JP2983105B2 - 半導体装置およびその製法 - Google Patents
半導体装置およびその製法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
法に関する。さらに詳しくはリードフレームのタイバー
など各リードを連結している連結バーの切断を精度よく
行う半導体装置およびその製法に関する。
法に関する。さらに詳しくはリードフレームのタイバー
など各リードを連結している連結バーの切断を精度よく
行う半導体装置およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は半導体チップをダイボンデ
ィングするダイパッドおよびその周囲に配設されたリー
ドを、タイバーや連結リードなどの連結バーで一体に形
成したリードフレームを使用し、半導体チップをプリフ
ォーム材でダイパッドに接着し、各リードの先端とワイ
ヤボンディングなどの電気的接続をし、樹脂で半導体チ
ップおよび各リードの先端部分を封入成形（以下、モー
ルドという）したのち、ポンチなどで連結バーなどを切
断除去し、リードフレームから切り離して製造されてい
る。
ィングするダイパッドおよびその周囲に配設されたリー
ドを、タイバーや連結リードなどの連結バーで一体に形
成したリードフレームを使用し、半導体チップをプリフ
ォーム材でダイパッドに接着し、各リードの先端とワイ
ヤボンディングなどの電気的接続をし、樹脂で半導体チ
ップおよび各リードの先端部分を封入成形（以下、モー
ルドという）したのち、ポンチなどで連結バーなどを切
断除去し、リードフレームから切り離して製造されてい
る。
【０００３】この樹脂でモールドしたり、連結バーを切
断する方法は、図３に樹脂でモールドしたリードフレー
ムの状態の概略斜視図を示すように、リードフレーム１
のサイドレール11に形成したインデックス孔12を基準に
してモールド用金型にセッティングし、樹脂２でモール
ドすると共に、そののちのタイバー13などの連結部分の
切断も前記インデックス孔12に切断機の下金型３の位置
決めピン32をセッティングして各リード14を電気的に分
離し半導体装置を形成している。
断する方法は、図３に樹脂でモールドしたリードフレー
ムの状態の概略斜視図を示すように、リードフレーム１
のサイドレール11に形成したインデックス孔12を基準に
してモールド用金型にセッティングし、樹脂２でモール
ドすると共に、そののちのタイバー13などの連結部分の
切断も前記インデックス孔12に切断機の下金型３の位置
決めピン32をセッティングして各リード14を電気的に分
離し半導体装置を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のリード
フレーム１のインデックス孔12を基準にして連結バーを
切断すると微妙な位置ずれが生じ、タイバー13の切断が
リード14側にずれ込んでリード14が部分的に細くなり、
機械的強度が低下して曲り易くなったり、電気抵抗の増
大などの特性劣化が生じたり、片当りするためタイバー
カットのポンチを部分的に傷め寿命を短くするという問
題がある。
フレーム１のインデックス孔12を基準にして連結バーを
切断すると微妙な位置ずれが生じ、タイバー13の切断が
リード14側にずれ込んでリード14が部分的に細くなり、
機械的強度が低下して曲り易くなったり、電気抵抗の増
大などの特性劣化が生じたり、片当りするためタイバー
カットのポンチを部分的に傷め寿命を短くするという問
題がある。
【０００５】この位置ずれの生じる原因は、本来タイバ
ー13はリードフレーム１の一部であるため、リードフレ
ーム１のインデックス孔12を基準にして正確に定まるは
ずであるが、リードフレームの公差は小さくできず、±
50μｍの公差があること、および樹脂２でモールドする
と冷却時に収縮し、樹脂２による収縮力などのためリー
ドフレーム１のリード14部分も引張られて変形すること
のためと考えられる。この傾向はとくに、半導体装置の
高集積化、小型化の要請が強まり、細いリードで狭ピッ
チ化の進んだ多ピンの半導体装置に顕著に現われてい
る。このような狭ピッチ化の半導体装置ではたとえば、
リード間のピッチが0.3mm 、リード幅が0.1 〜0.12mmで
あり、リードとリードの間隔は0.18mmしかなく、非常に
正確な精度が必要とされる。
ー13はリードフレーム１の一部であるため、リードフレ
ーム１のインデックス孔12を基準にして正確に定まるは
ずであるが、リードフレームの公差は小さくできず、±
50μｍの公差があること、および樹脂２でモールドする
と冷却時に収縮し、樹脂２による収縮力などのためリー
ドフレーム１のリード14部分も引張られて変形すること
のためと考えられる。この傾向はとくに、半導体装置の
高集積化、小型化の要請が強まり、細いリードで狭ピッ
チ化の進んだ多ピンの半導体装置に顕著に現われてい
る。このような狭ピッチ化の半導体装置ではたとえば、
リード間のピッチが0.3mm 、リード幅が0.1 〜0.12mmで
あり、リードとリードの間隔は0.18mmしかなく、非常に
正確な精度が必要とされる。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑み、細いリー
ドで狭ピッチ化された半導体装置のタイバーなど連結バ
ーの切断除去を正確に行える半導体装置の製法を提供す
ることを目的とする。
