JP2996212B2 - 位置検出装置及びマーク検出方法 - Google Patents

位置検出装置及びマーク検出方法

Info

Publication number
JP2996212B2
JP2996212B2 JP9231591A JP23159197A JP2996212B2 JP 2996212 B2 JP2996212 B2 JP 2996212B2 JP 9231591 A JP9231591 A JP 9231591A JP 23159197 A JP23159197 A JP 23159197A JP 2996212 B2 JP2996212 B2 JP 2996212B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
light
beams
wafer
interference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9231591A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10103919A (ja
Inventor
和哉 太田
伸貴 馬込
英夫 水谷
宏一郎 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9231591A priority Critical patent/JP2996212B2/ja
Publication of JPH10103919A publication Critical patent/JPH10103919A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2996212B2 publication Critical patent/JP2996212B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の位置をナノ
・メータ(nm)の分解能で検出するセンサを有する位
置検出装置に関し、特に半導体素子製造用の露光装置
(ステッパー、アライナー等)に好適な位置検出装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子製造のリソグラフィ工
程では、レチクルパターンを高分解能でウエハ上に転写
する装置として、ステップ・アンド・リピート方式の縮
小投影型露光装置(ステッパー)が多用されるようにな
っている。この種のステッパーでは半導体素子の高集積
化に伴って、露光光の短波長化や高開口数(N.A.)の投
影レンズの開発が行われ、最近ではウエハ上での解像線
幅がサブ・ミクロン(0.5〜0.7μm程度)に達してい
る。このような高解像パターンを転写するには、その解
像力に見合ったアライメント(重ね合わせ)精度が必要
で、例えばアライメント系の検出分解能を高めることに
よって、アライメント精度を向上させることが考えられ
ている。
【0003】この高分解能なアライメント系としては、
例えば特開昭61−215905号公報に開示されたよ
うに、ウエハ上に形成された1次元の回折格子マークに
対して2方向からコヒーレントな平行ビームを照射する
ことによって回折格子マーク上に1次元の干渉縞を作
り、この干渉縞の照射によって回折格子マークから発生
する回折光(干渉光)の強度を光電検出する方式が提案
されている。
【0004】この開示された方式には、2方向からの平
行ビームに一定の周波数差を与えるヘテロダイン法と、
周波数差のないホモダイン法とがある。ホモダイン法で
は回折格子マークと平行に静止した干渉縞が作られ、位
置検出にあたっては回折格子マーク(物体)をそのピッ
チ方向に微動させる必要があり、マーク位置は干渉縞を
基準として求められる。これに対してヘテロダイン法で
はレーザビームの周波数差(ビート周波数)のために、
干渉縞がその縞方向(ピッチ方向)にビート周波数で高
速に流れることになり、マーク位置は干渉縞を基準とし
て求められず、専ら干渉縞の高速移動に伴う時間的な要
素(位相差)を基準として求めることになる。
【0005】例えば、ヘテロダイン法では周波数差を与
えることにより、ウエハ上の回折格子マークからの干渉
光をビート周波数で強度変調させて検出した光電信号
(光ビート信号)と、2本の送光ビームから別途作成さ
れた参照用干渉光の光ビート信号との位相差(±180
°以内)を求めることで、格子ピッチPの±P/4以内
の位置ずれを検出するものである。ここで、格子ピッチ
Pを2μm(1μmのラインアンドスペース)とし、位
相差計測の分解能が0.5°程度であるものとすると、
位置ずれ計測の分解能は、(P/4)・(0.5/18
0)≒0.0014μmとなる。このような方式のマー
ク位置検出は極めて高分解能であるため、従来のマーク
位置検出に比べて1桁以上高いアライメント精度が得ら
れるものと期待されている。
【0006】ところで、この種のアライメント系では、
格子ピッチPと干渉縞のピッチP’との間にP=m・
P’(m=1,2,・・・)なる関係式が成立するよう
に、正確に2本のレーザビームの交差角を調整すると共
に、格子配列方向に対する2本のレーザビームの主光線
を含む平面とウエハ面との交線の回転誤差を略零、即ち
干渉縞と格子とを正確に平行に設定しないと、高分解能
であることの利点が十分に生かされず、アライメント精
度が低下し得るという問題があった。そこで、従来では
2本のレーザビームの交差角を変化させながら格子マー
クからの干渉光を光電検出する。しかる後、干渉光強度
が最大となる交差角を求めて2本のレーザビームの交差
角を調整することによって、上記関係式を満足するよう
に格子ピッチPに対して干渉縞のピッチP’が正確に設
定される。一方、2本のレーザビームの主光線を含む平
面とウエハ面との交線の回転誤差に関しては、回折格子
マーク(ウエハ)と干渉縞とを相対的に回転させなが
ら、順次格子マークからの干渉光を光電検出する。そし
て、干渉光強度が最大となるように、格子マークと干渉
縞とを相対回転させることにより上記回転誤差を略零に
している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の如
き従来の技術においては、回折光強度(即ち、光ビート
信号の電圧)の最大値を検出すること、即ち山登り法に
よって、2本のレーザビームの交差角や回転誤差の計測
及び調整を行っている。一般に、山登り法では最大値に
おける信号変化の傾き(感度)が零であるといった本質
的な問題がある。さらに、電気的なレベルをモニターし
て交差角や回転誤差を算出するので、ノイズ等の影響を
受け易く十分な計測精度を得ることができないという問
題点もあった。
【0008】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、高精度、高速にアライメント用の2本
