JP3009763B2 - 2重層粒子を用いた電磁波吸収材料 - Google Patents

2重層粒子を用いた電磁波吸収材料

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JP3009763B2
JP3009763B2 JP3243228A JP24322891A JP3009763B2 JP 3009763 B2 JP3009763 B2 JP 3009763B2 JP 3243228 A JP3243228 A JP 3243228A JP 24322891 A JP24322891 A JP 24322891A JP 3009763 B2 JP3009763 B2 JP 3009763B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は誘電性バインダー中に分
散された散逸粒子(dissipative particles)を含む電磁
波吸収材料に関する。
【0002】
【従来の技術】電波吸収材料は、一般に誘電性バインダ
ー材料中に分散された1種以上の散逸粒子を含む。例え
ば、米国特許No. 4,173,018(Dawson et al.)
は、絶縁性樹脂と直径3μmの中実鉄球又は合計直径3
μmについて単一の厚さ1.3μmの鉄の被膜を持つ直
径0.4μmの中実ガラス球とからなる材料を開示して
いる。この粒子はこの複合材料の重量の90%までを占
める。
【0003】そのようなサイズの実質的に球状の中実粒
子は、しばしば「極小球」と呼ばれる。この極小球の1
つの変形は「極小泡」、ガラスのような材料で作られた
中空極小球である。米国特許No. 4,618,525
(Chamberlain et al.) に教示されているように、非磁
性金属の単一の薄いフィルム層を、ガラスの極小泡上に
析出させ、これをポリマーバインダー中に分散してもよ
い。
【0004】ポリマーバインダー中に分散された単一層
状極小球が電磁波遮蔽の用途に用いられて来た。例え
ば、米国特許No. 4,624,798(Gindrup et a
l.) は、極小球が接触粒子のネットワークを形成して、
電磁波シールドとして働くために充分な導電性を持った
大きな材料、即ち、導電性材料のシートのようなものを
与える複合材料を述べている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は電磁波吸収性
の大きい材料を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の散逸性
粒子及びその中に該散逸性粒子を分散させる誘電性バイ
ンダーを含む非導電性電磁波吸収材料である。散逸性粒
子のどれも、(a)核粒子;(b)該核粒子の表面に位
置する散逸性層;及び(c)厚さ0.5〜10nmの厚さ
で前記散逸層の上に横たわる絶縁層を含む。
【0007】本発明の1つの好ましい態様は電磁波吸収
タイルである。図1は、この態様の断面図であり、その
ようなタイル10は、電磁波吸収材料12を含む。この
吸収材料は随意の第2の構成部分、導電性材料18の電
磁波入射側(図において上側)に付ける。導電性材料1
8は好ましい。これは、充分に吸収されない電磁波をそ
の材料が吸収材料12の中へ反射して更に吸収させるか
らである。又、随意のインピーダンス整合材料16が示
されている。インピーダンス整合材料は好ましい。これ
は、吸収材料12の電磁波入射側からの入射電磁波の反
射を減らすからである。
【0008】吸収材料12は、誘電性バインダー材料1
4中に混合又は押出により分散された2重の層を有する
複数の散逸性粒子11を含む。2重の層を有する散逸性
粒子のどれも核粒子13、散逸性層15、及び絶縁層1
7を持ち、最後のものは最外層である。
【0009】核粒子の材料は誘電性バインダー材料と同
じであってもよいが、通常は、この2つの材料は同じで
はないであろう。この2つの材料を選ぶ基準が正確に一
致するものではないからである。
【0010】散逸性層15は核粒子13の上に薄膜析出
技術により析出される。絶縁層17は散逸性層15の上
に、同様な技術により析出されるか又は散逸性層15の
反応生成物として形成されうる。この論議の残りは複数
の2重層粒子の各々は本質的に同じ厚さの散逸性層15
を持つことを仮定する。しかし、このことが必要だとい
う訳ではない。一般に散逸層が厚い程高い周波数のとこ
ろでより多くの電磁波を吸収する。従って、広いバンド
の又は狭いバンドの吸収材料の必要性は、散逸性層の厚
さの適当な分布を示唆するであろう。
【0011】好ましい核粒子13は、できるだけ誘電率
が低く、重量が小さい。核粒子13は本質的に球状粒
子、針状繊維又はフレークであってよい。核粒子サイズ
分布が狭ければ、最適な性能が得られる。従って理想的
なケースでは全ての核粒子13は同じサイズである。核
粒子13は、好ましくはセラミック又はポリマー材料か
ら形成される。
【0012】もし、核粒子13として本質的に球状の粒
子が用いられるなら、低い誘電率及び低い重量は、(中
実の)極小球でなく、(中空の)極小泡を示唆する。極
小泡に好ましい無機材料はガラスであるが、ポリマー材
料が適当である。ガラス極小泡としては、平均外径が1
0〜500μmで、厚さ(内外の平均半径の差)が1〜
2μmであるのが適当である。好ましい平均外径範囲は
20〜80μmである。好ましいガラス極小泡は、Mine
sota Mining and Manufacturing Company により"SCOTC
HLITE"のブランドで識別されているガラス極小球であ
る。
【0013】この無機核粒子13の誘電率を小さくする
他の技術はその密度を小さくすることである。これを行
なう1つの方法は、それらを篩にかけて選抜し篩を通過
しないものをメタノールに浮かばせ、浮かばなかったも
のを捨てることである。密度0.60g/ccのS60/
10000"SCOTCHLITE"ブランドの極小泡を325メッ
シュのふるい(開口直径44μm)でふるったとき、こ
の方法は、平均直径70μm、直径の90%は50〜8
8μmである極小泡を生じた。(この狭い粒度分布が好
ましいが、メタノール中での浮遊により影響されな
い。)ふるいで選抜された極小泡の約23重量%(8容
量%)は浮遊しなかった。
【0014】2重の層を持つ極小泡がバインダー材料へ
の分散を通して損なわれないで残るためには、被覆層の
ない極小泡が、これを好ましくは少なくとも約6.9×
10 5 パスカル(Pa)の圧力をかけたときに、つぶれ
ないで残る程に強くあるべきである。この好ましいタイ
プのS60/10000"SCOTCHLITE"ブランドのガラス
極小泡は、もっと強く、約6.9×107 Paまでの圧
力に耐える。シリコーンゴムバインダー中にこれらの比
較的強い極小泡を用いる本発明の具体例は、2重層極小
泡の有意の破壊なしに体積添加係数(volume loading fa
ctor) を60%までにしうる。
【0015】もし針状繊維が用いられるときは、ポリマ
ー材料を用いうるが、好ましい材料は微粉砕ガラス又は
Minesota Mining and Mannfacturing Company によっ
て"NEXTEL"440(商標)として識別されているセラミック
製品である。最後の繊維は、平均直径8〜10μmで、
好ましくはアスペクト比が1〜40であり、より長い繊
維をかみそりの刃で細断することにより作りうる。無機
フレークが用いられるときは、好ましい材料はマイカで
ある。
【0016】散逸性層15は無機材料で、金属でも半導
体でもよい。好ましい材料は、タングステン、クロム、
アルミニウム、銅、チタン、窒化チタン、二珪化モリブ
デン、鉄、亜酸化鉄、ジルコニウム、及びステンレスス
チールである。
【0017】散逸性層15は核粒子のサイズに比較して
極めて薄い。金属性導電性を持つ材料については、選ん
だ材料によって、0.05〜10nm、好ましくは約0.
4〜2.0nmである。そのような極薄層は“超薄”層又
はフィルムと呼ばれる。金属よりも導電性の低い半導体
材料については、層厚さをそれに釣合うように大きくな
ろう。無機層15の厚さは、10%以内に、好ましく
は、5%以内に均一であるべきである。一般にこのこと
は析出速度を下げ、析出時間を長くすることにより達せ
られる。
【0018】散逸性層15における材料の量の有効下限
は、材料の種類によって異なる。材料の量が比較的少な
いと、超薄層は形成されないで、核粒子11の表面の1
以上の所に小さな“ビーズ”を形成する。これは本発明
の吸収性能を低下させる。従って、材料がビーズを形成
する傾向は異なるので、材料の種類によって超薄層を形
成するに必要な材料の量の下限が決まる。従って、本発
明の目的からして、「超薄層」なる用語は基体層(これ
は核材料であってもよく、又他の超薄層であってもよ
い)の上にビーズが形成されるのを避けるに必要な材料
の量を持った層を記述する。
【0019】超薄層が形成されてもそれは“地続き”
層、即ち、原子サイズより大きな不連続部が層中に存在
するが、その不連続部は基本層表面の実質的部分にビー
ズが形成される程には大きくない層でありうる。しかし
ながら好ましい態様においては、全基体層を連続した殻
で覆うに充分厚いものである。“連続”という用語は原
子サイズの不連続部又はトンネル効果による電子の通過
又は他の現象により導電性が阻害されない程度の小さな
“ピンホール”を持つ超薄層を含む。
【0020】本発明の電磁波吸収性は、散逸性層15の
分極に帰せられよう。入射電磁波の電界成分は一方向に
向いているので、散逸層15内の電子は反対方向に流れ
ようとして、電流を生じ抵抗加熱を生じる。この加熱を
支えるに必要なエネルギーは、この電界から除かれるの
で、入射電磁波は吸収されるのである。
【0021】しかしながら、散逸層15中の材料の量が
大き過ぎると、分極効果が起こって抵抗加熱過程の有効
性を減ずる。この電界によって誘起される双極子相互作
用は誘起された電界と反対方向(即ち、入射した電界の
方向と同じ方向)に過剰の材料を分極させ、従って誘導
電流の量を減らす。
【0022】適当な範囲の厚さを定める方法はパラメー
ター“B”を考えることである。球状散逸粒子11につ
いては、Bは“バブルパラメーター”として知られてお
り、入射電磁波の周波数と核粒子の半径の積を散逸層の
厚さと該層の伝導率の積で割った比である。一般に適用
することを意図した電磁波周波数と核粒子半径は既知で
あるから、工程条件は散逸層の厚さと伝導率とを調節す
るように変化させる。
【0023】超薄層の伝導率はその層を作った材料の大
塊伝導率(bulk conductivity)とは同じでない。これは
超薄フィルムの電子の挙動が大塊材料のそれとは本来異
なっていること、及び超薄層中に取込まれた不純物は、
当該材料中に相対的により大きな存在となるため大きな
効果を持つからである。
【0024】超薄フィルムの伝導率は組成を調節するこ
とにより変えうる(例えば、亜酸化鉄については、析出
室中に導入される酸素の量を調節する。)。金属につい
ては、超薄フィルムの伝導率をほぼ一定に保ち、厚さを
制御する。一般に、厚い層は、高い入射周波数にとって
好ましく薄い層は低い入射周波数にとって好ましい。タ
ングステン層を持つ極小泡については、1〜20GHz の
範囲に対するBの最適値は、外径約50μmの極小泡上
の厚さ1nmのタングステン層から得られる。
【0025】絶縁層17は、好ましくは、酸化アルミニ
ウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウム、又は二酸化チタ
ンで作られる。散逸性層15の材料の選択は絶縁層17
の材料の選択に影響する。例えば、散逸性層に二珪化モ
リブデンが用いられるときは、絶縁層17として二酸化
珪素が好ましい材料である。それは二酸化珪素は、第2
の層の直接的析出をしないで二珪化モリブデンの表面の
酸化により形成されうるからである。同様の情況がジル
コニウム上の二酸化ジルコニウム、チタン又は窒化チタ
ン上の二酸化チタンにもあてはまる。勿論、これら全て
の例において絶縁層17は別個に無機層15の上に析出
しうる。従って、実際上は、絶縁層17は、散逸性層1
5の反応生成物であろうが、それは必須ではない。
【0026】どんな方法で形成しようとも、絶縁層17
は無機層15の上に、厚さ1〜10μm、好ましくは約
2μmで横わる。絶縁層17は散逸粒子11を吸収材1
2の中に粒子間接触の可能性はあってもかなり高い容量
充填率で存在せしめうる。そのような接触は、吸収材料
12が電磁波を吸収するよりは、むしろ反射する導電シ
ートに有効にならせうる。絶縁層17は又、酸化又は他
の行程による散逸性層15の退化を防ぐ助けとなる。超
薄金属フィルムは超過時間の酸化をすると予想され、こ
のことは複合材料の誘電率に変化をもたらすだろう。超
薄タングステンフィルムにあっては、粉末の抵抗におけ
る測定可能な変化が、ある場合には数時間の内に生ず
る。亜酸化アルミニウム層を加えると、数カ月又はそれ
以上にわたる誘電率が一定の材料を生じる。散逸性層1
5に関しては、絶縁層17は地続きであってもよいが、
好ましい態様では連続的なそして厚さの均一な超薄層で
ある。
【0027】誘電性バインダー14は、セラミックの、
ポリマーの、又はエラストマーの材料であってよい。高
温にさらす必要のある用途にはセラミックバインダーが
好ましい。一方、ポリマーバインダーはその柔軟性及び
軽さの故に好ましい。多数のポリマーバインダーが適当
で、その中には、ポリエチレン類、ポリプロピレン類、
ポリメチルメタクリレート類、ウレタン類、酢酸セルロ
ース類、エポキシ樹脂類、及びポリテトラフルオロエチ
レン(PTFE)が含まれる。適当なエラストマーバイ
ンダーは天然ゴム類、及び“NEOPRENE”(商
標)として知られているポリクロロプレンゴム及びエチ
レンプロピレンジエンモノマーに基づくゴム(EPD
M)のような合成ゴムである。他の好ましいバインダー
は、RTV−11及びRTV−615の名称の下にGene
ral Electric Companyから入手可能なシリコーン化合物
である。
【0028】この誘電性バインダーは熱硬化性又は熱可
塑性材料から作りうる。熱硬化性材料は一度加熱すると
不可塑的に硬化し、再溶融して再成形することはできな
い。熱可塑性材料はくり返し加熱して再成形可能であ
る。いずれのケースにおいても、この材料は、加熱し、
バインダーの外からの1又はそれ以上の力により型の中
にはめ込む。一般にはこの力は、熱伝導又は圧力による
ものであるが、重力又は真空であってもよい。この点で
は、本発明に適したバインダーは、米国特許No.4,8
14,546(Whitney et al.) に教示された「適合
性」("conformable") 材料とは異なる。この材料は、バ
インダーに内部分子力(伸縮性材料における機械的応力
のようなもの)を要求し、吸収体の形状変化の原因とな
る。
【0029】多数の種類の接着剤が、必要な熱可塑性又
は熱硬化性を持つ。接着剤は、ある表面と密に接触して
機械的力が接触界面を通して伝えられうるような材料で
ある。適当な熱可塑性及び熱硬化性接着剤としてはポリ
アミド類、ポリエチレン類、ポリプロピレン類、ポリメ
チルメタクリレート類、ウレタン類、酢酸セルロース
類、酢酸ビニル類、エポキシ樹脂類及びシリコーン類が
あるが、これらに限られない。
【0030】あるいは又は、上記適合性材料も本発明の
他の態様において適当である。例えば、熱可塑性熱収縮
性バインダーがポリエチレン、ポリプロピレン、及びポ
リ塩化ビニルのような架橋された又は配向された結晶性
材料から;又はシリコーン類、ポリアクリレート類、及
びポリスチレン類のようなアモルファス材料から形成さ
れうる。溶媒収縮性の又は機械的に伸縮しうるバインダ
ーは、天然ゴム又は反応性ジエンポリマーのような合成
ゴムのようなエラストマーでありうる。適当な溶媒は芳
香族又は脂肪族炭化水素である。そのような材料の特別
な例は米国特許No. 4,814,546(Whitney et a
l.)に教示されている。
【0031】バインダーは均質であるか、又は米国特許
No. 4,153,661(Ree et al.) に教示されてい
るPTFEのような相互にからみ合ったフィブリルのマ
トリックスでありうる。一般に、この態様の吸収材は、
2重の層を持つ粒子とPTFE粒子の水侵しのペースト
の形成、約50〜約100℃での強い混合、約50〜約
100℃での2軸カレンダーがけ、及び約20〜約10
0℃での乾燥を含むフィブリル化工程において形成され
る。PTFEフィブリルと粒子の複合体はPTFEマト
リックスの高い引張り強度を持つ。
【0032】有効であるためには、吸収材12は、電波
伝播の方向に、吸収される波長の約40分の1(2.5
%)より大きな厚さを持つべきである。本発明は、約2
〜40GHz の領域においてできるだけ広い入射周波数の
範囲にわたって電波を吸収するのに適当である。これは
約0.2 mmのオーダーより大きな厚さを意味する。一般に
層が厚い程吸収は大きいが、重量が大きくなり柔軟性が
減るのは多数の用途において望ましくない。従って、吸
収される波長の1/4(25%)までの厚さの層は可能
であるが、それらは好ましくない。例えば、同じ周波数
領域において、この上限厚さは約37.5mmのオーダー
であるが、厚さ2.0mm又はそれ以下のオーダーの層で
充分な吸収が得られる。
【0033】吸収材料12は、比較的低い比重を持ちう
る。その場合には、タイル10の重量が減るであろう。
カルボニル鉄極小球に基づく複合材についての体積添加
係数は一般には40〜65%にわたり、鉄の密度は7.
9g/cm3 である。本発明においては体積添加係数は3
0〜65%の範囲にあるが二重層を持つ粒子の密度はは
るかに小さく0.10〜0.60g/cm3 の範囲にあ
る。例えば、粒子の体積添加が60%で比重1.0のバ
インダーからなる吸収材を考えてみよう。もし吸収材が
本発明に従って構成されるならば、本発明吸収材の比重
は0.40〜0.46となろう。同様なしかし本発明の
ものでない鉄球を含む吸収材では、比重は、5.1、即
ち本発明吸収材の11〜13倍となるであろう。このこ
とは、本発明の粒子上の金属は、非常に効率的に用いら
れていること、即ち、それは本発明吸収材の約0.01
%(重量基準)に過ぎないが、鉄球を含む本発明のもの
でない吸収材の約92%(重量基準)である。
【0034】吸収材料12は非導電性である。即ち、そ
れは高DC抵抗率を持つ。この抵抗率が低過ぎると、吸
収材12は事実上導電性シートとなる。これは電波を吸
収する代わりに反射する。例えば、鉄の抵抗率は室温で
約10-5Ω・cmである。一般に絶縁物は抵抗率が1012
Ω・cmで以上である。層を形成した極小球の体積添加が
60%の吸収材料12の試料を測定すると抵抗率は室温
で2×108 Ω・cmより大きく、これら導電性でない
ことを示した。
【0035】随意の導電性材料18として、どんな導電
性材料であっても適当である。吸収材料12は、これを
導電性材料18の上に押出し、前者を硬化させることに
より、導電性材料18に結合させてもよい。多数の熱可
塑性バインダー、特にポリ塩化ビニル、ポリアミド及び
ポリウレタンは押出が適している。導電性材料18は図
1に示されている平坦なシートの代りに電線又はケーブ
ルであってもよい。押出しの代替としては、接着剤の使
用及び正しい場所への流延を含む工程を含む。
【0036】本発明のどの態様においても、吸収材の入
射媒体(通常空気)に対するインピーダンス整合をする
ことが好ましいが、必須ではない。インピーダンスマッ
チングは、入射電磁波の吸収層への伝達を最大にする材
料によりなされる。図1の態様において、随意のインピ
ーダンス整合材料16は、タイル10の成分として示さ
れている。インピーダンス整合材料16は吸収材料12
の電磁波入射側に結合されている。共押出しと接着剤の
使用は、これら材料の結合に適当な方法である。インピ
ーダンス整合材料16の寸法、重量及び他の性質は、完
全なタイル10の設計において考慮される。
【0037】適当なインピーダンス整合層16は、空気
で満たされた、からのガラス極小球を上述のポリマーバ
インダー材料中に埋め込んだもののような、捕捉された
大量の空気を持つポリマー材料の層である。例えば、適
当なインピーダンス整合材料は、5〜25容量%のタイ
プS60/10000“SCOTCHLITE”ブラン
ドのガラス極小泡をE.I duPont de Nemours Company に
より“NORDEL”のブランドのタイプ1440とし
て識別されるEPDM樹脂から作られるような合成ゴム
に分散したものからなる。
【0038】更に各ラミネート層がそれぞれ上述のよう
にして構成されたラミネート構造も可能である。例えば
1つのラミネート層は2重の層を持つガラス極小球を含
む吸収材であり、第2のラミネート層は2重の層を持つ
セラミック繊維を含む吸収材であり、第3のラミネート
層は2重の層を持つ無機薄片を含む吸収材であってもよ
い。好ましくは2〜5層が用いられる。ラミネート構造
の合計厚さは40cm程度の大きさであってよい。もっと
も、一般に各ラミネート層は上述の厚さ制限に適合する
として。ラミネート構造の使用によって複合構造の吸収
曲線を関心のある特定の周波数範囲及び帯域巾に「適
合」させうる。
【0039】本発明は図1に示した平坦シートの形であ
る必要はない。円柱状導体のためには、例えば、予め寸
法の決まった柔軟な円筒状さや型吸収材が伸び、割れ、
又は平坦なラミネートシートのラミネートのはがれの可
能性を最小にするために好ましい。この予備成形された
円筒状さやは、その長さに沿ってスリットし殆どゆがみ
なしに導体の廻りに包み(又は導体の長さ方向に滑り込
ませ)、次いでそのまま接着させる。スリットの端部に
より形成される合わせ目はシールさるべきである。
【0040】
【実施例】材料の正確な選択は、最終的に望まれる吸収
対周波数特性、及び必要な物理的応用にかかっている。
材料の選択は又、以下の実施例に示すように、吸収材を
組立てるに必要な手順と設備を指令する。
【0041】実施例1〜8 (亜酸化アルミニウム及びタングステンの層を持つガラ
ス泡)各例のバッチにおいて、200c.c.のタイプS6
0/10000“SCOTHLITE”ブランドのガラ
ス極小泡を325メッシュ(44μm)のふるいにかけ
た。ふるいを通過しなかった極小泡をメタノールに浮か
べ、浮かばなかったものは廃棄し、残りは空気中で乾燥
した。残った極小球は平均直径が70μmで、極小泡の
90%は50〜88μmで、平均表面積(BET法によ
り測定した)は、0.33m2 /gであった。
【0042】極小球は、米国特許No. 4,618,52
5(Chamberlain,et al)に教示された方法と本質的に同
じ方法で調製した。それらを真空室で転動させながら、
120分間タングステン蒸気でスパッタリングによりコ
ートした。このスパッタリングカソードは、水で冷却し
たサイズ12.7×20.3cmの長方形ターゲットであ
った。直流プレーナーマグネトロン法を用いたアルゴン
スパッタリングガス圧は0.53Paで、バックグラウ
ング圧は約1.33×10-3Paであった。第1表に各
例のバッチの各種パラメーターと結果を示す。
【0043】
【0044】散逸タングステン層の重量%は、各バッチ
の一部を希薄弗化水素酸に、適当なものとして、硝酸、
塩酸、又は硫酸を組合わせたものに溶解することにより
決定した。得られた溶液を誘導結合形高周波アルゴンプ
ラズマ原子発光分光法により分析した。
【0045】各タングステン層の平均厚さは金属の重量
%とコートされていない極小泡の比表面積とから次式で
計算した: t=(10×W)/(D×S) ここに t=平均層厚さ、nm W=層の重量% D=層材料の密度(タングステンでは19.3g/c
m3 ) S=極小球の表面積(m2 /g)
【0046】次いで各バッチをアルミニウムターゲット
を用いて同様の方法でスパッタリングをし、一方では、
室の中へ、粒子の付近へ、速度4.0cc/分で酸素を導
入した。これによって厚さ約2.0nmの非化学量論的酸
化アルミニウムの絶縁層を生じた。
【0047】この2重層を持った粒子を実験室のへらと
30mlビーカーとを用いてエポキシバインダー中へ手で
混合した。このバインダー材料は、Minnesota Mining a
nd Manufacturing Companyによって供給されているタイ
プ5“SCOTCHCAST”(商標)電気用樹脂であ
った。この製品は2部(重量基準)のビスフェノールA
のジグリシジルエーテルと1部(重量基準)の芳香油中
20重量%のジエチレントリアミンの溶液とからなる2
液形室温硬化エポキシである。この混合物を約10分間
真空下におき、混合しながらとり込まれた空気を除い
た。
【0048】樹脂中の粒子の体積添加は実施例1及び6
〜8については60%、実施例2〜5についてはそれぞ
れ50.0%、53.5%、57.0%、及び60.5
%であった。
【0049】これら混合物を、1mmのスペーサーを用い
て75×25mmの顕微鏡用スライドガラスの間に拡げ、
圧した。そして室温で12時間硬化させ、その後スライ
ドを取除いた。こうして硬化電波吸収材料の試料8つを
作った。
【0050】この硬化した複合物をスライドから取除
き、機械で平たい環状リングにした。各リングは外径が
7.0mm±0.0076mm、内径が3.5mm±0.00
76mm、厚さが約1mmであった。それらをHewlett-Pack
ard Model 8510A(商標)精密マイクロウェーブ測定装置
につながれた長さ6cmの同軸空気パイプの中に既知の位
置に0.1mmの精度で置いた。このリングを所定の位置
に保持するために用いた環状プラスチック基体は比誘電
率が2.58で、相対浸透率が1.00であった。
【0051】各リングについて0.1〜20.1GHz の
201段階モード測定を行なった。試料の伝達と反射の
測定は、入射周波数の関数としての試料の誘電率及び浸
透率の実及び虚の部分を計算するのに用いた。
【0052】実施例1についての計算された誘磁率と浸
透率の値を用いて図2を作った。この図は導電性グラウ
ンド層上の厚さ2.18mmの複合材料の層に垂直に入射
する電波の反射の大きさの予測を“A”に示す。この結
果は、約7.5〜20GHz の範囲にわたって少なくとも
5dBの、そして約9.5〜約11.5GHz の範囲にわた
って少なくとも10dBの、望みの広くて強い吸収反応を
予測している。
【0053】又、“B”に示すものは、複合材料へのイ
ンピーダンス整合層、特に誘電率2.6の均一な材料の
厚さ2.66mmの層を加えたときの有利な効果である。
吸収反応は両方広くなり、深くなり、約6.5〜20GH
z の範囲にわたって少なくとも5dBに、そして約7.5
〜20GHz にわたって少なくとも10dBになっている。
少なくとも15dBの吸収を示す2つの領域が予測されて
いる:第1は8〜12GHz で、約9GHz のところで最大
約30dB;そして第2は13〜19GHz で、約17GHz
のところで極所的最大20dB超。
【0054】実施例9〜11 (二酸化珪素及び二珪化モリブデンの層を施したガラス
泡)下記のことを除き実施例1〜8の手順に従い、下記
の結果を得た:
【0055】(1)ガラス極小泡を400メッシュ(3
8μm)のふるいにかけた。ふるい上に残ったものは平
均直径が45μmであり、極小泡の90%は33〜64
μmであり、平均表面積は0.46m2 /gであった。 (2)この極小泡を、速度110nm/分、印加電力0.
8kWで、二珪化モリブデン(密度6.31g/cm3 )の
蒸気でスパッタリングによりコートした。
【0056】(3)散逸MoSi2 層の重量%は0.4
9%であった。 (4)各MoSi2 層の平均厚さを計算すると1.7nm
であった。 (5)次いで、実施例9〜11について、各バッチを2
時間、それぞれ200℃、300℃、及び400℃で加
熱した。これにより二酸化珪素の電気的絶縁層を形成し
た。 (6)樹脂中の体積添加は各実施例9〜11について6
0%であった。
【0057】計算した誘電率対周波数曲線の定性的検査
をしたところ、実施例9と10のカーブの間に性能の差
異が殆ど又は全く見られなかった。しかしながら、実施
例11のカーブによって、前記電磁波領域にわたって一
様に各部分について約2のファクターだけ誘電率の有意
な低下(実部及び虚部の両方)が示された。我々は、こ
の性能低下は、二珪化モリブデンの二酸化珪素への過度
の酸化が電磁波の吸収に役立つ二珪化モリブデンの量
効果的に減少させたことによるものと、信じている。
【0058】しかし、誘電率の過度に大きい実部を有す
る材料は、材料表面が入射電波の過度の反射を示しう
る。これら3つのケースの全てにおいて、誘電率の虚部
の大きさは、実部の大きさの少なくとも1/10であ
り、2〜20GHz の範囲の全てではないにしても充分に
大きく、許容しうる吸収性能を示していた。従って、結
局、我々は実施例9−11の各々は適当な吸収材であろ
うと信ずる。
【0059】実施例12 (亜酸化アルミニウムとタングステンの層を施したマイ
カフレーク)下記のことを除き実施例1〜8の手順に従
い、下記の結果を得た:
【0060】(1)200HKとして識別され、Suzori
te Mica Products,Inc. から入手したマイカフレークを
用いた。この製品は75μm以下の粒子を含み、密度が
2.9g/cm3 、平均表面積2.8m2 /gである。 (2)このマイカフレーク(460g)を印加電力1.
1kWで、180分間、タングステン蒸気でスパッタリン
グによりコートした。
【0061】(3)散逸タングステン層の重量%は1.
7%であった。 (4)各タングステンの平均厚さを計算すると0.3nm
であった。 (5)次いで、このタングステンでコートしたマイカフ
レークを亜酸化アルミニウムでその厚さが約2μmとな
るまでコートした。 (6)樹脂中の粒子の体積添加は15%であった。計算
による浸透率対周波数曲線の定性的検査をしたところ、
許容しうる吸収性能を示した。
【0062】実施例13 (亜酸化アルミニウムとタングステンの層を施した微粉
砕したラスファイバー)下記のことを除き実施例1〜
8の手順に従い、下記の結果を得た。
【0063】(1)“FIBERGLAS”として識別
され、Owens Corning Company から得た微粉砕したグラ
スファイバーを用いた。この製品は直径16μm、長さ
約1〜300μmであった。これらは密度が2.56g
/cm3 、平均表面積0.17m2 /gである。 (2)このグラスファイバー(202g)を印加電力
0.5kWで、135分間、タングステン蒸気でスパッタ
リングによりコートした。
【0064】(3)散逸タングステン層の重量%は0.
45%であった。 (4)各タングステンの平均厚さを計算すると1.2nm
であった。 (5)次いで、このタングステンでコートしたマイカフ
レークを亜酸化アルミニウムでその厚さが約2μmとな
るまでコートした。 (6)樹脂中の粒子の体積添加は33%であった。計算
による浸透率対周波数曲線の定性的検査をしたところ、
許容しうる吸収性能を示した。
【0065】
【発明の効果】本発明の1つの態様は室温で抵抗率が2
×108 Ω・cmより大きい非導電性電磁波吸収材料であ
る。この材料は複数の散逸粒子とこの粒子がその中に分
散している誘電性バインダーを含み、前記散逸粒子のい
ずれもが核粒子の表面に位置し、厚さ0.3〜10nmの
無機材料で作られた超薄電磁波散逸性層を有する当該核
粒子を含み、前記散逸性層の上に絶縁層が横たわってい
る。電磁波はこの材料に吸収されて、電流と抵抗熱とを
生じる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明吸収材料の1例の断面図。
【図2】入射した電磁波の周波数の関数としての、本発
明の2つの例の表面に垂直に入射した電磁波の計算され
た反射の大きさのグラフ。
【符号の説明】
11…散逸性粒子 12…吸収材料 13…核粒子 14…誘電性バインダー材料 15…散逸性層 16…インピーダンス整合材料 17…絶縁層 18…導電材料
フロントページの続き (72)発明者 グレン コンネル アメリカ合衆国,ミネソタ 55144− 1000,セント ポール,スリーエム セ ンター(番地なし) (72)発明者 ウイリアム チャールズ テイト アメリカ合衆国,ミネソタ 55144− 1000,セント ポール,スリーエム セ ンター(番地なし) (56)参考文献 特開 昭63−182600(JP,A) 特開 平1−278095(JP,A) 特開 昭63−12198(JP,A) 米国特許3721982(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 9/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の散逸粒子及びその中に該散逸粒子
    が分散されている誘電性バインダーを含み、室温で抵抗
    率が2×108 Ω・cmより大きな非導電性電磁波吸収材
    料において、前記散逸粒子のいずれもが次のものを含む
    前記吸収材料: (a)核粒子; (b)該核粒子の表面に位置し、厚さ0.3〜10nmの
    無機材料で作った超薄電磁波散逸性層;及び (c)前記散逸性層の上に横たわる絶縁層。
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