JP2006330109A - 偏波回転素子および光回路 - Google Patents

偏波回転素子および光回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2006330109A
JP2006330109A JP2005150083A JP2005150083A JP2006330109A JP 2006330109 A JP2006330109 A JP 2006330109A JP 2005150083 A JP2005150083 A JP 2005150083A JP 2005150083 A JP2005150083 A JP 2005150083A JP 2006330109 A JP2006330109 A JP 2006330109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
polarization
refractive index
waveguide
rotation element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005150083A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4410149B2 (ja
Inventor
Hiroshi Fukuda
浩 福田
Koji Yamada
浩治 山田
Toshibumi Watanabe
俊文 渡辺
Yasushi Tsuchizawa
泰 土澤
Seiichi Itabashi
聖一 板橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2005150083A priority Critical patent/JP4410149B2/ja
Publication of JP2006330109A publication Critical patent/JP2006330109A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4410149B2 publication Critical patent/JP4410149B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】素子サイズが小さく、高密度集積化が可能で、安価で実装が容易な偏波無依存化デバイスを実現する。
【解決手段】偏波回転素子は、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第一のコア17aと、第一のコア17aを覆うように配置された、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第二のコア17bと、第二のコア17bを覆うように配置されたクラッドとから構成され、第一のコア17aの屈折率が第二のコア17bおよびクラッドの屈折率よりも大きく、第二のコア17bの屈折率がクラッドの屈折率よりも大きく、第一のコア17aの光伝搬方向の中心軸と第二のコア17bの光伝搬方向の中心軸が異なるようにしたものである。
【選択図】 図4

