JP3020518B2 - 酸化物超電導体薄膜 - Google Patents
酸化物超電導体薄膜Info
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- JP3020518B2 JP3020518B2 JP1224796A JP22479689A JP3020518B2 JP 3020518 B2 JP3020518 B2 JP 3020518B2 JP 1224796 A JP1224796 A JP 1224796A JP 22479689 A JP22479689 A JP 22479689A JP 3020518 B2 JP3020518 B2 JP 3020518B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、酸化物超電導体薄膜に関する。
（従来の技術） 1986年にLa−Ba−Cu−Ｏ系の層状ペロブスカイト型の
酸化物が40K以上の高い臨界温度を有することが発表さ
れて以来、酸化物系の超電導体が注目を集め、新材料探
索の研究が活発に行われている。その中でも、液体窒素
温度以上の高い臨界温度を有するＹ−Ba−Cu−Ｏ系で代
表される擬ペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Bi−
Sr−Ca−Cu−Ｏ系およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系の酸化物
超電導体は、冷媒として高価な液体ヘリウムに代えて、
安価な液体窒素を利用できるため、工業的にも重要な価
値を有している。
酸化物が40K以上の高い臨界温度を有することが発表さ
れて以来、酸化物系の超電導体が注目を集め、新材料探
索の研究が活発に行われている。その中でも、液体窒素
温度以上の高い臨界温度を有するＹ−Ba−Cu−Ｏ系で代
表される擬ペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Bi−
Sr−Ca−Cu−Ｏ系およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系の酸化物
超電導体は、冷媒として高価な液体ヘリウムに代えて、
安価な液体窒素を利用できるため、工業的にも重要な価
値を有している。
このような酸化物超電導体を電子デバイスに応用する
ことを考えた場合、まず薄膜化することが必要となるた
め、スパッタ法や蒸着法などを利用して酸化物超電導体
薄膜を作製することが盛んに試みられている。
ことを考えた場合、まず薄膜化することが必要となるた
め、スパッタ法や蒸着法などを利用して酸化物超電導体
薄膜を作製することが盛んに試みられている。
ところで、現状の酸化物超電導体薄膜の形成は、臨界
電流密度のような超電導特性を向上させるために、結晶
配向性を揃えた成長やエピタキシャル成長を主願として
行われている。たとえばMgOやSrTiO3の単結晶基板上に
Ｙ−Ba−Ca−Ｏ系酸化物超電導体の薄膜を形成する場
合、基板面に対して［001］方向を優先成長方向とする
試みがなされている。
電流密度のような超電導特性を向上させるために、結晶
配向性を揃えた成長やエピタキシャル成長を主願として
行われている。たとえばMgOやSrTiO3の単結晶基板上に
Ｙ−Ba−Ca−Ｏ系酸化物超電導体の薄膜を形成する場
合、基板面に対して［001］方向を優先成長方向とする
試みがなされている。
これは、上述したような酸化物超電導体は結晶のｃ面
方向に対して超電導電流を流しやすいため、基板面に対
して結晶のｃ面を平行に配向させることによって、臨界
電流密度の向上を図ろうとするものである。
方向に対して超電導電流を流しやすいため、基板面に対
して結晶のｃ面を平行に配向させることによって、臨界
電流密度の向上を図ろうとするものである。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したように酸化物超電導体は、結
晶のｃ面方向には超電導電流を流しやすい半面、それ以
外の面内では超電導電流値が極端に小さいという、電気
的性質における異方性を有するため、基板面に対してｃ
面を配向させた酸化物超電導体薄膜を三次元的な素子に
応用する場合には、電流方向に対して異方性を有するこ
とから、明らかに基板面に対してｃ面配向させたことが
障害となってしまう。
晶のｃ面方向には超電導電流を流しやすい半面、それ以
外の面内では超電導電流値が極端に小さいという、電気
的性質における異方性を有するため、基板面に対してｃ
面を配向させた酸化物超電導体薄膜を三次元的な素子に
応用する場合には、電流方向に対して異方性を有するこ
とから、明らかに基板面に対してｃ面配向させたことが
障害となってしまう。
本発明は、このような課題に対処するためになされた
もので、酸化物超電導体薄膜の電気的性質における異方
性を緩和し、薄膜内の各種方向に対して良好に超電導電
流を流すことを可能にした酸化物超電導体薄膜を提供す
ることを目的とするものである。
もので、酸化物超電導体薄膜の電気的性質における異方
性を緩和し、薄膜内の各種方向に対して良好に超電導電
流を流すことを可能にした酸化物超電導体薄膜を提供す
ることを目的とするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明の酸化物超電導体薄膜は、基体上に形
成された少なくともCuを含みペロブスカイト型斜方晶結
晶構造を有する酸化物超電導体の薄膜であって、前記基
板の薄膜形成面に対し、優先成長方位が［001］方向で
ある前記酸化物超電導体の結晶と、優先成長方位が［10
0］方向である前記酸化物超電導体の結晶とが、同一の
薄膜内に混在していることを特徴とするものである。
成された少なくともCuを含みペロブスカイト型斜方晶結
晶構造を有する酸化物超電導体の薄膜であって、前記基
板の薄膜形成面に対し、優先成長方位が［001］方向で
ある前記酸化物超電導体の結晶と、優先成長方位が［10
0］方向である前記酸化物超電導体の結晶とが、同一の
薄膜内に混在していることを特徴とするものである。
本発明における酸化物超導電体は、斜方晶のペロブス
カイト型結晶構造を有し、かつ少なくともCuを含む酸化
物からなるものであり、希土類元素含有のペロブスカイ
ト型構造を有する酸化物超電導体や、Bi系やTl系の酸化
物超電導体などが適用される。
カイト型結晶構造を有し、かつ少なくともCuを含む酸化
物からなるものであり、希土類元素含有のペロブスカイ
ト型構造を有する酸化物超電導体や、Bi系やTl系の酸化
物超電導体などが適用される。
希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有する酸
化物超電導体は、超電導状態を実現できるものであれば
よく、たとえばRE M2Cu3O７−δ系（REは、Ｙ、La、S
c、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなどの希
土類元素から選ばれた少なくとも１種の元素を、ＭはB
a、Sr、Caから選ばれた少なくとも１種の元素を、δは
酸素欠陥を表し通常１以下の数、Cuの一部はTi、Ｖ、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Znなどで置換可能。以下同じ。）
の酸化物などが例示される。
化物超電導体は、超電導状態を実現できるものであれば
よく、たとえばRE M2Cu3O７−δ系（REは、Ｙ、La、S
c、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなどの希
土類元素から選ばれた少なくとも１種の元素を、ＭはB
a、Sr、Caから選ばれた少なくとも１種の元素を、δは
酸素欠陥を表し通常１以下の数、Cuの一部はTi、Ｖ、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Znなどで置換可能。以下同じ。）
の酸化物などが例示される。
ただし、上記RE−Ｍ−Cu−Ｏ系の酸化物超電導体を本
発明に適用する場合には、薄膜全体としての組成を下記
の一般式で表される組成とすることが好ましい。
発明に適用する場合には、薄膜全体としての組成を下記
の一般式で表される組成とすることが好ましい。
一般式:RE1MxCuyOz （式中、ｘ、ｙおよびｚは下記の式を満足する数であ
る。
る。
1.5≦ｘ≦2.5 2.5≦ｙ≦7.0 6.0≦ｚ≦7.0） また、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系の酸化物超電導体は、 化学式:Bi2Sr2Ca2Cu3Ox Bi2（Sr,Ca3）Cu3Ox （式中、Biの一部はPbなどで置換可能。）などで表され
るものであり、Tl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
は、 化学式:Tl2Ba2Ca2Cu3Ox Tl2（Ba,Ca）3Cu3Ox などで表されるものである。
るものであり、Tl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
は、 化学式:Tl2Ba2Ca2Cu3Ox Tl2（Ba,Ca）3Cu3Ox などで表されるものである。
本発明の酸化物超電導体薄膜は、たとえば以下のよう
にして作製することができる。
にして作製することができる。
まず、成膜時の被着基体を用意する。この被着基体と
しては、少なくとも膜形成面がSrTiO3結晶の（100）面
によって構成されたものが好ましく、膜形成面の面方位
を（100）面としたSrTiO3単結晶基体、あるいは他の絶
縁性基体や金属基体上にSrTiO3をその（100）面が膜形
成面を構成するよう被覆したものなどを使用する。
しては、少なくとも膜形成面がSrTiO3結晶の（100）面
によって構成されたものが好ましく、膜形成面の面方位
を（100）面としたSrTiO3単結晶基体、あるいは他の絶
縁性基体や金属基体上にSrTiO3をその（100）面が膜形
成面を構成するよう被覆したものなどを使用する。
次いで、上記被着基体を600℃〜700℃の温度に加熱
し、その状態の被着基体上に、スパッタ法、反応性蒸着
法、レーザ蒸着法、反応性イオンクラスタービーム蒸着
法などの各種薄膜形成法によって、上述したような酸化
物の各構成元素を堆積させる。ここで、成膜時の基体温
度が600℃未満では、成膜時に充分に結晶化させること
ができず、また700℃を越えると酸素の離脱が激しくな
って正方晶が出現したり、また［001］方向を優先成長
方位とする結晶が出現しやすくなり、良好な混晶状態が
得られがたくなる。
し、その状態の被着基体上に、スパッタ法、反応性蒸着
法、レーザ蒸着法、反応性イオンクラスタービーム蒸着
法などの各種薄膜形成法によって、上述したような酸化
物の各構成元素を堆積させる。ここで、成膜時の基体温
度が600℃未満では、成膜時に充分に結晶化させること
ができず、また700℃を越えると酸素の離脱が激しくな
って正方晶が出現したり、また［001］方向を優先成長
方位とする結晶が出現しやすくなり、良好な混晶状態が
得られがたくなる。
また、その他の成膜条件、たとえば薄膜形成雰囲気や
雰囲気圧、さらには蒸発源やスパッタターゲットなど出
発原料などは、適用する薄膜形成方法や得ようとする酸
化物超電導体薄膜に応じて適宜設定するものとする。
雰囲気圧、さらには蒸発源やスパッタターゲットなど出
発原料などは、適用する薄膜形成方法や得ようとする酸
化物超電導体薄膜に応じて適宜設定するものとする。
このようにして酸化物超電導体の薄膜を成膜した後
は、常温まで徐冷するのみとし、高温でのアニール処理
を施さないことが重要である。これは、高温でのアニー
ル処理によって配向しやすくなり、成膜後の良好な混晶
状態が崩されるためである。
は、常温まで徐冷するのみとし、高温でのアニール処理
を施さないことが重要である。これは、高温でのアニー
ル処理によって配向しやすくなり、成膜後の良好な混晶
状態が崩されるためである。
そして、このようにして酸化物超電導体の薄膜を形成
することにより、たとえば第１図に示すように、少なく
とも表面がSrTiO3結晶の（100）面1aで構成された被着
基体１上に、このSrTiO3結晶の（100）面1aに対して［0
01］方向を優先成長方位とする酸化物超電導体結晶2a
と、［100］方向を優先成長方位とする酸化物超電導体
結晶2bとが混在した薄膜が得られる。
することにより、たとえば第１図に示すように、少なく
とも表面がSrTiO3結晶の（100）面1aで構成された被着
基体１上に、このSrTiO3結晶の（100）面1aに対して［0
01］方向を優先成長方位とする酸化物超電導体結晶2a
と、［100］方向を優先成長方位とする酸化物超電導体
結晶2bとが混在した薄膜が得られる。
これら［001］方向を優先成長方位とする酸化物超電
導体結晶2aと、［100］方向を優先成長方位とする酸化
物超電導体結晶2bとの存在比率は、体積比で4:6〜6:4程
度とすることが好ましい。この比率を決定する重要な因
子は、成膜時の基体温度である。
導体結晶2aと、［100］方向を優先成長方位とする酸化
物超電導体結晶2bとの存在比率は、体積比で4:6〜6:4程
度とすることが好ましい。この比率を決定する重要な因
子は、成膜時の基体温度である。
このように、［001］方向を優先成長方位とする結晶2
aと、［100］方向を優先成長方位とする結晶2bとが混在
する上記薄膜形成条件を選択することによって、成膜後
にアニール処理を施さなくとも成膜直後に臨界温度80K
以上を確保することができる。
aと、［100］方向を優先成長方位とする結晶2bとが混在
する上記薄膜形成条件を選択することによって、成膜後
にアニール処理を施さなくとも成膜直後に臨界温度80K
以上を確保することができる。
なお、［001］方向および［100］方向を優先成長方位
とする酸化物超電導体薄膜中には、少量たとえば体積比
で数％程度の多結晶領域が混在していてもよく、特に特
性に影響を与えるものではない。
とする酸化物超電導体薄膜中には、少量たとえば体積比
で数％程度の多結晶領域が混在していてもよく、特に特
性に影響を与えるものではない。
（作 用） 本発明の酸化物超電導体薄膜においては、基体面に対
して［001］方向を優先成長方位とする結晶と、［100］
方向を優先成長方位とする結晶とが充分に結晶化された
状態で混在している。したがって、基体面に対して平行
な方向への超電導電流は［001］方向を優先成長方位と
する結晶が担い、基体面に対して垂直な方向への超電導
電流は［100］方向を優先成長方位とする結晶が担うた
め、各種方向に対して良好に超電導電流を流すことが可
能となる。
して［001］方向を優先成長方位とする結晶と、［100］
方向を優先成長方位とする結晶とが充分に結晶化された
状態で混在している。したがって、基体面に対して平行
な方向への超電導電流は［001］方向を優先成長方位と
する結晶が担い、基体面に対して垂直な方向への超電導
電流は［100］方向を優先成長方位とする結晶が担うた
め、各種方向に対して良好に超電導電流を流すことが可
能となる。
（実施例） 次に、本発明の実施例について説明する。
実施例 第２図は、この実施例において用いたスパッタ装置を
模式的に示した図である。同図において、11はスパッタ
室であり、このスパッタ室11内には、スパッタ用のター
ゲット12、13、14と基体ホルダ15とがほぼ対向して設置
されており、基板ホルダ15の後方には基板加熱用ヒータ
16が設けられている。また、ターゲット12、13、14に
は、それぞれスパッタ用電源17、18、19が接続されてお
り、各ターゲット12、13、14前方にはシャッタ20がそれ
ぞれ設けられている。スパッタ室11には、スパッタガス
を導入するための２系統のガス供給系、すなわちArガス
供給系21およびO2ガス供給系22と、排気系 23とが接続され、スパッタ装置が構成されている。
模式的に示した図である。同図において、11はスパッタ
室であり、このスパッタ室11内には、スパッタ用のター
ゲット12、13、14と基体ホルダ15とがほぼ対向して設置
されており、基板ホルダ15の後方には基板加熱用ヒータ
16が設けられている。また、ターゲット12、13、14に
は、それぞれスパッタ用電源17、18、19が接続されてお
り、各ターゲット12、13、14前方にはシャッタ20がそれ
ぞれ設けられている。スパッタ室11には、スパッタガス
を導入するための２系統のガス供給系、すなわちArガス
供給系21およびO2ガス供給系22と、排気系 23とが接続され、スパッタ装置が構成されている。
また、このスパッタ装置のスパッタ室11内には、反射
高速電子線回析（RHEED）用の電子銃24とスクリーン25
とが配置されており、成膜後直ちに膜の評価を行うこと
を可能としている。なお、これらRHEED用の電子銃24と
スクリーン25の前方にはそれぞれシャッタ26が配置され
ており、スパッタ粒子の被着を防止している。
高速電子線回析（RHEED）用の電子銃24とスクリーン25
とが配置されており、成膜後直ちに膜の評価を行うこと
を可能としている。なお、これらRHEED用の電子銃24と
スクリーン25の前方にはそれぞれシャッタ26が配置され
ており、スパッタ粒子の被着を防止している。
このような構成のスパッタ装置を用いて、以下の手順
によりＹ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体薄膜を作製し
た。
によりＹ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体薄膜を作製し
た。
まず、着膜基板27としてSrTiO3単結晶基板を用い、こ
れの（100）結晶面がターゲット方向に面するよう基板
ホルダ15にセットし、基板加熱用ヒータ16によって680
℃に加熱した後、スパッタガスとしてArガス供給系21と
O2ガス供給系22から、O2ガスの体積比が50％となるよう
に混合ガスを供給すると共に、スパッタ室11内のガス圧
を0.65Paに調整した。
れの（100）結晶面がターゲット方向に面するよう基板
ホルダ15にセットし、基板加熱用ヒータ16によって680
℃に加熱した後、スパッタガスとしてArガス供給系21と
O2ガス供給系22から、O2ガスの体積比が50％となるよう
に混合ガスを供給すると共に、スパッタ室11内のガス圧
を0.65Paに調整した。
また、ターゲット12、13、14としては、金属Ｙ、Ba2C
uO3焼結体、金属Cuを用い、金属ＹおよびBa2CuO3焼結体
にはスパッタ用電源17、18から高周波電力を、金属Cuに
はスパッタ用電源19からDC電力を供給し、３元同時スパ
ッタリングによってＹ−Ba−Cu−ｏ系酸化物超電導体薄
膜を形成した。なお３種のターゲット12、13、14に対す
る投入電力比は、形成される薄膜結晶の組成がY:Ba:Cu
＝1:2:3となるように調整し、膜厚は3000Åとした。
uO3焼結体、金属Cuを用い、金属ＹおよびBa2CuO3焼結体
にはスパッタ用電源17、18から高周波電力を、金属Cuに
はスパッタ用電源19からDC電力を供給し、３元同時スパ
ッタリングによってＹ−Ba−Cu−ｏ系酸化物超電導体薄
膜を形成した。なお３種のターゲット12、13、14に対す
る投入電力比は、形成される薄膜結晶の組成がY:Ba:Cu
＝1:2:3となるように調整し、膜厚は3000Åとした。
この後、常温まで徐冷して酸化物超電導体薄膜を得
た。
た。
このようにして得た徐冷直後のＹ−Ba−Cu−Ｏ系酸化
物超電導体薄膜の結晶優先成長方位を、スパッタ装置内
に配置した電子銃24とスクリーン25とを用いてRHEED法
により評価した。
物超電導体薄膜の結晶優先成長方位を、スパッタ装置内
に配置した電子銃24とスクリーン25とを用いてRHEED法
により評価した。
その結果、被着基板27の［100］方向から電子ビーム
を入射した際の回析パターンから、得られた酸化物超電
導体薄膜内に優先成長方位が［001］方向の斜方晶結晶
と、優先成長方位が［100］方向の斜方晶結晶とが混在
していることを確認した。また、得られた回析パターン
がストリーク状であることから、薄膜表面の平坦性も良
好であることを確認した。さらに、これら結晶の存在比
率をＸ線ディフラクトメータにより測定したところ、
［001］方向の優先成長方位を有する斜方晶結晶が60体
積％存在していた。
を入射した際の回析パターンから、得られた酸化物超電
導体薄膜内に優先成長方位が［001］方向の斜方晶結晶
と、優先成長方位が［100］方向の斜方晶結晶とが混在
していることを確認した。また、得られた回析パターン
がストリーク状であることから、薄膜表面の平坦性も良
好であることを確認した。さらに、これら結晶の存在比
率をＸ線ディフラクトメータにより測定したところ、
［001］方向の優先成長方位を有する斜方晶結晶が60体
積％存在していた。
次に、この成膜直後の酸化物超電導体薄膜の超電導特
性を評価するために、４端子法によって臨界温度を測定
したところ、82Kであった。また、成膜面に対して平行
な方向に対する臨界電流密度と、成膜面に対して垂直な
方向に対する臨界電流密度をそれぞれ測定したころ、双
方共に良好な値を示し、超電導電流に対する異方性が緩
和されていることを確認した。
性を評価するために、４端子法によって臨界温度を測定
したところ、82Kであった。また、成膜面に対して平行
な方向に対する臨界電流密度と、成膜面に対して垂直な
方向に対する臨界電流密度をそれぞれ測定したころ、双
方共に良好な値を示し、超電導電流に対する異方性が緩
和されていることを確認した。
なお、RHEEDによる回析結果から数体積％の多結晶領
域が存在していることが確認できたが、臨界温度が82K
であることから、数体積％程度の多結晶領域が混在して
いても、超電導特性に特に悪影響を与えないことが判明
した。
域が存在していることが確認できたが、臨界温度が82K
であることから、数体積％程度の多結晶領域が混在して
いても、超電導特性に特に悪影響を与えないことが判明
した。
また、被着基板27の加熱温度を600℃〜700℃の範囲内
で変化させる以外は、上記実施例と同一条件で酸化物超
電導体薄膜を作製したところ、いずれにおいても成膜直
後（アニール処理なし）に臨界温度80K以上を満足し
た。
で変化させる以外は、上記実施例と同一条件で酸化物超
電導体薄膜を作製したところ、いずれにおいても成膜直
後（アニール処理なし）に臨界温度80K以上を満足し
た。
なお、前述したスパッタ装置は、RHEEDを実施するた
めの電子銃とスクリーンとをシャッタを介してスパッタ
室内に配置しているため、結晶配向性をスパッタ後直ち
に評価することができ、かつ膜表面の平坦性の評価も同
時に実施できるものであり、本発明の酸化物超電導体薄
膜の製造に好適したものである。
めの電子銃とスクリーンとをシャッタを介してスパッタ
室内に配置しているため、結晶配向性をスパッタ後直ち
に評価することができ、かつ膜表面の平坦性の評価も同
時に実施できるものであり、本発明の酸化物超電導体薄
膜の製造に好適したものである。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の酸化物超電導体薄膜によ
れば、基体面に対して［001］方向を優先成長方位とす
る結晶と、［100］方向を優先成長方位とする結晶とが
充分に結晶化された状態で混在しているため、電気的性
質における異方性が緩和され、各種方向に対して良好に
超電導電流を流すことが可能となる。したがって、三次
元的な素子に適した酸化物超電導体薄膜を提供すること
が可能となる。
れば、基体面に対して［001］方向を優先成長方位とす
る結晶と、［100］方向を優先成長方位とする結晶とが
充分に結晶化された状態で混在しているため、電気的性
質における異方性が緩和され、各種方向に対して良好に
超電導電流を流すことが可能となる。したがって、三次
元的な素子に適した酸化物超電導体薄膜を提供すること
が可能となる。
第１図は本発明の酸化物超電導体薄膜の結晶配向性を模
式的に示す図、第２図は本発明の一実施例で使用したス
パッタ装置の構成を示す図である。 １……被着基体、1a…SrTiO3結晶の（100）面、2a……
優先成長方位が［001］方向の酸化物超電導体結晶、2b
……優先成長方位が［100］方向の酸化物超電導体結
晶。
式的に示す図、第２図は本発明の一実施例で使用したス
パッタ装置の構成を示す図である。 １……被着基体、1a…SrTiO3結晶の（100）面、2a……
優先成長方位が［001］方向の酸化物超電導体結晶、2b
……優先成長方位が［100］方向の酸化物超電導体結
晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 忠男 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−8799（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−193625（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 1/00 - 23/08
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に形成された少なくともCuを含みペ
ロブスカイト型斜方晶結晶構造を有する酸化物超電導体
の薄膜であって、 前記基体の薄膜形成面に対し、優先成長方位が［001］
方向である前記酸化物超電導体の結晶と、優先成長方位
が［100］方向である前記酸化物超電導体の結晶とが、
同一の薄膜内に混在していることを特徴とする酸化物超
電導体薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224796A JP3020518B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 酸化物超電導体薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224796A JP3020518B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 酸化物超電導体薄膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388725A JPH0388725A (ja) | 1991-04-15 |
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1989
- 1989-08-31 JP JP1224796A patent/JP3020518B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0388725A (ja) | 1991-04-15 |
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