JPH0575044B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0575044B2
JPH0575044B2 JP60057890A JP5789085A JPH0575044B2 JP H0575044 B2 JPH0575044 B2 JP H0575044B2 JP 60057890 A JP60057890 A JP 60057890A JP 5789085 A JP5789085 A JP 5789085A JP H0575044 B2 JPH0575044 B2 JP H0575044B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
reference signal
light beams
phase difference
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60057890A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61215905A (ja
Inventor
Nobutaka Umagome
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP60057890A priority Critical patent/JPS61215905A/ja
Priority to US06/840,880 priority patent/US4710026A/en
Publication of JPS61215905A publication Critical patent/JPS61215905A/ja
Priority to US07/627,925 priority patent/USRE34010E/en
Publication of JPH0575044B2 publication Critical patent/JPH0575044B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は回折格子を用いたウエハやマスク等の
位置検出装置に関し、特にホログラフイツク・ア
ライメント法と呼ばれる位置合わせに好適な位置
検出装置に関する。
(発明の背景) 近年、半導体装置の微細化と高密度化は著しく
進み、半導体装置(特に超LSI)を製造する上で
必要なマスク(レチクル)とウエハの位置合わせ
(アライメント)も、より高精度に行なう必要が
生じてきた。その高精度化の1つの方法として、
例えば特開昭59−192917号公報に開示されたよう
なホログラフイツク・アライメント法と呼ばれる
ものが提案されている。この方法は、互いに等し
い周波数のコヒーレントな光を2方向から入射さ
せて、その2光束の干渉により得られる干渉縞に
対して、平行に配列するような回折格子を持つた
ウエハを、2光束の光路中に配置し、回折格子に
よつて反射、又は透過した光、あるいは回折光を
再度干渉させて、その干渉強度を光電検出した信
号に基づいて、2光束による干渉縞と回折格子と
の相対位置を検出するものである。この方法は別
の見方をすれば、2光束のうち一方の光束Aを回
折格子に照射したとき、特定の方向に発生した回
折光aと、他方の光束Bを回折格子に照射したと
き、その特定方向に発生した回折光bとの位相
が、回折格子と2光束との相対的な移動によつて
変化することによつて生じる回折光a,bの干渉
強度の変化を検出していることになる。このよう
な検出方法によれば、確かに高精度な位置検出が
可能であるが、実際の装置化にあたつては大きな
問題がある。それは、コヒーレントな2光束を発
生する光源の強度変化、2光束同志の強度比変
化、及び回折格子の不整等に起因した回折光a,
bの強度変化等がそのまま位置検出の誤差になる
ことである。光源の強度変化や、2光束同志の強
度比変化は装置の設計、製造時にかなりのところ
まで押えることができるが、経時的な変化に対し
ては、やはり誤差となつてしまう。また回折光
a,bの強度変化は回折格子の形状、表面状態等
に応じて生ずるので、装置側で対処することは困
難である。
さらに、2光束によつて作られた干渉縞とウエ
ハ上の回折格子とを相対的に移動させてみない
と、位置ずれに応じてレベル変化する光電信号が
得られない。これは干渉縞と回折格子とを相対的
に1周期程度動かすまでは正確な位置合わせがで
きないことを意味し、装置化した場合に、アライ
メント時間を根本的に短縮できないといつた欠点
を生じる。
(発明の目的) 本発明はこれらの欠点を解決し、光の強度変化
に関係なく高精度な位置検出ができるとともに、
2光束と回折格子とを相対的に移動させなくとも
1周期以内の位置ずれ量を検出することができる
位置検出装置を得ることを目的とする。
(発明の概要) 本発明は2光束に所定の周波数差をもたせ、回
折格子からの回折光a,b同志の干渉に光ビート
を発生させ、その光ビート信号と2光束の周波数
の差分の周波数をもつ基準信号との位相差を検出
する、所謂光ヘトロダイン干渉法を用いて、その
位相差から基板の位置を検出することを技術的要
点としている。
(実施例) 第1図は、本発明の第1の実施例による位置検