Description

本発明は、光通信用デバイスに係り、特に高屈折率差光導波路の偏波無依存化を実現する偏波回転素子、およびこの偏波回転素子を用いた光回路に関するものである。
現在の光通信用デバイスの大きな課題として、小型化、高集積化がある。平面光回路の小型化には大きく分けて二つの方法がある。
一つの方法は、ガラス光導波路をベースとしながら、反射型素子を部分的に用いて、光導波路の曲げ半径の限界を打破するというものである。このような方法によれば、反射型素子による挿入損失の増大などの特性劣化はあるものの、従来製品の1/10程度に小型化が可能であり、偏波依存性が小さいという利点がある。しかしながら、デバイスの縮小率は1/10程度であり、原理的にこれ以上の小型化は望めない。
もう一つの方法は、高屈折率差導波路を用いるというものである(例えば、非特許文献1参照)。この方法では、ガラス導波路と比較したときのデバイス面積を1/10000以下に小型化することができる。特に、シリコンをコアとした導波路は、安価なデバイスを大量に提供することができると考えられ、多くの検討が進んでいる。
K.Yamada et al.,「Microphotonics Devices Based on Silicon Wire Waveguiding System」,IEICE TRANS.ELECTRON.,Vol.E87-C,No.3,2004,p.351-358
しかしながら、高屈折率差導波路には、入射光の偏波に対して依存性があるという大きな問題点があった。特に、光通信用デバイスに用いる際には、この偏波依存性が大きな障害となることが指摘されてきた。高屈折率差導波路では、コアの幅と高さが1μm以下であるため、正確な正方形コア断面を得ることが困難であり、コアの上下のクラッドの屈折率を正確に等しくすることも難しいので、加工精度を向上させただけでは偏波の無依存化は事実上不可能である。
また、高屈折率差導波路においては、光の閉じ込めが強いため、ガラス導波路のように波長板を用いた偏波の無依存化では挿入損失が大きくなりすぎるという問題があり、また量産の面でも実装コストがかさむという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、素子サイズが小さく、高密度集積化が可能であり、安価で実装が容易な偏波無依存化デバイスを実現することができる偏波回転素子および光回路を提供することを目的とする。
本発明の偏波回転素子は、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第一のコアと、この第一のコアを覆うように配置された、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第二のコアと、この第二のコアを覆うように配置されたクラッドとから構成され、前記第一のコアの屈折率が前記第二のコアおよび前記クラッドの屈折率よりも大きく、前記第二のコアの屈折率が前記クラッドの屈折率よりも大きく、前記第一のコアの光伝搬方向の中心軸と前記第二のコアの光伝搬方向の中心軸が異なるようにしたものである。
また、本発明の偏波回転素子の1構成例において、前記第一のコアは、シリコンからなり、前記第二のコアは、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜もしくは屈折率が1.5以上のポリマ材料からなり、前記クラッドは、シリコン酸化膜、ポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹脂からなるものである。
また、本発明の偏波回転素子は、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第一のコアと、この第一のコアを覆うように配置された、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第二のコアと、前記第一のコアの入力端に配置された、前記第一のコアと一体形成された入力用導波路コアと、前記第一のコアの出力端に配置された、前記第一のコアと一体形成された出力用導波路コアと、前記第二のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアを覆うように配置されたクラッドとから構成され、前記入力用導波路コアは、断面積が一定の扁平な形状の入力部と、前記第一のコアと接続された、前記第1のコアと同じ断面形状の接続部と、前記入力部から前記接続部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次減少するテーパ部とを備え、前記出力用導波路コアは、断面積が一定の扁平な形状の出力部と、前記第一のコアと接続された、前記第1のコアと同じ断面形状の接続部と、この接続部から前記出力部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次増大するテーパ部とを備え、前記第一のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアの屈折率が前記第二のコアおよび前記クラッドの屈折率よりも大きく、前記第二のコアの屈折率が前記クラッドの屈折率よりも大きく、前記第一のコアの光伝搬方向の中心軸と前記第二のコアの光伝搬方向の中心軸が異なるようにしたものである。