のレーザビームの交差角(干渉縞ピッチ)及び相対回転
誤差の計測、調整を行うことができる位置検出装置を得
ることを目的としている。また、このような光学的な計
測において、さらに高精度な計測結果を得ることを目的
とする。
【0009】
〔作 用〕
本発明では、例えば基板上に形成される回折格子からの
回折光強度に応じた光電信号(光ビート信号)の位相情
報を複数個用いて、検出光と回折格子との位置関係(2
本のレーザビームの交差角や回転誤差)を算出するた
め、計測精度の低下を防止することができる。
【0010】また、レーザ干渉計を使って基板の位置を
計測するとともに、複数回のマーク検出を行っているの
でより一層計測精度を向上させることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1実施例による
位置合わせ装置の概略的な構成を示す平面図であって、
特にステッパーにおいて投影レンズの外側に固定される
オフ・アクシス方式のウエハ・アライメント系に好適な
例を示している。図1に示すように、レーザ光源1は所
定波長の直線偏光(例えば、P偏光)のアライメント用
照明光(レーザビーム)LBを発生し、ビームLBは1
/4波長板2を介して、偏光軸を約45°回転させた偏
光ビームスプリッター(PBS)3に至り、ここでほぼ
同一光量となるようにP偏光ビームとS偏光ビームとに
波面分割される。レーザ光源1としては、ウエハ上に形
成されるレジスト層に対してほとんど感度を持たない波
長、例えば波長633nmのHe−Neレーザを光源と
することが望ましい。
【0012】さて、PBS3で反射されたS偏光ビーム
は、ミラー4を介して周波数シフターとしての第1音響
光学変調器5(以下、単にAOM5と呼ぶ)に入射し、
PBS3を通過したP偏光ビームは、第2音響光学変調
器6(以下、単にAOM6と呼ぶ)に入射する。AOM
5は周波数f1 の高周波信号SF1 でドライブされ、そ
の周波数f1 で決まる回折角だけ偏向された1次光をビ
ームLB1 として出力する。一方、AOM6は周波数f
1 であるビームLB1 との差周波数がΔfとなるように
周波数f2 (f2 =f1 −Δf)の高周波信号SF2
ドライブされ、同様にその周波数f2 で決まる回折角だ
け偏向された1次光をビームLB2 として出力する。
【0013】ここで、AOM5,6から射出するビーム
のうち+1次光以外の射出ビームは、適当な位置に配置
されたスリット9,11によって遮光される。また、ド
ライブ周波数f1 ,f2 と差周波数Δfとの関係は、f
1 ≫Δf、f2 ≫Δfであることが望ましく、Δfの上
限は光電検出器23,31の応答性によって適宜定めら
れる。本実施例ではAOM5,6のドライブ周波数
1 、f2 を、例えば80.000MHz、79.97
5MHzとし、その周波数差Δfを25KHzと低く設
定するため、2つのAOM5,6での1次回折光の回折
角は共に等しくなる。尚、P偏光ビーム及びS偏光ビー
ムの周波数シフターとして、AOMの代わりに光導波路
を用いても構わない。
【0014】AOM5とスリット9との間にはレンズ7
と1/2波長板8とが設けられており、AOM5により
周波数f1 に変調されて射出したS偏光のビームLB1
は1/2波長板8の作用によりP偏光に変換された後、
アライメント系の瞳面若しくはその近傍に配置される半
面ビームスプリッター(HBS)14に入射する。一
方、AOM6により周波数f2 に変調されて射出したP
偏光のビームLB2 は、レンズ10及びビームLB2
進行方向に所定角度だけ傾斜して配置され、その傾斜角
を任意に調整できるように設けられる平行平面ガラス1
2a,12bを通った後、ミラー13で反射されてHB
S14に入射する。
【0015】尚、平行平面ガラス12aを傾斜させてビ
ームLB2 を微小量だけシフトさせると、後述するアラ
イメント系の瞳面Ep(ビームウエスト位置)において
ビームLB2pのスポットがウエハマークWMの格子配列
方向(本実施例ではX方向)に移動し、ビームLB1p
LB2pの各スポットの間隔、即ちビームLB1p,LB 2p
の交差角θを調整することが可能となる。一方、平行平
面ガラス12bを傾斜させると、瞳面Epにおいてビー
ムLB2pのスポットが格子配列方向と略垂直な方向(Y
方向)に移動し、ビームLB1p,LB2pの両主光線を含
む面のZ軸回りの回転調整が可能となる。尚、2枚の平
行平面ガラス12a,12bの代わりに、1枚の平行平
面ガラスをビームLB2 の進行方向に対して2次元的に
傾斜可能に配置すれば、同様に瞳面Epでのスポットの
位置を調整することができる。
【0016】HBS14は、接合面の半分に全反射ミラ
ーMAを蒸着したものであって、ここにビームLB2
入射させることでほぼ100%の光量で反射させ、ビー
ムLB1 は接合面の透明部をそのまま透過する。この
際、HBS14はビームLB1,LB2 を完全に同軸に
合成するのではなく、所定量だけ間隔をあけるようにビ
ームLB1 ,LB2 を互いに平行に合成する。これによ
って2本のビームLB1,LB2 の主光線は互いに平行
になると共に、アライメント系の光軸AXを挟んで対称
的に位置するようになる。
【0017】また、HBS14から主光線を平行にして
射出した2本のP偏光ビームLB1(周波数f1 )とL
2 (同f2 )とは共にミラー15で反射された後、ア
ライメント系の瞳空間に配置されて、光軸AXに対して
傾斜可能に設けられた平行平面ガラス16a,16bに
入射する。さらにミラー17で反射された後、1/2波
長板18の作用により偏光方向を約45°回転させられ
て偏光ビームスプリッター(PBS)19に達する。P
BS19においてビームLB1 は周波数f1 のP偏光ビ
ームLB1pとS偏光ビームLB1sとに波面分割され、ビ
ームLB2 は周波数f2 のP偏光ビームLB2pとS偏光
ビームLB2sとに波面分割される。ここで、平行平面ガ
ラス16a,16bの少なくとも一方を傾斜させると、
アライメント系の瞳面EpにおいてビームLB1p,LB
2pの各スポットの間隔は一定のまま、各スポットが1次
元又は2次元的に移動し、ビームLB1p,LB2pの2等
分線となる2ビームの主光線のアライメント系の光軸A
Xに対する傾き(以下、簡単にテレセン傾きと呼ぶ)を
調整することが可能となる。
【0018】さて、PBS19で反射される2本のS偏
光ビームLB1s(周波数f1 )とLB2s(同f2 )と
は、瞳を像面に変換するレンズ系(逆フーリエ変換レン
ズ)20を介して、装置上で固定されている参照用回折
格子21に異なる2方向から平行光束となって所定の交
差角θで入射し結像(交差)する。光電検出器23は2
分割受光素子を有し、例えば参照用回折格子21を通過
