JP2985373B2 - コンパクトディスク基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性、成形性、転写
性、寸法安定性、反射膜の密着性に優れ、かつ複屈折が
小さく、光学特性に優れ、しかも優れた音質を与えるコ
ンパクトディスク基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンパクトディスクは、ポリカー
ボネート樹脂を射出成形して、コンパクトディスク基板
を得、これにアルミニウムなどの反射膜を蒸着やスパッ
タリングなどの方法で付着させて得ていた。しかしなが
ら、ポリカーボネート樹脂は、本来、光弾性係数が大き
く、成形された基板としては、複屈折が大きくなりやす
いという欠陥を有している。特に、斜入射の光に対する
複屈折が大きく、かつ音質に歪みが生じやすくなる欠点
を有しており、光学特性の優れたコンパクトディスク基
板が求められていた。

【０００３】一方、ノルボルネン系樹脂としては、特開
昭６０−１６８７０８号公報、特開昭６２−２５２４０
６号公報、特開昭６２−２５２４０７号公報などにみら
れるように、オレフィンとノルボルネン化合物もしくは
ジノルボルネン化合物とを共重合して得られる非晶性ポ
リオレフィン、非極性のノルボルネン化合物を開環重合
したのち、二重結合を水素化した化合物（特開平２−１
３３４１３号公報、特開昭６３−１４５３２４号公報、
特開昭６３−２６４６２６号公報など）、極性のノルボ
ルネン化合物を開環重合したのち、二重結合を水素化し
た化合物（特公昭５７−８８１５号公報、特開平１−２
４０５１７号公報など）が知られている。これらのノル
ボルネン系樹脂は、元来、耐熱性に優れ、光弾性係数が
ポリカーボネート樹脂に較べ一桁以上小さいので、光学
特性に優れているものである。ノルボルネン系樹脂を用
いたコンパクトディスクとしては、前記非晶性ポリオレ
フィンを基板樹脂として用いたものが知られているのみ
である。このものは、複屈折が小さいが、基板にクラウ
ド（くもりなどの外観不良）が生じやすい。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の課題を背景になされたもので、本来、優れた光学特
性と耐熱性を有するノルボルネン系樹脂を用い、音質が
よく、クラウドの発生がなく、かつ生産性の高いコンパ
クトディスク基板を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ノルボルネン
骨格を有する熱可塑性樹脂を、樹脂温度（Ｔｇ＋１０
０）℃〜３９０℃（ここで、Ｔｇは該熱可塑性樹脂のガ
ラス転移温度を示す。以下同じ）、金型温度（Ｔｇ−１
２０）℃〜（Ｔｇ−２０）℃、歪み速度１×１０² 〜３
×１０⁴ ／秒、かつ金型での冷却時間を２〜１５秒とし
て射出成形することを特徴とするコンパクトディスク基
板の製造方法を提供するものである。本発明のコンパク
トディスク基板の材料に用いられる熱可塑性樹脂は、そ
の繰り返し単位中にノルボルネン骨格を有するものであ
る。例えば、この熱可塑性樹脂としては、一般式（Ｉ）
〜（IV) で表されるノルボルネン骨格を含むものであ
る。

【０００６】

【化１】

【０００７】

【化２】

【０００８】

【化３】

【０００９】

【化４】

【００１０】〔式中、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、水素原
子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロ
ゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−
（ＣＨ₂ ）_n ＣＯＯＲ¹ 、−（ＣＨ₂ ）_n ＯＣＯＲ¹ 、
−（ＣＨ₂ ）_n ＯＲ¹ 、−（ＣＨ₂ ）_n ＣＮ、−（ＣＨ
₂ ）_n ＣＯＮＲ³ Ｒ² 、−（ＣＨ₂ ）_n ＣＯＯＺ、−
（ＣＨ₂ ）_n ＯＣＯＺ、−（ＣＨ₂ ）_n ＯＺ、−（ＣＨ
₂ ）_n Ｗ、またはＢとＣから構成された もしくは（多）環状アルキレン基を示す。ここで、
Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ⁴ は、炭素数１〜２０の炭化
水素基、Ｚはハロゲン原子で置換された炭化水素基、Ｗ
はＳｉＲ⁵ _p Ｆ_3-p （Ｒ⁵ は炭素数１〜１０の炭化水素
基、Ｆはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ⁶ または−ＯＲ
⁶ （Ｒ⁶ は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは
０〜３の整数を示す）、ｎは０〜１０の整数を示す。〕

【００１１】これらのノルボルネン骨格を有する熱可塑
性樹脂は、耐熱性に優れ、光弾性係数が小さいので、コ
ンパクトディスク基板として成形すると、複屈折が小さ
く、歪みが生じにくく、音質の優れたコンパクトディス
ク基板を提供することができる。これらの熱可塑性樹脂
を用いて射出成形してコンパクトディスク基板を成形し
たのち、反射膜としてアルミニウムや金などの金属を蒸
着やスパッタリングなどの手法で基板に付着させるが、
このときの金属の密着性の観点からみると、前記ノルボ
ルネン骨格のうち、Ａ〜Ｄのいずれか一方は、極性基で
あることが望ましい。また、得られるコンパクトディス
ク基板の強度の面や成形性の面から、本発明に使用され
る熱可塑性樹脂の分子量は、５，０００〜１００万、好
ましくは８，０００〜２０万である。また、これらのノ
ルボルネン骨格を有する熱可塑性樹脂には、成形性、離
型性、美観、耐久性の面から、種々の添加剤、例えば酸
化防止剤、着色剤、ブルーイング剤、耐候剤、離型剤、
可塑剤、耐摩耗剤、滑剤などを必要に応じて添加するこ
とができる。

【００１２】本発明において使用することのできるノル
ボルネン骨格を有する熱可塑性樹脂としては、例えば特
開昭６０−１６８７０８号公報、特開昭６２−２５２４
０６号公報、特開昭６２−２５２４０７号公報、特開平
２−１３３４１３号公報、特開昭６３−１４５３２４号
公報、特開昭６３−２６４６２６号公報、特開平１−２
４０５１７号公報、特公昭５７−８８１５号公報などに
記載されている樹脂などを挙げることができる。この熱
可塑性樹脂の具体例としては、下記一般式（Ｖ）で表さ
れる少なくとも１種のテトラシクロドデセン誘導体また
は該テトラシクロドデセンと共重合可能な不飽和環状化
合物とをメタセシス重合して得られる重合体を水素添加
して得られる水添重合体を挙げることができる。

【００１３】

【化５】

【００１４】（式中、Ａ〜Ｄは、前記に同じ。）前記一
般式（Ｖ）で表されるテトラシクロドデセン誘導体にお
いて、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのうちに極性基を含むこと
が、成形して得たコンパクトディスク基板に反射膜や記
録膜を形成させる際、膜の密着性が優れたものとなる点
で好ましい。さらに、この極性基が−（ＣＨ₂ ）_n ＣＯ
ＯＲ¹ で表されるカルボン酸エステル基であることが、
得られる水添重合体が高いガラス転移温度を有するもの
となる点で好ましい。

【００１５】特に、このカルボン酸エステル基よりなる
極性置換基は、一般式（Ｖ）のテトラシクロドデセン誘
導体の１分子あたりに１個含有されることが、得られる
水添重合体の高い耐熱性を保持したまま、吸湿性を低く
できる点で好ましい。また、−（ＣＨ₂ ）_n ＣＯＯＲ¹
で表されるカルボン酸エステル基のうち、ｎの値が小さ
いものほど、得られる水添重合体のガラス転移温度がさ
らに高くなるので好ましい。前記一般式において、Ｒ¹
は炭素数１〜２０の炭化水素基であるが、炭素数が多く
なるほど得られる水添重合体の吸湿性が小さくなる点で
は好ましいが、得られる水添重合体のガラス転移温度と
のバランスの点から、炭素数１〜４の鎖状アルキル基ま
たは炭素数５以上の（多）環状アルキル基であることが
好ましく、特にメチル基、エチル基、シクロヘキシル基
であることが好ましい。

【００１６】さらに、カルボン酸エステル基が結合した
炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水素基が置換
基として結合されている一般式（Ｖ）のテトラシクロド
デセン誘導体は、得られる水添重合体のガラス転移温度
を低下させずに、吸湿性を低下させるので好ましい。特
に、この置換基がメチル基またはエチル基である一般式
（Ｖ）のテトラシクロドデセン誘導体は、その合成が容
易な点で好ましい。これらのテトラシクロドデセン誘導
体、あるいはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混
合物は、例えば特願平２−１８４２７１号明細書第１２
頁第１２行〜第２２頁第６行に記載された方法によっ
て、メタセシス重合、水素添加され、本発明に使用され
る熱可塑性樹脂とすることができる。

【００１７】本発明において、熱可塑性樹脂として使用
される前記水添重合体は、クロロホルム中、３０℃で測
定される固有粘度（〔η〕_inh ）が、０．３〜１．５dl
／ｇの範囲であることが好ましい。〔η〕_inh または重
量平均分子量が上記範囲にあることによって、成形加工
性、耐熱性、耐水性、耐薬品性、機械的特性などが良好
である。また、水添重合体の水素添加率は、６０ＭＨ
ｚ、 ¹Ｈ−ＮＭＲで測定した値が５０％以上、好ましく
は９０％以上、さらに好ましくは９８％以上である。水
素添加率が高いほど、熱や光に対する安定性が優れたも
のとなる。

【００１８】なお、本発明の熱可塑性樹脂として使用さ
れる水添重合体は、該水添重合体中に含まれるゲル含有
量が５重量％以下であることが好ましく、さらに１重量
％以下であることが特に好ましい。ゲル含有量が５重量
％を超えると、射出成形ではいかなる成形条件の変更を
行っても、成形品表面のシルバーストリークやフィッシ
ュアイの発生を防止することができなくなる。ゲル含有
量が５重量％を下回るにつれて、射出成形の成形条件の
制御により、これらの成形不良を少なく抑えることがで
きるようになる。特に、ゲル含有量を１重量％以下に抑
えた場合には、より高い温度、高い射出速度などの厳し
い条件で射出成形を行うことができる。より精密な光学
部品を成形する場合には、ゲル含有量を０．１重量％以
下、さらに好ましくは０．０１重量％以下に抑えること
が好ましい。

【００１９】このようなゲル含有量の少ない水添重合体
を得る方法としては、例えば下記のような方法を挙げる
ことができる。仕上げ（溶媒の除去）工程を、すべて
不活性雰囲気下で行う方法。この仕上げ工程、特に溶媒
の除去は、加熱して行われるので、ゲル化を防止するた
めにはチッ素雰囲気下で操作することが望ましい。具体
的には、仕上げ工程に入る前の（水添）重合体溶液の取
り扱いをすべてチッ素雰囲気下で行う。溶媒の除去を減
圧下で行う場合においても、装置の漏れをできる限り減
らすとともに、万一、漏れがあっても空気ではなくチッ
素が漏れるように装置全体をチッ素雰囲気下に設置す
る、などの操作が挙げられる。

【００２０】適当な酸化防止剤を、例えば重合体の水
添工程後に添加する方法。ここで、ゲルの発生を防止す
るために用いることのできる酸化防止剤としては、フェ
ノール系などの一般によく知られている酸化防止剤が適
用できる。具体的には、ペンタエリスリトール−テトラ
キス〔３−（３−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕、１，３，５−トリメチル−
２，４，６−トリス（３，５−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）ベンゼン、３，９−ビス〔２−〔３−
（ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル〕２，
４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカ
ン、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス
（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチル
ベンジルイソシアヌレートなどが挙げられる。これらの
フェノール系酸化防止剤に、さらにリン系酸化防止剤を
組み合わせて使用してもよい。例えば、このリン系酸化
防止剤としては、ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４
−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファ
イト）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジルホスホネートジエチルエステルなどが挙げられる。

【００２１】仕上げ（溶媒の除去）時の温度をできる
下げる方法。この方法としては、次のような（イ）〜
（ハ）の方法が挙げられる。 （イ）溶媒をできるだけ沸点の低いものを用いる。しか
しながら、あまり沸点の低い溶媒を用いると、重合時、
水添時の内圧が高くなり、装置の耐圧を上げる必要が生
じたり、溶媒そのものが高価なものになるなどの他の要
因を考慮しなければならない。 （ロ）溶媒の除去を減圧下で行う。この方法は、充分に
効果が期待できる。 （ハ）処理される（水添）重合体溶液が、できるだけ薄
い膜となって効率よく溶媒が揮発できるような装置を用
いる。 以上のような方法により、溶媒の除去の際の温度は、酸
化防止剤を用いない条件では３００℃以下に保つことが
好ましい。また、適当な酸化防止剤を用いた場合では、
３８０℃以下に保つことが好ましい。

【００２２】また、前記〜の方法によってもゲルが
発生してしまった場合や、前記〜の方法を行わなか
った場合などでゲルが発生してしまった場合には、ろ過
により除去してもよい。発生したゲルのろ過による除去
は、次のような方法で行われる。すなわち、（水添）重
合体を適当な良溶媒に２０重量％以下、好ましくは１５
重量％以下の濃度に溶かし、この溶液を孔径が１μｍ程
度のフィルターでろ過する。より完全にゲルを除去する
必要がある場合には、０．５μｍ程度のフィルターを用
いることができる。本発明においては、これらの方法の
いずれも有効に活用することができるし、これらの方法
を組み合わせて水添重合体を製造するとさらに効果的で
ある。

【００２３】また、本発明において、熱可塑性樹脂とし
で使用される前記水添重合体は、該水添重合体中に含ま
れる水分量を１，０００ｐｐｍ以下に抑えた場合には、
射出成形時のシルバーストリークおよびフィッシュアイ
の発生、成形品の表面の剥離などがさらに抑制され、よ
り安定した成形を行うことができる。より高い温度、高
い射出速度などの厳しい条件で射出成形を行う場合に
は、水添重合体の水分量を３００ｐｐｍ以下に抑えると
良好な結果が得られる。さらに、長期にわたって安定に
成形を行いたい場合には、水添重合体の水分量を１００
ｐｐｍ以下に抑えることが望ましい。このように、水分
の含有量の少ない水添重合体を得る方法としては、一般
の重合体の乾燥に用いられている方法、例えば真空乾燥
法、乾燥空気もしくは乾燥チッ素による気流乾燥法など
が挙げられる。特に、水添重合体の酸化劣化を嫌う場合
には、真空乾燥法あるいは乾燥チッ素を用いた気流乾燥
法が好ましい。

【００２４】さらに、本発明の熱可塑性樹脂として使用
される前記水添重合体は、該水添重合体中に含まれるハ
ロゲン含有量を５００ｐｐｍ以下に抑えた場合には、加
熱時の水添重合体のゲルの発生や着色に対して良好な結
果を与えることができる。特に、ハロゲン含有量が１０
０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下に抑え
た場合には、より良好な耐熱性が得られる。ハロゲン含
有量の少ない水添重合体を得る方法としては、ハロゲ
ン原子を含まない触媒や溶媒を使用して、（水添）重合
体を得る方法（以下「方法」という）、（水添）重
合体製造時に、ハロゲン原子を除く工程を取り入れる方
法（例えば、抽出法および／または水添触媒への吸着方
法、以下「方法」という）、などが挙げられる。

【００２５】前記方法は、最も簡便で、ハロゲン原子
が本質的に（水添）重合体中に取り込まれないことから
効果が大きい。しかしながら、方法は、触媒が高価で
あることなどの問題点もある。この方法で使用する触
媒としては、メタセシス重合触媒として、（ａ）タング
ステンまたはモリブデンのアルコキシ誘導体と、（ｂ）
成分有機リチウム化合物、有機マグネシウム化合物、有
機亜鉛化合物、トリアルキルアルミニウム誘導体または
テトラアルキルスズ化合物などの組合せが挙げられる。
また、方法における重合溶媒としては、トルエン、キ
シレン、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、デカリンなどの芳香族炭化水素、１，２−ジ
メトキシエタン、ジメチレングリコールジメチルエーテ
ル、アニソールなどのエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのエステル系
溶媒などが挙げられる。これらの重合溶媒は、混合系と
して使用することもできる。

【００２６】さらに、方法における水素添加反応のた
めの溶媒としては、前記重合に用いられる好ましい溶媒
のうち、水素添加される危険性のある芳香族系化合物を
除いたすべての溶媒を使用することができる。一方、前
記方法における抽出法は、特開平２−３６２２４号公
報に開示されているように、重合後または水素添加後の
（水添）重合体溶液に、（水添）重合体の貧溶媒を加え
て（水添）重合体を回収する方法が挙げられる。この抽
出法でハロゲン原子を除く場合には、貧溶媒としてメタ
ノール、エタノール、プロパノールなどの低級アルコー
ル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル
などの低級アルコールのエステル類、アセトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類などが好ましい。これらの
貧溶媒は、組み合わせて用いることもできる。

【００２７】また、前記方法における水添触媒への吸
着方法は、パラジウム、ロジウム、ルテニウムおよびプ
ラチニウムの群から選ばれた少なくとも１種の金属触媒
を用いて、重合体を水素添加反応させることにより、重
合体中のハロゲン原子を除去する方法である。この際、
金属触媒は、担体に担持させて使用することが好まし
い。この担体としては、カーボン、シリカ、アルミナ、
シリカマグネシア、チタニア、ジルコニア、ゼオライ
ト、シリカ−アルミナなどが挙げられる。担持率は、
０．０１〜２０重量％、好ましくは０．１〜１０重量
％、さらに好ましくは０．２〜７重量％である。この金
属触媒のなかでは、塩素除去率が高いことから、特にパ
ラジウムが好ましい。また、担体としては、比重、触
媒、調製のし易さから、アルミナ、シリカ、シリカマグ
ネシアが好ましい。この水添触媒への吸着方法の詳細に
ついては、特願平１−２４４６５９号明細書において詳
述されている。

【００２８】本発明に使用される熱可塑性樹脂は、前記
のような水添重合体より構成されることが特に好ましい
が、これに公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤などを添加
してさらに安定化することができる。また、加工性を向
上させるために、滑剤などの従来の樹脂加工において用
いられる添加剤を添加することもできる。次に、以上の
ようなノルボルネン骨格を有する熱可塑性樹脂を用い
て、本発明のコンパクトディスク基板を成形する方法に
ついて説明する。まず、熱可塑性樹脂を必要に応じて本
発明の効果を損なわない量の他の安定剤、帯電防止剤な
どの添加剤とともに、リボンブレンダー、タンブラーブ
レンダー、ヘンシェルミキサーなどで混合あるいは混合
後、押し出し機、バンバリーミキサー、二本ロールなど
ので溶融混合するか、炭化水素や芳香族溶媒に溶解して
ポリマー溶液の状態で混合し、その後、単軸押し出し
機、ベント付き押し出し機、二本スクリュー押し出し
機、三本スクリュー押し出し機、円錐型二本スクリュー
押し出し機、コニーダー、プラティフィケーター、ミク
ストケーター、二軸コニカルスクリュー押し出し機、遊
星ねじ押し出し機、歯車型押し出し機、スクリューレス
押し出し機などを用いて、射出成形を行い、ディスク成
形用の金型（情報ピットや案内溝を形成するためのスタ
ンパーのセットされたものも含む）によって成形する。
すなわち、これらの押し出し機の加熱シリンダ内でスク
リューより均一に溶融可塑化された適量の樹脂を、高速
で金型内に射出保持し、冷却固化させるものである。

【００２９】本発明の熱可塑性樹脂を用いて、射出成形
により成形性、透明性、複屈折、機械的強度、反り、転
写性、寸法安定性などにおいて優れたコンパクトディス
ク基板を得るためには、本発明の熱可塑性樹脂を用い、
樹脂温度、金型温度、歪み速度および金型での冷却時間
を特定する必要がある。すなわち、本発明の熱可塑性樹
脂を用い、樹脂温度（Ｔｇ＋１００）℃〜３９０℃、金
型温度（Ｔｇ−１２０）℃〜（Ｔｇ−２０）℃、歪み速
度１×１０² 〜３×１０⁴ ／秒、かつ金型での冷却時間
を２〜１５秒の範囲で組み合わせることが、優れたコン
パクトディスク基板を得るために好ましい。従って、樹
脂温度、金型温度、歪速度および冷却時間の４条件のい
ずれが上記の範囲を外れても、目的とするコンパクトデ
ィスク基板が得難い。

【００３０】すなわち、樹脂温度が（Ｔｇ＋１００）℃
未満の場合、成形されたディスクには歪みが生じ、複屈
折が大きくなり、光学特性が劣るものとなり、またピッ
トの転写性が悪くなる。一方、樹脂温度が３９０℃を超
えると、樹脂が黄色に着色したり、分解、焼けを起こし
たりする恐れがある。樹脂温度は、好ましくは（Ｔｇ＋
１２０）℃〜３７０℃、好ましくは（Ｔｇ＋１４０）℃
〜３７０℃である。また、金型温度が（Ｔｇ−１２０）
℃未満の場合、樹脂温度が低い場合と同様、光学特性、
ピットの転写性が劣るものとなる。一方、金型温度が
（Ｔｇ−２０）℃を超えると、成形後の冷却の過程で、
樹脂の内部歪みが増大することによる光学特性の低下を
招き、また場合によっては、得られるディスクの強度低
下が生じる。なお、金型温度については、固定側の金型
温度を可動側よりもやや低め、特に１〜１０℃低くコン
トロールすることが好ましい。金型温度は、好ましくは
（Ｔｇ−１１０）℃〜（Ｔｇ−３０）℃、さらに好まし
くは（Ｔｇ−１００）℃〜（Ｔｇ−４０）℃である。

【００３１】一方、歪み速度については、１×１０² ／
秒未満で射出成形を行った場合、得られるコンパクトデ
ィスク基板の複屈折が大きくなり易い。一方、歪速度が
３×１０⁴ ／秒を超えると、成形されたコンパクトディ
ス基板の機械的強度が低下したり、シルバーストリーク
が発生したりする場合がある。歪み速度は、好ましくは
４×１０² 〜２×１０⁴ ／秒、さらに好ましくは１×１
０³ 〜１×１０⁴／秒である。ここで、歪み速度は、射
出成形機のノズ部分における最大剪断歪み速度をいい、
樹脂の通過量Ｑ（cc／秒）、ノズル径Ｒ（cm）によっ
て、下記式で表される。 γ＝３２Ｑ／πＲ³ 歪み速度（γ）の制御は、射出速度、射出圧力およびゲ
ート形状、面積によって行う。歪み速度（γ）が上記の
範囲であると、成形品の歪みがなく、外観の優れたもの
が得られる。また、射出速度を多段に変化させて成形す
る場合、成形品の半分以上は上記歪み速度で成形すれば
よい。

【００３２】なお、射出速度としては、３０〜３００mm
／秒、好ましくは６０〜２００mm／秒、さらに好ましく
は８０〜１５０mm／秒である。また、ノズル径は、１．
０〜３．０mm、好ましくは１．２〜２．５mm、さらに好
ましくは１．４〜２．０mmである。射出成形は、通常の
大気雰囲気下で行うことができるが、熱可塑性樹脂の分
解、着色やゲルの発生を防止するためには、熱可塑性樹
脂の成形機への供給をチッ素ガスの雰囲気下で行うこと
ができる。特に、水素添加率の低い樹脂を用いる場合に
は、チッ素ガスの雰囲気下で供給することが好ましい。
さらに、金型での冷却時間が２秒未満では、基板の機械
特性が悪化する場合があり、一方１５秒を超えると、サ
イクルタイムが長くなり、生産性の観点から好ましくな
い。冷却時間は、好ましくは２〜１３秒、さらに好まし
くは２〜１１秒である。

【００３３】射出成形によって得られたコンパクトディ
スク基板は、その後、記録層あるいはレーザー光線を反
射するための金属層を、蒸着法、スパッタ法などの公知
の方法によって形成し、さらに必要に応じて保護層を設
けて完成される。より具体的には、前記のように情報ピ
ットに対応する凹凸を有するスタンパーをセットした金
型内に、熱可塑性樹脂を射出成形して得られた基板に、
反射率の高い金属、例えばＮｉ、Ａｌ、Ａｕなどをコー
ティングし、さらに、これを保護するために公知のアク
リル系などの紫外線硬化樹脂などを塗布、硬化させる。

【００３４】前記の射出成形を行ったのち、Ａｌなどの
金属層を形成する場合、本発明のコンパクトディスク基
板は、耐熱性が高いため、蒸着法ばかりでなく、スパッ
タ法を用いることができる。また、従来のポリカーボネ
ート樹脂を用いた基板の場合に較べ、より高温でのスパ
ッタ条件を選べるので、反射膜の密着性がよくなる点で
もメリットがある。反射膜をスパッタリングによって形
成させる場合、通常行われるスパッタリング条件で行え
ばよい。特に、密着性に優れた膜を形成するためには、
基板温度としては、常温から用いた熱可塑性樹脂のガラ
ス転移温度より１０℃以上低い範囲で選ばれ、高いほど
好ましい。真空度（スパッタ圧力）としては、１〜５０
Ｔｏｒｒが好ましい。膜厚としては、１００〜２，００
０Åの範囲が好ましい。

【００３５】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。なお、実施例中、部および％は、特に断らな
いかぎり重量基準である。また、実施例中の各種の測定
は、次のとおりである。固有粘度（〔η〕_inh ） 溶媒にクロロホルムを使用し、０．５ｇ／dlの重合体濃
度で３０℃の条件下、ウベローデ粘度計にて測定した。水添率 水添単独重合体の場合には、６０ＭＨｚ、 ¹Ｈ−ＮＭＲ
を測定した。

【００３６】ガラス転移温度 走査熱量計（ＤＳＣ）により、チッ素雰囲気下におい
て、１０℃／分の昇温速度で測定した。シルバー 目視により観察した。 ○；シルバーのほとんどないもの。 ×；シルバーの発生が目立つもの。クラウド 目視により観察した。 ○；クラウドのほとんどないもの。 ×；クラウドの発生が目立つもの。ピット転写性 走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、良好なものを
５、不良のものを１とする５段階評価を行った。コンパクトディスク基板の複屈折 日本電子光学（株）製、複屈折自動測定装置を用い、波
長６３３ｎｍで測定した。

【００３７】参考例１ ８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ
〔４．４．０．１^2,5 ．１^7,10〕ドデカ−３−エン１０
０ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサ
ン２４０ｇ、１−ヘキセン２５ｇ、およびジエチルアル
ミニウムクロライド０．９６モル／ｌのトルエン溶液
３．４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加
えた。一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの
０．０５モル／ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０
ｍｌとパラアルデヒドの０．１モル／ｌの１，２−ジメ
トキシエタン溶液１０ｍｌを混合した。この混合溶液
４．９ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加し
た。密栓後、混合物を８０℃に加熱して３時間攪拌を行
った。得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタ
ンとシクロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加
えて重合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、ト
リエタノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。

【００３８】この重合溶液に、メタノール５００ｇを加
えて３０分間攪拌して静置した。２層に分離した上層を
除き、再びメタノールを加えて攪拌、静置後、上層を除
いた。同様の操作をさらに２回行い、得られた下層をシ
クロヘキサン、１，２−ジメトキシエタンで適宜希釈
し、重合体濃度が１０％のシクロヘキサン−１，２−ジ
メトキシエタン溶液を得た。この溶液に２０ｇのパラジ
ウム／シリカマグネシア〔日揮化学（株）製、パラジウ
ム量＝５％〕を加えて、オートクレーブ中で水素圧４０
kg／cm² として１６５℃で４時間反応させたのち、水添
触媒をろ過によって取り除き、水添重合体溶液を得た。
また、この水添重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタ
エリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕を、
水添重合体に対して０．１％加えてから、３８０℃で減
圧下に脱溶媒を行った。次いで、溶融した樹脂を、チッ
素雰囲気下で押し出し機によりペレット化し、固有粘度
０．５dl／ｇ（３０℃、クロロホルム中）、水添率９
９．５％、ガラス転移温度１６８℃の熱可塑性樹脂を得
た。

【００３９】参考例２ ６−エチリデン−２−テトラシクロドデセンを、参考例
１と同様にメタセシス開環重合したのち、水添し、ペレ
ット化して、固有粘度０．５６dl／ｇ（３０℃、クロロ
ホルム中）、水添率９９％、ガラス転移温度１４０℃の
熱可塑性樹脂を得た。

【００４０】参考例３ エチレン５５モル％と２−メチル−１，４，５，８−ジ
ヒドロナフタレン４５モル％とを付加重合し、ペレット
化して、固有粘度０．６４dl／ｇ（３５℃、デカリン
中）、ガラス転移温度１４０℃の熱可塑性樹脂を得た。

【００４１】実施例１〜８ 参考例１〜３で得られた熱可塑性樹脂のペレットを原料
として、住友重機械工業（株）製、射出成形機「Ｄｉｓ
ｋ ５Ｍ III型機」を用い、ＣＤ（コンパクトディス
ク）のためのピット形成用スタンパーを金型に装着し、
表１に示す条件でコンパクトディスク基板を得た。この
コンパクトディスク基板のシルバー発生、クラウド発
生、ピット転写性、複屈折を評価した。なお、実施例１
〜６では、参考例１で得られた熱可塑性樹脂のペレット
を、実施例７では、参考例２で得られた熱可塑性樹脂の
ペレットを、実施例８では、参考例３で得られた熱可塑
性樹脂のペレットを使用した。結果を表１に示す。ま
た、射出成形したコンパクトディスク基板のピット形成
面上に、日本真空技術（株）製、真空蒸着装置を用いて
真空度２×１０^-6Ｔｏｒｒの条件下、Ａｌを１，０００
Å厚に蒸着した。次いで、Ａｌ面上に紫外線硬化型のア
クリレート樹脂を塗布、硬化し、１０μｍ厚の硬化膜を
形成させ、ＣＤを作製した。前記で得られたＣＤを、ソ
ニー（株）製のＣＤプレーヤーにかけたところ、極めて
良好な音質が得られた。

【００４２】比較例１〜５ 参考例１で得られた熱可塑性のペレットを原料とし、樹
脂温度、金型温度の条件を表２に示すように変更してコ
ンパクトディスク基板を作製、評価した。結果を表２に
示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】

【００４５】試験例１ 実施例２で得られたコンパクトディスク基板（ＣＤ）お
よび同一のスタンパーを用い、ポリカーボネート樹脂で
製造したＣＤについて、ジッターを測定し、σ値を比較
した。ポリカーボネート樹脂製ＣＤはσ＝２４（ｎｓ）
であるのに対し、実施例２のＣＤはσ＝２０（ｎｓ）と
良好な値を示した。

【００４６】試験例２ 実施例３で成形したＣＤおよび同一のスタンパーを用い
ポリカーボネート樹脂で成形したＣＤについて、レーザ
ーの入射角度を変えたときの複屈折の変化を測定した。
結果を図１および図２に示す。実施例３のＣＤ（図１）
では、入射角度が斜めとなるにつれても複屈折の変化が
小さいのに対し、ポリカーボネート樹脂製のＣＤ（図
２）では、入射角度が斜めになるにつれて複屈折が大き
く増加することが分かる。

【００４７】試験例３ 実施例６で得られたＣＤおよび同一のスタンパーを用
い、ポリカーボネート樹脂で製造したＣＤの音質につい
て、不特定の１００人に対しブラインドテストを行い、
良否の判定を集計した。その結果、実施例６のＣＤの音
質の方が良好とした人が７７名、ポリカーボネート樹脂
製のＣＤの音質の方が良好とした人が１０名、差がない
もしくは判定できない人が１３名となり、実施例６のＣ
Ｄの音質の方が優れているという意見が大多数を占め
た。同様のテストを録音技術者１０名に対して行った。
試聴評を列記すると、表３のとおりとなり、全員が実施
例６のＣＤの音質の方が格段に優れているという意見で
あり、ポリカーボネート樹脂製のＣＤの方が良いとする
人は皆無であった。

【００４８】

【表３】

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、耐熱性、成形性、転写
性、寸法安定性、反射膜の密着性に優れ、かつ複屈折の
小さいコンパクトディスク基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例３で得られたＣＤの複屈折の入射角度依
存性を示すグラフである。

【図２】ポリカーボネート樹脂製のＣＤの複屈折の入射
角度依存性を示すグラフである。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−168708（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252406（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252407（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−133413（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−264626（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−240517（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−8815（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 7/26 521 B29C 45/73 B29C 45/77 B29C 45/78 B29L 17:00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ノルボルネン骨格を有する熱可塑性樹脂
   を、樹脂温度（Ｔｇ＋１００）℃〜３９０℃（ここで、
   Ｔｇは該熱可塑性樹脂のガラス転移温度を示す。以下同
   じ）、金型温度（Ｔｇ−１２０）℃〜（Ｔｇ−２０）
   ℃、歪み速度１×１０² 〜３×１０⁴ ／秒、かつ金型で
   の冷却時間を２〜１５秒として射出成形することを特徴
   とするコンパクトディスク基板の製造方法。