また、本発明の偏波回転素子の1構成例において、前記第一のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアは、シリコンからなり、前記第二のコアは、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜もしくは屈折率が1.5以上のポリマ材料からなり、前記クラッドは、シリコン酸化膜、ポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹脂からなるものである。
また、本発明の光回路は、偏波回転素子と、入射光を偏波面に応じて分離する偏波分離素子と、この偏波分離素子によって分離された偏波成分のうち一方を前記偏波回転素子に導く第1の導波路と、前記偏波分離素子によって分離された偏波成分のうち他方を導く第2の導波路と、前記偏波回転素子を通過した偏波成分と前記第2の導波路を通過した偏波成分とを合波する合波素子とを有するものである。
本発明によれば、第一のコアと第二のコアとクラッドとを設け、第一のコアの光伝搬方向の中心軸と第二のコアの光伝搬方向の中心軸が一致しない偏芯二重コア構造を採用し、この偏芯二重コア構造の光導波路中を、直線偏波の光を一定距離伝搬させることで、偏波状態を変化させることができる。したがって、本発明では、偏波回転素子の前段に偏波分離素子を設けることで、TE偏波成分とTM偏波成分が混在した光を偏波面に応じて分離し、分離した一方の偏波成分(例えばTM)を90°回転させて他方の偏波成分に変化させ、偏波回転素子を通過した偏波成分と通過しない偏波成分とを合波することにより、全体として偏波無依存型導波路を実現することができる。その結果、本発明によれば、シリコン導波路のようなコアとクラッドの屈折率差が大きい高屈折率差導波路にとって従来から大きな課題であった偏波依存性を大幅に緩和するデバイス構造を実現することができる。また、本発明では、高屈折率差導波路において偏波無依存化を実現できることから、小型化、高密度集積化を実現でき、偏波の無依存化のために波長板を用いる必要がないので、安価で実装が容易なデバイスを実現することができる。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態は、高屈折率材料からなる第一のコアと、中程度の屈折率材料からなる第二のコアと、低屈折率材料からなるクラッドとから構成され、第一のコアと第二のコアの光伝搬方向の中心軸が異なる偏芯二重コア光導波路を用いて、偏波回転を実現する。
図1は、本実施の形態の偏波回転素子を用いた偏波無依存型導波路の構成を示すブロック図である。TE(Transverse Electric mode)偏波成分とTM(Transverse Magnetic mode)偏波成分が混在した入射光11は、偏波分離素子12によってTE偏波成分13とTM偏波成分14に分離される。TE偏波成分13は導波路15を伝搬し、TM偏波成分14は別の導波路16を伝搬する。導波路16には偏波回転素子17が接続されており、これを通過することでTM偏波成分14はTE偏波成分へと90°回転させられる。導波路15,16は合波素子18に接続されており、TE偏波成分13と偏波回転素子17を通過したTE偏波成分とは合波素子18により合波される。
2つの直交するTE偏波成分とTM偏波成分は分離、回転、合波の各過程において損失が少ないために信号の減衰が少なく、偏波回転素子17の導波路長が十分に短ければ信号の歪もない。よって、図1の構成によれば、偏波依存性の大きな導波路をベースにしながら偏波無依存化を実現することができる。
図2は、偏波回転素子17の構成を示す断面図である。図2では、紙面に垂直な方向が光伝搬方向である。偏波回転素子17は、第一のコア17aと、第二のコア17bと、クラッド16zとを有する。図2の例では、第一のコア17aとして幅0.2μm×高さ0.2μmのシリコン(屈折率3.5)を想定し、第二のコア17bとして幅1μm×高さ1μmのシリコン酸窒化膜(屈折率1.6)を想定し、クラッド16zとしてシリコン酸化膜(屈折率1.44)を想定している。
第一のコア17aの中心軸と第二のコア17bの中心軸との偏芯量は、2つの直交する方向(図2の上下方向と左右方向)のそれぞれについて0.4μmである。図2においては、A軸方向とB軸方向が伝搬固有モードの軸になる。垂直偏波と水平偏波の各々の伝搬定数が異なるため、入射光が垂直偏波(TMモード)の場合は伝搬中に回転を受け、一定距離伝搬した後に水平偏波(TEモード)となる。
図3(a)、図3(b)は、図2の偏波回転素子17を30μmの長さにわたって波長1550nmの光が伝搬する様子を示す図である。入射時の偏波はTMモードとする。図3(a)はTM偏波成分のみを示し、図3(b)はTE偏波成分のみを示している。また、図3(a)、図3(b)に示す光伝搬状態は、明るい部分ほど光パワーが強いことを示している。
図3(a)、図3(b)から明らかなように、偏波回転素子17に入射した直後はTM偏波成分のみからなる。そして、次第にTM偏波成分がTE偏波成分に変わり、偏波回転素子17の中を15μm程度伝搬すると、TM偏波成分の強度とTE偏波成分の強度がほぼ等しくなり、30μm程度伝搬すると、完全にTE偏波成分に変わる。したがって、長さ30μmの偏波回転素子17は、波長が1550nmの光に対しては、TM偏波をTE偏波に90°回転させる素子として機能することが分かる。
図4は、本実施の形態の偏波回転素子17の具体例を示す斜視図である。偏波回転素子17は、入力用導波路コア16aと、第一のコア17aと、第二のコア17bと、出力用導波路コア16bと、入力用導波路コア16aと第二のコア17bと出力用導波路コア16bとを覆うクラッド(不図示)によって構成されている。入力用導波路コア16aと第一のコア17aと出力用導波路コア16bとは同一の材料からなり、一体形成されており、伝搬方向の中心軸が一致している。一方、第一のコア17aと第二のコア17bとは伝搬方向の中心軸が一致していない偏芯二重コア構成となっている。
