系統の給排気管２５，２６により、主・副の
給排気弁２３，２４を介してポンプ２９とつながってお
り、ポンプによる排気時及び流量調節管２７に接続する
流量調節弁２８を介して密閉室内への給気時に、密閉室
内の圧力を圧力センサー２２によりモニターしながら流
量調節弁及び給排気弁を制御装置３０により制御してい
る。
に開示された給排気装置で、図示のように、密閉室２１
は主・副２系統の給排気管２５，２６により、主・副の
給排気弁２３，２４を介してポンプ２９とつながってお
り、ポンプによる排気時及び流量調節管２７に接続する
流量調節弁２８を介して密閉室内への給気時に、密閉室
内の圧力を圧力センサー２２によりモニターしながら流
量調節弁及び給排気弁を制御装置３０により制御してい
る。
【０００３】この方式により、発塵がおこり易い圧力範
囲では副給排気弁及び流量調節弁を開いて給排気を行
い、高速給排気を行っても発塵しない圧力範囲では副給
排気弁及び流量調節弁を閉じ、主給排気弁を開いて給排
気を行っている。
囲では副給排気弁及び流量調節弁を開いて給排気を行
い、高速給排気を行っても発塵しない圧力範囲では副給
排気弁及び流量調節弁を閉じ、主給排気弁を開いて給排
気を行っている。
【０００４】また、特開平５−２８８６６９号公報およ
び特開平３−２２６５７９号公報に密閉室もしくは常圧
反応室内の発塵状況をモニターする方法が開示されてい
る。前者は密閉室内の発塵状況のモニターをより高精度
に行うための手法であり、後者は常圧ＣＶＤ装置で、常
圧反応室につながる排気配管に吸気される排気中のパー
ティクルをモニターし、パーティクル数が上限を越えた
時に警報を発し、反応ガス供給を断とする。
び特開平３−２２６５７９号公報に密閉室もしくは常圧
反応室内の発塵状況をモニターする方法が開示されてい
る。前者は密閉室内の発塵状況のモニターをより高精度
に行うための手法であり、後者は常圧ＣＶＤ装置で、常
圧反応室につながる排気配管に吸気される排気中のパー
ティクルをモニターし、パーティクル数が上限を越えた
時に警報を発し、反応ガス供給を断とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、特開
平４−２８４６２２号公報において、密閉室内の実際の
発塵状況がわからないため、実際に発塵が生じてもそれ
に対応することができず、他方、発塵が生じていなくて
も必要以上に給排気を緩慢に行うことでスループットを
低下させてしまうことである。
平４−２８４６２２号公報において、密閉室内の実際の
発塵状況がわからないため、実際に発塵が生じてもそれ
に対応することができず、他方、発塵が生じていなくて
も必要以上に給排気を緩慢に行うことでスループットを
低下させてしまうことである。
【０００６】その理由は、圧力のみをモニターし、その
状況により主・副の給排気配管を使い分けて密閉室内の
発塵を防止しようとしているからである。
状況により主・副の給排気配管を使い分けて密閉室内の
発塵を防止しようとしているからである。
【０００７】第２の問題点は、特開平５−２８８６６９
号公報および特開平３−２２６５７９号公報の手法にお
いて、発塵が生じた際に前者では発塵による被害を受け
るままであり、後者は発塵に対する対応が反応ガスを止
めること（処理を中断すること）であるため、処理中断
による不具合が発生し、またスループットも低下させて
しまうことである その理由は、両者とも発塵をモニターする機構を持って
いるものの、いずれもその發塵を抑制するための機構を
持たないからである。
号公報および特開平３−２２６５７９号公報の手法にお
いて、発塵が生じた際に前者では発塵による被害を受け
るままであり、後者は発塵に対する対応が反応ガスを止
めること（処理を中断すること）であるため、処理中断
による不具合が発生し、またスループットも低下させて
しまうことである その理由は、両者とも発塵をモニターする機構を持って
いるものの、いずれもその發塵を抑制するための機構を
持たないからである。
【０００８】したがって本発明の目的は、密閉室内の発
塵状況モニター及びその状況に応じた給排気スピードの
制御により、発塵が起こるような状況では確実に給排気
スピードを抑制して発塵による被害を最少限にとどめ、
また発塵が起こらない状況では給排気スピードを上げて
処理速度を高めることでき、これにより、確実に発塵を
防止しながら高スループットを得ることができる減圧処
理装置を提供する事である。
塵状況モニター及びその状況に応じた給排気スピードの
制御により、発塵が起こるような状況では確実に給排気
スピードを抑制して発塵による被害を最少限にとどめ、
また発塵が起こらない状況では給排気スピードを上げて
処理速度を高めることでき、これにより、確実に発塵を
防止しながら高スループットを得ることができる減圧処
理装置を提供する事である。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【課題を解決するための手段】 本発明の特徴は、内部に
可動部位を有する密閉室と、前記密閉室内の浮遊塵数を
計測する検出器とを有し、前記検出器により計測された
浮遊塵数から前記可動部位の動作速度を演算し、この動
作速度を制御する制御装置を有する減圧処理装置にあ
る。あるいは本発明の他の特徴は、内部に可動部位を有
する密閉室と、前記密閉室に接続された排気配管及び給
気配管と、前記密閉室内の浮遊塵数を計測する検出器と
を有し、前記検出器により検出された浮遊塵数から排気
スピードと給気スピードと前記可動部位の動作スピード
を演算し、それぞれのスピードを制御する制御装置を有
する減圧処理装置にある。
可動部位を有する密閉室と、前記密閉室内の浮遊塵数を
計測する検出器とを有し、前記検出器により計測された
浮遊塵数から前記可動部位の動作速度を演算し、この動
作速度を制御する制御装置を有する減圧処理装置にあ
る。あるいは本発明の他の特徴は、内部に可動部位を有
する密閉室と、前記密閉室に接続された排気配管及び給
気配管と、前記密閉室内の浮遊塵数を計測する検出器と
