JP3015265B2 - 光結合素子用リードフレーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法 - Google Patents
光結合素子用リードフレーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法Info
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Description
ップを光学的に結合配置し、樹脂モールドしてなる光結
合素子のリードフレーム形状及び製造方法に関する。
リードフレームにダイボンド、ワイヤーボンドし、発光
チップと受光チップを光学的に結合するよう配置し、絶
縁遮光性樹脂にて外装モールド工程を実施した従来の光
結合素子の平面図を図8、側面図を図9に示す。
るランナー部を取り除いた形状である。
金型と下金型でリードフレーム2,2′を挟み込み、ゲ
ート部6より絶縁遮光性樹脂を注入するため、モールド
後、絶縁遮光性樹脂の外装モールド体1への進入路とな
るゲート部6及び外装モールド体1とリードフレーム
2,2′のタイバー部3に囲まれた領域にリードフレー
ム2,2′の厚さd2に相当する樹脂バリ5,6が発生
する。
方法を図10(a)乃至(c)に従って説明する。
く前の状態でバリ取り金型に外装モールド工程後の光結
合素子がセットされた状態である。
り金型の刃先7が下降し樹脂バリ5,6を打ち抜き、最
後に図10(c)に示すように、バリ取り金型の刃先7
が上昇しバリ取り工程が完了する。
ールド体1への絶縁遮光性樹脂の進入路となるゲート部
6の厚み方向の寸法は、図9に示すようにリードフレー
ム2,2′の厚さ分d2(0.25〜0.3mm)と大
きいものになっている。
いては、外装モールド工程で発生したリードフレーム
2,2′の厚さd2に相当する樹脂バリ5,6を除去す
るバリ取り工程の方法として図10に示すようにバリ取
り金型の刃先7が、直接、樹脂バリ5,6に当接し打ち
抜くという方法が採用されていた。
抜き時の衝撃が直接樹脂バリ5,6に負荷されるため、
樹脂バリ5,6が砕けて飛び散り、リードフレーム2,
2′上に落下、付着したり、図10(c)に示すよう
に、樹脂バリ5,6の自重が小さく、また、樹脂と金属
は密着しやすいため、バリ取り金型の刃先7に樹脂バリ
5,6が付着した状態でバリ取り金型の刃先7が上昇
し、その樹脂バリ5,6が、リードフレーム2,2′上
に落下、付着したりすることが発生した。
樹脂バリ5,6が付着すると、後工程のリード端子折り
曲げ工程であるリードフォーミング工程において、樹脂
バリ5,6が付着したリードフレーム2,2′をリード
フォーミング金型で押さえつけることにより、リードフ
レーム2,2′に樹脂バリ5,6が圧着され、光結合素
子の完成品状態でリード端子4の変形という外観不良を
引き起こす原因となっていた。特性検査工程において
も、リード端子4に樹脂バリ5,6が付着すると、電気
的な接触不良が発生するという問題点があった。
断面の厚み方向の寸法が、リードフレーム2,2′の厚
さ分d2と大きくなっているため、図11に示すように
ゲート部の樹脂バリ6を打ち抜く時、光結合素子外装モ
ールド部1に過大な破断応力がかかり、外装モールド部
1の樹脂欠け9または樹脂クラック8が発生し、信頼性
上問題となっていた。
で、外装モールド工程時に発生する樹脂バリを除去する
バリ取り工程において、樹脂バリのリードフレームへの
付着がなく、光結合素子外装モールド部の樹脂欠け及び
樹脂クラックが発生しない、信頼性に優れた光結合素子
及びその製造方法を提供するものである。
め、発光側リードフレーム及び受光側リードフレームか
ら構成され、該両リードフレームはそれぞれ発光チップ
及び受光チップを搭載する複数のリード端子と、該リー
ド端子を並置させて連結支持してなるタイバー部とを備
え、前記両リードフレームの前記タイバー部からチップ
搭載側のリード端子を樹脂モールドしてなる光結合素子
用リードフレームにおいて、前記タイバー部からチップ
搭載側の樹脂モールドされない領域に前記発光側リード
フレーム及び受光側リードフレームと一体的に形成さ
れ、互いに近接配置される樹脂バリ飛散防止用補助フレ
ームを備えてなることを特徴とする。
用いた光結合素子の製造方法において、前記発光側リー
ドフレーム及び受光側リードフレームの各リード端子に
それぞれ発光チップ及び受光チップをダイボンド、ワイ
ヤーボンドする工程と、前記両チップを光学的に結合配
置すると共に上記補助フレームを互いに近接配置する工
程と、前記両リードフレームをモールド金型内に設置
し、上記補助フレームの一表面側に設けたモールド樹脂
のゲート部を介して樹脂モールドし、外装モールド体を
形成する外装モールド工程と、前記補助フレームと該補
助フレームの一表面側に形成された樹脂バリを前記補助
フレームの樹脂バリが形成されていない表面側から同時
に打ち抜く工程とを備えてなることを特徴とする。
法において、前記ゲート部の前記外装モールド体と隣接
する部分の厚み方向の寸法を徐々に絞り込んでなること
を特徴とする。
レーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法によれ
ば、外装モールド後のバリ取り工程において、樹脂バリ
は、補助フレームと同時に打ち抜かれるため、樹脂バリ
をバリ取り金型下方に確実に落下することが出来る。
光性樹脂の進入路となるゲート部の断面の厚み方向の寸
法を徐々に小さくすることにより、樹脂バリ打ち抜き時
に光結合素子の外装モールド部にかかる破断応力を軽減
出来る。
用リードフレームの形状、図2は、本発明の一実施例を
示す光結合素子の外装モールド後の平面図、図3は同じ
く側面図である。
ト、図5は、本発明の他の実施例の外装モールド後の平
面図、図6は、本発明のバリ取り方法を示す工程図、図
7は、本発明の一実施例のバリ取り工程後平面図であ
る。
図4に従って以下に説明する。
リードフレーム2′に補助フレーム10を一体的に形成
し、この個別のリードフレーム2,2′に発光チップ1
1及び受光チップ12がダイボンドされ、金ワイヤー1
3によるワイヤーボンドが施される。
するよう対向配置され、透光性樹脂で光パスを設けるド
ッキング工程を行い、そのリードフレーム完成品をモー
ルド金型にセットして、絶縁遮光性樹脂にて外装モール
ド工程を行い外装モールド体1を形成する。 次に、バ
リ取り金型で、外装モールド工程において発生した樹脂
バリ5,6を補助フレーム10と一体的に除去し、タイ
バーカット金型でリードフレーム2,2′のタイバー部
3を打ち抜き、リード端子4の折り曲げ工程であるリー
ドフォーミング工程を実施して光結合素子が完成する。
レームを採用すれば、外装モールド工程時に樹脂バリが
発生する領域、すなわち図2の外装モールド体1とリー
ドフレーム2,2′のタイバー部3及びリード端子4に
囲まれた領域に補助フレーム10(斜線部で示す)が存
在するため、図3に示すようにモールド樹脂の注入路と
して必要な箇所が樹脂バリ部5,6として補助フレーム
10の下部に形成される構造となる。このモールド樹脂
の注入路として必要な樹脂バリ5,6は、モールド下金
型を所望の形状に掘り込むことによって、隣り合う外装
モールド体1間の補助フレーム10下部に形成する。
10の形状を図5に示す形状とすることも可能である。
乃至(c)に従って説明する。
ド工程後の製品がセットされた状態で、補助フレーム1
0下部に樹脂バリ5,6が形成されている。
型の刃先7が下降し、補助フレーム10と樹脂バリ5,
6を同時に打ち抜き、最後に図6(c)に示すようにバ
リ取り金型の刃先7が上昇し、バリ取り工程が完了す
る。
リ5,6を除去した平面図を示す。本実施例のバリ取り
工程によれば、打ち抜き時の衝撃が、直接、樹脂バリ
5,6に負荷されず、樹脂バリ5,6は、補助フレーム
10に密着した状態で打ち抜かれるため、バリ取り時、
樹脂バリ5,6が砕けて飛散し、リードフレーム2,
2′に付着するという問題は発生しない。
が接触するのは、補助フレーム10であり、金属同士で
付着しにくく、自重の比較においても従来の樹脂だけの
場合に比べて大きいため、樹脂バリ5,6をバリ取り金
型下方に確実に落下することが出来る。
レーム2,2′上に樹脂バリ5,6が落下、付着するこ
とがなくなるため、従来、後工程のリードフォーミング
工程で発生していた樹脂バリ5,6が付着したリードフ
レーム2,2′をリードフォーミング金型で押圧するこ
とによるリード端子4の変形という問題及び特性検査工
程におけるリード端子4への樹脂バリ5,6付着による
電気的接触不良の問題が同時に解消される。
光性樹脂の進入路となるゲート部6の下部形状を薄く絞
り込み図3に示すようにゲート部6の厚み(d1)を従
来に比べて、約半分の厚みとし、ゲート部6の断面の厚
み方向の寸法を小さくしたことにより、樹脂バリ5,6
打ち抜き時に光結合素子の外装モールド部1にかかる破
断応力を軽減出来る。
部1の樹脂欠け及び樹脂クラックが防止され、信頼性
上、良好な光結合素子の提供が可能となる。
外装モールド工程において樹脂バリが発生した領域にリ
ードフレームと一体的に補助フレームを形成したことに
より、外装モールド後のバリ取り工程において、樹脂バ
リのリードフレームへの落下、付着を阻止できるため、
後工程のリードフォーミング工程でリード端子の変形が
なく、特性検査時の電気的接触不良が発生しない光結合
素子を提供出来る。
光性樹脂の進入路となるゲート部の断面の厚み方向の寸
法を小さくしたことにより、樹脂バリ打ち抜き時の光結
合素子の外装モールド部の樹脂欠け及び樹脂クラックを
防止でき、外観検査不良の少ない光結合素子を提供出来
る。
レームの形状を示す図であり、図(a)は発光側リード
フレーム、図(b)は受光側リードフレームである。
ルド後の平面図である。
面図である。
を示す工程図である。
ある。
を示す工程図である。
ラックを示す断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 発光側リードフレーム及び受光側リード
フレームから構成され、該両リードフレームはそれぞれ
発光チップ及び受光チップを搭載する複数のリード端子
と、該リード端子を並置させて連結支持してなるタイバ
ー部とを備え、前記両リードフレームの前記タイバー部
からチップ搭載側のリード端子を樹脂モールドしてなる
光結合素子用リードフレームにおいて、 前記タイバー部からチップ搭載側の樹脂モールドされな
い領域に前記発光側リードフレーム及び受光側リードフ
レームと一体的に形成され、互いに近接配置される樹脂
バリ飛散防止用補助フレームを備えてなることを特徴と
する光結合素子用リードフレーム。 - 【請求項2】 請求項1記載の上記光結合素子用リード
フレームを用いた光結合素子の製造方法であって、 前記発光側リードフレーム及び受光側リードフレームの
各リード端子にそれぞれ発光チップ及び受光チップをダ
イボンド、ワイヤーボンドする工程と、 前記両チップを光学的に結合配置すると共に上記補助フ
レームを互いに近接配置する工程と、 前記両リードフレームをモールド金型内に設置し、上記
補助フレームの一表面側に設けたモールド樹脂のゲート
部を介して樹脂モールドし、外装モールド体を形成する
外装モールド工程と、 前記補助フレームと該補助フレームの一表面側に形成さ
れた樹脂バリを前記補助フレームの樹脂バリが形成され
ていない表面側から同時に打ち抜く工程とを備えてなる
ことを特徴とする光結合素子の製造方法。 - 【請求項3】 前記ゲート部の前記外装モールド体と隣
接する部分の厚み方向の寸法を徐々に絞り込んでなるこ
とを特徴とする請求項2記載の光結合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31046994A JP3015265B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 光結合素子用リードフレーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31046994A JP3015265B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 光結合素子用リードフレーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08167687A JPH08167687A (ja) | 1996-06-25 |
JP3015265B2 true JP3015265B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=18005625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31046994A Expired - Fee Related JP3015265B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 光結合素子用リードフレーム及びこれを用いた光結合素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3015265B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002061853A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Infineon Technologies Ag | A lead frame for an opto-coupler |
TWI320228B (en) | 2006-05-04 | 2010-02-01 | A structure of a lead-frame matrix of photoelectron devices | |
CN101458366B (zh) * | 2007-12-13 | 2010-12-01 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 光耦合器导线架料带 |
US8907362B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-12-09 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
WO2013112435A1 (en) | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
US8896010B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-11-25 | Cooledge Lighting Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
WO2015119858A1 (en) | 2014-02-05 | 2015-08-13 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
USD945438S1 (en) | 2019-08-27 | 2022-03-08 | Twitter, Inc. | Display screen with graphical user interface for conversations |
-
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- 1994-12-14 JP JP31046994A patent/JP3015265B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08167687A (ja) | 1996-06-25 |
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