直線偏波である入射光は、入力用導波路コア16aより入射し、第1、第二のコア17a,17bを伝搬する際に偏波が回転し、所望の回転角だけ回転した後に出力用導波路16bを伝搬して出射する。
入力用導波路コア16aと第一のコア17aと出力用導波路コア16bの材料としては、シリコンなどの高屈折率材料を用いる。これらのコアの断面積は、シリコンを用いる場合は0.1μm2 以下である。クラッドの材料としては、第1、第二のコア17a,17bより低屈折率の材料を用いる。具体的には酸化シリコンやエポキシ樹脂、ポリイミド、その他の各種ポリマなどがある。第二のコア17bの材料としては、第一のコア17aとクラッドの中間の屈折率を持つシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、1.5以上の屈折率を持つポリマ材料などを用いる。第一のコア17aの材料がシリコンで、第二のコア17bの材料が屈折率1.6のシリコン酸窒化膜の場合、第二のコア17bの断面積は1.5μm2 以下である。
以上のように、本実施の形態の偏波回転素子17では、第一のコア17aの光伝搬方向の中心軸と第二のコア17bの光伝搬方向の中心軸が一致しない偏芯二重コア構造を採用し、この偏芯二重コア構造の光導波路中を、直線偏波の光を一定距離伝搬させることで、偏波状態を変化させることができる。そして、この偏波回転素子17を用いることで、偏波無依存型導波路を実現することができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図5は、本実施の形態の偏波回転素子17の構成を示す斜視図である。本実施の形態の偏波面回転素子17は、断面積が一定の扁平な形状の入力用導波路コア(入力部)16cと、導波路コア16cから第1のコア17aとの接続部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次減少するテーパ形状の入力用導波路コア16dと、第一のコア17aと、第二のコア17bと、第1のコア17aとの接続部から出力部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次増大するテーパ形状の出力用導波路コア16eと、断面積が一定の扁平な形状の出力用導波路コア(出力部)16fと、入力用導波路コア16c,16dと第二のコア17bと出力用導波路コア16e,16fとを覆うクラッド(不図示)によって構成されている。ここで、扁平とは、幅をW、高さをHとしたとき、W>Hであることを言う。
入力用導波路コア16c,16dと第一のコア17aと出力用導波路コア16e,16fとは同一の材料からなり、一体形成されており、伝搬方向の中心軸が一致している。一方、第一のコア17aと第二のコア17bとは伝搬方向の中心軸が一致していない偏芯二重コア構成となっている。
直線偏波である入射光は、入力用導波路コア16cより入射するが、入力用導波路コア16cが扁平形状であるために偏波は保持される。そして、入射光は、テーパ形状の入力用導波路コア16dを経て第1、第二のコア17a,17bを伝搬する際に偏波が回転し、所望の回転角だけ回転した後にテーパ形状の出力用導波路コア16eを経て出力用導波路16fに出力される。出力用導波路コア16fが扁平形状であるために偏波は保持される。
入力用導波路コア16c,16dと第一のコア17aと出力用導波路コア16e,16fの材料としては、シリコンなどの高屈折率材料を用いる。これらのコアの断面積は、シリコンを用いる場合は0.1μm2 以下である。クラッドの材料としては、第1、第二のコア17a,17bより低屈折率の材料を用いる。具体的には酸化シリコンやエポキシ樹脂、ポリイミド、その他の各種ポリマなどがある。第二のコア17bの材料としては、第一のコア17aとクラッドの中間の屈折率を持つシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、1.5以上の屈折率を持つポリマ材料などを用いる。第一のコア17aの材料がシリコンで、第二のコア17bの材料が屈折率1.6のシリコン酸窒化膜の場合、第二のコア17bの断面積は1.5μm2 以下である。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
[第3の実施の形態]
第2の実施の形態では、図5に示したように第二のコア17bが第一のコア17aのみを覆っているが、これに限るものではなく、第二のコア17bが、第一のコア17aだけでなく、入力用導波路コア16c,16d及び出力用導波路コア16e,16fの一部あるいは全体を覆うようにしてもよい。
本発明は、光通信用デバイスに適用することができる。
本発明の第1の実施の形態となる偏波回転素子を用いた偏波無依存型導波路の構成を示すブロック図である。 図1の偏波回転素子の構成を示す断面図である。 図2の偏波回転素子を光が伝搬する様子を示す図である。 図2の偏波回転素子の具体例を示す斜視図である。 本発明の第2の実施の形態となる偏波回転素子の構成を示す斜視図である。
符号の説明
11…入射光、12…偏波分離素子、13…TE偏波成分、14…TM偏波成分、15、16…導波路、16a,16c,16d…入力用導波路コア、16b,16e,16f…出力用導波路コア、17…偏波回転素子、17a…第一のコア、17b…第二のコア、18…合波素子。