出装置の概略的な構成を示す図である。レーザ光
源1からのレーザ光LBは、2光束発生手段とし
ての音響光学変調器2に入射し、レーザ光LBの
平行な零次光10はミラー3で反射されてウエハ
等の基板4を斜めから照射する。音響光学変調器
2(以下単に光変調器2と呼ぶ)で周波数変調さ
れた光(+1次光)12は零次光10に対してあ
る角度だけ偏向され、基板4を斜めから平行光束
となつて照射する。光変調器2は、基準信号発生
手段としての発振回路6から周波数の基準信号
(変調信号)MSを入力して、変調光12の周波
数を零次光の周波数に対してだけ異ならせる。
基板4には図中紙面と垂直な方向に伸びた細長い
格子を、図中紙面内の左右方向に一定のピツチで
平行に形成した回折格子4aが設けられている。
そして零次光10と変調光12との干渉によつて
得られる干渉縞が、回折格子4aの格子と平行に
なるように、2つの光10,12を入射する。こ
のとき零次光10と変調光12とは周波数が異な
るため、2つの光束による干渉縞は基板4に対し
て静止しているのではなく周波数で流れてお
り、これが所謂光ビートである。尚、その干渉縞
のピツチと回折格子4aのピツチは整数倍の関係
に定められている。さて基板4は位置合わせのた
めのステージ5に載置されており、このステージ
5は図中紙面内の左右方向に、駆動モータ21に
よつて移動される。またステージ5の位置はレー
ザ光波干渉計等の測長器20によつて逐次検出さ
れる。
ところで零次光10を回折格子4aに照射する
と、いろいろな次数の回折光が、そぞれの回折角
で発生する。そのうち角度βで発生するある次数
の回折光11、を格子と平行なスリツトを有する
スリツト板7aを介してフオトマルチプライヤー
等の光電検出器7で受光する。角度βは零次光1
0と回折光11との成す角度である。同時に、変
調光12が回折格子4aを照射しているので、そ
れによつていろいろな次数の回折光がそれぞれの
回折角で発生する。光電検出器7は、そのうち角
度αで発生し、回折光11とほぼ同じ光路で進ん
でくるある次数の回折光13をスリツト板7aを
介して受光する。光電検出器7の受光面において
は、回折光11と13との干渉により明暗の変化
が生じるが、その明暗は光ビートの周波数、すな
わち基準信号MSの周波数で変化している。よ
つて光電検出器7の光電信号も周波数の正弦波
状の波形となる。その光電信号は増幅器9で増幅
された後、位相差検出手段としての位相差検出回
路8に入力する。位相差検出回路8は発振回路6
からの基準信号MSも入力して、基準信号MSに
対する光電信号の位相ずれを検出し、そのずれ量
に応じた位相差信号PDSを出力する。
主制御装置22は、その位相差信号PDSと測
長器20からの位置情報とを入力して、例えば位
相差信号PDSが零(位相ずれが零)になるよう
に駆動モータ21をサーボ制御する。これによつ
て基板4の一次元の位置合わせが行なわれる。
尚、位相差検出回路8としてはFM検波回路、フ
エーズメータ等がそのまま利用できる。また発振
回路6には発振周波数を変化させるための周波
数調整器30が接続されている。これは光変調器
2から射出する零次光10に対する変調光12の
偏向角を可変にして、角度αを調整するためであ
る。一般に回折格子のピツチ、コヒーレント光の
波長、及びコヒーレント光の入射角が決まつてし
まうと、発生する各次数の回折光の方向は一義的
に定まつてしまう。このためある次数の回折光1
3が、他方の回折光11と平行な光路に沿つて発
生し、スリツト板7aを正確に透過するとはかぎ
らない。そこで変調光12の入射角を微調するこ
とによつて、ある次数の回折光13が丁度回折光
11と平行になるように光学的な調整を行なうも
のである。
このように発振回路6の周波数を可変できる
ようにしておくと、後からの調整が自由にできる
ので、レーザ光源1,光変調器2、ミラー3、ス
リツト板7a等の光学部材の配置を厳密に定めて
製造する必要がなくなるといつた大きな利点があ
る。しかも各光学部材は機械的に動かす必要がな
いので、経時変化による誤差も発生しにくい。ま
た発振周波数の微調は、光電検出器7からの光
電信号の振幅(例えばピーク・トウ・ピーク)を
検出して、その値が最大となるようにすればよ
い。この場合、調整器30に光電信号の振幅を検
出する回路と、その振幅値の最大値を記憶する回
路と、発振周波数をある範囲内でスイープする回
路等を設け、例えば一回目の周波数スイープ時に
振幅の最大値を記憶し、二回目の周波数スイープ
時には、記憶された最大値と検出された振幅値と
を比較しつつ、両者が一致した時点でスイープを
停止してその周波数に固定するようにすれば、装
置を常に理想的な状態に自動設定(セルフセツ
ト)できる、という効果も得られる。
尚、第1図においては、変調光12と零次光1
0とが比較的大きな偏向角で分離されているよう
に示されているが、実際はそれ程大きな偏向角と
はならないので、ミラー等を用いて変調光12の
光路を折り曲げて第1図のような入射状態を作り
出すことになる。また、零次光10と変調光12
とはだけ周波数が異なるから、当然その波長自
体も両者で異なる訳であるが、両光束の波長の絶
対値に対する波長差分は極めて小さく(10-6
10-12程度)、ほとんど同一波長とみなすことがで
きる。
次に本実施例の動作を第2図a,b,cの各波
形図を参照して説明する。第2図aは基準信号
MSの波形図であり、第2図bは光電検出器7の
光電信号Iの波形図であり、ともに横軸は時間t
を表し、縦軸は各信号のレベルを表わす。先にも
述べたように、零次光10と変調光12とは周波
数だけ異なつているため、光電信号Iは所謂光
ビート信号となり、基準信号MSと相似な周波数
の正弦波形となる。基板4が2つの光束10,
12に対してある位置に停止しているとすると、
基準信号MSと光電信号Iとの位相差θは一定の
値になる。この位相差θは位相差検出回路8から
の位相差信号PDSのレベルによつてただちに求
まる。また基板4がステージ5によつて移動して
いると、位相差θはその移動量に比例して連続的
に変化する。もちろん位相差θとして検出できる
レンジは2πの範囲、位相ずれの方向を加味すれ
ば±πの範囲内である。第2図cは位相差信号
PDSの出力特性図であり、縦軸は信号PDSの出
力レベルを表わし、横軸は2つの光束10,12
と基板4との相対的な位置xを表わす。基板4を
2つの光束10,12に対して位置合わせする場
合は、予め公知のプリアライメント手段やグロー
バルアライメント手段によつて、位置合わせ誤差
が範囲LP(位相差で±π)内になるようにステー
ジ5を使つて粗位置決めを行なう。その範囲LP
は2つの光束10,12の波長をλとすると、次
式で表わされる。
LP=λ/(sinα+sinβ) 一例として、波長λを600nm(0.6μm)とし、
角度α,βをともに30°とすると、上記式より範
囲LPは0.6μmとなる。位置合わせの正確な位置
が位相差信号PDSの零点であるとすると、粗位
置決めの精度は±0.3μmが必要となる。もちろん
同じ波長であつても角度α,βがともに小さくな
ればなるほど、範囲LPは広がり、粗位置決めの
精度はゆるくなる。粗位置決めが終了したら、主
制御装置22は位相差信号PDSを読み込み、そ
の極性によりいずれの方向を、その大きさによつ
てずれ量を検出し、駆動モータ21を制御して位
相差信号PDSが零になるようにステージ5を微
動させる。あるいは位相差信号PDSが直線的に
変化することから、モータ制御回路のフイードバ
ツクループ内の誤差信号として直接位相差信号
PDSを取り込むようにしてもよい。この場合、
先の例で言えば、±0.3μmまでは測長器20の位
置情報に基づいて駆動モータ21を制御し、±
0.3μm以内になつたら、位相差信号PDSに基づい
て駆動モータ21を制御するように制御系を自動
的に切替えれば、ステージ5は位相差信号PDS
の零点にサーボロツクされるまで、自動的に移動
するとになる。このことは、オートアライメント
における高精度化と高速化とを両立できる点で有
効である。
以上本実施例においては一次元の位置合わせを
例にしたが、2次元の位置合わせを行なう場合
は、回折格子4aと直交する方向に伸びたもう1
つの回折格子を基板4に設け、同様に2方向から
異なる周波数の光束を照射すればよい。またスリ
ツト板7aのスリツトは回折格子4aの各格子と
平行になるように定めたが、スリツト以外にピン
ホールのような開口でもよい。さらに、スリツト
板7aと基板4との間に、回折格子4aの一部分
像をスリツト板7a上に拡大投影するような光学
系を設けてもよい。
次に本発明の第2の実施例を第3図を参照して
説明する。本実施例において先の第1図と同様の
部材については同じ符号をつけてある。本実施例
ではコヒーレント光源としてゼーマン効果を利用
したゼーマンレーザ光源40を用いる。レーザ光
源40からのゼーマンレーザLB′はP偏光とS偏
光との両方の波を含み、しかもP偏光とS偏光と
でわずかに周波数が異なる。
そのゼーマンレーザLB′は、ハーフミラー41
で2つに分割され、一方の透過光束はさらに偏光
ビームスプリツター42によつてP偏光10′と
S偏光12′とに分離される。P偏光10′はミラ
ー43,44で反射されて、基板4の回折格子4
aを斜めに照射する。S偏光12′はミラー45
で反射されて回折格子4aを斜めに照射する。こ
のP偏光10′とS偏光12′との入射条件等は第
1図の場合と同様であり、両光束10′,12′の
干渉によつて回折格子4a上では、光ビートの周
波数で干渉縞が流れていることがアナライザーを
用いると観察される。本実施例の場合、偏光を用
いるので、不図示ではあるがP偏光10′とS偏
光12′の夫々の光路中にアナライザーを設ける
か、又は回折格子4aと光電検出器7との間の光
路中にアナライザーを設ける必要がある。一方、
ハーフミラー41で反射したゼーマンレーザ
LB′はアナライザー46を透過した後フオトマル
チプライヤー47に入射する。アナライザー46
を通過した光は、ゼーマンレーザLB′のP偏光と
S偏光との周波数の差の周波数で強度変化するも
のとなる。そこでフオトマルチプライヤー47の
光電信号を増幅器48で増幅すると、第1図と同
様の基準信号MSが得られる。よつて位相差検出
回路8で基準信号MSと光電信号Iとの位相差を
検出すれば、基板4の相対位置が検出できる。本
実施例においては、ゼーマンレーザ光源40、偏
光ビームスプリツター42、ミラー43,44,
45によつて2光束発生手段を構成し、ハーフミ
ラー41、アナライザー46、フオトマルチプラ
イヤー47、増幅器48によつて基準信号発生手
段を構成する。
次に本発明の第3の実施例を第4図に基づいて
説明する。この実施例は2光束発生手段の変形例
であり、機械的に回転するラジアルグレーテイン
グ板50にレーザ光LBを入射させることにより、
周波数が微少量だけ異なる2つのコヒーレント光
束A,Bを得るものである。光束Aは第1図中の
零次光10と同等であり、光束Bは第1図中の変
調光12と同等である。このとき2つの光束A,
Bの周波数の差はラジアルグレーテイング板50
の回転速度、具体的にはラジアルグレーテイング
のレーザ光LBに対する移動速度に比例したもの
になる。従つて基準信号はラジアルグレーテイン
グ板50の回転を検出する速度センサー等から容
易に得られる。このように機械式に2光束を得る
場合は、2光束の周波数の差は多くても数十kHz
であるため、光電検出器7として、フオトマルチ
プライヤーよりも応答性の悪い半導体受光素子が
利用できるという利点もある。
またその他の変形例として、2つの同種の半導
体レーザをそれぞれの光束の発生手段としてもよ
い。一般に同種の半導体レーザといえども、少な
からず個々に特性のバラつきがあるため、そのレ
ーザ光同志は微少に周波数が異なることになる。
このバラつきを積極的に利用して2光束を得る訳
である。この場合、その周波数の差が一定でない
ことが考えられるので、それぞれの半導体レーザ
からの光束を夫々縦偏光と横偏光とにするポララ
イザーを設け、異なる偏光を与えられた2つの光
を1つの光束に合成した後、第3図に示したよう
なアナライザーに入射して、基準信号を得るよう
にする。
このようにすれば極めてコンパクトな位置検出
装置が得られる。ただし、半導体レーザの個々に
おいては、発振周波数が十分に安定で、モードジ
ヤンプ等がないものが必要である。
(発明の効果) 以上本発明によれば、2光束の周波数を異なら
せ、その差による光ビートを利用した、いわゆる
光ヘテロダイン干渉法を用いるため、基板の位置
が光電検出信号(ビート信号)と基準信号の位相
差で直接検出できる。位相差は電気的にかなりの
分解能で、かつ高精度に検出できる。このため、
光強度の変動によらず安定な位置合わせが可能と
なる。また2光束に対して基板を相対的に移動さ
せなくても、位置ずれ量が検出できるので、基板
の位置決め時に位相差信号を使つてシテージ等を
直接サーボ制御することができるとともに、位置
検知のために基板を予備的に移動させることが不
要となり、この結果、高精度と高速化とを両立さ
せたオートアライメントが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例による位置検出
装置の概略的な構成を示す図、第2図a,bは第
1図中の各信号の波形図、第2図cは位相差信号
の出力特性図、第3図は第2の実施例による位置
検出装置の概略的な構成を示す図、第4図は第3
の実施例による2光束発生手段の主要部の構成を
示す斜視図である。 主要部分の符合の説明、1……レーザ光源、2
……光変調器、4……基板、4a……回折格子、
5……ステージ、6……発振回路、7……光電検
出器、8……位相差検出回路、40……ゼーマン
レーザ光源、42……偏光ビームスプリツター。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 位置検出すべき基板に形成された回折格子
    に、異なる方向からコヒーレントな2光束を照射
    し、該2光束の夫々によつて前記回折格子から発
    生した回折光同志を干渉させ、その干渉強度を光
    電検出した信号に基づいて前記基板の位置を検出
    する装置において、 前記2光束の各周波数を所定の値だけ異ならせ
    て前記回折格子に照射する2光束発生手段と;該
    2光束の周波数の差に応じた周波数の基準信号を
    出力する基準信号発生手段と;該2光束の照射に
    よつて前記差に応じた周波数で強度変調された前
    記干渉のビート信号と前記基準信号との位相差を
    検出する位相差検出手段とを備え、該位相差に基
    づいて前記基板の位置を検出することを特徴とす
    る位置検出装置。 2 前記基準信号発生手段は、任意の周波数の
    基準信号を発生する発振回路を有し、 前記2光束発生手段は、コヒーレント光源から
    の光束と、前記発振回路からの基準信号とを入力
    して、周波数がだけ異なる2つの光束を射出す
    る光変調器を有することを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の装置。 3 前記2光束発生手段は、偏光方向によつて互
    いに異なる周波数を含むゼーマンレーザを入射し
    て、偏光によつて前記2光束に分離する偏光分離
    素子を有することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の装置。
JP60057890A 1985-03-22 1985-03-22 位置検出装置 Granted JPS61215905A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60057890A JPS61215905A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 位置検出装置
US06/840,880 US4710026A (en) 1985-03-22 1986-03-18 Position detection apparatus
US07/627,925 USRE34010E (en) 1985-03-22 1990-12-17 Position detection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60057890A JPS61215905A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 位置検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61215905A JPS61215905A (ja) 1986-09-25
JPH0575044B2 true JPH0575044B2 (ja) 1993-10-19

Family

ID=13068580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60057890A Granted JPS61215905A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 位置検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61215905A (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799325B2 (ja) * 1986-05-23 1995-10-25 日本電信電話株式会社 微小変位測定方法および微小変位測定装置
EP0313681A1 (en) * 1987-10-30 1989-05-03 Ibm Deutschland Gmbh Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment
JP2642392B2 (ja) * 1988-04-05 1997-08-20 株式会社東芝 Ttlアライメント装置
US5164789A (en) * 1990-11-09 1992-11-17 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for measuring minute displacement by subject light diffracted and reflected from a grating to heterodyne interference
US5488230A (en) * 1992-07-15 1996-01-30 Nikon Corporation Double-beam light source apparatus, position detecting apparatus and aligning apparatus
US6034378A (en) 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
JPH09320921A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nikon Corp ベースライン量の測定方法及び投影露光装置
AU3325500A (en) 1999-03-24 2000-10-09 Nikon Corporation Position determining device, position determining method and exposure device, exposure method and alignment determining device, and alignment determining method
US8693006B2 (en) 2005-06-28 2014-04-08 Nikon Corporation Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method
EP2458441B1 (en) 2010-11-30 2022-01-19 ASML Netherlands BV Measuring method, apparatus and substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3891321A (en) * 1972-08-21 1975-06-24 Leitz Ernst Gmbh Optical method and apparatus for measuring the relative displacement of a diffraction grid
JPS52154369A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Philips Nv Method of positioning mask pattern and apparatus therefor
JPS5938521A (ja) * 1982-08-25 1984-03-02 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 含窒素化合物含有ガスの焼却処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3891321A (en) * 1972-08-21 1975-06-24 Leitz Ernst Gmbh Optical method and apparatus for measuring the relative displacement of a diffraction grid
JPS52154369A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Philips Nv Method of positioning mask pattern and apparatus therefor
JPS5938521A (ja) * 1982-08-25 1984-03-02 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 含窒素化合物含有ガスの焼却処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61215905A (ja) 1986-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4710026A (en) Position detection apparatus
JP2893823B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置
US5369486A (en) Position detector for detecting the position of an object using a diffraction grating positioned at an angle
JP2658051B2 (ja) 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
JP3352249B2 (ja) 位置ずれ検出装置
KR100254024B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US5682239A (en) Apparatus for detecting positional deviation of diffraction gratings on a substrate by utilizing optical heterodyne interference of light beams incident on the gratings from first and second light emitters
KR19980018960A (ko) 투영 노광 장치(Projection exposure apparatus)
JPH03216519A (ja) 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ
JPH0575044B2 (ja)
US5448357A (en) Position detecting system for detecting a position of an object by detecting beat signals produced through interference of diffraction light
USRE34010E (en) Position detection apparatus
JPH0794969B2 (ja) 位置合せ方法及びその装置
JPH0749926B2 (ja) 位置合わせ方法および位置合わせ装置
JP2996211B2 (ja) 位置検出装置及び方法
US5164789A (en) Method and apparatus for measuring minute displacement by subject light diffracted and reflected from a grating to heterodyne interference
JP2814538B2 (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JPH07161611A (ja) 位置検出装置
JP2514699B2 (ja) 回折格子による位置ずれ検出方法および位置ずれ検出装置
JP2931082B2 (ja) 微小変位測定方法およびその装置
JPH09138110A (ja) 回折格子を用いた位置合わせ方法およびその装置
JPH06137814A (ja) 微小変位測定方法およびその装置
JP3095036B2 (ja) 回折格子を用いた位置ずれ量測定方法及びその装置
JP2694045B2 (ja) 回折格子を用いた位置合せ装置
JP2837532B2 (ja) 微小変位測定方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term