JP3011140B2 - ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法 - Google Patents
ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法Info
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- JP3011140B2 JP3011140B2 JP9181976A JP18197697A JP3011140B2 JP 3011140 B2 JP3011140 B2 JP 3011140B2 JP 9181976 A JP9181976 A JP 9181976A JP 18197697 A JP18197697 A JP 18197697A JP 3011140 B2 JP3011140 B2 JP 3011140B2
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバで構成し
た光アイソレータに関し、特に磁気光学材料のような光
学的に非相反な材料を使用することなく構成される光ア
イソレータに関する。
た光アイソレータに関し、特に磁気光学材料のような光
学的に非相反な材料を使用することなく構成される光ア
イソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年におけるインターネットの普及やマ
ルチメディア通信等、社会の通信需要の旺盛な拡大に伴
って、光ファイバ増幅器を使った一万キロを超えようと
する超長距離光ファイバ通信技術の開発や、ＨＤＴＶを
含む広帯域のデジタルサービス統合システムを光ファイ
バ伝送技術を加入者端まで適用して実現する方式の検討
など、これまで以上に光通信システムの大容量化へ向け
た技術の開発が勢力的に行われている。このようなシス
テムを実現する上で必須の光部品の一つが光アイソレー
タ等の、光透過特性に強い方向性のある光素子である。
すなわち、この種の光アイソレータは、例えば、送信光
源である半導体レーザから出射されるレーザ光を光ファ
イバを通して伝送する場合に、光ファイバ接続点等から
の戻り光が前記半導体レーザに再入射することによって
起こるＳ／Ｎの低下や不安定動作を防止する部品として
用いられる。
ルチメディア通信等、社会の通信需要の旺盛な拡大に伴
って、光ファイバ増幅器を使った一万キロを超えようと
する超長距離光ファイバ通信技術の開発や、ＨＤＴＶを
含む広帯域のデジタルサービス統合システムを光ファイ
バ伝送技術を加入者端まで適用して実現する方式の検討
など、これまで以上に光通信システムの大容量化へ向け
た技術の開発が勢力的に行われている。このようなシス
テムを実現する上で必須の光部品の一つが光アイソレー
タ等の、光透過特性に強い方向性のある光素子である。
すなわち、この種の光アイソレータは、例えば、送信光
源である半導体レーザから出射されるレーザ光を光ファ
イバを通して伝送する場合に、光ファイバ接続点等から
の戻り光が前記半導体レーザに再入射することによって
起こるＳ／Ｎの低下や不安定動作を防止する部品として
用いられる。
【０００３】このような光アイソレータとして従来から
知られている例として、非相反な偏光回転効果であるフ
ァラデー効果を示す磁気光学結晶を４５度偏光回転子と
し、この偏光回転子を、光透過の偏光方向が４５度ずれ
た２つの偏光子で挟む構成があり、多く実用に供されて
いる。すなわち、一方の偏光子から入射されるレーザ光
は偏光子により偏光とされ、磁気光学結晶を透過する際
にその偏光方向が４５度一方向に回転される。そして、
他方の偏光子を通して出射される。一方、逆方向に入射
される光は、他方の偏光子によって偏光とされ、磁気光
学結晶を透過する際に偏光方向が４５度一方向に回転さ
れる。このため、一方の偏光子に対して直交する状態と
なり、この一方の偏光子を透過することができなくな
る。このため、この光アイソレータを半導体レーザの出
射側に配置することで、戻り光が半導体レーザに再入射
することが防止される。また、磁気光学材料を用いる他
の技術として特開平７−６４０２３号公報に記載の技術
もある。
知られている例として、非相反な偏光回転効果であるフ
ァラデー効果を示す磁気光学結晶を４５度偏光回転子と
し、この偏光回転子を、光透過の偏光方向が４５度ずれ
た２つの偏光子で挟む構成があり、多く実用に供されて
いる。すなわち、一方の偏光子から入射されるレーザ光
は偏光子により偏光とされ、磁気光学結晶を透過する際
にその偏光方向が４５度一方向に回転される。そして、
他方の偏光子を通して出射される。一方、逆方向に入射
される光は、他方の偏光子によって偏光とされ、磁気光
学結晶を透過する際に偏光方向が４５度一方向に回転さ
れる。このため、一方の偏光子に対して直交する状態と
なり、この一方の偏光子を透過することができなくな
る。このため、この光アイソレータを半導体レーザの出
射側に配置することで、戻り光が半導体レーザに再入射
することが防止される。また、磁気光学材料を用いる他
の技術として特開平７−６４０２３号公報に記載の技術
もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁気光学結晶や偏光子で構成される光アイソレータ
は、前記した部品の他に磁石を含めて最少でも４つの部
品が必要であり、したがって材料の加工や組立に多数の
工数を要し、信頼性や安定性に乏しいという問題があ
る。また、必ずしも透過時の偏光状態が定まっていない
光ファイバ途中に挿入して使用することを可能とするた
めには、素子特性が偏光に依存しない構成を築かなけれ
ばならず、更に多数の部品と複雑な光路構成が必要にな
る。
うな磁気光学結晶や偏光子で構成される光アイソレータ
は、前記した部品の他に磁石を含めて最少でも４つの部
品が必要であり、したがって材料の加工や組立に多数の
工数を要し、信頼性や安定性に乏しいという問題があ
る。また、必ずしも透過時の偏光状態が定まっていない
光ファイバ途中に挿入して使用することを可能とするた
めには、素子特性が偏光に依存しない構成を築かなけれ
ばならず、更に多数の部品と複雑な光路構成が必要にな
る。
【０００５】本発明の目的は、磁気光学結晶のように特
珠な材料を用いることなく、構成並びに製作が簡便な光
アイソレータとその製造方法を提供することにある。
珠な材料を用いることなく、構成並びに製作が簡便な光
アイソレータとその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光アイソレータ
は、コアの周囲をクラッドで包囲した構成の光ファイバ
の光軸に垂直な断面内において、前記コアに接近して水
平に引いた直線を境にして、上部と下部とでは異なる屈
折率の誘電体クラッドを有し、前記コアには波数ベクト
ルがコアの光導波方向と前記屈折率の異なる誘電体の境
界面に立てた法線とが作る面内にあって、かつ波数ベク
トルの光軸となす角度θが、０°＜θ＜９０°となる屈
折率の周期的変化による回折格子を有する。また、本発
明の光アイソレータは、前記コア、下部の誘電体クラッ
ド、上部の誘電体クラッドの屈折率をそれぞれｎ１，ｎ
２，ｎ３としたとき、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を有す
る。また、本発明の光アイソレータは、前記上部の誘電
体クラッドは、前記光ファイバの下部の誘電体クラッド
の一部を削除し、この削除した部分に前記下部の誘電体
クラッドとは異なる屈折率の樹脂を形成している。
は、コアの周囲をクラッドで包囲した構成の光ファイバ
の光軸に垂直な断面内において、前記コアに接近して水
平に引いた直線を境にして、上部と下部とでは異なる屈
折率の誘電体クラッドを有し、前記コアには波数ベクト
ルがコアの光導波方向と前記屈折率の異なる誘電体の境
界面に立てた法線とが作る面内にあって、かつ波数ベク
トルの光軸となす角度θが、０°＜θ＜９０°となる屈
折率の周期的変化による回折格子を有する。また、本発
明の光アイソレータは、前記コア、下部の誘電体クラッ
ド、上部の誘電体クラッドの屈折率をそれぞれｎ１，ｎ
２，ｎ３としたとき、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を有す
る。また、本発明の光アイソレータは、前記上部の誘電
体クラッドは、前記光ファイバの下部の誘電体クラッド
の一部を削除し、この削除した部分に前記下部の誘電体
クラッドとは異なる屈折率の樹脂を形成している。
【０００７】また、本発明の光アイソレータの製造方法
は、コアの周囲を単一の材料から成るクラッドで包囲し
た光ファイバに対して、光軸に沿う側面から２光束干渉
光を照射して前記コアに屈折率変化された位相格子から
なる回折格子を形成する工程と、前記コアの周囲の単一
の材料から成っているクラッドを前記回折格子の波数ベ
クトルと光軸が作る面に直交した面を前記コアの側面近
接領域まで研磨により削除する工程と、前記クラッドお
よびコアよりも屈折率の小さい樹脂を前記削除した領域
に設ける工程とを含んでいる。
は、コアの周囲を単一の材料から成るクラッドで包囲し
た光ファイバに対して、光軸に沿う側面から２光束干渉
光を照射して前記コアに屈折率変化された位相格子から
なる回折格子を形成する工程と、前記コアの周囲の単一
の材料から成っているクラッドを前記回折格子の波数ベ
クトルと光軸が作る面に直交した面を前記コアの側面近
接領域まで研磨により削除する工程と、前記クラッドお
よびコアよりも屈折率の小さい樹脂を前記削除した領域
に設ける工程とを含んでいる。
【０００８】回折格子の波数ベクトルの光軸となす角度
θが０°＜θ＜９０°に設定されることにより、光ファ
イバのコア内で伝送される光が、順方向では回折される
ことがなく、逆方向では回折されてクラッドへ放射され
ることになる。この結果、光ファイバの順方向と逆方向
とでは透過率が大幅に異なる特性を有し、光ファイバで
の光アイソレータ特性が得られる。
θが０°＜θ＜９０°に設定されることにより、光ファ
イバのコア内で伝送される光が、順方向では回折される
ことがなく、逆方向では回折されてクラッドへ放射され
ることになる。この結果、光ファイバの順方向と逆方向
とでは透過率が大幅に異なる特性を有し、光ファイバで
の光アイソレータ特性が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の光ア
イソレータの一実施形態の側面断面図と、端面断面図を
示している。以下、この光アイソレータをその製造工程
順に説明する。例えば、通常の光通信用石英系単一モー
ドの光ファイバ１を用意し、この光ファイバの側面にＫ
ｒＦエキシマレーザ光の紫外光（〜２４０ｎｍ）を２光
束干渉させて照射すると、前記光ファイバ１のコア１１
に、当該コア１１に含まれるＧｅに起因する屈折率変化
が生じ、干渉縞に応じた位相格子、すなわち回折格子１
２が形成される。この回折格子１２の形成方法として
は、ファイバブラッグ回折格子の形成方法を利用する。
このとき、前記回折格子１２の波数ベクトルの方向と光
ファイバの光軸とに有限な角度θを持たせておく。図１
（ａ）の配置では紙面に向かって垂直に紫外光が照射さ
れ、その干渉縞による回折格子１２が形成される。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の光ア
イソレータの一実施形態の側面断面図と、端面断面図を
示している。以下、この光アイソレータをその製造工程
順に説明する。例えば、通常の光通信用石英系単一モー
ドの光ファイバ１を用意し、この光ファイバの側面にＫ
ｒＦエキシマレーザ光の紫外光（〜２４０ｎｍ）を２光
束干渉させて照射すると、前記光ファイバ１のコア１１
に、当該コア１１に含まれるＧｅに起因する屈折率変化
が生じ、干渉縞に応じた位相格子、すなわち回折格子１
２が形成される。この回折格子１２の形成方法として
は、ファイバブラッグ回折格子の形成方法を利用する。
このとき、前記回折格子１２の波数ベクトルの方向と光
ファイバの光軸とに有限な角度θを持たせておく。図１
（ａ）の配置では紙面に向かって垂直に紫外光が照射さ
れ、その干渉縞による回折格子１２が形成される。
【００１０】前記回折格子１２を形成した後、図１
（ｂ）のように、光ファイバ１のクラツド１３の上側の
領域を前記回折格子１２の波数ベクトルと光軸とが作る
面に直交した面を研磨によって削除し、コア１１の円筒
面近くまで光学研磨する。その後、この研磨面を、含フ
ッ素化樹脂のように光ファイバ１の石英クラツド１３よ
り屈折率の小さい樹脂１４によって覆い、樹脂クラッド
１４を形成する。この実施形態では、前記樹脂１４を細
幅の薄板状に形成し、この樹脂１４を研磨削除した部分
に接着している。このとき、前記コア１１、石英クラッ
ド１３、樹脂クラッド１４のそれぞれの屈折率をｎｌ，
ｎ２，ｎ３とすると、これらは、ｎｌ＞ｎ２＞ｎ３に設
定される。
（ｂ）のように、光ファイバ１のクラツド１３の上側の
領域を前記回折格子１２の波数ベクトルと光軸とが作る
面に直交した面を研磨によって削除し、コア１１の円筒
面近くまで光学研磨する。その後、この研磨面を、含フ
ッ素化樹脂のように光ファイバ１の石英クラツド１３よ
り屈折率の小さい樹脂１４によって覆い、樹脂クラッド
１４を形成する。この実施形態では、前記樹脂１４を細
幅の薄板状に形成し、この樹脂１４を研磨削除した部分
に接着している。このとき、前記コア１１、石英クラッ
ド１３、樹脂クラッド１４のそれぞれの屈折率をｎｌ，
ｎ２，ｎ３とすると、これらは、ｎｌ＞ｎ２＞ｎ３に設
定される。
【００１１】このように構成された光ファイバ１は、例
えば、図２に示すように、光源としての半導体レーザ２
の出射側に図１の右側端面が対向され、この半導体レー
ザ２から出射されたレーザ光が光ファイバ１に入射さ
れ、この光ファイバ１内を伝送されるように構成され
る。このとき、光ファイバ１の右側端面ＲＦから入射さ
れるレーザ光の透過損失と、これと反対側の左側端面Ｌ
Ｆから入射した時の透過損失が大幅に異なるため、いわ
ゆるアイソレータ特性が得られ、その結果として半導体
レーザ２から光ファイバ１に入射されて伝送されるレー
ザ光が、光ファイバ１内を逆方向に伝送されて前記半導
体レーザ２に再入射することが防止される。
えば、図２に示すように、光源としての半導体レーザ２
の出射側に図１の右側端面が対向され、この半導体レー
ザ２から出射されたレーザ光が光ファイバ１に入射さ
れ、この光ファイバ１内を伝送されるように構成され
る。このとき、光ファイバ１の右側端面ＲＦから入射さ
れるレーザ光の透過損失と、これと反対側の左側端面Ｌ
Ｆから入射した時の透過損失が大幅に異なるため、いわ
ゆるアイソレータ特性が得られ、その結果として半導体
レーザ２から光ファイバ１に入射されて伝送されるレー
ザ光が、光ファイバ１内を逆方向に伝送されて前記半導
体レーザ２に再入射することが防止される。
【００１２】この光アイソレータとしての振る舞いは以
下の動作原理によって理解される。図３は回折格子によ
るファイバ導波光の回折の条件を示す、入射波、格子、
クラツド放射光の波数ベクトル間の整合状態を表す図で
あり、２０は導波光の波数ベクトル、２１は石英クラツ
ド１３ヘの放射光の波数のダイアグラム、２２は石英よ
り屈折率の小さい樹脂クラツド１４ヘの放射光のダイア
グラムをそれぞれ表している。図３（ａ）は前記光ファ
イバ１の左側端面ＬＦから入射した導波光に対する回折
条件を表す。入射導波光（波数ベクトル２０ａ）は回折
格子１２によって石英クラッドの放射光２４に回折され
る。これら３つの波数ベクトルが三角形を閉じて整合す
るように、回折格子１２の波数ベクトル２３の大きさ、
すなわち回折格子１２のピッチ並びに角度θが予め設定
されている。回折格子１２の屈折率変化と作用長を十分
に設定しておけば導波光から石英クラツド放射光への回
折効率はほほ１００％とすることができる。一方、ひと
たびコア１１からクラッド１３へ放出された光はコアヘ
再結合することなく光ファイバ外へ放射される。光ファ
イバ左端面から入射した光は格子によって回折を受けそ
のエネルギーをすべてクラツドヘ放射される。
下の動作原理によって理解される。図３は回折格子によ
るファイバ導波光の回折の条件を示す、入射波、格子、
クラツド放射光の波数ベクトル間の整合状態を表す図で
あり、２０は導波光の波数ベクトル、２１は石英クラツ
ド１３ヘの放射光の波数のダイアグラム、２２は石英よ
り屈折率の小さい樹脂クラツド１４ヘの放射光のダイア
グラムをそれぞれ表している。図３（ａ）は前記光ファ
イバ１の左側端面ＬＦから入射した導波光に対する回折
条件を表す。入射導波光（波数ベクトル２０ａ）は回折
格子１２によって石英クラッドの放射光２４に回折され
る。これら３つの波数ベクトルが三角形を閉じて整合す
るように、回折格子１２の波数ベクトル２３の大きさ、
すなわち回折格子１２のピッチ並びに角度θが予め設定
されている。回折格子１２の屈折率変化と作用長を十分
に設定しておけば導波光から石英クラツド放射光への回
折効率はほほ１００％とすることができる。一方、ひと
たびコア１１からクラッド１３へ放出された光はコアヘ
再結合することなく光ファイバ外へ放射される。光ファ
イバ左端面から入射した光は格子によって回折を受けそ
のエネルギーをすべてクラツドヘ放射される。
【００１３】一方、図３（ｂ）は前記光ファイバ１の右
側端面ＲＦから入射した導波光に対する様子を表す。導
波光の波数ベクトル２０ｂは回折格子１２によって回折
を受けることなく導波光のまま回折格子を通過する。な
ぜならば、波数ベクトル２０ｂと回折格子１２のベクト
ル２３とで三角形を閉じて整合条件を満たす放射光は存
在しえない。これは、コア１１の上部は石英より屈折率
の小さい樹脂クラッド１４、すなわち誘電体によって覆
われているからである。この結果、右側端面ＲＦから入
射した光は損失を受けることなく導波される。
側端面ＲＦから入射した導波光に対する様子を表す。導
波光の波数ベクトル２０ｂは回折格子１２によって回折
を受けることなく導波光のまま回折格子を通過する。な
ぜならば、波数ベクトル２０ｂと回折格子１２のベクト
ル２３とで三角形を閉じて整合条件を満たす放射光は存
在しえない。これは、コア１１の上部は石英より屈折率
の小さい樹脂クラッド１４、すなわち誘電体によって覆
われているからである。この結果、右側端面ＲＦから入
射した光は損失を受けることなく導波される。
【００１４】したがって、図２に示した構成の場合に
は、半導体レーザ２から出射されて光ファイバ１の右側
端面ＲＦから入射した光は損失を受けることなく導波さ
れ、逆に、光ファイバ１に左側端面ＬＦから入射される
レーザ光は回折格子１２によって回折を受けそのエネル
ギがすべてクラツドヘ放射される。これにより、光ファ
イバの一部の構成を変更するのみで、透過特性の非可逆
な光アイソレータ機能が実現される。
は、半導体レーザ２から出射されて光ファイバ１の右側
端面ＲＦから入射した光は損失を受けることなく導波さ
れ、逆に、光ファイバ１に左側端面ＬＦから入射される
レーザ光は回折格子１２によって回折を受けそのエネル
ギがすべてクラツドヘ放射される。これにより、光ファ
イバの一部の構成を変更するのみで、透過特性の非可逆
な光アイソレータ機能が実現される。
【００１５】なお、本発明の光アイソレータの数値例と
して、グレーティングの周期をΛ、光波長をλとする
と、コア１１の屈折率ｎｌと石英クラッド１３の屈折率
ｎ２とは極く値が近いのでグレーティングの波数Ｋは近
似的に、 Ｋ＝２π／Λ＝＝２×２π×ｎ２×ｃｏｓθ／λ となる。
して、グレーティングの周期をΛ、光波長をλとする
と、コア１１の屈折率ｎｌと石英クラッド１３の屈折率
ｎ２とは極く値が近いのでグレーティングの波数Ｋは近
似的に、 Ｋ＝２π／Λ＝＝２×２π×ｎ２×ｃｏｓθ／λ となる。
【００１６】例えば、光波長λ＝１．３μｍ、石英の屈
折率ｎ２＝１．４４５、位相格子の角度θ＝２０度の場
合、周期Λ＝０．４５μｍ程度となる。この値は特定の
波長の光波を導波光として反射するいわゆる通常のファ
イバ回折格子（波長フィルタ）の場合より僅かに周期が
長く、このような格子は通常のファイバ型波長フィルタ
を作成すると同様に製造できる。また、回折格子の作製
長Ｌを１ｍｍ程度とすれば、古典的な光学理論でよく検
討されているように、前記の構成ではクライン＝クック
パラメータ（Klein=Cook parameter Ｑ＝（２πＬλ／
Λ2 ）は極めて大きくなり、厚い格子によるいわゆるブ
ラッグ型の回折現象となる。このため、グレーティング
による回折効率は、πΔｎＬ／Λ＝２πとなるように、
導波光がグレーティングによって受ける屈折率変化Δｎ
を適切にすれば、回折効率は１００％となる。
折率ｎ２＝１．４４５、位相格子の角度θ＝２０度の場
合、周期Λ＝０．４５μｍ程度となる。この値は特定の
波長の光波を導波光として反射するいわゆる通常のファ
イバ回折格子（波長フィルタ）の場合より僅かに周期が
長く、このような格子は通常のファイバ型波長フィルタ
を作成すると同様に製造できる。また、回折格子の作製
長Ｌを１ｍｍ程度とすれば、古典的な光学理論でよく検
討されているように、前記の構成ではクライン＝クック
パラメータ（Klein=Cook parameter Ｑ＝（２πＬλ／
Λ2 ）は極めて大きくなり、厚い格子によるいわゆるブ
ラッグ型の回折現象となる。このため、グレーティング
による回折効率は、πΔｎＬ／Λ＝２πとなるように、
導波光がグレーティングによって受ける屈折率変化Δｎ
を適切にすれば、回折効率は１００％となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、通常の通
信用単一モード光ファイバ素線を用い、そのコアに回折
格子を形成し、かつクラツドのほぼ半分領域をそれより
も屈折率の小さい樹脂で形成し、しかも前記回折格子の
波数ベクトルの光軸となす角度θが０°＜θ＜９０°に
設定することにより、光ファイバのコア内で伝送される
光が、順方向では回折されることがなく、逆方向では回
折されてクラッドへ放射されることになる。この結果、
光ファイバの順方向と逆方向とでは透過率が大幅に異な
る特性を有し、光ファイバを光アイソレータとして構成
することができる。これにより、従来の磁気光学効果等
の非相反光効果を有する材料や磁石等を特に用いること
なく構成簡便で生産性に優れ、しかもファイバ型である
ために伝送用ファイバとの接続損失の少ない、優れた光
アイソレータが実現できる。
信用単一モード光ファイバ素線を用い、そのコアに回折
格子を形成し、かつクラツドのほぼ半分領域をそれより
も屈折率の小さい樹脂で形成し、しかも前記回折格子の
波数ベクトルの光軸となす角度θが０°＜θ＜９０°に
設定することにより、光ファイバのコア内で伝送される
光が、順方向では回折されることがなく、逆方向では回
折されてクラッドへ放射されることになる。この結果、
光ファイバの順方向と逆方向とでは透過率が大幅に異な
る特性を有し、光ファイバを光アイソレータとして構成
することができる。これにより、従来の磁気光学効果等
の非相反光効果を有する材料や磁石等を特に用いること
なく構成簡便で生産性に優れ、しかもファイバ型である
ために伝送用ファイバとの接続損失の少ない、優れた光
アイソレータが実現できる。
【図１】本発明の一実施形態の側面断面図と端面断面図
である。
である。
【図２】図１の光アイソレータの使用形態を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の光アイソレータのアイソレート特性を
説明するための図である。
説明するための図である。
１ 光ファイバ ２ 半導体レーザ １１ コア １２ 回折格子 １３ 石英クラッド １４ 樹脂クラッド ２０ａ，２０ｂ 導波光の波数ベクトル ２１ 石英クラッドへの放射光のダイアグラム ２２ 樹脂クラッドへの放射光のダイアグラム ２３ 回折格子の波数ベクトル
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/00 G02B 5/18 G02B 6/10
Claims (4)
- 【請求項１】 コアの周囲をクラッドで包囲した構成の
光ファイバの光軸に垂直な断面内において、前記コアに
接近して水平に引いた直線を境にして、上部と下部とで
は異なる屈折率の誘電体クラッドを有し、前記コアには
波数ベクトルがコアの光導波方向と前記上部と下部の誘
電体クラッドの境界面に立てた法線とが作る面内にあっ
て、かつ波数ベクトルの光軸となす角度θが、０°＜θ
＜９０°となる屈折率の周期的変化による回折格子を有
することを特徴とするファイバ型光アイソレータ - 【請求項２】 前記コア、前記下部の誘電体クラッド、
前記上部の誘電体クラッドの屈折率をそれぞれｎ１，ｎ
２，ｎ３としたとき、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を有する
請求項１に記載のファイバ型光アイソレータ。 - 【請求項３】 前記上部の誘電体クラッドは、前記下部
の誘電体クラッドの一部を削除し、この削除した部分に
前記下部の誘電体クラッドとは異なる屈折率の樹脂を形
成してなる請求項１に記載のファイバ型光アイソレー
タ。 - 【請求項４】 コアの周囲を単一の材料からなるクラッ
ドで包囲した光ファイバに対して、光軸に沿う側面から
２光束干渉光を照射して前記コアに屈折率変化された位
相格子からなる回折格子を形成する工程と、前記コアの
周囲の単一の材料から成っているクラッドを前記回折格
子の波数ベクトルと光軸が作る面に直交した面を前記コ
アの側面近接領域まで研磨により削除する工程と、前記
クラッドおよびコアよりも屈折率の小さい樹脂を前記削
除した領域に設ける工程とを含むことを特徴とするファ
イバ型光アイソレータの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9181976A JP3011140B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP9181976A JP3011140B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH1123849A JPH1123849A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3011140B2 true JP3011140B2 (ja) | 2000-02-21 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP9181976A Expired - Fee Related JP3011140B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3011140B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107817557A (zh) * | 2017-12-17 | 2018-03-20 | 华中科技大学 | 一种全光纤的非互易性器件及其制备方法 |
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-
1997
- 1997-07-08 JP JP9181976A patent/JP3011140B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH1123849A (ja) | 1999-01-29 |
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