JP2976723B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2976723B2
JP2976723B2 JP4270056A JP27005692A JP2976723B2 JP 2976723 B2 JP2976723 B2 JP 2976723B2 JP 4270056 A JP4270056 A JP 4270056A JP 27005692 A JP27005692 A JP 27005692A JP 2976723 B2 JP2976723 B2 JP 2976723B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
PLL回路を含むCMOS型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置に対して、バイアステ
スト(電源電圧を印加したまま一定時間高温にした後、
正常に装置が動作することを確認し、主に初期不良の発
生率を低くするためのテスト)をする場合、ダイナミッ
ク回路を含むCMOS型半導体装置では、外部からクロ
ック信号を入力しないと内部状態が不定となり、貫通電
流が流れるため、外部の発振器からクロック信号を入力
するのが一般的であった。また、テストする半導体装置
がスタティック型CMOS回路で構成されていた場合で
も、テストの状態を実際の状態に近づけるために外部の
発振器からクロック信号を入力することが多い。以下、
このように半導体装置内部のクロック信号が動作した状
態でおこなうバイアステストをダイナミックバイアステ
ストと呼ぶ。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置に対
して、ダイナミックバイアステストをおこなう場合、被
試験装置を高温にするための炉の外部に発振器を設置
し、クロック信号を被試験装置に入力する方法や、発振
器を炉の内部に構成してクロック信号を被試験装置に入
力する方法がある。
【0004】前者の方法は、炉へ外部にある発振器から
被試験装置までの距離が長く、一度に多くの被試験装置
にクロック信号を入力するのが一般的で、クロック信号
の周波数をあまり高くできないという問題点がある。
【0005】また、後者の方法の場合、高温の炉の中に
発振器を構成するため、その寿命が短かいという問題点
があった。さらに、両者とも発振器を準備するための費
用が発生するのはいうまでもない。
【0006】本発明の目的は、前記問題点を解決し、ク
ロック信号の周波数を高くでき、発振器の寿命が短かく
ならないようにした半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
与えられた電圧に応じた周波数のクロック信号を発生す
る電圧制御発振回路と、前記電圧制御発振回路が出力す
るクロック信号と外部から与えられたクロック信号との
位相差を検出して電圧に変換する位相検出回路と、前記
位相検出回路の出力信号を入力して前記電圧制御発振回
路に伝達するローパスフィルタとを含むフィードバック
ループからなるPLL回路を備えた半導体装置におい
て、前記ローパスフィルタへの入力信号を、外部から入
力される二値のテスト用信号に応じて、前記位相検出回
路の出力信号又は半導体装置に与えられた電源電圧の何
れかに切り替える手段を設けたことを特徴とする。
【0008】
【実施例】図1は本発明の一実施例の半導体装置を示す
ブロック図である。図1において、本実施例の半導体装
置は、位相検出回路1と、4分周回路2と、NAND回
路3と、ローパスフィルタ4と、VCO(電圧制御発振
器)回路5と、2分周回路6と、NAND回路7と、マ
ルチプレクサ8と、レジスタ9と、テスト用信号TES
T(反転値)入力端子P1と、クロック信号CLK入力
端子P2とを備えている。ここで、レジスタ9は、装置
内部からの信号を受け、マルチプレクサ8は内部クロッ
ク信号へ出力する。
【0009】上記の構成で、先ず、半導体装置を通常に
使用するときは、テスト用信号(入力端子P1への入力
信号)をハイレベルにしておく。そうすると、NAND
回路3の出力信号がハイレベルになるか又はローレベル
になるかは、クロック信号CLK入力端子P2への入力
クロック信号によって決まるようになり、一般的なPL
L(フェイズ・ロックド・ループ)回路が、位相検出回
路1,4分周回路2,VCO回路5,ローパスフィルタ
4等により構成される。図1の実施例では、VCO回路
5は入力クロック信号(CLK)の4倍の周波数で発振
する。この信号は、2分周回路6で分周され、入力クロ
ック信号の2倍となる。この2倍となったクロック信号
を内部クロックとするか、あるいはPLL回路をバイパ
スして、外部からの入力クロック信号(CLK)をその
まま内部クロックとするかをレジスタ9の内容により、
マルチプレクサ8にて切換えている。
【0010】次に、ダイナミックバイアステストを行う
場合は、上述のテスト用信号をローレベルに設定する。
そうすると、NAND回路3の出力信号は、位相検出回
路1の出力信号によらずハイレベルに固定されるので、
たとえ電源投入直後には位相検出回路1の出力が不定で
あっても、ローパスフィルタ4の入力をハイレベルに固
定することができる。これにより、VCO回路5にハイ
レベル(電源電圧と同じ電位)を入力して、このVCO
回路5をその最低周波数で発振させることができる。
【0011】ここで、本実施例の半導体装置はマルチプ
レクサ8を備えており、その制御信号入力点には、上述
のテスト用信号を一方の入力とする2入力のNAND回
路7の出力信号が入力されている。従って、ダイナミッ
クバイアステストのとき、つまりテスト用信号がローレ
ベルに設定されているときは、マルチプレクサ8の制御
信号入力点は、レジスタ9の出力信号の如何に関わら
ず、必ずハイレベルに固定される。そこで、マルチプレ
クサ8の構成を、制御信号入力点への信号がハイレベル
のときに2分周回路6からの入力を選択するようにして
おけば、電源投入直後には、PLL回路をバイパスする
か否かを決定するレジスタ9の内容が不定であっても、
マルチプレクサ8に2分周回路6からの信号を選択さ
せ、VCO回路5の出力信号に応じた信号を内部クロッ
ク信号として使用することができる。これにより、入力
端子P2への外部からのクロック信号がなくてもダイナ
ミックバイアステストを実行することができる。
【0012】また、本実施例では、テスト専用の入力端
子P1を設定したが、RESET信号等で代用できる場
合もある。このときは、端子を少なくすることができ
る。
【0013】図2は本発明の第2の実施例のブロック図
である。図2において、本実施例は、基本的には前記第
1の実施例と同様であるが、テスト用信号A入力端子P
3を追加した。
【0014】本実施例の場合、入力端子Aの電圧をコン
トロールすることにより、VCO回路5の発振周波数す
なわち内部クロック信号の周波数をコントロールでき
る。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、外部入
力クロック信号に同期し、内部クロック信号や、外部基
準クロック信号を生成するためのPLL回路を、入力す
る外部クロック信号が直流状態のまま電源が投入されて
も、内部クロック信号を生成する手段を設けたので、ダ
イナミックバイアステストをする場合において、外部に
発振器を準備しなくてもよいという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置を示すブロ
ック図である。
【図2】本発明の第2の実施例のブロック図である。
【符号の説明】
1 位相検出回路 2 4分周回路 3,7 NAND回路 4 ローパスフィルタ(LPF) 5 VCO(電圧制御発振器)回路 6 2分周回路 8 マルチプレクサ(切換回路) 9 レジスタ(一時記憶回路)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 H01L 21/822 H01L 27/04 H03L 7/10 H03L 7/18

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 与えられた電圧に応じた周波数のクロッ
    ク信号を発生する電圧制御発振回路と、前記電圧制御発
    振回路が出力するクロック信号と外部から与えられたク
    ロック信号との位相差を検出して電圧に変換する位相検
    出回路と、前記位相検出回路の出力信号を入力して前記
    電圧制御発振回路に伝達するローパスフィルタとを含む
    フィードバックループからなるPLL回路を備えた半導
    体装置において、前記ローパスフィルタへの入力信号を、外部から入力さ
    れる二値のテスト用信号に応じて、前記位相検出回路の
    出力信号又は半導体装置に与えられた電源電圧の何れか
    に切り替える 手段を設けたことを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 前記ローパスフィルタへの入力信号を切
    り替える手段が、PLL回路を構成するローパスフィル
    タと位相検出回路との間に設けたNAND回路を有し、
    前記NAND回路の一入力は前記テスト用信号入力端
    子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の
    半導体装置。
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