を有し、前記検出器により検出された浮遊塵数から排気
スピードと給気スピードと前記可動部位の動作スピード
を演算し、それぞれのスピードを制御する制御装置を有
する減圧処理装置にある。
【００１２】このように本発明によれば、密閉室内の発
塵状況をモニターし、その状況により給排気スピード等
をを制御する機構を有するから、発塵が起こりやすい状
況では給排気スピードを抑制して確実に発塵を防止で
き、一方、発塵が起こり難い状況では給排気スピードを
上げて、処理時間を高効率化することができる。
塵状況をモニターし、その状況により給排気スピード等
をを制御する機構を有するから、発塵が起こりやすい状
況では給排気スピードを抑制して確実に発塵を防止で
き、一方、発塵が起こり難い状況では給排気スピードを
上げて、処理時間を高効率化することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００１４】図１は本発明に関連する技術の減圧処理装
置の構成を示す図である。この装置では、密閉室１内の
気体を排気管２及びスロットルバルブ３を介してポンプ
４で排気し、また減圧状態にある密閉室１内にガスを供
給する際には流量調節弁５を介して吸気管６より行う。
置の構成を示す図である。この装置では、密閉室１内の
気体を排気管２及びスロットルバルブ３を介してポンプ
４で排気し、また減圧状態にある密閉室１内にガスを供
給する際には流量調節弁５を介して吸気管６より行う。
【００１５】密閉室１内は常時ダストカウンター７によ
り発塵状況がモニタされており、このダストカウンター
７での浮遊塵検出数は制御装置８に送られ、その数に応
じて制御装置８により、スロットルバルブ３あるいは流
量調節弁５の適切な開度を演算し、それにより開度の制
御、調整を行う。
り発塵状況がモニタされており、このダストカウンター
７での浮遊塵検出数は制御装置８に送られ、その数に応
じて制御装置８により、スロットルバルブ３あるいは流
量調節弁５の適切な開度を演算し、それにより開度の制
御、調整を行う。
【００１６】以上述べた構成を持つ装置で、排気時に密
閉室１内で気流による発塵が生じた場合、ダストカウン
ター７による浮遊塵検出数がある一定の値を超えた際
に、この数が一定値以下となるように制御装置８がスロ
ットバルブ３を閉方向に調整することで密閉室１内の気
流流速を下げ、発塵を抑制する。
閉室１内で気流による発塵が生じた場合、ダストカウン
ター７による浮遊塵検出数がある一定の値を超えた際
に、この数が一定値以下となるように制御装置８がスロ
ットバルブ３を閉方向に調整することで密閉室１内の気
流流速を下げ、発塵を抑制する。
【００１７】また、発塵による浮遊塵検出数がある一定
の値以下であれば、制御装置８によりスロットルバルブ
３が開方向に調整され続けるため、発塵の起こりにくい
状況では排気スピードを上げることができる。
の値以下であれば、制御装置８によりスロットルバルブ
３が開方向に調整され続けるため、発塵の起こりにくい
状況では排気スピードを上げることができる。
【００１８】給気についても同様の制御が行われ、浮遊
塵数が一定の値以上であれば流量調節弁が閉方向に調整
され、一定の値以下であれば流量調節弁が開方向に調整
され続ける。
塵数が一定の値以上であれば流量調節弁が閉方向に調整
され、一定の値以下であれば流量調節弁が開方向に調整
され続ける。
【００１９】図２は上記図１の減圧処理装置において、
密閉室の排気を行う際の密閉室内圧力およびスロットル
バルブ開度の経時変化を例示するグラフである。
密閉室の排気を行う際の密閉室内圧力およびスロットル
バルブ開度の経時変化を例示するグラフである。
【００２０】一般的には圧力の高い領域では発塵が起こ
り易く、低圧になるほど発塵は起こりにくいため、高圧
領域ではスロットルバルブ開度は小さく、低圧領域にな
る程スロットルバルブ開度は大きくなり、最終的に全開
となる。
り易く、低圧になるほど発塵は起こりにくいため、高圧
領域ではスロットルバルブ開度は小さく、低圧領域にな
る程スロットルバルブ開度は大きくなり、最終的に全開
となる。
【００２１】次に、本発明の実施の形態について図３を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２２】この実施の形態の減圧処理装置は、例えば
半導体装置の製造装置に適用することができる。より具
体的にはドライエッチング装置や成長装置に適用するこ
とができる。
半導体装置の製造装置に適用することができる。より具
体的にはドライエッチング装置や成長装置に適用するこ
とができる。
【００２３】図３の減圧処理装置の密閉室は、半導体装
置の入ったキャリアを収納する第１の密閉室１１と、処
理ステージ１７を有しその上で半導体装置の処理を行う
第２の密閉室１２に分けられ、第１の密閉室１１と第２
の密閉室１２との間で半導体装置を搬送するハンドラー
１８が密閉室内の可動部位の一つとして設けられ、第１
の密閉室１１と第２の密閉室１２との間の仕切に形成さ
れ、両室につながる開孔部を開閉するドア１６が密閉室
内の可動部位の他の一つとして設けられている。
置の入ったキャリアを収納する第１の密閉室１１と、処
理ステージ１７を有しその上で半導体装置の処理を行う
第２の密閉室１２に分けられ、第１の密閉室１１と第２
の密閉室１２との間で半導体装置を搬送するハンドラー
１８が密閉室内の可動部位の一つとして設けられ、第１
の密閉室１１と第２の密閉室１２との間の仕切に形成さ
れ、両室につながる開孔部を開閉するドア１６が密閉室
内の可動部位の他の一つとして設けられている。
【００２４】また、第１および第２の密閉室１１，１２
における發塵状況をそれぞれモニターする第１および第
２のダストカウンター１３，１４がそれぞれ設けられ、
さらにこれらのダストカウンターからの信号を受けてハ
ンドラー１８やドア１６の動きを制御し、図１に示した
ような給排気系統（図３では図示省略）のバルブを制御
する制御装置１９を有して構成される。
における發塵状況をそれぞれモニターする第１および第
２のダストカウンター１３，１４がそれぞれ設けられ、
さらにこれらのダストカウンターからの信号を受けてハ
ンドラー１８やドア１６の動きを制御し、図１に示した
ような給排気系統（図３では図示省略）のバルブを制御
する制御装置１９を有して構成される。
【００２５】この装置では、第１のダストカウンター１
３と第２のダストカウンター１４によって常時、第１の
密閉室１１と第２の密閉室１２内の発塵状況をモニター
しながら半導体装置の搬送・処理を行っている。
３と第２のダストカウンター１４によって常時、第１の
密閉室１１と第２の密閉室１２内の発塵状況をモニター
しながら半導体装置の搬送・処理を行っている。
【００２６】ダストカウンターからの信号を受けた制御
装置１９は、密閉室内の発塵状況に応じてハンドラー１
８及びドア１６の適切な動作スピードを演算し、それに
よりこれらのスピードを制御し調整する。
装置１９は、密閉室内の発塵状況に応じてハンドラー１
８及びドア１６の適切な動作スピードを演算し、それに
よりこれらのスピードを制御し調整する。
【００２７】この機構により、発塵が起こりやすいよう
な状況では可動部の動作スピードを遅くしてゴミの発生
を抑制し、また発塵が起こり難いような状況では可動部
の動きをスムースにすることで処理時間を短縮すること
ができる。
な状況では可動部の動作スピードを遅くしてゴミの発生
を抑制し、また発塵が起こり難いような状況では可動部
の動きをスムースにすることで処理時間を短縮すること
ができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第１の効果
は、発塵による悪影響を最小限にとどめることができる
ことである。
は、発塵による悪影響を最小限にとどめることができる
ことである。
【００２９】その理由は、密閉室内の発塵状況を常時モ
ニターしているため、発塵がおこり易い状況での給排気
スピードもしくは可動部の動作スピードの調整により発
塵を確実に抑制できるからである。
ニターしているため、発塵がおこり易い状況での給排気
スピードもしくは可動部の動作スピードの調整により発
塵を確実に抑制できるからである。
【００３０】第２の効果は、不必要に給排気スピードも
しくは可動部の動作スピードを下げることによる処理時
間の浪費を防ぐことができるということである。
しくは可動部の動作スピードを下げることによる処理時
間の浪費を防ぐことができるということである。
【００３１】その理由は、密閉室内で発塵が起こってい
なければ、それに対応して給排気スピードもしくは可動
部の動作スピードを上げるという機構を有しているから
である。
なければ、それに対応して給排気スピードもしくは可動
部の動作スピードを上げるという機構を有しているから
である。
【図１】本発明に関連する技術の減圧処理装置の構成を
示した図である。
示した図である。
【図２】図１の減圧処理装置において、密閉室排気を行
う際の密閉室内圧力及びスロットルバルブ開度の経時変
化を例示した図である。
う際の密閉室内圧力及びスロットルバルブ開度の経時変
化を例示した図である。
【図３】本発明の実施の形態の減圧処理装置の構成を示
した図である。
した図である。
【図４】従来技術の減圧処理装置の構成を示した図であ
る。
る。
１ 密閉室 ２ 排気管 ３ スロットルバルブ ４ ポンプ ５ 流量調節弁 ６ 給気管 ７ ダストカウンター ８ 制御装置 １１ 第１の密閉室 １２ 第２の密閉室 １３ 第１のダストカウンター １４ 第２のダストカウンター １５ キャリア １６ ドア １７ 処理ステージ １８ ハンドラー １９ 制御装置 ２１ 密閉室 ２２ 圧力センサー ２３ 主給排気弁 ２４ 副給排気弁 ２５ 主排気管 ２６ 副給排気管 ２７ 流量調節管 ２８ 流量調節弁 ２９ ポンプ ３０ 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/203 - 21/205 H01L 21/302 H01L 21/3065 B01J 3/00 - 3/08
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に可動部位を有する密閉室と、前記
密閉室内の浮遊塵数を計測する検出器とを有し、前記検
出器により計測された浮遊塵数から前記可動部位の動作
速度を演算し、この動作速度を制御する制御装置を有す
ることを特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項２】 内部に可動部位を有する密閉室と、前記
密閉室に接続された排気配管及び給気配管と、前記密閉
室内の浮遊塵数を計測する検出器とを有し、前記検出器
により検出された浮遊塵数から排気スピードと給気スピ
ードと前記可動部位の動作スピードを演算し、それぞれ
のスピードを制御する制御装置を有することを特徴とす
る減圧処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011079A JP3037173B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 減圧処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011079A JP3037173B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 減圧処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204642A JPH10204642A (ja) | 1998-08-04 |
| JP3037173B2 true JP3037173B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=11767983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9011079A Expired - Fee Related JP3037173B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 減圧処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3037173B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101935286B1 (ko) | 2012-12-17 | 2019-01-04 | 코웨이 주식회사 | 슬라이딩 타입의 지지부를 포함하는 건식 족욕기 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7257494B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-08-14 | Inficon, Inc. | Inter-process sensing of wafer outcome |
| KR100754243B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-09-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 진공 장치 |
| US20080157007A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Active particle trapping for process control |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP9011079A patent/JP3037173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101935286B1 (ko) | 2012-12-17 | 2019-01-04 | 코웨이 주식회사 | 슬라이딩 타입의 지지부를 포함하는 건식 족욕기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10204642A (ja) | 1998-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3270852B2 (ja) | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 | |
| JP2002273198A (ja) | 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置 | |
| JPH0864578A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JP3037173B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| US20100163181A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| US6843809B2 (en) | Vacuum/purge operation of loadlock chamber and method of transferring a wafer using said operation | |
| JP3361955B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US6711956B2 (en) | Method and apparatus for regulating exhaust pressure in evacuation system of semiconductor process chamber | |
| JPH05304099A (ja) | 流量制御装置 | |
| KR100676197B1 (ko) | 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치 | |
| JP2000232071A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3173681B2 (ja) | 真空排気装置及びその方法 | |
| KR20070075935A (ko) | 기판처리장치의 진공펌핑 시스템 및 이를 이용한이송챔버의 진공펌핑 방법 | |
| JP2001070781A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2881154B2 (ja) | 真空排気装置 | |
| JP2826479B2 (ja) | ガス供給装置及びその操作方法 | |
| WO2010090434A2 (ko) | 역류 방지 시스템 | |
| JP2006319207A (ja) | 流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法 | |
| JPH0679159A (ja) | 真空室用ガス導入装置 | |
| JP2000243705A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH05237361A (ja) | 真空用バルブ | |
| JPS614875A (ja) | プラズマエツチング装置の真空排気方法 | |
| JPH01183112A (ja) | スパッタ蒸着装置 | |
| JPH0250422A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3558557B2 (ja) | 真空ポンプ及びその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000208 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |