JP3002015B2 - リフロー装置の温度制御方法 - Google Patents
リフロー装置の温度制御方法Info
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- JP3002015B2 JP3002015B2 JP3145824A JP14582491A JP3002015B2 JP 3002015 B2 JP3002015 B2 JP 3002015B2 JP 3145824 A JP3145824 A JP 3145824A JP 14582491 A JP14582491 A JP 14582491A JP 3002015 B2 JP3002015 B2 JP 3002015B2
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- heating chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリフロー装置の温度制御
方法に係り、詳しくは基板に奪われるヒータの熱量を迅
速に補うための温度制御方法に関する。
方法に係り、詳しくは基板に奪われるヒータの熱量を迅
速に補うための温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リフロー装置は、加熱室内にヒータ、フ
ァン、コンベアを配設して構成されており、このコンベ
アにより電子部品が実装された基板を搬送しながら、電
子部品を基板に接着する半田の加熱処理を行っている。
ァン、コンベアを配設して構成されており、このコンベ
アにより電子部品が実装された基板を搬送しながら、電
子部品を基板に接着する半田の加熱処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加熱室へ送られる基板
の温度は、朝昼、夏冬、冷寒地温暖地などの外的環境に
よって変化する。すなわち、朝、冬、冷寒地においては
基板の温度は低く、また昼、夏、温暖地においては基板
の温度は高い。したがって基板の温度が低い場合には、
加熱室の温度を上げ、また基板の温度が高い場合には、
加熱室の温度を下げる必要がある。ところが従来は、こ
のような外的環境による基板温度の高低を考慮しないで
加熱室の温度プロファイルを設定し、ヒータを運転して
いたため、基板の温度が低い場合には、熱量不足により
半田の加熱処理は充分に行われず、また基板の温度が高
い場合には、加熱室の温度が上がり過ぎて、半田は過度
溶融しやすいという問題点があった。
の温度は、朝昼、夏冬、冷寒地温暖地などの外的環境に
よって変化する。すなわち、朝、冬、冷寒地においては
基板の温度は低く、また昼、夏、温暖地においては基板
の温度は高い。したがって基板の温度が低い場合には、
加熱室の温度を上げ、また基板の温度が高い場合には、
加熱室の温度を下げる必要がある。ところが従来は、こ
のような外的環境による基板温度の高低を考慮しないで
加熱室の温度プロファイルを設定し、ヒータを運転して
いたため、基板の温度が低い場合には、熱量不足により
半田の加熱処理は充分に行われず、また基板の温度が高
い場合には、加熱室の温度が上がり過ぎて、半田は過度
溶融しやすいという問題点があった。
【０００４】そこで本発明は、基板の温度を考慮しなが
ら、半田の加熱処理を良好に行うための手段を提供する
ことを目的とする。
ら、半田の加熱処理を良好に行うための手段を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半田により電
子部品が実装された基板を加熱室内を搬送しながら、こ
の加熱室に設けられたヒータの温度を制御して、上記半
田の加熱処理を行うリフロー装置の温度制御方法であっ
て、上記加熱室へ入る上記基板の初期温度を温度センサ
で検出し、この検出温度に基づいて上記ヒータの温度制
御を行うものである。
子部品が実装された基板を加熱室内を搬送しながら、こ
の加熱室に設けられたヒータの温度を制御して、上記半
田の加熱処理を行うリフロー装置の温度制御方法であっ
て、上記加熱室へ入る上記基板の初期温度を温度センサ
で検出し、この検出温度に基づいて上記ヒータの温度制
御を行うものである。
【０００６】
【作用】上記構成において、加熱室へ入る基板の初期温
度を温度センサで検出し、この検出温度に基づいて基板
に奪われるヒータの熱量を前もって求め、所望の温度プ
ロファイルが得られるようにヒータの温度を制御するこ
とで、基板の温度を考慮しながら、半田の加熱処理を良
好に行うことができる。
度を温度センサで検出し、この検出温度に基づいて基板
に奪われるヒータの熱量を前もって求め、所望の温度プ
ロファイルが得られるようにヒータの温度を制御するこ
とで、基板の温度を考慮しながら、半田の加熱処理を良
好に行うことができる。
【０００７】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【０００８】図１はリフロー装置の側面図である。１は
加熱室であり、その内部にはヒータ２、ファン３が配設
されている。４は加熱室１内に配設されたコンベヤであ
って、電子部品Ｐが実装された基板Ｓを搬送する。５は
搬入用コンベヤ、６は搬出用コンベヤ、７は加熱室１の
入口部、８はその出口部、９は入口部７に設けられた入
口シャッタ、１０はその出口部８に設けられた出口シャ
ッタである。
加熱室であり、その内部にはヒータ２、ファン３が配設
されている。４は加熱室１内に配設されたコンベヤであ
って、電子部品Ｐが実装された基板Ｓを搬送する。５は
搬入用コンベヤ、６は搬出用コンベヤ、７は加熱室１の
入口部、８はその出口部、９は入口部７に設けられた入
口シャッタ、１０はその出口部８に設けられた出口シャ
ッタである。
【０００９】１１はチッソガス供給手段であり、また１
２は電磁弁であって、チッソガス供給手段１１と加熱室
１を連結する管路１３の途中に設けられている。電磁弁
１２を開閉することで、チッソガス供給手段１１のチッ
ソガスが管路１３を通して加熱室１に供給される。
２は電磁弁であって、チッソガス供給手段１１と加熱室
１を連結する管路１３の途中に設けられている。電磁弁
１２を開閉することで、チッソガス供給手段１１のチッ
ソガスが管路１３を通して加熱室１に供給される。
【００１０】１４は放射温度計などの温度センサであ
り、上記入口部７の外側上方に設けられて、加熱室１へ
入る基板Ｓの初期温度を検出する。
り、上記入口部７の外側上方に設けられて、加熱室１へ
入る基板Ｓの初期温度を検出する。
【００１１】１５はコンピュータなどの制御部であっ
て、温度センサ１４で得られた検出データに基づいて上
記ヒータ２の温度制御を行う。また、この制御部１５で
は電磁弁１２の開閉制御も行われる。
て、温度センサ１４で得られた検出データに基づいて上
記ヒータ２の温度制御を行う。また、この制御部１５で
は電磁弁１２の開閉制御も行われる。
【００１２】本装置は、上記のような構成より成り、次
に動作を説明する。図１において、搬入用コンベア５か
らコンベア４に移送された基板Ｓは、加熱室１に入る直
前に温度センサ１４により加熱室１に入る前の初期温度
が測定され、その検出データに基づいて制御部１５は各
ヒータ２を制御する。このため、朝昼、夏冬、冷寒地温
暖地などの外的環境によって基板Ｓの初期温度が変化し
ても、この基板Ｓの初期温度のデータに基づいて基板Ｓ
に奪われるヒータ２の熱量を前もって求め、所望の温度
プロファイルＴが得られるようにヒータ２の温度を制御
して、半田の加熱処理を行うことができる。
に動作を説明する。図１において、搬入用コンベア５か
らコンベア４に移送された基板Ｓは、加熱室１に入る直
前に温度センサ１４により加熱室１に入る前の初期温度
が測定され、その検出データに基づいて制御部１５は各
ヒータ２を制御する。このため、朝昼、夏冬、冷寒地温
暖地などの外的環境によって基板Ｓの初期温度が変化し
ても、この基板Ｓの初期温度のデータに基づいて基板Ｓ
に奪われるヒータ２の熱量を前もって求め、所望の温度
プロファイルＴが得られるようにヒータ２の温度を制御
して、半田の加熱処理を行うことができる。
【００１３】また、入口部７に基板Ｓが到達すると、入
口シャッタ９が開いて基板Ｓは加熱室１内を移送され、
この途中で温度制御されたヒータ２により半田が加熱処
理される。次いで、基板Ｓが加熱室１の出口部８に到達
すると、出口シャッタ１０が開き、基板Ｓは加熱室１の
外へ出て、搬出用コンベア６により搬出される。
口シャッタ９が開いて基板Ｓは加熱室１内を移送され、
この途中で温度制御されたヒータ２により半田が加熱処
理される。次いで、基板Ｓが加熱室１の出口部８に到達
すると、出口シャッタ１０が開き、基板Ｓは加熱室１の
外へ出て、搬出用コンベア６により搬出される。
【００１４】ところで、このリフロー中には、チッソガ
ス供給手段１１から加熱室１へ常時一定量のチッソガス
が供給されている。しかし、この加熱室１内には、基板
Ｓに付着して、または出入口シャッタ９、１０の開閉に
伴って予定外の酸素が流れ込み、酸素濃度が次第に高く
なってチッソガスが不足する場合がある。このため、制
御部１５は、この基板Ｓに付着して加熱室１に流れ込む
酸素量と、出入口シャッタ９、１０の開閉に伴って加熱
室１に流れ込む酸素量を基にして、電磁弁１２の開閉を
制御して、これらの酸素量に見合う分のチッソガスの補
充供給を行っている。このようにすることで、加熱室１
のチッソガス濃度を常時一定に保持することができる。
なお、基板Ｓに付着する酸素の量や、出入口シャッタ
９、１０の１回の開閉により加熱室に侵入する酸素の量
は、実験的に簡単に求めることができる。
ス供給手段１１から加熱室１へ常時一定量のチッソガス
が供給されている。しかし、この加熱室１内には、基板
Ｓに付着して、または出入口シャッタ９、１０の開閉に
伴って予定外の酸素が流れ込み、酸素濃度が次第に高く
なってチッソガスが不足する場合がある。このため、制
御部１５は、この基板Ｓに付着して加熱室１に流れ込む
酸素量と、出入口シャッタ９、１０の開閉に伴って加熱
室１に流れ込む酸素量を基にして、電磁弁１２の開閉を
制御して、これらの酸素量に見合う分のチッソガスの補
充供給を行っている。このようにすることで、加熱室１
のチッソガス濃度を常時一定に保持することができる。
なお、基板Ｓに付着する酸素の量や、出入口シャッタ
９、１０の１回の開閉により加熱室に侵入する酸素の量
は、実験的に簡単に求めることができる。
【００１５】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、例えばリフロー装置が配設されている部屋の室
温を温度センサにより測定して、そのデータに基づいて
制御部によりヒータの加熱温度を制御してもよい。これ
は、リフローが行われる前の基板は、通常、その基板が
置かれている環境温度、すなわち上記室温とほぼ同一温
度と見なせるためである。
はなく、例えばリフロー装置が配設されている部屋の室
温を温度センサにより測定して、そのデータに基づいて
制御部によりヒータの加熱温度を制御してもよい。これ
は、リフローが行われる前の基板は、通常、その基板が
置かれている環境温度、すなわち上記室温とほぼ同一温
度と見なせるためである。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半田によ
り電子部品が実装された基板を加熱室内を搬送しなが
ら、この加熱室に設けられたヒータの温度を制御して、
上記半田の加熱処理を行うリフロー装置の温度制御方法
であって、上記加熱室へ入る上記基板の初期温度を温度
センサで検出し、この検出温度に基づいて上記ヒータの
温度制御を行うものであるため、朝昼、夏冬、冷寒地温
暖地などの外的環境によって基板の初期温度が変化して
も、この基板の初期温度のデータに基づいて基板に奪わ
れるヒータの熱量を前もって求め、所望の温度プロファ
イルが得られるようにヒータの温度を制御することで、
基板の温度を考慮しながら、半田の加熱処理を良好に行
うことができる。
り電子部品が実装された基板を加熱室内を搬送しなが
ら、この加熱室に設けられたヒータの温度を制御して、
上記半田の加熱処理を行うリフロー装置の温度制御方法
であって、上記加熱室へ入る上記基板の初期温度を温度
センサで検出し、この検出温度に基づいて上記ヒータの
温度制御を行うものであるため、朝昼、夏冬、冷寒地温
暖地などの外的環境によって基板の初期温度が変化して
も、この基板の初期温度のデータに基づいて基板に奪わ
れるヒータの熱量を前もって求め、所望の温度プロファ
イルが得られるようにヒータの温度を制御することで、
基板の温度を考慮しながら、半田の加熱処理を良好に行
うことができる。
【図１】リフロー装置の側面図である。
【符号の説明】 １ 加熱室 ２ ヒータ １４ 温度センサ Ｐ 電子部品 Ｓ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 1/008,31/02 H05K 3/34
Claims (3)
- 【請求項１】半田により電子部品が実装された基板を加
熱室内を搬送しながら、この加熱室に設けられたヒータ
の温度を制御して、上記半田の加熱処理を行うリフロー
装置の温度制御方法において、上記加熱室へ入る上記基
板の初期温度を温度センサで検出し、この検出温度に基
づいて上記ヒータの温度制御を行うことを特徴とするリ
フロー装置の温度制御方法。 - 【請求項２】上記加熱室に入る基板の温度を温度センサ
で検出して基板の初期温度とすることを特徴とする請求
項１記載のリフロー装置の温度制御方法。 - 【請求項３】リフロー装置が設置された部屋の室温を温
度センサで検出して基板の初期温度とすることを特徴と
する請求項１記載のリフロー装置の温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145824A JP3002015B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | リフロー装置の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145824A JP3002015B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | リフロー装置の温度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04371365A JPH04371365A (ja) | 1992-12-24 |
| JP3002015B2 true JP3002015B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=15393978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145824A Expired - Fee Related JP3002015B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | リフロー装置の温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002015B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002325897A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Heiwa Corp | 遊技機製造用化粧シート貼付装置 |
| JP4685992B2 (ja) | 2007-01-23 | 2011-05-18 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ付け装置及びはんだ付け方法並びにはんだ付け用プログラム |
| JP6209842B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-10-11 | 千住金属工業株式会社 | 基板加熱装置及びはんだ付装置 |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP3145824A patent/JP3002015B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04371365A (ja) | 1992-12-24 |
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