JP3025648B2 - 半導体のボンディング不良検出装置 - Google Patents

半導体のボンディング不良検出装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボンダーにおける
超音波発振器の出力波形をモニタすることにより、ＩＣ
等の半導体素子のボンディング不良を発見する手法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】数百本ものピンを有する半導体素子にお
いては、一般的には、ピンを超音波を用いてボンディン
グ後、半導体テスターで製品の特性を測定し、製品の良
否を判定している。しかしながら、この方法では、ボン
ディングの結合強度が定格値を満たしていなくても、電
気的につながっていれば、ボンディング不良は発見でき
ない。このようなボンディング不良は、製品出荷後に製
品不良として表れる可能性が高い。
【０００３】また、従来、ボンダーの超音波発振器の電
圧波形と電流波形の変化に着目したボンディング不良検
出装置はあるが、計測方法は絶対値計測である。すなわ
ち、ボンディング中の電圧と電流の実効値を計測し、そ
の平均値を基づいて基準値を設定し、それを固定値とし
て良品、不良品の判定を行うものである。
【０００４】しかしながら、実際のＩＣのボンディング
においては、装置や半導体素子の種類の違いによる基準
値の差や、フレームのピンの位置による平均値の差があ
り、基準値を固定値として用いることは、実用的には判
定に大きな誤差が生じ、使用できない。
【０００５】さらに、同じ半導体素子であっても、ボン
ダー先端のツールの磨耗や温度上昇により、経時的に電
圧及び電流の実効値が変動するが、従来の平均値を使用
する装置では、その変動に対応できず、良品／不良品判
定の判定基準が一定しないと言う問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、機種の違いやピンの位置に関係なく、さら
にボンダーの稼働状況に影響されずに、ボンディング不
良を発見することのできるボンディング不良検出装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明は、超音波発振器から発生する超音波により
ピンのボンディングを行うワイヤーボンダーに接続され
る半導体のボンディング不良検出装置であって、ボンデ
ィング工程中に前記超音波発振器の電圧波形及び電流波
形をリアルタイムにサンプリング入力してデジタル変換
する手段と、デジタル変換された電圧波形及び電流波形
のサンプリングデータから、周波数、電圧波形と電流波
形の位相差、インピーダンス等の特異データを演算する
デジタル信号処理手段と、前記デジタル信号処理手段で
演算されたデジタルデータをピンごとに蓄積するデータ
蓄積手段と、前記データ蓄積手段に蓄積された複数のデ
ジタルデータの過去の平均値と、前記デジタル信号処理
手段で演算された現在のデジタルデータとを比較してボ
ンディング不良を判定する判定手段とを備えたものであ
る。前記判定手段における複数のデジタルデータの過去
の平均値は、最近の複数個のデジタルデータによって算
出する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明のボンディング不良検出装置
の構成を示すブロック図である。このボンディング不良
検出装置１は、ワイヤーボンダー２に接続して使用され
る。ワイヤーボンダー２は、超音波発振器２１とワイヤ
ーボンダー制御装置２２から構成される。ボンディング
不良検出装置１は、超音波発振器２１の電圧波形と電流
波形を取り込み、デジタル変換するＡ／Ｄ変換器１１、
１２と、デジタル変換された電圧波形及び電流波形か
ら、周波数、電圧波形と電流波形の位相差、インピーダ
ンスを演算するデジタル信号処理手段１３と、デジタル
信号処理手段１３で演算されたデジタルデータをピンご
とに蓄積するデータ蓄積手段１４と、データ蓄積手１４
段に蓄積された複数のデジタルデータの過去の平均値
と、デジタル信号処理手段１３で演算された現在のデジ
タルデータとを比較してボンディング不良を判定する判
定手段１５とを備えている。なお、デジタル信号処理手
段１３は、高速ＤＳＰ（デジタル・シグナル・プロセッ
サ）によるソフトウエア処理により実行される。
【０００９】次に、データ蓄積手段１４におけるデータ
の平均化の方法について、図２に示すフローチャート及
び図３に示すＩＣ１〜ＩＣｍのピン番号の説明図を参照
しながら説明する。
【００１０】平均する数をｎ、ピン番号をＰとする。ピ
ンＰのｎ個の測定値Ｘ(1,P)からＸ(n,P)までのｎ個の合
計Ｔ(n,P)は、
【数１】
【００１１】このとき、平均値Ａ(n,P)は、Ａ(n,P)＝Ｔ
(n,P)／ｎとなる（図２、ステップ１００）。（ｎ＋
１）個目からは、以下の方法で、高速に処理する。
【００１２】いま、ｍ個目（ｍ＞ｎ）の測定をしたとす
る（ステップ１１０）。Ｐピンの測定値をＸ(m,P)とす
る（ステップ１２０）。Ａ(m-1,P)−α＜Ｐ(m,P)＜Ａ(m
-1,P)＋αを満たすか、確認する（ステップ１３０）。
満たせば、正常（合格）と判断する（ステップ１４
０）。
【００１３】正常な場合は、最新のｎ個の平均値を、以
下のように計算する。（ｍ−ｎ＋１）個のＰピンの測定
値Ｘ(m-n+1,P)からＸ(m,P)までのｎ個の合計Ｔ(m,P)
は、Ｔ(m,P)＝Ｔ(m-1,P)−Ａ(m-1,P)＋Ｘ(m,P)となる。
このとき、平均値Ａ（ｍ，Ｐ）は、Ａ(m,P)＝Ｔ(m,P)／
ｎとなる（ステップ１５０）。
【００１４】ステップ１５０の条件を満たさなければ、
異常（不合格）と判断する（ステップ１６０）。次の測
定が、新しいＩＣかどうかを判断する（ステップ１７
０）。新しいＩＣであれば、ＩＣ番号を＋１して、ピン
番号を１とする（ステップ１８０）。新しいＩＣ出なけ
れば、ピン番号を＋１する（ステップ１９０）。ステッ
プ１２０から繰り返す。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
４に、１つのピンをボンディングしている時の超音波発
振器の出力波形の典型的な例を示す。（ａ）は電圧波
形、（ｂ）は電流波形である。波形のエンベロープ曲線
は図示のように特異なカーブとなっている。この波形に
おいて、途中で波形の振幅が小さくなっているのは、ボ
ンディング工程が進行して、ピンの溶着が完了した時点
で、接点間の電圧降下が小さくなることを表しているも
のと考えられる。溶着不良の場合は、図４のような典型
的なパターンとはならず、歪んだエンベロープ曲線とな
る。そこでこの波形を、例えば１０のブロックに分割し
て、各ブロック毎にデータを測定する。
【００１６】図５は、ある測定ブロックにおける電圧平
均値の求め方を示している。測定ブロックをｎに分割
し、電圧波形のサンプリングを行う。そして、各サンプ
リング値Ｖiから電圧平均値ＶAVEを求める。
【数２】 また、電圧最大値は、｜Ｖ1｜〜｜Ｖn｜の最大値で求め
る。
【００１７】図６は、ある測定ブロックにおける電流平
均値の求め方を示している。測定ブロックをｎに分割
し、電流波形のサンプリングを行う。そして、各サンプ
リング値Ｉiから電流平均値ＩAVEを求める。
【数３】 また、電流最大値は、｜Ｉ1｜〜｜Ｉn｜の最大値で求め
る。インピーダンスＩｍｐは、電圧平均値ＶAVE及び電
流平均値ＩAVEから次のように求められる。 Ｉｍｐ＝ＶAVE／ＩAVE
【００１８】図７は電圧周波数の求め方を示すものであ
る。電圧周波数Ｖfは、 Ｖf＝ｆs／Ｎ で表される。ここで、ｆsはサンプリング周波数、Ｎは
１周期分のデータ数であり、１周期分のデータ数は、１
周期のゼロクロス点Ａとゼロクロス点Ｂ間のサンプリン
グ数から求める。
【００１９】図８は電流周波数の求め方を示すものであ
る。電流周波数Ｉfは、 Ｉf＝ｆs／Ｎ で表される。ここで、ｆsはサンプリング周波数、Ｎは
１周期分のデータ数であり、１周期分のデータ数は、１
周期のゼロクロス点Ａとゼロクロス点Ｂ間のサンプリン
グ数から求める。
【００２０】図９及び図１０は位相差の求め方を示す説
明図であり、図９は電圧波形が電流波形より進んでいる
場合、図１０は電流波形が電圧波形より進んでいる場合
を示している。図９において、電圧波形のゼロクロス点
Ａ１，Ａ２及び電流波形のゼロクロス点Ｂ１，Ｂ２を求
め、Ｂ１−Ａ１の位相差を次式で演算する。 位相差＝｛（Ｂ１−Ａ１）×３６０°｝／（Ｂ２−Ｂ
１） なお、位相差が３６０°より大きいときは３６０°を引
いた値を位相差とする。
【００２１】また、電流波形が電圧波形より進んでいる
場合を示す図１０において、電圧波形のゼロクロス点Ａ
１，Ａ２及び電流波形のゼロクロス点Ｂ１，Ｂ２を求
め、Ｂ２−Ａ１の位相差を次式で演算する。 位相差＝｛（Ｂ２−Ａ１）×３６０°｝／（Ｂ２−Ｂ
１） なお、位相差が３６０°より大きいときは３６０°を引
いた値を位相差とする。
【００２２】もし、電圧波形、電流波形に異常があり、
図５〜図６に示すような正弦波とならなければ、前記の
電圧平均値、電流平均値、インピーダンス、周波数、位
相差などの少なくとも１つに異常が表れるので、それが
数値として、正常値と区別できることになる。
【００２３】また、最新のｎ個の正常値から平均値を求
めることにより、ボンダー先端のツールの磨耗や温度上
昇によって経時的に電圧及び電流の実効値が変動して
も、その変動に対応した良品／不良品判定の判定基準と
なる。
【００２４】
【発明の効果】
（１） 本発明では、ＤＳＰ（デジタル・シグナル・プ
ロセッサ）で高速サンプリングを行い、デジタル化する
ことでデータの後処理が可能となった。 （２） 電流と電圧の発振波形データをサンプリングす
るので、周波数、位相差、インピーダンスなどを、ピン
毎に、過去のデータまで記憶する。このため、直前まで
の一定数の平均と比較することにより、機種の違いやピ
ンの位置に関係なく、不良を発見することができた。 （３） 発振波形を計測するため、微妙なボンディング
の状態を推定することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のボンディング不良検出装置の構成を
示すブロック図である。
【図２】 本発明に係るデータの平均化の方法を示すフ
ローチャートである。
【図３】 ＩＣ１〜ＩＣｍのピン番号の説明図である。
【図４】 ボンディングしている時の超音波発振器の出
力波形図であり、（ａ）は電圧波形図、（ｂ）は電流波
形図である。
【図５】 電圧平均値の求め方を示す説明図である。
【図６】 電流平均値の求め方を示す説明図である。
【図７】 電圧周波数の求め方を示す説明図である。
【図８】 電流周波数の求め方を示す説明図である。
【図９】 電圧波形が電流波形より進んでいる場合の位
相差の求め方を示す説明図である。
【図１０】 電流波形が電圧波形より進んでいる場合の
位相差の求め方を示す説明図である。
【符号の説明】 １ ボンディング不良検出装置、２ ワイヤーボンダ
ー、２１ 超音波発振器、２２ ワイヤーボンダー制御
装置、１１，１２ Ａ／Ｄ変換器、１３ デジタル信号
処理手段、１４ データ蓄積手段、１５ 判定手段

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 超音波発振器から発生する超音波により
    ピンのボンディングを行うワイヤーボンダーに接続され
    る半導体のボンディング不良検出装置であって、 ボンディング工程中に前記超音波発振器の電圧波形及び
    電流波形をリアルタイムにサンプリング入力してデジタ
    ル変換する手段と、 デジタル変換された電圧波形及び電流波形のサンプリン
    グデータから、周波数、電圧波形と電流波形の位相差、
    インピーダンス等の特異データを演算するデジタル信号
    処理手段と、 前記デジタル信号処理手段で演算されたデジタルデータ
    をピンごとに蓄積するデータ蓄積手段と、 前記データ蓄積手段に蓄積された複数のデジタルデータ
    の過去の平均値と、前記デジタル信号処理手段で演算さ
    れた現在のデジタルデータとを比較してボンディング不
    良を判定する判定手段とを備えたことを特徴とする半導
    体のボンディング不良検出装置。
  2. 【請求項２】 判定手段における複数のデジタルデータ
    の過去の平均値は、最近の複数個のデジタルデータによ
    って算出する、請求項１記載の半導体のボンディング不
    良検出装置。
JP8230484A 1996-08-30 1996-08-30 半導体のボンディング不良検出装置 Expired - Fee Related JP3025648B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3025648B2 (ja) * 1996-08-30 2000-03-27 株式会社九州エレクトロニクスシステム 半導体のボンディング不良検出装置
US6568581B2 (en) * 2001-03-15 2003-05-27 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Detection of wire bonding failures
EP1310319B1 (de) 2001-11-07 2006-09-06 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Prüfverfahren für Bondverbindungen und Drahtbonder
EP1343201A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-10 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH "Verfahren und Anordnung zur Herstellung und Qualitätsprüfung einer Drahtbondverbindung"
JP4397326B2 (ja) * 2004-12-27 2010-01-13 株式会社新川 ボンディング装置
CN102473659B (zh) * 2009-07-24 2015-09-02 惠普开发有限公司 有效管脚连接监测系统和方法
JP6575161B2 (ja) * 2015-06-16 2019-09-18 富士電機株式会社 良否判断装置、ワイヤボンダ装置及び良否判断方法
CN109741295B (zh) * 2018-11-28 2021-04-20 歌尔股份有限公司 产品质量检测方法及装置
CN111599709B (zh) * 2020-05-29 2022-03-29 上海华力微电子有限公司 一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184373A (en) * 1975-10-22 1980-01-22 Vought Corporation Apparatus for evaluating a bond
US4366713A (en) * 1981-03-25 1983-01-04 General Electric Company Ultrasonic bond testing of semiconductor devices
JPS60182143A (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 Toshiba Corp 超音波ワイヤボンデイング装置のボンデイング異常検出装置
CA1337830C (en) * 1989-09-29 1995-12-26 David Jarman Ultrasonic inspection of seal integrity of bond lines in sealed containers
JPH0574876A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Ricoh Co Ltd ワイヤボンデイング装置
JPH0574878A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Nec Yamagata Ltd ウエーハの試験方法
US5170520A (en) * 1992-03-24 1992-12-15 Scott Milliken Suspendable cradle
DE69430346T2 (de) * 1993-01-06 2002-10-31 Hitachi Construction Machinery Vorrichtung zur bildsondierung mit ultraschallwellen
US5513531A (en) * 1993-09-01 1996-05-07 Combustion Engineering, Inc. Ultrasonic system for measurement of thin layers
JP3025648B2 (ja) * 1996-08-30 2000-03-27 株式会社九州エレクトロニクスシステム 半導体のボンディング不良検出装置

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Publication number Publication date
KR100495433B1 (ko) 2005-09-26
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JPH1074788A (ja) 1998-03-17
US5889210A (en) 1999-03-30

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