ドで狭ピッチ化された半導体装置のタイバーなど連結バ
ーの切断除去を正確に行える半導体装置の製法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製法は、ダイパッドとその周囲に配置されたリード
が、連結バーで相互に連結されたリードフレームの前記
ダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、該半
導体チップと前記リードの先端とを電気的接続し、前記
半導体チップおよび前記リードの先端部分を樹脂で封入
成形したのち前記連結バーを切断除去して前記各リード
を電気的に分離する半導体装置の製法であって、前記樹
脂で封入成形する工程で前記樹脂の中心部で、かつ、前
記ダイパッドの裏面が外部と連通するように基準孔を形
成し、該基準孔により位置決めをして前記連結バーを切
断除去することを特徴とするものである。
の製法は、ダイパッドとその周囲に配置されたリード
が、連結バーで相互に連結されたリードフレームの前記
ダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、該半
導体チップと前記リードの先端とを電気的接続し、前記
半導体チップおよび前記リードの先端部分を樹脂で封入
成形したのち前記連結バーを切断除去して前記各リード
を電気的に分離する半導体装置の製法であって、前記樹
脂で封入成形する工程で前記樹脂の中心部で、かつ、前
記ダイパッドの裏面が外部と連通するように基準孔を形
成し、該基準孔により位置決めをして前記連結バーを切
断除去することを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明による半導体装置は、ダイパ
ッドに半導体チップがダイボンディングされ、該半導体
チップおよびその周囲の各リードとの電気的接続部が樹
脂で封入成形されてなる半導体装置であって、前記樹脂
の中央部で、かつ、前記ダイパッドの裏面が外部と連通
するように基準孔が形成され、該基準孔を位置決めとし
て前記各リードがリードフレームから切断分離されてな
ることを特徴とするものである。
ッドに半導体チップがダイボンディングされ、該半導体
チップおよびその周囲の各リードとの電気的接続部が樹
脂で封入成形されてなる半導体装置であって、前記樹脂
の中央部で、かつ、前記ダイパッドの裏面が外部と連通
するように基準孔が形成され、該基準孔を位置決めとし
て前記各リードがリードフレームから切断分離されてな
ることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】樹脂でモールドするとき、樹脂は中心部に収縮
して固化し、各リード部分も中心部の方に引張られ、リ
ードフレームの状態と比べて各リードの位置にずれが生
じる。しかし本発明によれば樹脂でモールドするときに
樹脂の中心部に基準孔を形成し、その基準孔により連結
バーの切断機の金型を位置合わせしているため、中心部
の基準孔からは左右へのリードの位置ずれはほぼ同程度
で位置合わせがし易く、ずれによるリード部の切断など
がなくなり、正確に連結バーの切断をできる。
して固化し、各リード部分も中心部の方に引張られ、リ
ードフレームの状態と比べて各リードの位置にずれが生
じる。しかし本発明によれば樹脂でモールドするときに
樹脂の中心部に基準孔を形成し、その基準孔により連結
バーの切断機の金型を位置合わせしているため、中心部
の基準孔からは左右へのリードの位置ずれはほぼ同程度
で位置合わせがし易く、ずれによるリード部の切断など
がなくなり、正確に連結バーの切断をできる。
【００１０】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明について
説明する。図１は本発明によりタイバーなどの連結バー
を切断する状態を説明する分解斜視図で、図２はその断
面を示す説明図である。
説明する。図１は本発明によりタイバーなどの連結バー
を切断する状態を説明する分解斜視図で、図２はその断
面を示す説明図である。
【００１１】図１〜２において、リードフレーム１のダ
イパッド15に半導体チップ５がダイボンディングされ、
リード14とワイヤボンディングなどの電気的接続がされ
樹脂２でモールドされた状態を示しており、リードフレ
ーム１のサイドレール11にはインデックス孔12が形成さ
れ、樹脂でモールドするときの樹脂流れを防止するため
のタイバー13および周囲の連結リードにより各リード14
は連結されている。本実施例では前工程の樹脂でモール
ドするときに、樹脂２の中心部に基準孔21を形成してい
る。この基準孔21はモールド用金型の下型にピンを形成
しておくことにより、容易に形成できる。この基準孔21
とタイバー13など連結バーを切断する下金型３に形成さ
れた位置決めピン31とを嵌合させることにより、しっか
りと位置決めをすることができる。（図には半導体装置
１個分しか図示されていないが、リードフレームには横
方向に同じ半導体装置が何個も連結されており、各々の
樹脂部分に基準孔が形成されているため回転方向のずれ
は発生しない。）この状態でタイバーポンチ４を上側か
らプレスすることにより、タイバー13など連結バーを正
確に切断でき、リード14をほとんど傷つけないで分離で
きる。
イパッド15に半導体チップ５がダイボンディングされ、
リード14とワイヤボンディングなどの電気的接続がされ
樹脂２でモールドされた状態を示しており、リードフレ
ーム１のサイドレール11にはインデックス孔12が形成さ
れ、樹脂でモールドするときの樹脂流れを防止するため
のタイバー13および周囲の連結リードにより各リード14
は連結されている。本実施例では前工程の樹脂でモール
ドするときに、樹脂２の中心部に基準孔21を形成してい
る。この基準孔21はモールド用金型の下型にピンを形成
しておくことにより、容易に形成できる。この基準孔21
とタイバー13など連結バーを切断する下金型３に形成さ
れた位置決めピン31とを嵌合させることにより、しっか
りと位置決めをすることができる。（図には半導体装置
１個分しか図示されていないが、リードフレームには横
方向に同じ半導体装置が何個も連結されており、各々の
樹脂部分に基準孔が形成されているため回転方向のずれ
は発生しない。）この状態でタイバーポンチ４を上側か
らプレスすることにより、タイバー13など連結バーを正
確に切断でき、リード14をほとんど傷つけないで分離で
きる。
【００１２】樹脂でモールドするときは、リードフレー
ム１のインデックス孔12を基準にしてリードフレーム１
とモールド用金型との位置合わせをすることになるが、
樹脂が固化するときに収縮力が働き、樹脂の中心方向に
各リード14も引張られる方向にずれを生じる。しかしモ
ールド用金型に形成した基準孔用のピンはモールドされ
る樹脂のほぼ中心部になるように形成されており、しか
もモールド用金型の精度は10μｍ以下で形成できるた
め、成形樹脂の中心部に形成された基準孔21は非常に精
度よく形成できる。そのため、そののちの連結バー切断
用の金型をこの樹脂２に形成された基準孔21により位置
合わせすることにより、リード間隔の狭くなった半導体
装置でも正確に切断できる。
ム１のインデックス孔12を基準にしてリードフレーム１
とモールド用金型との位置合わせをすることになるが、
樹脂が固化するときに収縮力が働き、樹脂の中心方向に
各リード14も引張られる方向にずれを生じる。しかしモ
ールド用金型に形成した基準孔用のピンはモールドされ
る樹脂のほぼ中心部になるように形成されており、しか
もモールド用金型の精度は10μｍ以下で形成できるた
め、成形樹脂の中心部に形成された基準孔21は非常に精
度よく形成できる。そのため、そののちの連結バー切断
用の金型をこの樹脂２に形成された基準孔21により位置
合わせすることにより、リード間隔の狭くなった半導体
装置でも正確に切断できる。
【００１３】前述の樹脂２に形成される基準孔21はリー
ドフレームの下側に形成した例で説明したが、リードフ
レームより上側、すなわち金型の上型に突起を設けて形
成してもよい。このばあい、ポンチ４はリードフレーム
の裏側からプレスすることになる。しかし、前述の理由
によりできるだけ成形された樹脂の中心部に形成するこ
とが望ましい。また基準孔21をダイパッド15の裏側で、
ダイパッド15の裏面が外部と連通するように形成する
と、樹脂の吸湿性による水分がハンダ付けなどの高温状
態で蒸気化したときでも、この基準孔21を経て外部に放
出され、樹脂の剥離ひいてはクラックに発展するのを防
止する効果を兼ねることができる。
ドフレームの下側に形成した例で説明したが、リードフ
レームより上側、すなわち金型の上型に突起を設けて形
成してもよい。このばあい、ポンチ４はリードフレーム
の裏側からプレスすることになる。しかし、前述の理由
によりできるだけ成形された樹脂の中心部に形成するこ
とが望ましい。また基準孔21をダイパッド15の裏側で、
ダイパッド15の裏面が外部と連通するように形成する
と、樹脂の吸湿性による水分がハンダ付けなどの高温状
態で蒸気化したときでも、この基準孔21を経て外部に放
出され、樹脂の剥離ひいてはクラックに発展するのを防
止する効果を兼ねることができる。
【００１４】また前述のモールド時に基準孔を形成する
のに、モールド用金型のピンをテーパ形に形成して円錐
台状の基準孔を形成すればモールド後に成形品を金型か
ら取り外すとき容易に分離でき、基準孔に傷をつけたり
変形させることがない。このばあい、連結バー切断の金
型の位置決めピンもテーパに形成すればよい。
のに、モールド用金型のピンをテーパ形に形成して円錐
台状の基準孔を形成すればモールド後に成形品を金型か
ら取り外すとき容易に分離でき、基準孔に傷をつけたり
変形させることがない。このばあい、連結バー切断の金
型の位置決めピンもテーパに形成すればよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、連
結バーの切断を樹脂でモールドするときに樹脂の中央部
付近に形成された基準孔を位置決めにして切断機の抜き
型を合わせているため、樹脂の固化のときに収縮などに
より生じるリードの変形に対しても対応でき、正確に連
結バーの切断をできる。その結果、リードを部分的に細
くして機械的強度を弱めたり、電気的特性を悪化させる
ことがなく、歩留が向上する。また連結バーを切断する
ポンチも片当りしないため、部分的損耗がなく設備の長
寿命化につながる。
結バーの切断を樹脂でモールドするときに樹脂の中央部
付近に形成された基準孔を位置決めにして切断機の抜き
型を合わせているため、樹脂の固化のときに収縮などに
より生じるリードの変形に対しても対応でき、正確に連
結バーの切断をできる。その結果、リードを部分的に細
くして機械的強度を弱めたり、電気的特性を悪化させる
ことがなく、歩留が向上する。また連結バーを切断する
ポンチも片当りしないため、部分的損耗がなく設備の長
寿命化につながる。
【００１６】さらに、樹脂でモールドするときに基準孔
を形成するため、この基準孔をダイパッドの裏側に連通
するように形成すれば、樹脂で吸湿した水分の蒸気を外
部に逃がすことができ、樹脂の剥離やクラックを防止す
ることもできる。
を形成するため、この基準孔をダイパッドの裏側に連通
するように形成すれば、樹脂で吸湿した水分の蒸気を外
部に逃がすことができ、樹脂の剥離やクラックを防止す
ることもできる。
【図１】本発明の一実施例である連結バーを切断する状
態を説明する分解斜視図である。
態を説明する分解斜視図である。
【図２】図１の断面を示す図である。
【図３】従来の連結バーを切断する状態を説明する斜視
図である。
図である。
１ リードフレーム ２ 樹脂 ５ 半導体チップ 13 タイバー 14 リード 21 基準孔 31 位置決めピン
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッドとその周囲に配置されたリー
ドが、連結バーで相互に連結されたリードフレームの前
記ダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、該
半導体チップと前記リードの先端とを電気的接続し、前
記半導体チップおよび前記リードの先端部分を樹脂で封
入成形したのち前記連結バーを切断除去して前記各リー
ドを電気的に分離する半導体装置の製法であって、前記
樹脂で封入成形する工程で前記樹脂の中心部で、かつ、
前記ダイパッドの裏面が外部と連通するように基準孔を
形成し、該基準孔により位置決めをして前記連結バーを
切断除去することを特徴とする半導体装置の製法。 - 【請求項２】 ダイパッドに半導体チップがダイボンデ
ィングされ、該半導体チップおよびその周囲の各リード
との電気的接続部が樹脂で封入成形されてなる半導体装
置であって、前記樹脂の中央部で、かつ、前記ダイパッ
ドの裏面が外部と連通するように基準孔が形成され、該
基準孔を位置決めとして前記各リードがリードフレーム
から切断分離されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023730A JP2983105B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023730A JP2983105B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226546A JPH05226546A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2983105B2 true JP2983105B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=12118436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023730A Expired - Fee Related JP2983105B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2983105B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5315408B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-10-16 | 株式会社フジクラ | 位置決め方法及び光モジュール |
| JP5314119B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-10-16 | 株式会社フジクラ | 光モジュール |
| CN103282814B (zh) * | 2011-12-26 | 2015-02-25 | 株式会社藤仓 | 光模块 |
| JP5653983B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2015-01-14 | 株式会社フジクラ | モジュール製造方法及びモジュール |
| JP5391356B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-01-15 | 株式会社フジクラ | 光モジュール |
| JP5391355B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-01-15 | 株式会社フジクラ | 光モジュール |
| CN116373209A (zh) * | 2023-06-05 | 2023-07-04 | 宁波中车时代传感技术有限公司 | 一种塑封电流检测装置的制作方法及塑封电流检测装置 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP4023730A patent/JP2983105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226546A (ja) | 1993-09-03 |
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