JP2983267B2 - 半導体封止方法及びその装置 - Google Patents

半導体封止方法及びその装置

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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体素子とインナリードとの接合部を封
止材で封止する半導体封止装置に関し、特にTAB(Tape
Automated Bonding)方式のボンディング装置と組み
合せて使用される半導体封止方法及び装置に関する。
(従来技術) 近年、半導体素子(以下、ICチップと称す)の電極上
に形成されたバンプに多数のインナリードを微小間隔で
接合する手段として、TAB方式のボンディング装置が開
発されている。この種のボンディング装置は、キャリア
テープと称されるフィルム上に多数のインナリードを形
成しておき、このインナリードとICチップのバンプとを
加熱ツールで接合するものである。
このようなボンディング装置と組み合せて使用される
半導体封止装置(以下、ポッティング装置と称す)は、
キャリアテープにより搬送されたICチップの表面にエポ
キシ樹脂等の封止材を滴下するシリンジと、このシリン
ジにエアチューブを介して接続されたエア供給装置とか
ら構成され、上記エア供給装置からシリンジにエアを供
給してシリンジ内の封止材を吐出させるようになってい
る。
(発明が解決しようとする課題) ところで、上記のようのポッティング装置では、ICチ
ップの厚さが変化するとシリンジの先端ノズルからICチ
ップまでのギャップ距離が変化し、これに伴いICチップ
の表面に滴下される封止材の量も変化する。このため、
従来ではICチップの厚さによってICチップの表面に滴下
される封止材の量が変化し、ICチップの厚さが大きく変
化した場合には封止不良等が発生するという問題があっ
た。すなわち、ICチップの厚さが薄くなると、滴下封止
材量が少なくなり、逆に、ICチップの厚さが厚くなる
と、滴下封止材量が多くなるということが実験的に確認
された。そして、滴下封止材量が多すぎると樹脂の硬化
条件が変化し、封止特性が悪化する不具合が生じる。一
方、滴下封止材量が少なすぎると、封止が不完全なもの
となり歩留り低下の一因となっている。
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもの
で、ICチップの厚さが変化しても封止不良等が発生する
ようなことがなく、ICチップの表面に常時一定量の封止
材を滴下することのできる半導体封止方法及びその装置
を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 請求項1の発明は、キャリアテープにより搬送された
半導体素子の表面にシリンジの先端ノズルから封止材を
滴下し、上記半導体素子のインナリード接合部を上記封
止材で封止する半導体封止方法において、上記半導体素
子を第1のチップステージ上に搬送載置する第1の位置
決め工程と、上記第1のチップステージ上に載置されて
いる上記半導体素子の厚さを検出する厚さ検出工程と、
上記厚さ検出工程にて厚さが検出された上記半導体素子
を上記第1のチップステージと同一高さに設けられた第
2のチップステージ上に搬送載置する第2の位置決め工
程と、上記厚さ検出工程における検出結果に基づいて上
記第2のチップステージ上に載置されている上記半導体
素子と上記シリンジとのギャップを調整するギャップ調
整工程と、上記ギャップ調整工程後に上記半導体素子の
表面に上記シリンジの先端ノズルから上記封止材を滴下
し上記半導体素子を封止する封止工程とを具備すること
を特徴とする半導体封止方法にある。
請求項2の発明は、キャリアテープにより搬送された
半導体素子の表面にシリンジの先端ノズルから封止材を
滴下し、上記半導体素子のインナリード接合部を上記封
止材で封止する半導体封止装置において、上記半導体素
子が搬送載置される第1のチップステージと、上記第1
のチップステージ上に載置されている上記半導体素子の
厚さを検出する厚さ検出器と、上記第1のチップステー
ジと同一高さに設けられ且つ上記厚さ検出器にて厚さが
検出された上記半導体素子が搬送載置される第2のチッ
プステージと、上記厚さ検出器における検出結果に基づ
いて上記第2のチップステージ上に載置されている上記
半導体素子と上記シリンジとのギャップを調整する調整
手段とを具備することを特徴とする半導体封止装置にあ
る。
(作用) 本発明では、封止材が滴下される前のICチップの厚さ
を検出し、この検出結果に基づいてシリンジとICチップ
とのギャップを調整するので、ICチップの表面に常時一
定量の封止材を滴下することができる。
(実施例) 以下、本発明の一実施の形態を図1及び図2を参照し
て説明する。
図1は、半導体装置であるポッティング装置の概略構
成を示す図であり、このポッティング装置はキャリアテ
ープ1により搬送されてきたICチップ3を載置し、圧さ
方向の位置決めを行う第2のチップステージ2と、この
第2のチップステージ2上に載置されているICチップ3
の表面に封止材(たとえばエポキシ樹脂)4を滴下する
シリンジ5と、このシリンジ5にエアチューブ6を介し
て接続されたエア供給装置(図示せず)と、上記封止材
4を滴下する前のICチップ3の厚さを測定する非接触式
の厚さ検出器7と、この厚さ検出器7の直下に設けられ
搬送されてきたICチップ3を載置し、厚さ方向の位置決
めを行う第1のチップステージ7aを備えて構成されてい
る。そして、第1のチップステージ7a及び第2のチップ
ステージ2は上下方向に昇降自在に設けられ(第1図想
像線参照)、両者とも上限停止位置が等しくなるように
設けられている。すなわち、第1図実線にて示すように
第1のチップステージ7aと第2のチップステージ2は、
上限停止位置において、ICチップ3の載置面Sが面一に
なるように設けられている。
上記キャリアテープ1は例えばポリイミドフィルムか
らなり、キャリアテープ1の表面にはICチップ3のバン
プ9と接合したインナリード8が形成されている。ま
た、上記キャリアテープ1は図示しないキャリアテープ
供給装置から繰り出され、図示しないキャリアテープ巻
取装置に巻き取られるようになっている。
上記シリンジ5は支持部材10を介してギャップ調整装
置11に保持されており、このギャップ調整装置11により
シリンジ5とICチップ3とのギャップを調整できるよう
になっている。上記ギャップ調整装置11はモータ12と、
このモータ12に連結されたボールねじ13とから構成さ
れ、上記モータ12によりボールねじ13を駆動してシリン
ジ5を上下方向に移動させるようになっている。なお、
ギャップ調整装置11は支持部材14を介してXYテーブル15
に取り付けられている。
上記厚さ検出器7は第1のチップステージ7aに載置さ
れているICチップ3の厚さを例えばレーザ光を利用して
検出するように構成されており、信号線16を介して制御
装置17に接続されている。この制御装置17は第2図に示
すように厚さ検出器7の出力信号からICチップ3の厚さ
を測定する厚さ測定部18と、この厚さ測定部18の測定値
を予め定められた設定値と比較し、その偏差をギャップ
調整信号としてギャップ調整装置11に出力する比較部19
とから構成されている。
上記のように構成されるボンディング装置を用いて本
発明の半導体封止方法を説明する。まず、第1のチップ
ステージ7a及び第2のチップステージ2を上限位置まで
上昇させる。つぎに、ICチップ3がインナリードボンデ
ィングされているキャリアテープ1を水平方向に搬送
し、ICチップ3を第1のチップステージ7a上に載置す
る。これにより、ICチップ3の厚さ検出器7に対向する
面Fの位置が確定する。しかして、封止材4を滴下する
前のICチップ3の厚さΔTを厚さ検出器7によって検出
する。この場合、厚さ検出器7には、高さH0にあるチッ
プ載置面Sとの距離H1のデータが予め入力されていて、
チップ載置面S上に載置されたICチップ3の面Fとの距
離H2が測定されると、制御装置17にては、距離H1,H2の
差を求めることにより、ICチップ3の厚さΔTが算出さ
れる。この算出された厚さΔTに基づき制御装置17から
ギャップ調整装置11にギャップ調整信号が出力される。
これにより、シリンジ5とICチップ3とのギャップはギ
ャップ調整装置11によりICチップ3の厚さΔTに応じた
ギャップに調整される。
かくして、第1のチップステージ7aにおける厚さ検出
が終わると、キャリアテープ1が第2のチップステージ
2方向に移動し、ICチップ3が第2のチップステージ2
上に載置される。これにより、ICチップ3のシリンジ5
に対向する面Fの位置が確定する。このとき、面Fとシ
リンジ5とのギャップは、ICチップ3の厚さΔTに応じ
たギャップに調整されているので、シリンジ5から常に
一定量の封止材4をICチップ3の表面に滴下することが
できる。その結果、滴下封止材の過不足に起因する封止
不良の発生を確実に防止することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものでな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施が可
能である。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、キャリアテープにより
搬送されたICチップの表面にシリンジから封止材を滴下
し、上記ICチップのインナリード接合部を上記封止材で
封止するに際して、上記封止材が滴下される前の上記IC
チップの厚さを検出し、このときの検出結果に基づいて
上記シリンジとICチップとのギャップを調整するように
したものである。したがって、ICチップの厚さが変化し
ても、ICチップの表面に常時一定量の封止材を滴下する
ことができる。これにより、滴下封止材の過不足に起因
する封止不良の発生を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すポッティング装置の概
略構成図、第2図は制御装置の概略構成図である。 1……キャリアテープ 3……ICチップ 4……封止材 5……シリンジ 7……厚さ検出器 11……ギャップ調整装置 17……制御装置

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】キャリアテープにより搬送された半導体素
    子の表面にシリンジの先端ノズルから封止材を滴下し、
    上記半導体素子のインナリード接合部を上記封止材で封
    止する半導体封止方法において、上記半導体素子を第1
    のチップステージ上に搬送載置する第1の位置決め工程
    と、上記第1のチップステージ上に載置されている上記
    半導体素子の厚さを検出する厚さ検出工程と、上記厚さ
    検出工程にて厚さが検出された上記半導体素子を上記第
    1のチップステージと同一高さに設けられた第2のチッ
    プステージ上に搬送載置する第2の位置決め工程と、上
    記厚さ検出工程における検出結果に基づいて上記第2の
    チップステージ上に載置されている上記半導体素子と上
    記シリンジとのギャップを調整するギャップ調整工程
    と、上記ギャップ調整工程後に上記半導体素子の表面に
    上記シリンジの先端ノズルから上記封止材を滴下し上記
    半導体素子を封止する封止工程とを具備することを特徴
    とする半導体封止方法。
  2. 【請求項2】キャリアテープにより搬送された半導体素
    子の表面にシリンジの先端ノズルから封止材を滴下し、
    上記半導体素子のインナリード接合部を上記封止材で封
    止する半導体封止装置において、上記半導体素子が搬送
    載置される第1のチップステージと、上記第1のチップ
    ステージ上に載置されている上記半導体素子の厚さを検
    出する厚さ検出器と、上記第1のチップステージと同一
    高さに設けられ且つ上記厚さ検出器にて厚さが検出され
    た上記半導体素子が搬送載置される第2のチップステー
    ジと、上記厚さ検出器における検出結果に基づいて上記
    第2のチップステージ上に載置されている上記半導体素
    子と上記シリンジとのギャップを調整する調整手段とを
    具備することを特徴とする半導体封止装置。
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