Claims (5)

  1. 光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第一のコアと、
    この第一のコアを覆うように配置された、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第二のコアと、
    この第二のコアを覆うように配置されたクラッドとから構成され、
    前記第一のコアの屈折率が前記第二のコアおよび前記クラッドの屈折率よりも大きく、
    前記第二のコアの屈折率が前記クラッドの屈折率よりも大きく、
    前記第一のコアの光伝搬方向の中心軸と前記第二のコアの光伝搬方向の中心軸が異なることを特徴とする偏波回転素子。
  2. 請求項1記載の偏波回転素子において、
    前記第一のコアは、シリコンからなり、
    前記第二のコアは、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜もしくは屈折率が1.5以上のポリマ材料からなり、
    前記クラッドは、シリコン酸化膜、ポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹脂からなることを特徴とする偏波回転素子。
  3. 光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第一のコアと、
    この第一のコアを覆うように配置された、光伝搬方向と垂直な断面が矩形の第二のコアと、
    前記第一のコアの入力端に配置された、前記第一のコアと一体形成された入力用導波路コアと、
    前記第一のコアの出力端に配置された、前記第一のコアと一体形成された出力用導波路コアと、
    前記第二のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアを覆うように配置されたクラッドとから構成され、
    前記入力用導波路コアは、断面積が一定の扁平な形状の入力部と、前記第一のコアと接続された、前記第1のコアと同じ断面形状の接続部と、前記入力部から前記接続部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次減少するテーパ部とを備え、
    前記出力用導波路コアは、断面積が一定の扁平な形状の出力部と、前記第一のコアと接続された、前記第1のコアと同じ断面形状の接続部と、この接続部から前記出力部に向かって高さ一定のまま断面積が漸次増大するテーパ部とを備え、
    前記第一のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアの屈折率が前記第二のコアおよび前記クラッドの屈折率よりも大きく、
    前記第二のコアの屈折率が前記クラッドの屈折率よりも大きく、
    前記第一のコアの光伝搬方向の中心軸と前記第二のコアの光伝搬方向の中心軸が異なることを特徴とする偏波回転素子。
  4. 請求項3記載の偏波回転素子において、
    前記第一のコア、前記入力用導波路コアおよび前記出力用導波路コアは、シリコンからなり、
    前記第二のコアは、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜もしくは屈折率が1.5以上のポリマ材料からなり、
    前記クラッドは、シリコン酸化膜、ポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹脂からなることを特徴とする偏波回転素子。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の偏波回転素子と、
    入射光を偏波面に応じて分離する偏波分離素子と、
    この偏波分離素子によって分離された偏波成分のうち一方を前記偏波回転素子に導く第1の導波路と、
    前記偏波分離素子によって分離された偏波成分のうち他方を導く第2の導波路と、
    前記偏波回転素子を通過した偏波成分と前記第2の導波路を通過した偏波成分とを合波する合波素子とを有することを特徴とする光回路。
JP2005150083A 2005-05-23 2005-05-23 偏波回転素子および光回路 Expired - Fee Related JP4410149B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005150083A JP4410149B2 (ja) 2005-05-23 2005-05-23 偏波回転素子および光回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005150083A JP4410149B2 (ja) 2005-05-23 2005-05-23 偏波回転素子および光回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006330109A true JP2006330109A (ja) 2006-12-07
JP4410149B2 JP4410149B2 (ja) 2010-02-03

Family

ID=37551887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005150083A Expired - Fee Related JP4410149B2 (ja) 2005-05-23 2005-05-23 偏波回転素子および光回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4410149B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009244326A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光波長フィルタ
JP2013109088A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 偏波もつれ光子対発生素子
JP2015135378A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 富士通株式会社 偏波変換素子及び偏波変換素子の製造方法
CN104950392A (zh) * 2015-07-14 2015-09-30 华中科技大学 硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件
CN113009628A (zh) * 2019-12-18 2021-06-22 中兴光电子技术有限公司 偏振旋转高阶模转换器及其分束器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014092759A (ja) 2012-11-06 2014-05-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 偏波制御素子
EP3306386B1 (en) 2015-05-29 2019-12-04 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Coherent optical mixer circuit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009244326A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光波長フィルタ
JP2013109088A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 偏波もつれ光子対発生素子
JP2015135378A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 富士通株式会社 偏波変換素子及び偏波変換素子の製造方法
CN104950392A (zh) * 2015-07-14 2015-09-30 华中科技大学 硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件
CN104950392B (zh) * 2015-07-14 2018-11-09 华中科技大学 硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件
CN113009628A (zh) * 2019-12-18 2021-06-22 中兴光电子技术有限公司 偏振旋转高阶模转换器及其分束器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4410149B2 (ja) 2010-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7228015B2 (en) Integrated optic polarization converter based on structural chirality
Guo et al. Chip-integrated geometric metasurface as a novel platform for directional coupling and polarization sorting by spin–orbit interaction
JP4410149B2 (ja) 偏波回転素子および光回路
US7983515B2 (en) Polarization maintaining optical fiber polarizer
US11353655B2 (en) Integrated optical polarizer and method of making same
CN112230338B (zh) 一种基于反向双锥非对称耦合器的超宽带片上偏振分束旋转器
JPWO2008084584A1 (ja) 光導波路素子および偏光分離方法
EP2634613A1 (en) Optical device, optical transmitter, optical receiver, optical transceiver, and method of manufacturing optical device
JP2010088110A (ja) 誘電体導波路を用いた偏波変換器及び偏波分離・変換器
Huang et al. Polarization beam splitter based on cascaded step-size multimode interference coupler
Zhao et al. High‐Performance Mode‐Multiplexing Device with Anisotropic Lithium‐Niobate‐on‐Insulator Waveguides
Yi-Ling et al. Experimental demonstration of two-dimensional multimode-interference optical power splitter
WO2003014785A1 (en) Compact three-dimensional mode size converters for fiber-waveguide coupling
CN111458795A (zh) 一种基于硅波导的全波段起偏器
US20110317960A1 (en) Direct coupling of optical slot waveguide to another optical waveguide
JP6226427B2 (ja) 偏波回転素子
JP4415038B2 (ja) 偏波回転素子
Van Laere et al. Compact focusing grating couplers between optical fibers and silicon-on-insulator photonic wire waveguides
Vermeulen et al. Reflectionless grating coupling for silicon-on-insulator integrated circuits
JP3011140B2 (ja) ファイバ型光アイソレータ及びその製造方法
JP2856525B2 (ja) 光導波路型偏光子
Khan et al. Long working distance apodized grating coupler
Ishizaka et al. A photonic-plasmonic mode converter using mode-coupling-based polarization rotation for metal-inserted silicon platform
Yin et al. All-silicon and ultra-compact transverse electric-pass polarizer with large bandwidth and high polarization extinction ratio based on subwavelength metamaterials
Zheng et al. Compact transverse-magnetic-pass polarizer with a subwavelength grating based on a hybrid silicon-lithium niobate on insulator platform

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070809

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090714

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091110

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091112

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees