JP3016785B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP3016785B2 JP3016785B2 JP63306399A JP30639988A JP3016785B2 JP 3016785 B2 JP3016785 B2 JP 3016785B2 JP 63306399 A JP63306399 A JP 63306399A JP 30639988 A JP30639988 A JP 30639988A JP 3016785 B2 JP3016785 B2 JP 3016785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder
- semiconductor device
- underlayer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半田の突起電極に関し、特に半田突起の下地
の構造に関する。
の構造に関する。
従来、この種の半田突起の下地の構造としては、バリ
ア性及び密着性を得るための金属層（例えばTi−Au層）
を純アルミニウムから成る配線上に設けたり、純アルミ
ニウム配線層の厚さを増したりしていた。
ア性及び密着性を得るための金属層（例えばTi−Au層）
を純アルミニウムから成る配線上に設けたり、純アルミ
ニウム配線層の厚さを増したりしていた。
上述した従来の下地の構造は純アルミニウムの上にバ
リア層及び密着層を設けるので、製造工程が複雑になる
という欠点がある。また、純アルミニウムの厚さを増し
た場合、純アルミを細かくエッチングすることが難しく
なるので、配線及び素子を高密度で配置できなくなると
いう欠点がある。
リア層及び密着層を設けるので、製造工程が複雑になる
という欠点がある。また、純アルミニウムの厚さを増し
た場合、純アルミを細かくエッチングすることが難しく
なるので、配線及び素子を高密度で配置できなくなると
いう欠点がある。
本発明の半田突起の下地は、異種金属がアルミニウム
中に一様に分布している構造を有している。
中に一様に分布している構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の完成品の縦断面図であ
る。
る。
１はSn−37％Pb−1.5％Ag突起、２は厚さ１μのAl−
５％Cu下地、３はSi基板、４はポリイミド層（以下PI層
と略記する）である。
５％Cu下地、３はSi基板、４はポリイミド層（以下PI層
と略記する）である。
Al−５％Cu下地２は、第２図に示す様にSi基板３上に
最下層を純Al5、最上層を純Cu6になる様交互にスパッタ
装置を用いて積層したものを不活性雰囲気中で450℃１
時間アニールしたものである。続いて、Al−５％Cu下地
を含むSi基板３上にPI層４を１μの厚さで均一に塗布
し、半導体基板を設ける所のみPI層４をエッチング除去
した。
最下層を純Al5、最上層を純Cu6になる様交互にスパッタ
装置を用いて積層したものを不活性雰囲気中で450℃１
時間アニールしたものである。続いて、Al−５％Cu下地
を含むSi基板３上にPI層４を１μの厚さで均一に塗布
し、半導体基板を設ける所のみPI層４をエッチング除去
した。
最後にこのSi基板３を第３図に示す。
Sn−37％Pb−1.5％Ag（旭ガラス（社）製、品名MS−6
15）半田７が入った超音波半田付け装置８中に搬送装置
９に保持して超音波発振子10より0.1mmのギャップを有
する様固定し、200Wの超音波を３秒間印加させ、つづい
て半田層中に５秒放置してから窒素雰囲気11中に取り出
し冷却させた。同方法を用いることにより、高さ20μｍ
の半田突起を安定に作ることができた。
15）半田７が入った超音波半田付け装置８中に搬送装置
９に保持して超音波発振子10より0.1mmのギャップを有
する様固定し、200Wの超音波を３秒間印加させ、つづい
て半田層中に５秒放置してから窒素雰囲気11中に取り出
し冷却させた。同方法を用いることにより、高さ20μｍ
の半田突起を安定に作ることができた。
第４図は本発明の参考例の縦断面図である。
21はSn−37％−Pb−1.5％Ag突起、22は厚さ１μのNi
−Ｐ層、23は厚さ１μのAl−１％Si下地、24はSi基板で
ある。Al−１％Si下地23をSi基板24上にスパッタを用い
て付け所定のパターンニングした後、ファシリティ社の
Ni−Ｐ無電解メッキ液中にSi基板24を浸漬してNi−Ｐ層
22を形成した。この様にして作ったSi基板24を第３図に
示した超音波半田付け装置８中に超音波を切った状態で
浸漬することにより第４図に示す構造を得た。この実施
例では、Al−１％Si下地を用いたためNi−Ｐ無電解メッ
キの際に純Al下地ほど腐食されずメッキの工程管理がし
やすいという利点がある。
−Ｐ層、23は厚さ１μのAl−１％Si下地、24はSi基板で
ある。Al−１％Si下地23をSi基板24上にスパッタを用い
て付け所定のパターンニングした後、ファシリティ社の
Ni−Ｐ無電解メッキ液中にSi基板24を浸漬してNi−Ｐ層
22を形成した。この様にして作ったSi基板24を第３図に
示した超音波半田付け装置８中に超音波を切った状態で
浸漬することにより第４図に示す構造を得た。この実施
例では、Al−１％Si下地を用いたためNi−Ｐ無電解メッ
キの際に純Al下地ほど腐食されずメッキの工程管理がし
やすいという利点がある。
以上説明したように本発明は、半田突起の下地として
アルミニウム合金を用いることにより、純アルミニウム
を用いる時より工程能力を安定向上させることができる
効果がある。
アルミニウム合金を用いることにより、純アルミニウム
を用いる時より工程能力を安定向上させることができる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は実施例
１の下地の形成途中の縦断面図、第３図は実施例１及び
２で用いた半田突起形成用設備の斜視図及び縦断面図、
第４図は本発明の参考例の縦断面図である。 1,21……Sn−37％Pb−1.5％Ag突起、２……Al−５％Cu
下地、22……Ni−Ｐメッキ層、23……Al−１％Si下地。
１の下地の形成途中の縦断面図、第３図は実施例１及び
２で用いた半田突起形成用設備の斜視図及び縦断面図、
第４図は本発明の参考例の縦断面図である。 1,21……Sn−37％Pb−1.5％Ag突起、２……Al−５％Cu
下地、22……Ni−Ｐメッキ層、23……Al−１％Si下地。
Claims (1)
- 【請求項１】半田突起電極を有する半導体装置におい
て、金属配線を半田とのバリア性および密着性のよいア
ルミニウム合金で形成し、バリア層または密着層となる
中間層を介さずに前記金属配線上に直接半田突起が形成
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306399A JP3016785B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306399A JP3016785B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152238A JPH02152238A (ja) | 1990-06-12 |
| JP3016785B2 true JP3016785B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=17956550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63306399A Expired - Lifetime JP3016785B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016785B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189305A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | アルミニウム板材の剥離装置及びアルミニウム板材の剥離方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233742A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01286449A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Ltd | はんだバンプ電極及びその形成方法 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63306399A patent/JP3016785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02152238A (ja) | 1990-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4087314A (en) | Bonding pedestals for semiconductor devices | |
| US20020036344A1 (en) | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps | |
| US6077727A (en) | Method for manufacturing lead frame | |
| JPH09129647A (ja) | 半導体素子 | |
| JP3016785B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2725501B2 (ja) | ハンダバンプ構造および形成方法 | |
| JPS59154041A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPH11111909A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2000012605A (ja) | 半導体チップの電極部の形成方法 | |
| JPH07183304A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2734960B2 (ja) | フリップチップバンプ及びその製造方法 | |
| JPH02276249A (ja) | 半導体回路バンプの製造方法 | |
| JP2768448B2 (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| JPS647542A (en) | Formation of bump | |
| JPS63122248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2953163B2 (ja) | 半導体装置実装用基板の製造方法 | |
| JP2003152007A (ja) | バンプ形成方法および半導体装置の実装構造体 | |
| JPS6049652A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3085765B2 (ja) | リードフレームの製造法 | |
| JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JP3065415B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH02296336A (ja) | 半導体回路バンプの製造方法 | |
| JPS59124794A (ja) | 電子回路基板の製造方法 | |
| JPH11238840A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6155800B2 (ja) |