JPH04301702A - 電磁気特性変化部の検出方法および装置 - Google Patents
電磁気特性変化部の検出方法および装置Info
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- JPH04301702A JPH04301702A JP3091353A JP9135391A JPH04301702A JP H04301702 A JPH04301702 A JP H04301702A JP 3091353 A JP3091353 A JP 3091353A JP 9135391 A JP9135391 A JP 9135391A JP H04301702 A JPH04301702 A JP H04301702A
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、油圧シリンダの位置検
出装置やリニヤスケール、ロータリエンコーダ等の被検
出部材に形成した電磁気特性変化部を検出する方法およ
び装置に関する。
出装置やリニヤスケール、ロータリエンコーダ等の被検
出部材に形成した電磁気特性変化部を検出する方法およ
び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】位置センサ等においては、スケールに凹
凸溝からなる電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特
性変化部に磁界を作用させ、電磁気特性変化部による磁
束の揺らぎを強磁性体薄膜磁気抵抗素子などの電磁感知
素子を用いて検出することが行われる。そして、一般に
は、磁束の揺らぎを感度よく検出するために、4つの磁
気抵抗素子を用いるとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を構成するようにしている。
凸溝からなる電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特
性変化部に磁界を作用させ、電磁気特性変化部による磁
束の揺らぎを強磁性体薄膜磁気抵抗素子などの電磁感知
素子を用いて検出することが行われる。そして、一般に
は、磁束の揺らぎを感度よく検出するために、4つの磁
気抵抗素子を用いるとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を構成するようにしている。
【0003】すなわち、図4(A)に示したように、4
つの磁気抵抗素子10a〜10dを、スケール12の凹
凸溝からなる目盛り14に沿って配置する。これらの磁
気抵抗素子10a〜10dは、磁気抵抗素子10a、1
0cが同時にスケール12の凸部16と対応した位置に
くると、他の2つの磁気抵抗素子10b、10dが凹部
18と対応した位置となるようになっている。
つの磁気抵抗素子10a〜10dを、スケール12の凹
凸溝からなる目盛り14に沿って配置する。これらの磁
気抵抗素子10a〜10dは、磁気抵抗素子10a、1
0cが同時にスケール12の凸部16と対応した位置に
くると、他の2つの磁気抵抗素子10b、10dが凹部
18と対応した位置となるようになっている。
【0004】さらに、各磁気抵抗素子10a〜10dは
、図4(B)に示したように検出回路としてのブリッジ
回路20を構成しており、斜線で示した同時に凸部16
と対応した位置にくる磁気抵抗素子10a、10cがブ
リッジ回路20の対向した2辺を構成し、他の磁気抵抗
素子10b、10dがブリッジ回路20の他の2辺を構
成している。そして、ブリッジ回路20の出力Eは、各
磁気抵抗素子10a〜10dの電気抵抗をRa 〜Rd
とすると、
、図4(B)に示したように検出回路としてのブリッジ
回路20を構成しており、斜線で示した同時に凸部16
と対応した位置にくる磁気抵抗素子10a、10cがブ
リッジ回路20の対向した2辺を構成し、他の磁気抵抗
素子10b、10dがブリッジ回路20の他の2辺を構
成している。そして、ブリッジ回路20の出力Eは、各
磁気抵抗素子10a〜10dの電気抵抗をRa 〜Rd
とすると、
【数1】E∝Rb ×Rd −Ra ×Rc である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く構成したブ
リッジ回路20は、スケールの電磁気特性変化部が凸部
16と凹部18とからなる凹凸溝によって形成してある
ため、図5に示したように、磁石22によって印加され
た磁場(磁束φ)が凸部16のエッジの部分で乱れる。 このため、位置センサのようにブリッジ回路20の出力
が繰り返し波形となる場合には、ブリッジ回路20の出
力を繰り返しのディジタル化するコンパレータ処理はう
まく行うことができるが、例えばスケールの原点等を検
出する場合のように、被検出部材に単一またはとびとび
に電磁気特性変化部を形成して、いわゆる一発波形(1
ビット)を発生させるようになっていると、電磁気特性
変化部周囲の磁束の揺らぎによって、基本波の横にノイ
ズのような小さな波が出ることが多く、コンパレータ処
理を困難にしている。
リッジ回路20は、スケールの電磁気特性変化部が凸部
16と凹部18とからなる凹凸溝によって形成してある
ため、図5に示したように、磁石22によって印加され
た磁場(磁束φ)が凸部16のエッジの部分で乱れる。 このため、位置センサのようにブリッジ回路20の出力
が繰り返し波形となる場合には、ブリッジ回路20の出
力を繰り返しのディジタル化するコンパレータ処理はう
まく行うことができるが、例えばスケールの原点等を検
出する場合のように、被検出部材に単一またはとびとび
に電磁気特性変化部を形成して、いわゆる一発波形(1
ビット)を発生させるようになっていると、電磁気特性
変化部周囲の磁束の揺らぎによって、基本波の横にノイ
ズのような小さな波が出ることが多く、コンパレータ処
理を困難にしている。
【0006】すなわち、上記のブリッジ回路20を構成
している磁気抵抗素子10a〜10dが、図6(A)〜
(H)に示したように、スケール12の凸部16をもっ
て形成した電磁気特性変化部を通過すると、
している磁気抵抗素子10a〜10dが、図6(A)〜
(H)に示したように、スケール12の凸部16をもっ
て形成した電磁気特性変化部を通過すると、
【0007
】 図6(A)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×R
c =0図6(B)の状態の場合、Rb ×Rd −R
a ×Rc ≪0図6(C)の状態の場合、Rb ×R
d −Ra ×Rc ≫0図6(D)の状態の場合、R
b ×Rd −Ra ×Rc ≪0図6(E)の状態の
場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≫0図6(F)
の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc <0図
6(G)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc
>0図6(H)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra
×Rc =0となり、基準電圧(零点)のプラス側ま
たはマイナス側に複数の信号が出ることになる。このた
め、従来の電磁気特性変化部の検出方法においては、一
発波形の検出を行うと、図7のようにプラス側またはマ
イナス側にほぼピークが等しい2つの波形が検出される
ことになり、検出誤差の原因となる。
】 図6(A)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×R
c =0図6(B)の状態の場合、Rb ×Rd −R
a ×Rc ≪0図6(C)の状態の場合、Rb ×R
d −Ra ×Rc ≫0図6(D)の状態の場合、R
b ×Rd −Ra ×Rc ≪0図6(E)の状態の
場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc ≫0図6(F)
の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc <0図
6(G)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra ×Rc
>0図6(H)の状態の場合、Rb ×Rd −Ra
×Rc =0となり、基準電圧(零点)のプラス側ま
たはマイナス側に複数の信号が出ることになる。このた
め、従来の電磁気特性変化部の検出方法においては、一
発波形の検出を行うと、図7のようにプラス側またはマ
イナス側にほぼピークが等しい2つの波形が検出される
ことになり、検出誤差の原因となる。
【0008】一方、例えば、特公昭56−1567号公
報に記載のように、電磁気特性変化部を着磁によって形
成し、直列接続した2組の強磁性体磁気抵抗素子の感磁
方向を直交させ、両者の出力の差動を取るようにする場
合もある。しかし、この場合には、出力の波形がピーク
幅の広い、面積の大きなものとなってしまい、検出精度
の低下を生ずる。
報に記載のように、電磁気特性変化部を着磁によって形
成し、直列接続した2組の強磁性体磁気抵抗素子の感磁
方向を直交させ、両者の出力の差動を取るようにする場
合もある。しかし、この場合には、出力の波形がピーク
幅の広い、面積の大きなものとなってしまい、検出精度
の低下を生ずる。
【0009】本発明は、上記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、単一の電磁気特性変化部を精度
よく検出することができるとともに、ピーク幅の狭い波
形が得られる電磁気特性変化部の検出方法および装置を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、単一の電磁気特性変化部を精度
よく検出することができるとともに、ピーク幅の狭い波
形が得られる電磁気特性変化部の検出方法および装置を
提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】従来、例えば凹凸を設け
て電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特性変化部を
4つの素子を用いてブリッジ回路によって検出する場合
、ブリッジ回路の対向する2辺を、同時に凸部と対応し
た位置にくる2つの素子をもって構成し、他の対向した
2辺を同時に凹部と対応した位置にくる2つの素子によ
って構成していた。これは、ブリッジ回路の出力が〔数
1〕に示したように、対向した2辺の抵抗値の積の差に
比例するため、ブリッジ回路の対向した2辺を凸部に対
応した位置にある素子と、凹部に対応した位置にある素
子とによって形成すると、〔数1〕右辺の第1項と第2
項とがほぼ等しくなって、ブリッジ回路の出力Eが得ら
れないと考えられていたことによる。
て電磁気特性変化部を形成し、この電磁気特性変化部を
4つの素子を用いてブリッジ回路によって検出する場合
、ブリッジ回路の対向する2辺を、同時に凸部と対応し
た位置にくる2つの素子をもって構成し、他の対向した
2辺を同時に凹部と対応した位置にくる2つの素子によ
って構成していた。これは、ブリッジ回路の出力が〔数
1〕に示したように、対向した2辺の抵抗値の積の差に
比例するため、ブリッジ回路の対向した2辺を凸部に対
応した位置にある素子と、凹部に対応した位置にある素
子とによって形成すると、〔数1〕右辺の第1項と第2
項とがほぼ等しくなって、ブリッジ回路の出力Eが得ら
れないと考えられていたことによる。
【0011】しかし、発明者等の実験によると、例えば
凸部における磁束の分布は、横バイアスがかかるため図
6のように凸部の中心の左側と右側とでは異なった分布
となっている。また、ゆらぎが凹凸で対称形に生じない
ため、これが前記した複数の出力が生じる原因となって
いる考えられる。また、発明者等は、ブリッジ回路の対
向する2辺が、凸部に対応した位置にある素子と、凹部
に対応した位置にある素子とによって形成された場合で
あっても、すなわち検出信号を相殺するように接続した
場合であっても、出力信号を取り出せることを見出した
。
凸部における磁束の分布は、横バイアスがかかるため図
6のように凸部の中心の左側と右側とでは異なった分布
となっている。また、ゆらぎが凹凸で対称形に生じない
ため、これが前記した複数の出力が生じる原因となって
いる考えられる。また、発明者等は、ブリッジ回路の対
向する2辺が、凸部に対応した位置にある素子と、凹部
に対応した位置にある素子とによって形成された場合で
あっても、すなわち検出信号を相殺するように接続した
場合であっても、出力信号を取り出せることを見出した
。
【0012】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法は、電
磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動する4つ
の電磁感知素子を、相対移動方向に一列に、かつ相対移
動に伴って4つの中の2つが同時に前記電磁気特性変化
部と対応した位置にあるときに、他の2つが電磁気特性
変化部と対応しない位置となるように配列し、これら4
つの電磁感知素子のそれぞれをブリッジ回路の4つの辺
に接続して前記電磁気特性変化部を検出する電磁気特性
変化部の検出方法において、前記ブリッジ回路の対向す
る2辺のそれぞれに、前記4つの電磁感知素子の中の前
記電磁気特性変化部と対応した位置となる1つと、前記
電磁気特性変化部と対応しない位置となる1つとを接続
することを特徴としている。
ので、本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法は、電
磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動する4つ
の電磁感知素子を、相対移動方向に一列に、かつ相対移
動に伴って4つの中の2つが同時に前記電磁気特性変化
部と対応した位置にあるときに、他の2つが電磁気特性
変化部と対応しない位置となるように配列し、これら4
つの電磁感知素子のそれぞれをブリッジ回路の4つの辺
に接続して前記電磁気特性変化部を検出する電磁気特性
変化部の検出方法において、前記ブリッジ回路の対向す
る2辺のそれぞれに、前記4つの電磁感知素子の中の前
記電磁気特性変化部と対応した位置となる1つと、前記
電磁気特性変化部と対応しない位置となる1つとを接続
することを特徴としている。
【0013】また、本発明の電磁気特性変化部の検出装
置は、電磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動
し、この相対移動方向に一列に配列した4つの電磁感知
素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞれが4つの
辺を形成しているブリッジ回路とを有する電磁気特性変
化部の検出装置において、前記一列に配列した4つの電
磁感知素子の中の外側の2つを、前記ブリッジ回路の対
向した2つの辺のそれぞれに接続し、内側の2つをブリ
ッジ回路の他の対向する2辺のそれぞれに接続したこと
を特徴としている。
置は、電磁気特性変化部を有する被検出部材と相対移動
し、この相対移動方向に一列に配列した4つの電磁感知
素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞれが4つの
辺を形成しているブリッジ回路とを有する電磁気特性変
化部の検出装置において、前記一列に配列した4つの電
磁感知素子の中の外側の2つを、前記ブリッジ回路の対
向した2つの辺のそれぞれに接続し、内側の2つをブリ
ッジ回路の他の対向する2辺のそれぞれに接続したこと
を特徴としている。
【0014】なお、電磁気特性変化部の幅をλ/2とし
た場合、各素子はλ/4またはλ/4よりやや小さく形
成し、各素子間の距離(ピッチ)をλ/4のすることが
望ましい。ブリッジのそれぞれの同じ辺にある2つの素
子の中心一がλ/4より大きいか(さもなければ小さい
)値にすることが望ましい。
た場合、各素子はλ/4またはλ/4よりやや小さく形
成し、各素子間の距離(ピッチ)をλ/4のすることが
望ましい。ブリッジのそれぞれの同じ辺にある2つの素
子の中心一がλ/4より大きいか(さもなければ小さい
)値にすることが望ましい。
【0015】
【作用】上記の如く構成した本発明によれば、電磁気特
性変化部のエッジ部における磁界の揺らぎの影響を除去
することができ、電磁気特性変化部に対応した単一の検
出波形を得ることができるとともに、ピーク幅の狭い検
出波形が得られ、単一の電磁気特性変化部を容易、かつ
高精度で検出することができる。
性変化部のエッジ部における磁界の揺らぎの影響を除去
することができ、電磁気特性変化部に対応した単一の検
出波形を得ることができるとともに、ピーク幅の狭い検
出波形が得られ、単一の電磁気特性変化部を容易、かつ
高精度で検出することができる。
【0016】
【実施例】本発明に係る電磁気特性変化部の検出方法お
よび装置の好ましい実施例を、添付図面に従って詳説す
る。なお、前記実施例において説明した部分に対応する
部分については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
よび装置の好ましい実施例を、添付図面に従って詳説す
る。なお、前記実施例において説明した部分に対応する
部分については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
【0017】図1は、本発明の実施例に係る電磁気特性
変化部の検出方法および装置の説明図であって、図1(
A)は電磁感知素子の配列状態を示す斜視図、同(B)
はブリッジ回路図である。
変化部の検出方法および装置の説明図であって、図1(
A)は電磁感知素子の配列状態を示す斜視図、同(B)
はブリッジ回路図である。
【0018】図1において、電磁感知素子である4つの
磁気抵抗素子10A〜10Dは、従来と同様に、被検出
部材であるスケール12の目盛り14に沿って一列に配
置してある。これらの磁気抵抗素子10A〜10Dは、
図示しない磁気シールドケース等に収納され、スケール
12と相対移動可能に保持されている。また、各磁気抵
抗素子10A〜10Dの幅は、電磁気特性変化部である
凸部16の幅をλ/2とした場合に、その半分のλ/4
ないしはこれよりやや小さく形成してあり、ブリッジに
おいて掛け合わされる素子の中心同士の距離がλ/4に
設定してある。
磁気抵抗素子10A〜10Dは、従来と同様に、被検出
部材であるスケール12の目盛り14に沿って一列に配
置してある。これらの磁気抵抗素子10A〜10Dは、
図示しない磁気シールドケース等に収納され、スケール
12と相対移動可能に保持されている。また、各磁気抵
抗素子10A〜10Dの幅は、電磁気特性変化部である
凸部16の幅をλ/2とした場合に、その半分のλ/4
ないしはこれよりやや小さく形成してあり、ブリッジに
おいて掛け合わされる素子の中心同士の距離がλ/4に
設定してある。
【0019】このため、磁気抵抗素子10A〜10Dは
、2つが同時に電磁気特性変化部である凸部16に対応
した位置にくると、他の2つは凹部18と対応した位置
にくるようになっている。また、これらの磁気抵抗素子
10A〜10Dは、図1(B)に示したように、検出回
路であるブリッジ回路30を構成している。
、2つが同時に電磁気特性変化部である凸部16に対応
した位置にくると、他の2つは凹部18と対応した位置
にくるようになっている。また、これらの磁気抵抗素子
10A〜10Dは、図1(B)に示したように、検出回
路であるブリッジ回路30を構成している。
【0020】しかし、このブリッジ回路30は、従来技
術において示したブリッジ回路10b・10c−10a
・10dと異なり、一列に配列した4つの磁気抵抗素子
10a〜10dの中、凹部、凸部の2つの磁気抵抗素子
10B、10Cが、ブリッジ回路30の対向した2つの
辺のそれぞれに接続され、凹部、凸部の2つの磁気抵抗
素子10A、10Dがブリッジ回路30の他の対向した
2辺を構成している。従って、ブリッジ回路30の出力
Eは、各磁気抵抗素子10A〜10Dの電気抵抗をRA
〜RD とすると、
術において示したブリッジ回路10b・10c−10a
・10dと異なり、一列に配列した4つの磁気抵抗素子
10a〜10dの中、凹部、凸部の2つの磁気抵抗素子
10B、10Cが、ブリッジ回路30の対向した2つの
辺のそれぞれに接続され、凹部、凸部の2つの磁気抵抗
素子10A、10Dがブリッジ回路30の他の対向した
2辺を構成している。従って、ブリッジ回路30の出力
Eは、各磁気抵抗素子10A〜10Dの電気抵抗をRA
〜RD とすると、
【数2】E∝RB ×RC −RD ×RA となる。
すなわち、ブリッジ回路30の出力Eは、〔数2〕の右
辺のいずれもが凸部16に対応した位置にある磁気抵抗
素子の抵抗値と、凹部18に対応した位置にある磁気抵
抗素子の抵抗値との積に比例するようになっている。そ
して、ブリッジ回路30を構成している各磁気抵抗素子
10A〜10Dが、図6(A)〜(H)の如く電磁気特
性変化部である凸部16を通過すると、ブリッジ回路3
0の出力は、図6(A)の状態の場合、
辺のいずれもが凸部16に対応した位置にある磁気抵抗
素子の抵抗値と、凹部18に対応した位置にある磁気抵
抗素子の抵抗値との積に比例するようになっている。そ
して、ブリッジ回路30を構成している各磁気抵抗素子
10A〜10Dが、図6(A)〜(H)の如く電磁気特
性変化部である凸部16を通過すると、ブリッジ回路3
0の出力は、図6(A)の状態の場合、
【数3】RB
×RC −RD ×RA =0図6(B)の状態の場合
、
×RC −RD ×RA =0図6(B)の状態の場合
、
【数4】RB ×RC −RD ×RA ≫0図6(C
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数5】RB ×RC −RD ×RA <0図6(D
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数6】RB ×RC −RD ×RA ≫0図6(E
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数7】RB ×RC −RD ×RA <0図6(F
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数8】RB ×RC −RD ×RA <0図6(G
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数9】RB ×RC −RD ×RA >0図6(H
)の状態の場合、
)の状態の場合、
【数10】RB ×RC −RD ×RA =0のよう
に変化する。すなわち、ブリッジ回路30の出力波形を
模式的に表すと、図2のようになり、基準電圧(零点)
に対して一側(プラス側またはマイナス側)に大きな1
つのピークを形成する。なお、図2中の符号A〜Hは、
図6の(A)〜(H)に対応している。
に変化する。すなわち、ブリッジ回路30の出力波形を
模式的に表すと、図2のようになり、基準電圧(零点)
に対して一側(プラス側またはマイナス側)に大きな1
つのピークを形成する。なお、図2中の符号A〜Hは、
図6の(A)〜(H)に対応している。
【0021】図3は、スケール12の凸部16を1mm
をもって形成し、また各磁気抵抗素子10A〜10Dの
幅を0.5mm(λ/4)、素子間ピッチ0.5mmに
形成したときのブリッジ回路30の出力波形を示したも
のである。図に示されるとおりプラス側またはマイナス
側に1つの大きなピークを示す波形が得られ、例えば原
点等のように、1ビット用に形成した単一の電磁気特性
変化部を容易、確実に検出することができる。しかも、
波形の幅が狭いため、検出精度の向上を図ることができ
る。
をもって形成し、また各磁気抵抗素子10A〜10Dの
幅を0.5mm(λ/4)、素子間ピッチ0.5mmに
形成したときのブリッジ回路30の出力波形を示したも
のである。図に示されるとおりプラス側またはマイナス
側に1つの大きなピークを示す波形が得られ、例えば原
点等のように、1ビット用に形成した単一の電磁気特性
変化部を容易、確実に検出することができる。しかも、
波形の幅が狭いため、検出精度の向上を図ることができ
る。
【0022】また、4つの磁気抵抗素子10A〜10D
によってブリッジ回路30を構成することにより、温度
変化等による影響をキャンセルすることができる。勿論
、スケールの目盛りのように、周期的かつ連続的に電磁
気特性変化部が変化する場合にも、検出精度が向上し、
雑音等の影響を小さくできて検出誤差を小さくすること
ができる。また、横バイアス磁場を調整することでピー
クを大きくできる。特に、45度方向からのバイアスは
、ピーク長を大きくすることができる。
によってブリッジ回路30を構成することにより、温度
変化等による影響をキャンセルすることができる。勿論
、スケールの目盛りのように、周期的かつ連続的に電磁
気特性変化部が変化する場合にも、検出精度が向上し、
雑音等の影響を小さくできて検出誤差を小さくすること
ができる。また、横バイアス磁場を調整することでピー
クを大きくできる。特に、45度方向からのバイアスは
、ピーク長を大きくすることができる。
【0023】なお、前記実施例においては、電磁感知素
子が強磁性体磁気抵抗素子10A〜10Dである場合に
ついて説明したが、電磁感知素子は強磁性体磁気抵抗素
子に限定されるものでなく、半導体磁気抵抗素子やホー
ル素子、またはコイル等であってもよい。また、前記実
施例においては、電磁気特性変化部を凸部16によって
形成した場合について説明したが、電磁気特性変化部は
着磁等によって形成してもよい。さらに、前記実施例に
おいては、スケール12が直線的に形成されている場合
について説明したが、ロータリエンコーダ等に適用でき
るとは勿論である。
子が強磁性体磁気抵抗素子10A〜10Dである場合に
ついて説明したが、電磁感知素子は強磁性体磁気抵抗素
子に限定されるものでなく、半導体磁気抵抗素子やホー
ル素子、またはコイル等であってもよい。また、前記実
施例においては、電磁気特性変化部を凸部16によって
形成した場合について説明したが、電磁気特性変化部は
着磁等によって形成してもよい。さらに、前記実施例に
おいては、スケール12が直線的に形成されている場合
について説明したが、ロータリエンコーダ等に適用でき
るとは勿論である。
【0024】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
、一列に配列した4つの電磁感知素子の中、電磁気特性
変化部と対応する位置にある電磁感知素子と、電磁気特
性変化部と対応した位置にない電磁感知素子とによって
、ブリッジ回路の対向した2辺を構成したことにより、
基準電圧に対して一側に幅の狭い1つのピークを有する
1力波形が得られ、原点等の単一の電磁気特性変化部を
高精度に検出することができる。
、一列に配列した4つの電磁感知素子の中、電磁気特性
変化部と対応する位置にある電磁感知素子と、電磁気特
性変化部と対応した位置にない電磁感知素子とによって
、ブリッジ回路の対向した2辺を構成したことにより、
基準電圧に対して一側に幅の狭い1つのピークを有する
1力波形が得られ、原点等の単一の電磁気特性変化部を
高精度に検出することができる。
【図1】本発明の実施例に係る電磁気特性変化部の検出
方法および装置の説明図であって、(A)は磁気抵抗素
子の配列状態を示す斜視図、(B)はブリッジ回路図で
ある。
方法および装置の説明図であって、(A)は磁気抵抗素
子の配列状態を示す斜視図、(B)はブリッジ回路図で
ある。
【図2】実施例に係るブリッジ回路の出力波形の模式図
である。
である。
【図3】実施例に係るブリッジ回路の出力波形の一例を
示す図である。
示す図である。
【図4】従来の電磁気特性変化部の検出方法の説明図で
ある。
ある。
【図5】目盛り部の磁界の印加状態を示す斜視図である
。
。
【図6】電磁気特性変化部の検出方法の作用説明図であ
る。
る。
【図7】従来の電磁気特性変化部の検出方法のブリッジ
回路の出力波形図である。
回路の出力波形図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 電磁気特性変化部を有する被検出部材
と相対移動する4つの電磁感知素子を、相対移動方向に
一列に、かつ相対移動に伴って4つの中の2つが同時に
前記電磁気特性変化部と対応した位置にあるときに、他
の2つが電磁気特性変化部と対応しない位置となるよう
に配列し、これら4つの電磁感知素子のそれぞれをブリ
ッジ回路の4つの辺に接続して前記電磁気特性変化部を
検出する電磁気特性変化部の検出方法において、前記ブ
リッジ回路の対向する2辺のそれぞれに、前記4つの電
磁感知素子の中の前記電磁気特性変化部と対応した位置
となる1つと、前記電磁気特性変化部と対応しない位置
となる1つとを接続することを特徴とする電磁気特性変
化部の検出方法。 - 【請求項2】 電磁気特性変化部を有する被検出部材
と相対移動し、この相対移動方向に一列に配列した4つ
の電磁感知素子と、これら4つの電磁感知素子のそれぞ
れが4つの辺を形成しているブリッジ回路とを有する電
磁気特性変化部の検出装置において、前記一列に配列し
た4つの電磁感知素子の中の外側の2つを、前記ブリッ
ジ回路の対向した2つの辺のそれぞれに接続し、内側の
2つをブリッジ回路の他の対向する2辺のそれぞれに接
続したことを特徴とする電磁気特性変化部の検出装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091353A JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
EP92907097A EP0608417B1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
PCT/JP1992/000352 WO1992017749A1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
US08/122,591 US5436560A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method and device for detecting electromagnetic characteristic changing portion |
AU14458/92A AU1445892A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Method for sensing part where electromagnetic characteristics are changed, and device thereof |
DE69225491T DE69225491T2 (de) | 1991-03-29 | 1992-03-24 | Methode zum aufspüren von teilen, bei denen die elektromagnetischen eigenschaften verändert sind und gerät dazu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091353A JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301702A true JPH04301702A (ja) | 1992-10-26 |
JP2978582B2 JP2978582B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=14024035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091353A Expired - Lifetime JP2978582B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 電磁気特性変化部の検出方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5436560A (ja) |
EP (1) | EP0608417B1 (ja) |
JP (1) | JP2978582B2 (ja) |
AU (1) | AU1445892A (ja) |
DE (1) | DE69225491T2 (ja) |
WO (1) | WO1992017749A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008532039A (ja) * | 2005-03-02 | 2008-08-14 | テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム | 磁気マーキングによって包装材料の位置を検出する位置検出器および方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT407196B (de) * | 1993-11-17 | 2001-01-25 | Amo Automatisierung Messtechni | Positionsmelder für automatisierung |
JPH11304414A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気検出装置 |
US7598736B2 (en) * | 2007-08-27 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including magneto-resistive structures |
US9417098B2 (en) * | 2011-07-18 | 2016-08-16 | Honeywell International Inc. | Stationary magnet variable reluctance magnetic sensors |
KR102632407B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2024-01-31 | 한국전기연구원 | 센서모듈 및 그를 가지는 전동기 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561567A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS59146720U (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | フアナツク株式会社 | 磁気パルスエンコ−ダ |
JPS6031015A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗体を使用してなす位置センサ |
JPS62204118A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置あるいは速度を検出する装置 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091353A patent/JP2978582B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-24 US US08/122,591 patent/US5436560A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-24 WO PCT/JP1992/000352 patent/WO1992017749A1/ja active IP Right Grant
- 1992-03-24 EP EP92907097A patent/EP0608417B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-24 DE DE69225491T patent/DE69225491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-24 AU AU14458/92A patent/AU1445892A/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008532039A (ja) * | 2005-03-02 | 2008-08-14 | テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム | 磁気マーキングによって包装材料の位置を検出する位置検出器および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0608417A4 (en) | 1994-02-22 |
US5436560A (en) | 1995-07-25 |
EP0608417B1 (en) | 1998-05-13 |
DE69225491T2 (de) | 1999-01-14 |
JP2978582B2 (ja) | 1999-11-15 |
EP0608417A1 (en) | 1994-08-03 |
DE69225491D1 (de) | 1998-06-18 |
AU1445892A (en) | 1992-11-02 |
WO1992017749A1 (en) | 1992-10-15 |
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