JP2978582B2 - 電磁気特性変化部の検出方法および装置 - Google Patents
電磁気特性変化部の検出方法および装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、油圧シリンダの位置検
出装置やリニヤスケール、ロータリエンコーダ等の被検
出部材に形成した電磁気特性変化部を検出する方法およ
び装置に関する。
出装置やリニヤスケール、ロータリエンコーダ等の被検
出部材に形成した電磁気特性変化部を検出する方法およ
び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】位置センサ等においては、スケールに凹
凸溝からなる電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特
性変化部に磁界を作用させ、電磁気特性変化部による磁
束の揺らぎを強磁性体薄膜磁気抵抗素子などの電磁感知
素子を用いて検出することが行われる。そして、一般に
は、磁束の揺らぎを感度よく検出するために、4つの磁
気抵抗素子を用いるとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を構成するようにしている。
凸溝からなる電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特
性変化部に磁界を作用させ、電磁気特性変化部による磁
束の揺らぎを強磁性体薄膜磁気抵抗素子などの電磁感知
素子を用いて検出することが行われる。そして、一般に
は、磁束の揺らぎを感度よく検出するために、4つの磁
気抵抗素子を用いるとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を構成するようにしている。
【0003】すなわち、図4(A)に示したように、4
つの磁気抵抗素子10a〜10dを、スケール12の凹
凸溝からなる目盛り14に沿って配置する。これらの磁
気抵抗素子10a〜10dは、磁気抵抗素子10a、1
0cが同時にスケール12の凸部16と対応した位置に
くると、他の2つの磁気抵抗素子10b、10dが凹部
18と対応した位置となるようになっている。
つの磁気抵抗素子10a〜10dを、スケール12の凹
凸溝からなる目盛り14に沿って配置する。これらの磁
気抵抗素子10a〜10dは、磁気抵抗素子10a、1
0cが同時にスケール12の凸部16と対応した位置に
くると、他の2つの磁気抵抗素子10b、10dが凹部
18と対応した位置となるようになっている。
【0004】さらに、各磁気抵抗素子10a〜10d
は、図4(B)に示したように検出回路としてのブリッ
ジ回路20を構成しており、斜線で示した同時に凸部1
6と対応した位置にくる磁気抵抗素子10a、10cが
ブリッジ回路20の対向した2辺を構成し、他の磁気抵
抗素子10b、10dがブリッジ回路20の他の2辺を
構成している。そして、ブリッジ回路20の出力Eは、
各磁気抵抗素子10a〜10dの電気抵抗をRa 〜Rd
とすると、
は、図4(B)に示したように検出回路としてのブリッ
ジ回路20を構成しており、斜線で示した同時に凸部1
6と対応した位置にくる磁気抵抗素子10a、10cが
ブリッジ回路20の対向した2辺を構成し、他の磁気抵
抗素子10b、10dがブリッジ回路20の他の2辺を
構成している。そして、ブリッジ回路20の出力Eは、
各磁気抵抗素子10a〜10dの電気抵抗をRa 〜Rd
とすると、
【数1】E∝Rb ×Rd −Ra ×Rc である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く構成したブ
リッジ回路20は、スケールの電磁気特性変化部が凸部
16と凹部18とからなる凹凸溝によって形成してある
ため、図5に示したように、磁石22によって印加され
た磁場(磁束φ)が凸部16のエッジの部分で乱れる。
このため、位置センサのようにブリッジ回路20の出力
が繰り返し波形となる場合には、ブリッジ回路20の出
力を繰り返しのディジタル化するコンパレータ処理はう
まく行うことができるが、例えばスケールの原点等を検
出する場合のように、被検出部材に単一またはとびとび
に電磁気特性変化部を形成して、いわゆる一発波形(1
ビット)を発生させるようになっていると、電磁気特性
変化部周囲の磁束の揺らぎによって、基本波の横にノイ
ズのような小さな波が出ることが多く、コンパレータ処
理を困難にしている。
リッジ回路20は、スケールの電磁気特性変化部が凸部
16と凹部18とからなる凹凸溝によって形成してある
ため、図5に示したように、磁石22によって印加され
た磁場(磁束φ)が凸部16のエッジの部分で乱れる。
このため、位置センサのようにブリッジ回路20の出力
が繰り返し波形となる場合には、ブリッジ回路20の出
力を繰り返しのディジタル化するコンパレータ処理はう
まく行うことができるが、例えばスケールの原点等を検
出する場合のように、被検出部材に単一またはとびとび
に電磁気特性変化部を形成して、いわゆる一発波形(1
ビット)を発生させるようになっていると、電磁気特性
変化部周囲の磁束の揺らぎによって、基本波の横にノイ
ズのような小さな波が出ることが多く、コンパレータ処
理を困難にしている。
【0006】すなわち、上記のブリッジ回路20を構成
している磁気抵抗素子10a〜10dが、図6(A)〜
(H)に示したように、スケール12の凸部16をもっ
て形成した電磁気特性変化部を通過すると、
している磁気抵抗素子10a〜10dが、図6(A)〜
(H)に示したように、スケール12の凸部16をもっ
て形成した電磁気特性変化部を通過すると、
【0007】 図6(A)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc =0 図6(B)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≪0 図6(C)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≫0 図6(D)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≪0 図6(E)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≫0 図6(F)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc <0 図6(G)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc >0 図6(H)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc =0 となり、基準電圧(零点)のプラス側またはマイナス側
に複数の信号が出ることになる。このため、従来の電磁
気特性変化部の検出方法においては、一発波形の検出を
行うと、図7のようにプラス側またはマイナス側にほぼ
ピークが等しい2つの波形が検出されることになり、検
出誤差の原因となる。
に複数の信号が出ることになる。このため、従来の電磁
気特性変化部の検出方法においては、一発波形の検出を
行うと、図7のようにプラス側またはマイナス側にほぼ
ピークが等しい2つの波形が検出されることになり、検
出誤差の原因となる。
【0008】一方、例えば、特公昭56−1567号公
報に記載のように、電磁気特性変化部を着磁によって形
成し、直列接続した2組の強磁性体磁気抵抗素子の感磁
方向を直交させ、両者の出力の差動を取るようにする場
合もある。しかし、この場合には、出力の波形がピーク
幅の広い、面積の大きなものとなってしまい、検出精度
の低下を生ずる。
報に記載のように、電磁気特性変化部を着磁によって形
成し、直列接続した2組の強磁性体磁気抵抗素子の感磁
方向を直交させ、両者の出力の差動を取るようにする場
合もある。しかし、この場合には、出力の波形がピーク
幅の広い、面積の大きなものとなってしまい、検出精度
の低下を生ずる。
【0009】本発明は、上記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、単一の電磁気特性変化部を精度
よく検出することができるとともに、ピーク幅の狭い波
形が得られる電磁気特性変化部の検出方法および装置を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、単一の電磁気特性変化部を精度
よく検出することができるとともに、ピーク幅の狭い波
形が得られる電磁気特性変化部の検出方法および装置を
提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】従来、例えば凹凸を設け
て電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特性変化部を
4つの素子を用いてブリッジ回路によって検出する場
合、ブリッジ回路の対向する2辺を、同時に凸部と対応
した位置にくる2つの素子をもって構成し、他の対向し
た2辺を同時に凹部と対応した位置にくる2つの素子に
よって構成していた。これは、ブリッジ回路の出力が
〔数1〕に示したように、対向した2辺の抵抗値の積の
差に比例するため、ブリッジ回路の対向した2辺を凸部
に対応した位置にある素子と、凹部に対応した位置にあ
る素子とによって形成すると、〔数1〕右辺の第1項と
第2項とがほぼ等しくなって、ブリッジ回路の出力Eが
得られないと考えられていたことによる。
て電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特性変化部を
4つの素子を用いてブリッジ回路によって検出する場
合、ブリッジ回路の対向する2辺を、同時に凸部と対応
した位置にくる2つの素子をもって構成し、他の対向し
た2辺を同時に凹部と対応した位置にくる2つの素子に
よって構成していた。これは、ブリッジ回路の出力が
〔数1〕に示したように、対向した2辺の抵抗値の積の
差に比例するため、ブリッジ回路の対向した2辺を凸部
に対応した位置にある素子と、凹部に対応した位置にあ
る素子とによって形成すると、〔数1〕右辺の第1項と
第2項とがほぼ等しくなって、ブリッジ回路の出力Eが
得られないと考えられていたことによる。
【0011】しかし、発明者等の実験によると、例えば
凸部における磁束の分布は、横バイアスがかかるため図
6のように凸部の中心の左側と右側とでは異なった分布
となっている。また、ゆらぎが凹凸で対称形に生じない
ため、これが前記した複数の出力が生じる原因となって
いる考えられる。また、発明者等は、ブリッジ回路の対
向する2辺が、凸部に対応した位置にある素子と、凹部
に対応した位置にある素子とによって形成された場合で
あっても、すなわち検出信号を相殺するように接続した
場合であっても、出力信号を取り出せることを見出し
た。
凸部における磁束の分布は、横バイアスがかかるため図
6のように凸部の中心の左側と右側とでは異なった分布
となっている。また、ゆらぎが凹凸で対称形に生じない
ため、これが前記した複数の出力が生じる原因となって
いる考えられる。また、発明者等は、ブリッジ回路の対
向する2辺が、凸部に対応した位置にある素子と、凹部
に対応した位置にある素子とによって形成された場合で
あっても、すなわち検出信号を相殺するように接続した
場合であっても、出力信号を取り出せることを見出し
た。
【0012】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法は、電
磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動する4つ
の電磁感知素子を、相対移動方向に一列に、かつ相対移
動に伴って4つの中の2つが同時に前記電磁気特性変化
部と対応した位置にあるときに、他の2つが電磁気特性
変化部と対応しない位置となるように配列し、これら4
つの電磁感知素子のそれぞれをブリッジ回路の4つの辺
に接続して前記電磁気特性変化部を検出する電磁気特性
変化部の検出方法において、前記4つの電磁感知素子は
前記電磁気特性変化部における磁束に横バイアスをかけ
るための磁気シールドケースに収納された強磁性体磁気
抵抗素子であり、前記ブリッジ回路の対向する2辺のそ
れぞれに、前記4つの電磁感知素子の中の前記電磁気特
性変化部と対応した位置となる1つと、前記電磁気特性
変化部と対応しない位置となる1つとを接続することを
特徴としている。
ので、本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法は、電
磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動する4つ
の電磁感知素子を、相対移動方向に一列に、かつ相対移
動に伴って4つの中の2つが同時に前記電磁気特性変化
部と対応した位置にあるときに、他の2つが電磁気特性
変化部と対応しない位置となるように配列し、これら4
つの電磁感知素子のそれぞれをブリッジ回路の4つの辺
に接続して前記電磁気特性変化部を検出する電磁気特性
変化部の検出方法において、前記4つの電磁感知素子は
前記電磁気特性変化部における磁束に横バイアスをかけ
るための磁気シールドケースに収納された強磁性体磁気
抵抗素子であり、前記ブリッジ回路の対向する2辺のそ
れぞれに、前記4つの電磁感知素子の中の前記電磁気特
性変化部と対応した位置となる1つと、前記電磁気特性
変化部と対応しない位置となる1つとを接続することを
特徴としている。
【0013】また、本発明の電磁気特性変化部の検出装
置は、電磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動
し、この相対移動方向に一列に配列した4つの電磁感知
素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞれが4つの
辺を形成しているブリッジ回路とを有する電磁気特性変
化部の検出装置において、前記4つの電磁感知素子は前
記電磁気特性変化部における磁束に横バイアスをかける
ための磁気シールドケースに収納された強磁性体磁気抵
抗素子であり、前記4つの電磁感知素子は前記電磁気特
性変化部における磁束に横バイアスをかけるための磁気
シールドケースに収納された強磁性体磁気抵抗素子であ
り、前記一列に配列した4つの電磁感知素子の中の外側
の2つを、前記ブリッジ回路の対向した2つの辺のそれ
ぞれに接続し、内側の2つをブリッジ回路の他の対向す
る2辺のそれぞれに接続したことを特徴としている。
置は、電磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動
し、この相対移動方向に一列に配列した4つの電磁感知
素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞれが4つの
辺を形成しているブリッジ回路とを有する電磁気特性変
化部の検出装置において、前記4つの電磁感知素子は前
記電磁気特性変化部における磁束に横バイアスをかける
ための磁気シールドケースに収納された強磁性体磁気抵
抗素子であり、前記4つの電磁感知素子は前記電磁気特
性変化部における磁束に横バイアスをかけるための磁気
シールドケースに収納された強磁性体磁気抵抗素子であ
り、前記一列に配列した4つの電磁感知素子の中の外側
の2つを、前記ブリッジ回路の対向した2つの辺のそれ
ぞれに接続し、内側の2つをブリッジ回路の他の対向す
る2辺のそれぞれに接続したことを特徴としている。
【0014】なお、電磁気特性変化部の幅をλ/2とし
た場合、各素子はλ/4またはλ/4よりやや小さく形
成し、各素子間の距離(ピッチ)をλ/4のすることが
望ましい。ブリッジのそれぞれの同じ辺にある2つの素
子の中心一がλ/4より大きいか(さもなければ小さ
い)値にすることが望ましい。
た場合、各素子はλ/4またはλ/4よりやや小さく形
成し、各素子間の距離(ピッチ)をλ/4のすることが
望ましい。ブリッジのそれぞれの同じ辺にある2つの素
子の中心一がλ/4より大きいか(さもなければ小さ
い)値にすることが望ましい。
【0015】
【作用】上記の如く構成した本発明によれば、電磁気特
性変化部のエッジ部における磁界の揺らぎの影響を除去
することができ、電磁気特性変化部に対応した単一の検
出波形を得ることができるとともに、ピーク幅の狭い検
出波形が得られ、単一の電磁気特性変化部を容易、かつ
高精度で検出することができる。
性変化部のエッジ部における磁界の揺らぎの影響を除去
することができ、電磁気特性変化部に対応した単一の検
出波形を得ることができるとともに、ピーク幅の狭い検
出波形が得られ、単一の電磁気特性変化部を容易、かつ
高精度で検出することができる。
【0016】
【実施例】本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法お
よび装置の好ましい実施例を、添付図面に従って詳説す
る。なお、前記実施例において説明した部分に対応する
部分については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
よび装置の好ましい実施例を、添付図面に従って詳説す
る。なお、前記実施例において説明した部分に対応する
部分については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
【0017】図1は、本発明の実施例に係る電磁気特性
変化部の検出方法および装置の説明図であって、図1
(A)は電磁感知素子の配列状態を示す斜視図、同
(B)はブリッジ回路図である。
変化部の検出方法および装置の説明図であって、図1
(A)は電磁感知素子の配列状態を示す斜視図、同
(B)はブリッジ回路図である。
【0018】図1において、電磁感知素子である4つの
磁気抵抗素子10A〜10Dは、従来と同様に、被検出
部材であるスケール12の目盛り14に沿って一列に配
置してある。これらの磁気抵抗素子10A〜10Dは、
図示しない磁気シールドケース等に収納され、スケール
12と相対移動可能に保持されている。また、各磁気抵
抗素子10A〜10Dの幅は、電磁気特性変化部である
凸部16の幅をλ/2とした場合に、その半分のλ/4
ないしはこれよりやや小さく形成してあり、ブリッジに
おいて掛け合わされる素子の中心同士の距離がλ/4に
設定してある。
磁気抵抗素子10A〜10Dは、従来と同様に、被検出
部材であるスケール12の目盛り14に沿って一列に配
置してある。これらの磁気抵抗素子10A〜10Dは、
図示しない磁気シールドケース等に収納され、スケール
12と相対移動可能に保持されている。また、各磁気抵
抗素子10A〜10Dの幅は、電磁気特性変化部である
凸部16の幅をλ/2とした場合に、その半分のλ/4
ないしはこれよりやや小さく形成してあり、ブリッジに
おいて掛け合わされる素子の中心同士の距離がλ/4に
設定してある。
【0019】このため、磁気抵抗素子10A〜10D
は、2つが同時に電磁気特性変化部である凸部16に対
応した位置にくると、他の2つは凹部18と対応した位
置にくるようになっている。また、これらの磁気抵抗素
子10A〜10Dは、図1(B)に示したように、検出
回路であるブリッジ回路30を構成している。
は、2つが同時に電磁気特性変化部である凸部16に対
応した位置にくると、他の2つは凹部18と対応した位
置にくるようになっている。また、これらの磁気抵抗素
子10A〜10Dは、図1(B)に示したように、検出
回路であるブリッジ回路30を構成している。
【0020】しかし、このブリッジ回路30は、従来技
術において示したブリッジ回路10b・10c−10a
・10dと異なり、一列に配列した4つの磁気抵抗素子
10a〜10dの中、凹部、凸部の2つの磁気抵抗素子
10B、10Cが、ブリッジ回路30の対向した2つの
辺のそれぞれに接続され、凹部、凸部の2つの磁気抵抗
素子10A、10Dがブリッジ回路30の他の対向した
2辺を構成している。従って、ブリッジ回路30の出力
Eは、各磁気抵抗素子10A〜10Dの電気抵抗をRA
〜RD とすると、
術において示したブリッジ回路10b・10c−10a
・10dと異なり、一列に配列した4つの磁気抵抗素子
10a〜10dの中、凹部、凸部の2つの磁気抵抗素子
10B、10Cが、ブリッジ回路30の対向した2つの
辺のそれぞれに接続され、凹部、凸部の2つの磁気抵抗
素子10A、10Dがブリッジ回路30の他の対向した
2辺を構成している。従って、ブリッジ回路30の出力
Eは、各磁気抵抗素子10A〜10Dの電気抵抗をRA
〜RD とすると、
【数2】E∝RB ×RC −RD ×RA となる。すなわち、ブリッジ回路30の出力Eは、〔数
2〕の右辺のいずれもが凸部16に対応した位置にある
磁気抵抗素子の抵抗値と、凹部18に対応した位置にあ
る磁気抵抗素子の抵抗値との積に比例するようになって
いる。そして、ブリッジ回路30を構成している各磁気
抵抗素子10A〜10Dが、図6(A)〜(H)の如く
電磁気特性変化部である凸部16を通過すると、ブリッ
ジ回路30の出力は、図6(A)の状態の場合、
2〕の右辺のいずれもが凸部16に対応した位置にある
磁気抵抗素子の抵抗値と、凹部18に対応した位置にあ
る磁気抵抗素子の抵抗値との積に比例するようになって
いる。そして、ブリッジ回路30を構成している各磁気
抵抗素子10A〜10Dが、図6(A)〜(H)の如く
電磁気特性変化部である凸部16を通過すると、ブリッ
ジ回路30の出力は、図6(A)の状態の場合、
【数3】RB ×RC −RD ×RA =0 図6(B)の状態の場合、
【数4】RB ×RC −RD ×RA ≫0 図6(C)の状態の場合、
【数5】RB ×RC −RD ×RA <0 図6(D)の状態の場合、
【数6】RB ×RC −RD ×RA ≫0 図6(E)の状態の場合、
【数7】RB ×RC −RD ×RA <0 図6(F)の状態の場合、
【数8】RB ×RC −RD ×RA <0 図6(G)の状態の場合、
【数9】RB ×RC −RD ×RA >0 図6(H)の状態の場合、
【数10】RB ×RC −RD ×RA =0 のように変化する。すなわち、ブリッジ回路30の出力
波形を模式的に表すと、図2のようになり、基準電圧
(零点)に対して一側(プラス側またはマイナス側)に
大きな1つのピークを形成する。なお、図2中の符号A
〜Hは、図6の(A)〜(H)に対応している。
波形を模式的に表すと、図2のようになり、基準電圧
(零点)に対して一側(プラス側またはマイナス側)に
大きな1つのピークを形成する。なお、図2中の符号A
〜Hは、図6の(A)〜(H)に対応している。
【0021】図3は、スケール12の凸部16を1mm
をもって形成し、また各磁気抵抗素子10A〜10Dの
幅を0.5mm(λ/4)、素子間ピッチ0.5mmに
形成したときのブリッジ回路30の出力波形を示したも
のである。図に示されるとおりプラス側またはマイナス
側に1つの大きなピークを示す波形が得られ、例えば原
点等のように、1ビット用に形成した単一の電磁気特性
変化部を容易、確実に検出することができる。しかも、
波形の幅が狭いため、検出精度の向上を図ることができ
る。
をもって形成し、また各磁気抵抗素子10A〜10Dの
幅を0.5mm(λ/4)、素子間ピッチ0.5mmに
形成したときのブリッジ回路30の出力波形を示したも
のである。図に示されるとおりプラス側またはマイナス
側に1つの大きなピークを示す波形が得られ、例えば原
点等のように、1ビット用に形成した単一の電磁気特性
変化部を容易、確実に検出することができる。しかも、
波形の幅が狭いため、検出精度の向上を図ることができ
る。
【0022】また、4つの磁気抵抗素子10A〜10D
によってブリッジ回路30を構成することにより、温度
変化等による影響をキャンセルすることができる。勿
論、スケールの目盛りのように、周期的かつ連続的に電
磁気特性変化部が変化する場合にも、検出精度が向上
し、雑音等の影響を小さくできて検出誤差を小さくする
ことができる。また、横バイアス磁場を調整することで
ピークを大きくできる。特に、45度方向からのバイア
スは、ピーク長を大きくすることができる。
によってブリッジ回路30を構成することにより、温度
変化等による影響をキャンセルすることができる。勿
論、スケールの目盛りのように、周期的かつ連続的に電
磁気特性変化部が変化する場合にも、検出精度が向上
し、雑音等の影響を小さくできて検出誤差を小さくする
ことができる。また、横バイアス磁場を調整することで
ピークを大きくできる。特に、45度方向からのバイア
スは、ピーク長を大きくすることができる。
【0023】なお、前記実施例においては、電磁気特性
変化部を凸部16によって形成した場合について説明し
たが、電磁気特性変化部は着磁等によって形成してもよ
い。さらに、前記実施例においては、スケール12が直
線的に形成されている場合について説明したが、ロータ
リエンコーダ等に適用できるのは勿論である。
変化部を凸部16によって形成した場合について説明し
たが、電磁気特性変化部は着磁等によって形成してもよ
い。さらに、前記実施例においては、スケール12が直
線的に形成されている場合について説明したが、ロータ
リエンコーダ等に適用できるのは勿論である。
【0024】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、一列に配列した4つの強磁性体磁気抵抗素子である
電磁感知素子の中、電磁気特性変化部と対応する位置に
ある電磁感知素子と、電磁気特性変化部と対応した位置
にない電磁感知素子とによって、ブリッジ回路の対向し
た2辺を構成したことにより、基準電圧に対して一側に
幅の狭い1つのピークを有する1力波形が得られ、原点
等の単一の電磁気特性変化部を高精度に検出することが
できる。
ば、一列に配列した4つの強磁性体磁気抵抗素子である
電磁感知素子の中、電磁気特性変化部と対応する位置に
ある電磁感知素子と、電磁気特性変化部と対応した位置
にない電磁感知素子とによって、ブリッジ回路の対向し
た2辺を構成したことにより、基準電圧に対して一側に
幅の狭い1つのピークを有する1力波形が得られ、原点
等の単一の電磁気特性変化部を高精度に検出することが
できる。
【図1】本発明の実施例に係る電磁気特性変化部の検出
方法および装置の説明図であって、(A)は磁気抵抗素
子の配列状態を示す斜視図、(B)はブリッジ回路図で
ある。
方法および装置の説明図であって、(A)は磁気抵抗素
子の配列状態を示す斜視図、(B)はブリッジ回路図で
ある。
【図2】実施例に係るブリッジ回路の出力波形の模式図
である。
である。
【図3】実施例に係るブリッジ回路の出力波形の一例を
示す図である。
示す図である。
【図4】従来の電磁気特性変化部の検出方法の説明図で
ある。
ある。
【図5】目盛り部の磁界の印加状態を示す斜視図であ
る。
る。
【図6】電磁気特性変化部の検出方法の作用説明図であ
る。
る。
【図7】従来の電磁気特性変化部の検出方法のブリッジ
回路の出力波形図である。
回路の出力波形図である。
10A〜10D 電磁気特性変化部(磁気抵抗素子) 12 被検出部材(スケール) 16 電磁気特性変化部(凸部) 20、30 ブリッジ回路
Claims (2)
- 【請求項1】 電磁気特性変化部を有する被検出部材と
相対移動する4つの電磁感知素子を、相対移動方向に一
列に、かつ相対移動に伴って4つの中の2つが同時に前
記電磁気特性変化部と対応した位置にあるときに、他の
2つが電磁気特性変化部と対応しない位置となるように
配列し、これら4つの電磁感知素子のそれぞれをブリッ
ジ回路の4つの辺に接続して前記電磁気特性変化部を検
出する電磁気特性変化部の検出方法において、前記4つ
の電磁感知素子は前記電磁気特性変化部における磁束に
横バイアスをかけるための磁気シールドケースに収納さ
れた強磁性体磁気抵抗素子であり、前記ブリッジ回路の
対向する2辺のそれぞれに、前記4つの電磁感知素子の
中の前記電磁気特性変化部と対応した位置となる1つ
と、前記電磁気特性変化部と対応しない位置となる1つ
とを接続することを特徴とする電磁気特性変化部の検出
方法。 - 【請求項2】 電磁気特性変化部を有する被検出部材と
相対移動し、この相対移動方向に一列に配列した4つの
電磁感知素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞれ
が4つの辺を形成しているブリッジ回路とを有する電磁
気特性変化部の検出装置において、前記4つの電磁感知
素子は前記電磁気特性変化部における磁束に横バイアス
をかけるための磁気シールドケースに収納された強磁性
体磁気抵抗素子であり、前記4つの電磁感知素子は前記
電磁気特性変化部における磁束に横バイアスをかけるた
めの磁気シールドケースに収納された強磁性体磁気抵抗
素子であり、前記一列に配列した4つの電磁感知素子の
中の外側の2つを、前記ブリッジ回路の対向した2つの
辺のそれぞれに接続し、内側の2つをブリッジ回路の他
の対向する2辺のそれぞれに接続したことを特徴とする
電磁気特性変化部の検出装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091353A JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
EP92907097A EP0608417B1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
US08/122,591 US5436560A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method and device for detecting electromagnetic characteristic changing portion |
PCT/JP1992/000352 WO1992017749A1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
DE69225491T DE69225491T2 (de) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Methode zum aufspüren von teilen, bei denen die elektromagnetischen eigenschaften verändert sind und gerät dazu |
AU14458/92A AU1445892A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091353A JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301702A JPH04301702A (ja) | 1992-10-26 |
JP2978582B2 true JP2978582B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=14024035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091353A Expired - Lifetime JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5436560A (ja) |
EP (1) | EP0608417B1 (ja) |
JP (1) | JP2978582B2 (ja) |
AU (1) | AU1445892A (ja) |
DE (1) | DE69225491T2 (ja) |
WO (1) | WO1992017749A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT407196B (de) * | 1993-11-17 | 2001-01-25 | Amo Automatisierung Messtechni | Positionsmelder für automatisierung |
JPH11304414A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気検出装置 |
SE529125C2 (sv) * | 2005-03-02 | 2007-05-08 | Tetra Laval Holdings & Finance | Sätt och anordning för att bestämma läget hos ett förpackningsmaterial med magnetiska markeringar |
US7598736B2 (en) * | 2007-08-27 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including magneto-resistive structures |
US9417098B2 (en) * | 2011-07-18 | 2016-08-16 | Honeywell International Inc. | Stationary magnet variable reluctance magnetic sensors |
KR102632407B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2024-01-31 | 한국전기연구원 | 센서모듈 및 그를 가지는 전동기 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561567A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS59146720U (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | フアナツク株式会社 | 磁気パルスエンコ−ダ |
JPS6031015A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗体を使用してなす位置センサ |
JPS62204118A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置あるいは速度を検出する装置 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091353A patent/JP2978582B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-24 US US08/122,591 patent/US5436560A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-24 AU AU14458/92A patent/AU1445892A/en not_active Abandoned
- 1992-03-24 DE DE69225491T patent/DE69225491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-24 WO PCT/JP1992/000352 patent/WO1992017749A1/ja active IP Right Grant
- 1992-03-24 EP EP92907097A patent/EP0608417B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0608417A4 (en) | 1994-02-22 |
WO1992017749A1 (en) | 1992-10-15 |
EP0608417A1 (en) | 1994-08-03 |
EP0608417B1 (en) | 1998-05-13 |
US5436560A (en) | 1995-07-25 |
DE69225491T2 (de) | 1999-01-14 |
DE69225491D1 (de) | 1998-06-18 |
AU1445892A (en) | 1992-11-02 |
JPH04301702A (ja) | 1992-10-26 |
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