したビームLB1sの0次光と、これと同軸に進むビーム
LB2sの+1次回折光との干渉光、及びビームLB1s
−1次回折光と、これと同軸に進むビームLB2sの0次
光との干渉光を、それぞれ独立に受光(光電変換)す
る。それら2つの干渉光の強度に応じた正弦波状の光電
信号は不図示のアンプによって加算され、この結果得ら
れる光電信号SRは、ビームLB1s,LB2sの差周波数
Δfに比例した周波数となり、光ビート信号となる。こ
こでは、参照用回折格子21の格子ピッチは、ビームL
1s,LB2sによって作られる干渉縞のピッチP’と等
しくなるように定められている。尚、光電検出器23は
上記2つの干渉光を同一受光面上で受光し、この受光面
上で加算された干渉光の強度に応じた光電信号を出力す
るものであっても良い。以上のように構成すれば、参照
用回折格子21と光電検出器23との間隔を短くするこ
とができるといった利点がある。
【0019】一方、PBS19を通過した2本のP偏光
ビームLB1p(周波数f1)とLB2p(同f2)とは、レン
ズ24により所定角度だけ傾いた平行光束となり、ウエ
ハWと共役な位置に配置された視野絞り25で一度交差
した後、レンズ26に入射する。さらに、それらビーム
LB1p,LB2pは偏光ビームスプリッター(PBS)2
7を通り、1/4波長板28により円偏光に変換された
後、アライメント用のテレセントリックな対物レンズ2
9に入射する。この際、対物レンズ29の瞳面Ep、若
しくはその近傍において、ビームLB1P、LB2Pは一度
スポット状に集光し、各スポットは瞳中心(光軸AX)
を挟んでほぼ対称となって瞳面Epを通過する。対物レ
ンズ29を射出したビームLB1p,LB2p(円偏光)
は、図2にも示すようにウエハマークWMの格子配列方
向(X方向)に関して光軸AXを挟んで互いに対称的な
角度で傾いた平行光束となって、ウエハマークWM上に
異なる2方向から交差角θで入射し結像(交差)する。
【0020】尚、本実施例では視野絞り25の矩形状開
口の大きさを固定として用いるが、視野絞り25にはビ
ームLB1p,LB2pにより作られる干渉縞に対して傾い
たエッジを有する、例えば菱形或いは平行四辺形状の開
口を形成することが望ましい。また、ビームLB1p,L
2pのウエハ上での交差角θは大きくとも対物レンズ2
9の射出(ウエハ)側の開口数(N.A.)を越えること
はない。さらに、瞳面Epにおいて光軸AXを挟んで略
点対称となるように形成されるビームLB1p,LB2p
各スポットを結ぶ直線の方向と、ウエハマークWMの格
子配列方向(X方向)とは略一致している。
【0021】また、ウエハWはウエハステージWS上に
載置され、モータ34によりステップ・アンド・リピー
ト方式でX、Y方向に2次元移動するように構成されて
いる。ウエハステージWSの位置はレーザ干渉計35に
よって、例えば0.01μm程度の分解能で常時検出さ
れる。さらに、ウエハステージWSの端部には、レーザ
干渉計35からのレーザビームを反射する平面鏡(移動
鏡)36が固定されている。また、ウエハステージWS
上には2本のビームLB1p,LB2pの交差角θ(干渉縞
ピッチP')及び回転誤差ωの調整のために使用される回
折格子状のフィデューシャル・マークを備えた基準部材
(ガラス基板)33が、例えばウエハWの表面位置と略
一致するように設けられている。基準部材33にはフィ
デューシャル・マークとして光反射性のクロム層で凸凹
により形成された回折格子マーク(デューティは1:
1)33a,33bが設けられている。
【0022】図3は回折格子マーク33a,33bの概
略的な構成を示す図であって、共にY方向に伸びた複数
本のバーパターンを、例えば8μmピッチでX方向に配
列したものである。回折格子マーク33aは2本のレー
ザビームLB1p,LB2pの交差角θの調整に使用される
もので、図3(A)に示すように2本のビームLB1p
LB2pの照明領域(干渉縞の形成領域)LA(X方向の
長さW)に比べて、格子配列方向である計測方向(X方
向)に関する寸法が短くなる、換言すればバーパターン
の本数が少なくなるように形成される。ここではバーパ
ターンの本数を3本とすること以外は、実際に露光処理
工程で使用されるウエハマークWMと同一ピッチ、寸法
である。一方、回折格子マーク33bは2本のビームL
1p,LB2pの回転誤差ωの調整に使用されるもので、
図3(B)に示すように照明領域LA(Y方向の長さ
H)に比べて、非計測方向(Y方向)に関する寸法が短
くなるように形成される。格子マーク33bでは非計測
方向の寸法を短く設定すること以外は、先に述べたウエ
ハマークWMと同一ピッチ、寸法、及び本数である。
【0023】さて、ビームLB1p,LB2pが所定の交差
角θでウエハマークWM上に入射すると(図2)、ビー
ムLB1p,LB2pが交差している空間領域内で光軸AX
と垂直な任意の面内(ウエハ面)には、格子ピッチPに
対して1/m倍(mは整数)のピッチP'(本実施例で
はP'=P/2)で1次元の干渉縞が作られることにな
る。この干渉縞はX方向にビームLB1p,LB2pの差周
波数Δfに対応して移動(流れる)ことになり、その速
度Vは、V=Δf・P’なる関係式で表される。
【0024】従って、ビームLB1p,LB2p(円偏光)
が照射されると、マークWMからは光軸AX上に沿って
進行する±1次回折光(干渉光)BTLが発生し、この
干渉光BTLは干渉縞の移動によって明暗の変化を周期
的に繰り返すビート波面を持つ。干渉光BTLは、再び
対物レンズ29を通って光軸AXに沿って進行し、1/
4波長板28によりS偏光に変換されて偏光ビームスプ
リッター27で反射された後、対物レンズ29の瞳面E
p(又はリレーした後の共役面)に配置された空間フィ
ルター30を介して光電検出器31により受光される。
光電検出器31は干渉光BTLの強度に応じた光電信号
SDを発生し、この光電信号SDは干渉縞の明暗変化の
周期に応じた正弦波状の交流信号(ビート周波数、以下
光ビート信号と呼ぶ)SDとなって位相検出系32に出
力される。
【0025】位相検出系32は光電検出器31からの光
ビート信号SDと、参照信号として光電検出器23から
出力される光ビート信号SRとを入力し、図4に示すよ
うに光ビート信号SRを基準とした光ビート信号SR、
SDの波形上の位相差Δψを求める。この位相差Δψ
(±180゜)は、ウエハマークWMの±P/4内の位
置ずれ量に一義的に対応しており、その位置ずれ量ΔX
(又はΔY)を次式により算出する。
【0026】
【数1】
【0027】ここで、ウエハマークWMのピッチPを8
μmとし、位相検出系32の位相検出の分割能が0.2
゜であるものとすると、位置ずれの計測分解能は0.0
022μmにもなる。実際にはノイズ等の影響も受ける
ため、実用的な計測分解能は0.01μm(位相で0.
9゜)程度になる。この検出方式は所謂ヘテロダイン方
式であり、ウエハの位置設定誤差が±P/4の範囲内で
あれば、静止状態であっても高分解能で位置ずれ(参照
用回折格子21に対するずれ)を検出できるものであ
る。
【0028】また、主制御装置MCSは位相検出系32
からの位相差情報(位置ずれ量)とレーザ干渉計35か
らの位置情報とに基づいてモータ34をサーボ制御し、
ウエハWを所定位置に位置決めする他、位相差情報から
2本のビームLB1p,LB2pの交差角θ(干渉縞ピッチ
P')や回転誤差ωを算出し、これら演算値に応じて平行
平面ガラス12,16に所定の駆動指令を出力する。
【0029】次に、本実施例の動作について説明する。
まず、2本のビームLB1p,LB2pの交差角θ、即ち干
渉縞ピッチP’の計測、調整動作について述べる。さ
て、ビームLB1p,LB2pが照射されると(図2)、ウ
エハマークWM上には図5(A)に示すような干渉縞
(図中斜線内が暗縞)が発生し、この干渉縞はマークW
Mに対してX方向にビームLB1p,LB2pの差周波数Δ
fに対応した速度Vで流れる。この際、ビームLB1p
LB2pの交差角θと格子ピッチPとの間に以下に示す関
係式(2)が成立する時、格子マークからの±1次回折
光は同一方向に発生すると共に、干渉縞ピッチP’は正
確に格子ピッチPの半分になる(図5(A))。但し、
ビームLB1p,LB2pの波長をλとする。
【0030】
【数2】
【0031】ところが、交差角θが上記(2)式を満足
しないと、干渉縞ピッチP’はP/2でなくなるので図
5(B)のようになって、±1次回折光の発生方向が異
なって位置ずれ計測精度が低下し得る。そこで、主制御
装置MCSはモータ34によりウエハステージWSを駆
動し、基準部材33、即ち回折格子マーク33aをビー
ムLB1p,LB2pの照射位置まで移動して照明領域LA
内の右端に設定する(図6(A))。しかる後、ビーム
LB1p,LB2pをマーク33aに照射し、光電検出器3
1はマーク33aからの干渉光BTLを受光して光ビー
ト信号を位相検出系32に出力する。これによって、位
相検出系32は参照信号としての光ビート信号SRに対
する位相差ψ1 を求めて記憶する。次に、ウエハステー
ジWSを駆動して照明領域LA内で格子マーク33aを
X方向にLx(Lx<W)だけ移動し(図6(B))、
同様の動作でマーク33aからの干渉光の光ビート信号
を位相検出系32に出力する。そして、位相検出系32
は参照用の光ビート信号SRに対する位相差ψ2 を求め
る。尚、移動距離LxはLx=n・P/2=n・P’
(nは自然数)と表される。ここで、干渉縞ピッチP’
が正確に格子ピッチPの半分となっていれば、上記2つ
の状態で得られた光ビート信号間の相対位相差(ψ2
ψ1)は零となる。しかしながら、実際にはP’≠P/
2であるため、位相検出系32は2つの光ビート信号間
の相対位相差(ψ2−ψ1)を求め、この位相差情報を主
制御装置MCSへ出力する。この際、位相検出系32に
おいて参照用の光ビート信号SRを用いず、上記2つの
状態で得られる光ビート信号を直接比較して上記相対位
相差(ψ2−ψ1)を求めても構わない。そして、主制御
装置MCSはこの位相差情報及び距離Lxに基づいて、
次式から干渉縞ピッチP’を算出する。
【0032】
【数3】
【0033】次に、主制御装置MCSは(3)式から求
めた干渉縞ピッチP’に基づいて平行平面ガラス12a
の傾斜角、及び平行平面ガラス12aの回転に伴って発
生するビームLB1p,LB2pのテレセン傾きを補正する
平行平面ガラス16aの傾斜角を算出する。しかる後、
平行平面ガラス12aを駆動し、瞳面Epにおいてビー
ムLB2pのスポットをX方向に移動させることで、ビー
ムLB1p,LB2pの各スポットの間隔を調整する。さら
に、平行平面ガラス16aを駆動し、ビームLB 1p,L
2pの各スポットの間隔を一定に保ったまま、各スポッ
トが瞳中心(光軸AX)を挟んで略対称となるようにX
方向に移動させ、ビームLB1p,LB2pのテレセン傾き
を補正する。この結果、ビームLB1p,LB2pの交差角
θの調整が完了し、対物レンズ29の射出側でビームL
1p,LB2pのテレセン傾きが生じることなく、正確に
干渉縞ピッチP’が格子ピッチPの半分に設定されるこ
とになる。
【0034】ここで、上述した干渉縞ピッチP’の計測
再現性σP は、光ビート信号(位相ψ)の計測再現性σ
ψにより一義的に決定されるものであって、以下の
(4)式のように表される。
【0035】
【数4】
【0036】また、計測再現性σψはウエハステージW
Sの位置決め精度や位置計測精度、及び光ビート信号の
位相検出精度等によって支配され、特にレーザ干渉計3
5によるステージ位置の計測精度による影響が最も大き
い。レーザ干渉計35の計測精度に大きな影響を与える
要因は空気の揺らぎである。しかしながら、この空気揺
らぎはランダムなものであるので、計測再現性σψは計
測回数Nの増加と共に1/√Nに減少することになる。
従って、スループット等を考慮して計測回数Nを決定し
てやれば、干渉縞ピッチP’の計測再現性σp について
必要に応じた精度で得ることができる。
【0037】また、本実施例ではビームLB1p,LB2p
の照明領域LA内で格子マーク33aをX方向にLxだ
け移動し、領域LA内の2点の各々で光ビート信号(位
相ψ)の検出を行うことによって、上記(3)式から干
渉縞ピッチP’を求めていた。このため、(3)式中の
n、即ち移動距離Lxをできる限り長く設定すれば、干
渉縞ピッチP’の計測精度を向上させることができる。
この際、照明領域LA内でビームLB1p,LB2pの波面
が平面でないと、照明領域LA内での干渉縞ピッチP’
が一様でなくなるため、上記実施例で述べたような2点
での計測では所望の計測精度を得ることができない。そ
こで、このような場合には照明領域LA内で格子マーク
33aを、例えば(P/2)ずつX方向に移動し、各位
置において上記実施例と同様の動作で光ビート信号の位
相検出を行うことにより、それら計測値を平均化した値
をもって干渉縞ピッチP’とすることが望ましい。尚、
本実施例では上記nを自然数としていたが、任意の値で
構わないことは言うまでもない。
【0038】次に、図7、図8を参照してビームL
1p,LB2pの回転誤差ωの調整動作について説明す
る。図7(A)に示すようにビームLB1p,LB2pの主
光線を含む平面38とウエハ面との交線37が計測方
向、即ち格子配列方向(X方向)に対して誤差角度ωだ
け回転していると、ビームLB1p,LB2pの干渉縞がウ
エハマークWM(直交座標系XY)に対して相対的に回
転し(図7(B))、これにより位置ずれ計測精度が低
下し得る。そこで、主制御装置MCSはモータ34によ
りウエハステージWSを駆動し、回折格子マーク33b
をビームLB1p,LB2pの照射位置まで移動して照明領
域LA内の上端に設定する(図8(A))。しかる後、
ビームLB1p,LB2pを格子マーク33bに照射し、光
電検出器31はマーク33bからの干渉光BTLを受光
して光ビート信号を位相検出系32に出力する。そし
て、位相検出系32は参照用の光ビート信号SRに対す
る位相差ψ3を求めて記憶する。次に、ウエハステージ
WSを駆動して照明領域LA内で格子マーク33bをY
方向にLy(Ly<H)だけ移動し(図8(B))、同
様の動作で干渉光BTLの光ビート信号を位相検出系3
2に出力する。そして、位相検出系32は光ビート信号
SRに対する位相差ψ4 を求め、2つの位置での光ビー
ト信号間の相対位相差(ψ4−ψ3)を求めて主制御装置
MCSへ出力し、主制御装置MCSはこの位相差情報及
び距離Lyに基づいて、次式から回転誤差ωを算出す
る。
【0039】
【数5】
【0040】次に、主制御装置MCSは(5)式から求
めた回転誤差ωに基づいて平行平面ガラス12bの傾斜
角、及び平行平面ガラス12bの回転に伴って発生する
ビームLB1p,LB2pのテレセン傾きを補正するための
平行平面ガラス16bの傾斜角を算出する。しかる後、
平行平面ガラス12bを駆動し、瞳面Epにおいてビー
ムLB2pのスポットをY方向に移動させると共に、平行
平面ガラス16bを駆動してビームLB1p,LB2pの各
スポットの間隔は一定のまま、各スポットが瞳中心を挟
んで略対称となるようにY方向に移動させる。この結
果、ビームLB1p,LB2pの回転調整が完了して、対物
レンズ29の射出側でビームLB1p,LB 2pのテレセン
傾きが生じることなく、ビームLB1p,LB2pの回転誤
差ωが略零に抑えられることになる。
【0041】ここで、回転誤差ωを補正するにあたって
平行平面ガラス12a,12bを同時に駆動すれば、瞳
面EpにおいてビームLB1p,LB2pの各スポットの間
隔を一定に保ったまま、ビームLB2pのスポットを移動
できるので、回転調整に伴うビームLB1p,LB2pの交
差角θを変化を防止することができる。同様に平行平面
ガラス16a,16bを同時に駆動すれば、より精度良
くテレセン傾きを補正することが可能となる。
【0042】また、先に述べた干渉縞ピッチP’の計測
と同様に、回転誤差ωの計測精度に関しても、スループ
ット等を考慮して計測回数Nを決定することにより必要
に応じた精度を得ることができる。さらに、(5)式か
ら明らかなように照明領域LA内での移動距離Lyをで
きる限り長く設定すれば、回転誤差ωの計測精度を向上
させることができる。また、照明領域LA内でビームL
1p,LB2pの波面が平面でないことが予想される場合
には、照明領域LA内で回折格子マーク33bを所定量
ずつY方向に移動し、上記実施例と同様の動作で光ビー
ト信号の位相検出を行って、それら計測値を平均化する
ことが望ましい。
【0043】以上の通り本実施例においては、ビームL
1p,LB2pによる照明領域LAの寸法(W,H)より
小さい回折格子マーク33a,33b(図3)を用いて
いたが、実際にはウエハマークWMと同等の大きさのウ
エハマークWMを用いても同様の効果を得ることができ
る。図9(A)に示すように干渉縞ピッチP’に関して
は、まずビームLB1p,LB2p(照明領域LA)でウエ
ハマークWMの一部(例えば、左端の3本のバーパター
ン)を照射し、マークFMからの干渉光の光ビート信号
を検出する。その後、ビームLB1p,LB2pがマークF
Mの一部(例えば、右端の3本のバーパターン)を照射
するようにマークFMをX方向に移動し、同様にマーク
からの干渉光の光ビート信号を検出する。そして、上記
実施例と同様の動作で2つの状態での光ビート信号の相
対位相差を求めることにより干渉縞ピッチP’を算出す
ることができる。一方、図9(B)に示すように回転誤
差ωに関しても、ビームLB1p,LB2p(照明領域L
A)に対してウエハマークWMのY方向へ移動させ、そ
の2つの状態での光ビート信号の相対位相差を求めるよ
うにすれば、同様に回転誤差ωを算出することができ
る。
【0044】また、上記(3)、(5)式から明らかな
ように、干渉縞ピッチP’及び回転誤差ωの計測精度は
移動距離Lx(係数n)、Lyが長い程良くなる。そこ
で、上記計測時とアライメント時とで照明領域LAの大
きさを変えられるように図1における視野絞り25を可
変とし、干渉縞ピッチP’の計測にあたっては照明領域
LAをX方向に広げ、回転誤差ωの計測にあたっては照
明領域LAをY方向に広げれば、より一層計測精度を向
上させることができる。
【0045】ここで、照明領域LAをX又はY方向に広
げることは、本実施例において計測精度を向上させる上
で有効であることは勿論のこと、従来の干渉光強度の最
大値をもって干渉縞ピッチP’や回転誤差ωを補正する
際にも有効である。何故なら、照明領域LA(視野絞り
25の開口)を大きくすると、瞳面Epにおいてスポッ
ト状に集光するビームLB1p,LB2pのビーム径が小さ
くなる。つまり、瞳面Ep上での干渉光BTLのビーム
径も小さくなって、わずかな干渉縞のピッチずれや回転
誤差ωであっても、瞳面Ep、即ち光電検出器31の受
光面上でマークからの干渉光のみを分離し易くなる。以
上のことから、光ビート信号のコントラストの変化が顕
著になるため、従来の計測法でも有効となる。尚、干渉
縞のピッチずれや回転誤差ωが大きいと予測される場合
には、予め従来の計測法により粗調整しておき、しかる
後上記実施例で述べた方法により微調整すれば、より効
率的な調整を行うことができる。
【0046】また、本実施例では交差角θや回転誤差ω
を調整するための平行平面ガラスをビームLB2 の光路
中のみに配置していたが、ビームLB1 の光路中にも平
行平面ガラスを配置して構わない。この場合、ビームL
1 , LB2 の各光路中の平行平面ガラスの傾き角を独
立に制御するように構成すれば、図1中に示したテレセ
ン傾きを補正するための平行平面ガラス16a,16b
が不要になるのは明らかである。さらに、平行平面ガラ
ス12a,12bはレーザ光源1から対物光学系29ま
での光路中であればどこに配置しても良く、平行平面ガ
ラス16a,16bはレーザ光源1からウエハWまでの
光路中であればどこに配置しても構わない。また、先に
述べたAOM5,6の少なくとも一方を、その偏向原点
が瞳共役位置若しくはその近傍となるように配置すると
共に、AOM5,6に印加するドライブ信号の周波数を
増減させるドライブ回路を設ける。そして、上記回転誤
差ω等に応じてドライブ信号の周波数を調整すれば、平
行平面ガラス12a,12bを設けずとも、AOM5,
6により交差角θや回転誤差ωの微調整を行うことがで
きる。特に交差角θ(干渉縞ピッチP')の調整に関して
は、例えばレンズ24の焦点距離を可変とし、その焦点
距離を調整するようにしても良い。一方、回転誤差ωの
調整に関してはビームLB1p,LB2pの光路中に配置さ
れるイメージローテータを回転させることとしても良
い。尚、上記実施例では交差角θ(干渉縞ピッチP')と
回転誤差ωのいずれを先に調整しても構わない。
【0047】また、ビームLB1p,LB2pによる照明領
域LAの形状や大きさを定める視野絞り25を可変とす
れば、上記交差角θや回転誤差ωの計測にあたってウエ
ハステージWSにより格子マーク33a,33bを移動
させずとも、上記実施例と同様の効果を得ることができ
る。例えば交差角θの計測にあたっては、図10(A)
に示すように照明領域LA内で静止したウエハマークW
Mのうち、右端側の一部(上記実施例に対応して3本の
バーパターン)のみを残して視野絞り25で遮光する。
次に、ウエハマークWMの左端側の一部(同様に3本の
バーパターン)のみを残して視野絞り25で遮光する
(図10(B))。以下、上記実施例と同様の動作で検
出した2つの状態での光ビート信号の各位相差からビー
ムLB1p,LB2pの交差角θを算出することができる。
一方回転誤差ωに関しても、図11(A)、(B)に示
すように可変視野絞り25によりウエハマークWMの遮
光を行えば良い。ここで、先の実施例での移動距離L
x,Lyとしては、照明領域LA内で遮光されないウエ
ハマークWMの重心位置の間隔を用いれば良い。また、
可変視野絞り25により遮光するマーク領域を所定量ず
つ順次X(又はY)方向にシフトさせていけば、上記実
施例と同様に多点計測による計測精度の向上が期待でき
る。尚、視野絞り25の可変機構としては、例えば4枚
の遮光プレートを機械的に駆動する方式、液晶素子やE
C(エレクトロクロミック)素子を用いる方式、若しく
は形状や大きさが異なる複数の開口部が形成されたター
レット板を回転させる方式等を採用して良い。
【0048】また、アライメント系の受光系を図12に
示すような構成とすれば、可変視野絞り25と同様の効
果を得ることができる。図12において、ウエハマーク
WMからの干渉光BTLは空間フィルター30及びレン
ズ40を介してハーフミラー41で分割(振幅分割)さ
れる。この2分割された干渉光BTLは、ウエハ共役面
内に配置された光分割器42、45でさらに2分割さ
れ、光電検出器43,44及び46,47により受光さ
れる。ここで、光分割器42はマーク像をX方向(計測
方向)に分割するように配置され、ビームLB1p,LB
2pの干渉縞ピッチP’の計測に使用される。一方、光分
割器45はマーク像をY方向(非計測方向)に分割する
ように配置され、ビームLB1p,LB2pの回転誤差ωの
計測に使用される。このような場合には、計測時に基準
部材33(回折格子マーク)や視野絞り25を駆動する
必要がなく、同時に2つの光ビート信号を検出できるの
で、調整時間を短縮することができる利点がある。
【0049】尚、ハーフミラー41を用いず、レンズ4
0の焦点(ウエハ共役面)若しくはその近傍に光分割器
を配置し、干渉光BTLの分割方向を切替可能に設けて
光電検出器を共有させても構わない。この光分割器とし
て可変視野絞りを用いれば、簡単に干渉光BTLの分割
方向の切替を行うことができ、且つ光電検出器を共有さ
せることもできる。さらに、先に述べた調整が終了した
後にアライメント(位置検出)を行う場合には、光電検
出器43,44(又は光電検出器46,47)のいずれ
か一方から出力される位相信号、若しくは両方から出力
される位相信号を加算したものを、上記光ビート信号S
Dとして用いれば良い。
【0050】さて、上記実施例ではオフ・アクシス方式
のアライメント系に好適な例について述べたが、本発明
は他の方式のアライメント系、例えばレチクル(マス
ク)の格子マークとウエハの格子マークとを用いて、直
接レチクルとウエハとの位置合わせを行うTTR方式の
アライメント系、或いはプロキシミティー方式のマスク
・ウエハアライメント系にも全く同様に適用できる。
【0051】図13はTTR方式のアライメント系を備
えたステッパーの概略的な構成を示す斜視図であって、
基本構成は先の実施例のもの(図1)と同一である。但
し、TTR方式では2方向からウエハマークWM又はレ
チクルマークRMを照射するビーム同志が相補的な偏光
状態(例えば、直交直線偏光、若しくは互いに逆回りの
円偏光)である点、及び受光系の構成に差異がある。
【0052】図13において、複屈折物質の平凸レンズ
とガラスの平凹レンズの凸面、凹面を貼り合わせた2焦
点素子を持つ対物レンズOBJは、周波数差Δfを与え
られた2本のビームBM1 、BM2 のうちP偏光ビーム
をレチクルマークRMに照射し、S偏光ビームをレチク
ルR上の窓RWと投影レンズPL(入射瞳Ep')とを介
してウエハマークWMに照射する。また、レチクルRの
上には露光光と2本のビームBM1 、BM2 との波長を
分離するダイクロイックミラーDCMが設けられる。レ
チクルR上の回路パターン領域の周辺は、一定幅の遮光
帯で囲まれており、その中に窓(透明部)RSを形成
し、さらに窓RSの約半分の部分に一次元の格子マーク
(レチクルマーク)RMを形成する。一方、ウエハW上
の各ショット領域SAの周囲のストリートライン(幅5
0〜100μm程度)中の対応する位置にはウエハマー
クWMが形成されている。
【0053】図14はTTR方式のアライメント系の受
光系の具体的な構成を示す斜視図であって、図1中に示
した部材と同じ機能、作用の部材には同一の符号を付し
てある。図14において、2本のP偏光ビームLB1p
LB2pは、1/2波長板50により両方の偏光成分(P
偏光、S偏光)を含むと共に、周波数差Δfを与えられ
たビームBM1 、BM2 となり、ビームスプリッター5
1を介して対物レンズOBJに入射することになる。図
14に示すように、レチクルマークRM若しくはウエハ
マークWMからの反射光は、対物レンズOBJを介して
ビームスプリッター51のところまで戻り、ここで反射
されてアフォーカル拡大リレー系52、53を通って空
間フィルター54に達する。反射光のうち0次光は、ビ
ームBM 1 、BM2 の主光線と全く同軸に戻り、±1次
回折光(干渉光)BTLの主光線はアライメント系の光
軸AXと同軸に戻る。空間フィルター54は0次光をカ
ットし、干渉光BTLを抽出するように、投影レンズP
Lの入射瞳Ep’とほぼ共役に配置されている。尚、空
間フィルター54の位置では干渉光BTLとして、レチ
クルマークRMからのものと、ウエハマークWMからの
ものとが、互いに相補的な偏光状態で同軸に存在する。
そこで、以下の説明を繁雑にしないために、レチクルマ
ークRMからの干渉光をBTLR とし、ウェハマークW
Mからの干渉光をBTLW とする。
【0054】さて、空間フィルター54により抽出され
た干渉光BTLR 、BTLW はミラー55で反射され、
結像レンズ(逆フーリエ変換レンズ)56を通って偏光
ビームスプリッター(PBS)57に達し、ここでS偏
光成分の干渉光BTLW は反射されて、像共役面に配置
された視野絞り58と集光レンズ59を介して光電検出
器60に受光される。一方、PBS57を透過したP偏
光成分の干渉光BTL R は、像共役面に配置された視野
絞り61と集光レンズ62を介して光電検出器63に達
する。尚、視野絞り58はウエハマークWMの大きさ及
び位置に合わせた開口を有し、視野絞り61はレチクル
マークRMの大きさ及び位置に合わせた開口を有する。
そして、光電検出器60からは周波数差Δfの周波数を
もつ光ビート信号SDW が出力され、光電検出器63か
らも周波数差Δfの周波数をもつ光ビート信号SDR
出力される。位相検出系32は2つの信号SDW 、SD
Rの位相差を求め、主制御装置MCSを上記位相差が略
零となるようにレチクルRとウエハWとを相対移動させ
て,レチクルパターンの投影像とショット領域SAとを
正確に一致させる。
【0055】上記構成の装置では、レチクルRが正確に
ステッパーに固定されていれば、2本のP偏光ビームB
1p、BM2pとレチクルマークRMの計測方向との回転
誤差ωR と、2本のS偏光ビームBM1s、BM2sとウエ
ハマークWMの計測方向との回転誤差ωW とはほぼ等し
い。従って、どちらか一方、例えば回転誤差ωW につい
て上記実施例と同様の動作で補正を行えば、それと同時
にレチクルR側の回転誤差ωR も略零になる。一方、ビ
ームBM1p、BM2pの交差角θR 及びビームBM1s、B
2sの交差角θW(即ち、干渉縞ピッチPR',PW')に関
しては、投影レンズPLが露光波長(g線、i線或いは
KrFエキシマレーザ)に応じて収差補正されているこ
とから、He−Neレーザ等を光源とするTTR方式の
アライメント系(図13)では色収差が発生し、例えば
ビームBM1p、BM2pの交差角θ R を調整しても、ビー
ムBM1s、BM2sの交差角θW が正確に設定されるとは
必ずしも言えない。そこで、TTR方式では上記実施例
と同様の動作でレチクルRとウエハWの各々で干渉縞ピ
ッチPR',PW' を計測し、例えばこれら計測値を平均化
した値をもってアライメント系の瞳面におけるビームL
1p、LB2pの各スポットの間隔を調整して交差角
θR ,θW の補正を行えば、上記実施例と同様の効果を
得ることができる。
【0056】ここで、ビームBM1p、BM2pの交差角θ
R 又はビームBM1s、BM2sの交差角θW の調整にあた
っては、ウエハステージWS上の基準部材33を用いて
干渉縞ピッチPW'のみを計測し、この値に応じてビーム
BM1s、BM2sの交差角θWを調整するだけでも構わな
い。この方法ではビームBM1p、BM2pの交差角θR
正確に設定されるとは限らないが、レチクルマークRM
では回折格子マークの部分的な光学的不整、例えばマー
クからの回折光強度の部分的なばらつきがほとんど生じ
ず、従ってレチクルR側の検出精度が低下することがな
いためである。尚、レチクルRにアライメント誤差が残
存している場合には、上記回転誤差ωRW に関しても
交差角θR,θWと全く同じことが生じるので、回転誤差
ωRWの補正においても先に述べた平均化処理等を行
うことが望ましい。また、レチクルマークRMとウエハ
マークWMとに照射する2本のビームBM1p、BM2p
偏光成分を同一(P偏光又はS偏光成分)としても良
く、この場合には受光系において両方の格子マークから
発生する干渉光の各々を像共役面で分離して光電検出し
てやれば良い。さらに、TTR方式では受光系の視野絞
り61を可変とし、マークRMからの干渉光BTLR
分割方向を切替可能に構成することが望ましい。これ
は、ビームBM1p、BM2pの交差角θR や回転誤差ωR
の計測にあたってレチクルRを駆動する際、レチクルR
の遮光帯によりウエハマークWMからの干渉光BTRW
が遮光され、両方のマークの計測を同時に行うことが困
難となってスループットが低下するためである。また、
新たに計測用の格子マークをレチクルRに配置すること
によるマーク形成領域の増大を防止するためでもある。
【0057】また、本発明によるアライメント系をプロ
キシミティー方式の露光装置に適用する場合、図15に
示すように対物レンズ29を射出したビームLB1P、L
2Pの各主光線が、マスクMsとウエハWとのプロキシ
ミティー・ギャップのほぼ中間で交差するように定めら
れている点のみに差異がある。ここで、プロキシミティ
ー・ギャップは露光装置の光源の種類、露光エネルギー
の照射系等によっても異なるが、一般的に10μm〜5
00μmの間に定めることが知られている。ギャップが
狭い場合は、2つのビームLB1P、LB2Pの交差領域
(光軸方向)内にマスクMsの格子マークRMとウエハ
Wの格子マークWMとが確実に存在するためあまり問題
にはならないが、ギャップを広く取る場合、その交差領
域内にマークRMとマークWMとが確実に存在するか否
かが問題になる。ところが、このことは、マスクMsに
達するビームLB1P、LB2Pの径を大きくするだけで容
易に解決し、交差領域の光軸方向の長さは比較的自由に
設定することができる。また、図13に示した2焦点光
学系(対物レンズOBJ)を採用しても上記問題を解決
でき、しかも対物レンズ29の焦点深度に関係なく、格
子マークRM,WMの像を同一面に結像させることがで
きる。
【0058】以上のことから、プロキシミティー方式の
露光装置においても、マークRMとマークWMの位置関
係を図13に示したTTR方式と同様にしておき、なお
かつ両マークの格子ピッチは同一にしておく。そして、
先に述べたTTR方式と全く同様にして、両方の格子マ
ークから発生する干渉光を各々像面で分離して光電検出
し、同様にその2つの光ビート信号の相対位相差を用い
て2本のビームLB1P、LB2Pの交差角θや回転誤差ω
を調整することが可能である。
【0059】また、本発明はヘテロダイン方式のアライ
メント系だけでなく、ホモダイン方式のアライメント系
に対しても有効であることは言うまでもない。ここで、
ホモダイン方式は格子マーク上で干渉縞は流れないの
で、この静止した干渉縞と格子マークとをその格子配列
方向に相対移動させ、例えば格子マークから発生する干
渉光の強度に応じた光電信号を、ウエハステージWSの
単位移動量(0.01μm)毎にレーザ干渉計から発生
するアップダウンパルス信号に同期してサンプリング
し、各サンプリング値をデジタル値に変換してメモリに
番地順に記憶させる。しかる後、2本のビームの回転誤
差ωに関しては先の実施例で述べたヘテロダイン方式と
同様の動作で、所定の演算処理により2つの状態(位
置)での正弦波状の光電信号の相対位相差を求めれば良
い。一方、2本のビームの交差角θ(干渉縞ピッチP')
に関しては2本のビーム(干渉縞)と格子マークとを1
回だけ相対移動させた後、例えば上記正弦波状の光電信
号の波形の長さ(距離)と設計値との差を求める、若し
くは光電信号の波形上で任意の2つのピーク値の間に存
在するピーク値の数、及びその間隔(距離)を求めれ
ば、より簡単に干渉縞ピッチを算出できる。尚、ホモダ
イン方式で特に2本のビームの交差角を計測する際に
は、例えば図9(A)中に示したウエハマークWMは使
えず、計測方向(格子配列方向)に関する長さが照明領
域LAの寸法Wより短い格子マーク(例えば、格子マー
ク33a等)を用いることが望ましい。
【0060】さらに、ウエハマークWMに照射する2本
のビームの偏光成分を異ならせてマーク上では干渉縞を
作らず、マークから光軸AXに沿って同軸に戻ってくる
P偏光ビームとS偏光ビームとを検光子(複屈折板)に
より干渉光にした後に光電検出する方式においても、2
本のビームの交差角や回転誤差の計測、調整を行う上で
本発明が有効であることは言うまでもない。
【0061】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板上に
形成された回折格子に2方向から照射する2本のビーム
の交差角、及び2本のビームと回折格子との位置関係
を、回折格子から発生する回折光の強度に応じた光電信
号の位相差情報から求めている。このため、電気的ノイ
ズ等によって回折光強度(即ち、光電信号の電圧)がば
らついても、上記交差角や回転誤差の計測精度は低下せ
ず、従って調整精度を向上させることができる。また、
ステージの位置決め及び位置計測の高精度化や多数回計
測により精度向上が可能である。さらに、回折格子に対
して2本のビームの照明領域(干渉縞の形成領域)を相
対的に大きくすることによって、より一層精度良く交差
角や回転誤差の計測・調整を行うことができる。
【0062】また、複数回の計測を行うことにより、空
気ゆらぎの影響を低減することができ、計測精度を向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の一実施例による位置合わせ装置
の概略的な構成を示す平面図
【図2】図2は基板上の格子マークに照射される2つの
ビームの様子を説明する図
【図3】図3は基準部材上に形成される回折格子マーク
(基準マーク)の概略的な構成の一例を示す図
【図4】図4は光電検出器から出力される参照用格子マ
ーク及び基板上の回折格子マークの各々からの干渉光の
強度に応じた光電信号(光ビート信号)を表す図
【図5】図5(A)、(B)は基板上の2つのビームの
交差角(干渉縞ピッチ)の計測動作の説明に供する図
【図6】図6(A),(B)は基板上の2つのビームの
交差角(干渉縞ピッチ)の計測動作の説明に供する図
【図7】図7(A),(B)は格子マークの格子配列方
向に対する2つのビームの主交線を含む面と基板面との
交線に沿った方向の回転誤差の計測動作の説明に供する
【図8】図8(A),(B)は格子マークの格子配列方
向に対する2つのビームの主交線を含む面と基板面との
交線に沿った方向の回転誤差の計測動作の説明に供する
【図9】図9(A),(B)は本発明の一実施例の変形
例の動作の説明に供する図
【図10】図10(A),(B)は本発明の一実施例の
変形例の動作の説明に供する図
【図11】図11(A),(B)は本発明の一実施例の
変形例の動作の説明に供する図
【図12】図12は本発明の一実施例における受光系の
変形例の一例を示す図
【図13】図13は本発明によるTTR方式のアライメ
ント系を備えた露光装置の概略的な構成を示す斜視図
【図14】図14は図13に示したTTR方式のアライ
メント系の受光系の具体的な構成を示す斜視図
【図15】図15は本発明によるアライメント系をプロ
キシミティー方式の露光装置に適用した様子を説明する
図である。
【符号の説明】
1〜11,13,14…ビーム発生手段、12a,12
b、16a,16b…平行平面ガラス、25…視野絞
り、29…対物レンズ、30…空間フィルター、31…
光電検出器、32…位相検出系、33…基準部材、33
a,33b…回折格子マーク(基準マーク)、Ep…瞳
面、W…ウエハ、WM…ウエハマーク、BTL…干渉
光、LA…照明領域、WS…ウエハステージ、AX…ア
ライメント系の光軸、MCS…主制御装置。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−262003(JP,A) 特開 昭62−58628(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 11/00 - 11/30

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ステージ上に載置された基板上に形成さ
    れたマークに検出光を照射し、該マークからの光を受光
    する検出手段と、前記ステージの位置を計測するレーザ
    干渉計とを有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前
    記基板の位置を検出する位置検出装置において、前記ステージ上に設けられ、基準マークが形成された基
    準部材と; 前記レーザ干渉計で前記ステージの位置を計測しながら
    前記検出手段によって前記基準マークを検出する動作を
    複数回実行する制御手段と; 前記複数回の検出結果に基づいて、前記検出光と前記基
    準マークとの相対位置に関する情報を 算出する演算手段
    とを備えたことを特徴とする位置検出装置。
  2. 【請求項2】前記検出手段は、前記マークを所定の交差
    角で2方向から照射する照射光学系を含むことを特徴と
    する請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】前記相対位置に関する情報は、前記マーク
    から発生する回折光の干渉光の位相情報であることを特
    徴とする請求項2記載の装置。
  4. 【請求項4】ステージの位置をレーザ干渉計を使って位
    置決めした状態で、該ステージ上に形成されたマークに
    検出光を照射し、該マークからの光を検出するマーク検
    出方法において、 前記マークに対して前記検出を複数回実行し、前記マー
    クの位置に関する情報を複数個得ること; 前記複数の位置に関する情報に基づいて、前記検出光と
    前記マークとの位置関係を検出すること; とを有することを特徴とするマーク検出方法。
  5. 【請求項5】前記マークに所定の交差角で2方向から2
    つのビームを照射することを特徴とする請求項4記載の
    方法。
  6. 【請求項6】前記マークの位置に関する情報は、前記マ
    ークから発生する回折光の干渉光の位相情報であること
    を特徴とする請求項5記載の方法。
  7. 【請求項7】前記位置関係は、前記2つのビームの前記
    マークに対する回転と、前記2つのビームの交差角との
    少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項5記載の
    方法。
JP9231591A 1997-08-27 1997-08-27 位置検出装置及びマーク検出方法 Expired - Fee Related JP2996212B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9231591A JP2996212B2 (ja) 1997-08-27 1997-08-27 位置検出装置及びマーク検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9231591A JP2996212B2 (ja) 1997-08-27 1997-08-27 位置検出装置及びマーク検出方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2071563A Division JP2893823B2 (ja) 1990-03-20 1990-03-20 位置合わせ方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10103919A JPH10103919A (ja) 1998-04-24
JP2996212B2 true JP2996212B2 (ja) 1999-12-27

Family

ID=16925926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9231591A Expired - Fee Related JP2996212B2 (ja) 1997-08-27 1997-08-27 位置検出装置及びマーク検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2996212B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102119984B1 (ko) * 2018-12-19 2020-06-05 주식회사 포스코 레이저 측정방법 및 레이저 측정장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10103919A (ja) 1998-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2893823B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置
JP2913755B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置
US5004348A (en) Alignment device
JP3128827B2 (ja) 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス
JP3033135B2 (ja) 投影露光装置及び方法
US5721607A (en) Alignment method and apparatus
US5568257A (en) Adjusting device for an alignment apparatus
US5585923A (en) Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means
JP3077176B2 (ja) 露光方法、装置、及び素子製造方法
JPH10267613A (ja) 位置測定装置
JP2996211B2 (ja) 位置検出装置及び方法
JPH0575044B2 (ja)
JP2808619B2 (ja) 位置合わせ装置,露光装置及び素子製造方法
JP2996212B2 (ja) 位置検出装置及びマーク検出方法
JP2814538B2 (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JP2803667B2 (ja) 露光方法
JP3265031B2 (ja) 表面形状検出方法および投影露光装置
JPH07283110A (ja) 走査露光装置
JP3031321B2 (ja) 投影露光装置及び方法
JPH09119811A (ja) 位置合わせ装置、露光装置及び露光方法
JP2683409B2 (ja) 位置合わせ装置
JPH0786131A (ja) 露光装置
JP2814521B2 (ja) 位置検出装置
JPH09250904A (ja) 位置検出装置
JPH11233438A (ja) 半導体装置の製造方法及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees