JP2974436B2 - ハンダバンプの形成方法 - Google Patents
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/341—Surface mounted components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
を構成する回路基板のパッド電極にハンダバンプを形成
する方法に関する。
を構成する回路基板のパッド電極にハンダバンプを形成
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＩＣチップの高密度実装に伴ない、
多数の電極を有する樹脂封止型半導体装置が開発されて
いる。その代表的なものとしてはＰＧＡ（ピングリッド
アレイ）がある。ＰＧＡは回路基板の一方の面にＩＣチ
ップを搭載して樹脂で封止し、他方の面にはＩＣチップ
と接続した複数のピンを配置した構造をしている。ＰＧ
Ａはマザーボードに対して着脱可能であるという利点が
あるものの、ピンがあるため大型となり小型化が難しい
という問題があった。
多数の電極を有する樹脂封止型半導体装置が開発されて
いる。その代表的なものとしてはＰＧＡ（ピングリッド
アレイ）がある。ＰＧＡは回路基板の一方の面にＩＣチ
ップを搭載して樹脂で封止し、他方の面にはＩＣチップ
と接続した複数のピンを配置した構造をしている。ＰＧ
Ａはマザーボードに対して着脱可能であるという利点が
あるものの、ピンがあるため大型となり小型化が難しい
という問題があった。
【０００３】そこでこのＰＧＡに変わる小型の樹脂封止
型半導体装置として、ＰＡＣ（パッドアレイキャリア）
が開発されている。ＰＡＣの構造を図に基づいて説明す
る。図３（ａ）は従来のＰＡＣの構造を示す断面図、図
３（ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示
す断面図である。図において１は略四角形の回路基板で
あり、上面側には配線パターン２が形成され、下面側に
は複数のパッド電極１３が形成されている。配線パター
ン２とパッド電極１３は図示しないスルーホール電極に
よって導通している。６はＩＣチップであり、配線パタ
ーン２とワイヤーで接続されている。７は封止樹脂であ
り、ＩＣチップ６とワイヤー及び配線パターン２の一部
を保護している。５はレジスト膜であり、パッド電極１
３を除く回路基板１の下面側を覆っている。パッド電極
１３にはそれぞれハンダによってハンダバンプ１４ａが
形成されている。このようにして完成したＰＡＣは、図
３（ｂ）に示す如くマザーボード１２のパターン（図示
せず）上に搭載され、加熱によってハンダバンプ１４ａ
が各パターンに接続される。通常、回路基板１とマザー
ボード１２の間隔は３００〜５００μ離れている。しか
し、ハンダバンプ１４ａは加熱の程度によって熔融の度
合いが異なるので、図３（ｂ）に示す如く加熱し過ぎる
とハンダバンプ１４ａが過剰に熔融し、回路基板１とマ
ザーボード１２の間隔が所定値よりも短くなると共に、
ハンダバンプ１４ａどうしがショートするという問題が
あった。
型半導体装置として、ＰＡＣ（パッドアレイキャリア）
が開発されている。ＰＡＣの構造を図に基づいて説明す
る。図３（ａ）は従来のＰＡＣの構造を示す断面図、図
３（ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示
す断面図である。図において１は略四角形の回路基板で
あり、上面側には配線パターン２が形成され、下面側に
は複数のパッド電極１３が形成されている。配線パター
ン２とパッド電極１３は図示しないスルーホール電極に
よって導通している。６はＩＣチップであり、配線パタ
ーン２とワイヤーで接続されている。７は封止樹脂であ
り、ＩＣチップ６とワイヤー及び配線パターン２の一部
を保護している。５はレジスト膜であり、パッド電極１
３を除く回路基板１の下面側を覆っている。パッド電極
１３にはそれぞれハンダによってハンダバンプ１４ａが
形成されている。このようにして完成したＰＡＣは、図
３（ｂ）に示す如くマザーボード１２のパターン（図示
せず）上に搭載され、加熱によってハンダバンプ１４ａ
が各パターンに接続される。通常、回路基板１とマザー
ボード１２の間隔は３００〜５００μ離れている。しか
し、ハンダバンプ１４ａは加熱の程度によって熔融の度
合いが異なるので、図３（ｂ）に示す如く加熱し過ぎる
とハンダバンプ１４ａが過剰に熔融し、回路基板１とマ
ザーボード１２の間隔が所定値よりも短くなると共に、
ハンダバンプ１４ａどうしがショートするという問題が
あった。
【０００４】そこでこの問題を解決するために、ハンダ
バンプ１４ａの中に回路基板１とマザーボード１２の間
隔を規制する銅コアを入れたＰＡＣが開発されている。
この構造を図４に基づいて説明する。図４において、図
３の構成と同じものには同じ番号をつけて説明を省略す
る。図４（ａ）に示す如く、このＰＡＣでは回路基板１
の四隅のハンダバンプ１４ａの中に銅コア１５が配置さ
れている。したがって図４（ｂ）に示す如くハンダバン
プ１４ａの銅コア１５がスペーサーとなり、回路基板１
とマザーボード１２の間隔を一定に保って接続できると
ともに、ハンダバンプ１４ａどうしのショートがなくな
る。
バンプ１４ａの中に回路基板１とマザーボード１２の間
隔を規制する銅コアを入れたＰＡＣが開発されている。
この構造を図４に基づいて説明する。図４において、図
３の構成と同じものには同じ番号をつけて説明を省略す
る。図４（ａ）に示す如く、このＰＡＣでは回路基板１
の四隅のハンダバンプ１４ａの中に銅コア１５が配置さ
れている。したがって図４（ｂ）に示す如くハンダバン
プ１４ａの銅コア１５がスペーサーとなり、回路基板１
とマザーボード１２の間隔を一定に保って接続できると
ともに、ハンダバンプ１４ａどうしのショートがなくな
る。
【０００５】一般にこのようなハンダバンプは次のよう
な方法で形成されている。図５（ａ）〜（ｅ）は従来の
ハンダバンプ形成方法を示すＰＡＣの断面図である。ま
ず図５（ａ）の工程では、回路基板１の配線パターン２
側にＩＣチップ６が実装されて樹脂による封止部７が形
成されると共に、下面側のパッド電極１３を除く部分に
はレジスト５が形成される。次に図５（ｂ）の工程で
は、レジスト５上面にマスク１６が形成され、パッド電
極１３の部分にはレジスト５とマスク１６によって凹部
１７が形成される。次に図５（ｃ）の工程では、凹部１
７の中にハンダボール１４が入れられる。このとき回路
基板１の四隅にあるパッド電極１３上には銅コア１５入
りのハンダボール１４を配置し、他のパッド電極１３上
にはコアなしのハンダボール１４が配置される。次に図
５（ｄ）の工程では、ハンダボール１４が配置されたＰ
ＡＣを炉の中（図示せず）で加熱し、ハンダボール１４
をパッド電極１３に溶着してハンダバンプ１４ａを形成
している。最後に図５（ｅ）の工程でマスク１６を除去
して終了する。
な方法で形成されている。図５（ａ）〜（ｅ）は従来の
ハンダバンプ形成方法を示すＰＡＣの断面図である。ま
ず図５（ａ）の工程では、回路基板１の配線パターン２
側にＩＣチップ６が実装されて樹脂による封止部７が形
成されると共に、下面側のパッド電極１３を除く部分に
はレジスト５が形成される。次に図５（ｂ）の工程で
は、レジスト５上面にマスク１６が形成され、パッド電
極１３の部分にはレジスト５とマスク１６によって凹部
１７が形成される。次に図５（ｃ）の工程では、凹部１
７の中にハンダボール１４が入れられる。このとき回路
基板１の四隅にあるパッド電極１３上には銅コア１５入
りのハンダボール１４を配置し、他のパッド電極１３上
にはコアなしのハンダボール１４が配置される。次に図
５（ｄ）の工程では、ハンダボール１４が配置されたＰ
ＡＣを炉の中（図示せず）で加熱し、ハンダボール１４
をパッド電極１３に溶着してハンダバンプ１４ａを形成
している。最後に図５（ｅ）の工程でマスク１６を除去
して終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のＰ
ＡＣのハンダバンプ形成方法では次のような問題があっ
た。図５（ｃ）の工程に示したように、ハンダボール１
４には銅コア１５入りのハンダボールと、銅コア１５無
しのハンダボールとがあるので、各パッド電極１３に対
応する凹部１７にハンダボール１４を入れるときは、間
違わないように区別して入れる必要がある。ところがハ
ンダボール１４は全て同じ大きさなので、区別しながら
ハンダボール１４を入れる作業はすべて手作業となって
手間が掛り、作業性が悪いという問題があった。また手
作業の場合は、ハンダボール１４の入れ間違いや、入れ
忘れが有るという問題もあった。特に銅コア入りハンダ
ボール１４の挿入位置を間違うと、図６に示す如く回路
基板１がマザーボード１２に対して斜めに接続され、ハ
ンダバンプ１４ａどうしがショートする問題があった。
ＡＣのハンダバンプ形成方法では次のような問題があっ
た。図５（ｃ）の工程に示したように、ハンダボール１
４には銅コア１５入りのハンダボールと、銅コア１５無
しのハンダボールとがあるので、各パッド電極１３に対
応する凹部１７にハンダボール１４を入れるときは、間
違わないように区別して入れる必要がある。ところがハ
ンダボール１４は全て同じ大きさなので、区別しながら
ハンダボール１４を入れる作業はすべて手作業となって
手間が掛り、作業性が悪いという問題があった。また手
作業の場合は、ハンダボール１４の入れ間違いや、入れ
忘れが有るという問題もあった。特に銅コア入りハンダ
ボール１４の挿入位置を間違うと、図６に示す如く回路
基板１がマザーボード１２に対して斜めに接続され、ハ
ンダバンプ１４ａどうしがショートする問題があった。
【０００７】本発明の目的は上述の問題を解決し、コア
入りハンダボールと、コア無しハンダボールを回路基板
上の所望のパッド電極に間違いなく、且つ簡単にセット
できるハンダバンプの形成方法を提供することである。
入りハンダボールと、コア無しハンダボールを回路基板
上の所望のパッド電極に間違いなく、且つ簡単にセット
できるハンダバンプの形成方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のハンダバンプ形成方法は、スルーホール電
極を有する回路基板と、該回路基板の一方の面に搭載さ
れて樹脂封止が施されたＩＣチップと、前記スルーホー
ル電極を介して前記ＩＣチップと接続するように前記回
路基板の他方の面に形成された複数のパッド電極と、該
パッド電極上に形成されたハンダバンプとを有する樹脂
封止型半導体装置において、前記ハンダバンプは接続高
さを制限するためのコア入り大バンプとコア無し小バン
プを有すると共に、前記パッド電極は前記コア入り大バ
ンプを形成するための大パッド電極と、前記コア無し小
バンプを形成するための小パッド電極を有しており、前
記ハンダバンプは、前記大パッド電極と前記小パッド電
極にそれぞれ対応する径大穴と径小穴が形成されたマス
ク部材を前記回路基板上に形成する第一の工程と、前記
マスク部材の前記径大穴にコア入りの径大ハンダボール
を配置して前記大パッド電極に溶着する第二の工程と、
前記マスク部材の前記径小穴にコア無しの径小ハンダボ
ールを配置して前記小パッド電極に溶着する第三の工程
と、前記回路基板上から前記マスク部材を取り除く第四
の工程とによって形成されることを特徴としている。
めの本発明のハンダバンプ形成方法は、スルーホール電
極を有する回路基板と、該回路基板の一方の面に搭載さ
れて樹脂封止が施されたＩＣチップと、前記スルーホー
ル電極を介して前記ＩＣチップと接続するように前記回
路基板の他方の面に形成された複数のパッド電極と、該
パッド電極上に形成されたハンダバンプとを有する樹脂
封止型半導体装置において、前記ハンダバンプは接続高
さを制限するためのコア入り大バンプとコア無し小バン
プを有すると共に、前記パッド電極は前記コア入り大バ
ンプを形成するための大パッド電極と、前記コア無し小
バンプを形成するための小パッド電極を有しており、前
記ハンダバンプは、前記大パッド電極と前記小パッド電
極にそれぞれ対応する径大穴と径小穴が形成されたマス
ク部材を前記回路基板上に形成する第一の工程と、前記
マスク部材の前記径大穴にコア入りの径大ハンダボール
を配置して前記大パッド電極に溶着する第二の工程と、
前記マスク部材の前記径小穴にコア無しの径小ハンダボ
ールを配置して前記小パッド電極に溶着する第三の工程
と、前記回路基板上から前記マスク部材を取り除く第四
の工程とによって形成されることを特徴としている。
【０００９】また、マスク部材の径大穴にコア入り大ハ
ンダボールを配置する工程の次にマスク部材の前記径小
穴にコア無し小ハンダボールを配置する工程を行ない、
各ハンダボールを同時に加熱して前記各パッド電極に溶
着しても良い。
ンダボールを配置する工程の次にマスク部材の前記径小
穴にコア無し小ハンダボールを配置する工程を行ない、
各ハンダボールを同時に加熱して前記各パッド電極に溶
着しても良い。
【００１０】また、回路基板は略四角形を有すると共
に、大パッド電極は前記回路基板の四隅に形成されてお
り、コア入り大バンプは前記回路基板の四隅に形成する
ことが望ましい。
に、大パッド電極は前記回路基板の四隅に形成されてお
り、コア入り大バンプは前記回路基板の四隅に形成する
ことが望ましい。
【００１１】
【実施例】以下図面に基づき本発明の実施例を説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例に係わるハンダバ
ンプの形成方法を示すＰＡＣの断面図である。図１の
（イ）工程に示す如く本実施例のＰＡＣ構造において、
回路基板１は上面側に配線パターン２を有すると共に、
下面側にはスルーホール電極（図示せず）を介して配線
パターン２と接続された大パッド電極３と、小パッド電
極４を有している。回路基板１の上面にはＩＣチップ６
が搭載され、ワイヤーで配線パターン２に接続されてお
り、該ＩＣチップ６とワイヤーは封止樹脂７によって封
止されている。また回路基板１の下面側には大パッド電
極３と小パッド電極４を除く部分にレジスト５が設けら
れている。
る。図１及び図２は本発明の一実施例に係わるハンダバ
ンプの形成方法を示すＰＡＣの断面図である。図１の
（イ）工程に示す如く本実施例のＰＡＣ構造において、
回路基板１は上面側に配線パターン２を有すると共に、
下面側にはスルーホール電極（図示せず）を介して配線
パターン２と接続された大パッド電極３と、小パッド電
極４を有している。回路基板１の上面にはＩＣチップ６
が搭載され、ワイヤーで配線パターン２に接続されてお
り、該ＩＣチップ６とワイヤーは封止樹脂７によって封
止されている。また回路基板１の下面側には大パッド電
極３と小パッド電極４を除く部分にレジスト５が設けら
れている。
【００１２】このように構成された回路基板１は、次の
（ロ）工程でレジスト５の上にマスク１６が形成され
る。これにより大パッド電極３に対応する径大凹部１７
ａと、小パッド電極４に対応する径小凹部１７ｂがそれ
ぞれ形成される。
（ロ）工程でレジスト５の上にマスク１６が形成され
る。これにより大パッド電極３に対応する径大凹部１７
ａと、小パッド電極４に対応する径小凹部１７ｂがそれ
ぞれ形成される。
【００１３】次に（ハ）工程では銅コア９を有する径大
の大ハンダボール８が径大凹部１７ａに挿入される。こ
のとき大ハンダボール８は次のように挿入される。回路
基板１はマスク１６が形成された面を上にする。この
時、回路基板１は若干斜めに傾けた状態にセットするこ
とが望ましい。次に複数の大ハンダボール８が回路基板
１上に散布される。大ハンダボール８は径大凹部１７ａ
にのみ挿入される。径小凹部１７ｂに入ろうとした大ハ
ンダボール８は回路基板１上からこぼれ落ちるので、大
ハンダボール８は所定の径大凹部１７ａにのみセットさ
れることになる。そして（ニ）工程で大ハンダボール８
がセットされたＰＡＣを加熱熔融し、大パッド電極３に
大ハンダボール８を溶着して大ハンダバンプ８ａを形成
する。
の大ハンダボール８が径大凹部１７ａに挿入される。こ
のとき大ハンダボール８は次のように挿入される。回路
基板１はマスク１６が形成された面を上にする。この
時、回路基板１は若干斜めに傾けた状態にセットするこ
とが望ましい。次に複数の大ハンダボール８が回路基板
１上に散布される。大ハンダボール８は径大凹部１７ａ
にのみ挿入される。径小凹部１７ｂに入ろうとした大ハ
ンダボール８は回路基板１上からこぼれ落ちるので、大
ハンダボール８は所定の径大凹部１７ａにのみセットさ
れることになる。そして（ニ）工程で大ハンダボール８
がセットされたＰＡＣを加熱熔融し、大パッド電極３に
大ハンダボール８を溶着して大ハンダバンプ８ａを形成
する。
【００１４】次に図２の（ホ）工程では銅コア無しの径
小の小ハンダボール１０が径小凹部１７ｂに挿入され
る。このとき小ハンダボール１０は前述の大ハンダボー
ル８の挿入工程と同じように挿入される。回路基板１は
マスク１６が形成された面を上にする。この時、回路基
板１は若干斜めに傾けた状態にセットすることが望まし
い。次に複数の小ハンダボール１０が回路基板１上に散
布される。小ハンダボール１０は径小凹部１７ｂにのみ
挿入される。径大凹部１７ａにはすでに大ハンダバンプ
８ａが形成されているので、小ハンダボール１０は所定
の径小凹部１７ｂにのみセットされることになる。そし
て（ヘ）工程で小ハンダボール１０がセットされたＰＡ
Ｃを加熱熔融し、小パッド電極４に小ハンダボール１０
を溶着して小ハンダバンプ１０ａを形成する。最後に
（ト）工程でマスク１６を取り除くことにより大小のハ
ンダバンプが形成されたＰＡＣが完成する。
小の小ハンダボール１０が径小凹部１７ｂに挿入され
る。このとき小ハンダボール１０は前述の大ハンダボー
ル８の挿入工程と同じように挿入される。回路基板１は
マスク１６が形成された面を上にする。この時、回路基
板１は若干斜めに傾けた状態にセットすることが望まし
い。次に複数の小ハンダボール１０が回路基板１上に散
布される。小ハンダボール１０は径小凹部１７ｂにのみ
挿入される。径大凹部１７ａにはすでに大ハンダバンプ
８ａが形成されているので、小ハンダボール１０は所定
の径小凹部１７ｂにのみセットされることになる。そし
て（ヘ）工程で小ハンダボール１０がセットされたＰＡ
Ｃを加熱熔融し、小パッド電極４に小ハンダボール１０
を溶着して小ハンダバンプ１０ａを形成する。最後に
（ト）工程でマスク１６を取り除くことにより大小のハ
ンダバンプが形成されたＰＡＣが完成する。
【００１５】尚、上記の実施例では大ハンダボール８と
小ハンダボール１０を別の工程で加熱熔融して大ハンダ
バンプ８ａと小ハンダバンプ１０ａを形成しているが、
本発明はこれに限定されるものでなく、径大凹部１７ａ
に大ハンダボール８を挿入したあと続けて径小凹部１７
ｂに小ハンダボール１０を挿入し、大ハンダボール８と
小ハンダボール１０を同時に加熱熔融することによって
大ハンダバンプ８ａと小ハンダバンプ１０ａを形成して
も良い。
小ハンダボール１０を別の工程で加熱熔融して大ハンダ
バンプ８ａと小ハンダバンプ１０ａを形成しているが、
本発明はこれに限定されるものでなく、径大凹部１７ａ
に大ハンダボール８を挿入したあと続けて径小凹部１７
ｂに小ハンダボール１０を挿入し、大ハンダボール８と
小ハンダボール１０を同時に加熱熔融することによって
大ハンダバンプ８ａと小ハンダバンプ１０ａを形成して
も良い。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明の方法によれば、回
路基板に予め径大の大パッド電極と、径小の小パッド電
極を設け、大パッド電極と小パッド電極にそれぞれ対応
する径大穴と径小穴が形成されたマスク部材を回路基板
上に形成するとともに、回路基板上にコア入りの大ハン
ダボールを散布して径大穴に大ハンダボールを挿入し、
この大ハンダボールを加熱して最初にコア入り大ハンダ
バンプを形成する。その次にコアなしの小ハンダボール
を回路基板上に散布して径小穴に小ハンダボールを挿入
し、小ハンダボールを加熱してコア無し小ハンダボール
形成しているので、所定の位置に各ハンダボールを簡単
にセットできる。ハンダボールは回路基板上に散布する
ことで各凹部にセットされるので、従来のようにひとつ
ひとつ手で挿入するような煩わしさがなくなる。
路基板に予め径大の大パッド電極と、径小の小パッド電
極を設け、大パッド電極と小パッド電極にそれぞれ対応
する径大穴と径小穴が形成されたマスク部材を回路基板
上に形成するとともに、回路基板上にコア入りの大ハン
ダボールを散布して径大穴に大ハンダボールを挿入し、
この大ハンダボールを加熱して最初にコア入り大ハンダ
バンプを形成する。その次にコアなしの小ハンダボール
を回路基板上に散布して径小穴に小ハンダボールを挿入
し、小ハンダボールを加熱してコア無し小ハンダボール
形成しているので、所定の位置に各ハンダボールを簡単
にセットできる。ハンダボールは回路基板上に散布する
ことで各凹部にセットされるので、従来のようにひとつ
ひとつ手で挿入するような煩わしさがなくなる。
【００１７】又、径大凹部に大ハンダボールを挿入した
あと続けて径小凹部に小ハンダボールを挿入し、大ハン
ダボールと小ハンダボールを同時に加熱熔融することに
よって大ハンダバンプと小ハンダバンプを形成すること
により、ハンダボールの溶着工程を一工程に省略でき
る。
あと続けて径小凹部に小ハンダボールを挿入し、大ハン
ダボールと小ハンダボールを同時に加熱熔融することに
よって大ハンダバンプと小ハンダバンプを形成すること
により、ハンダボールの溶着工程を一工程に省略でき
る。
【００１８】又、回路基板が略四角形の場合は、大パッ
ド電極を回路基板の四隅に形成し、コア入り大バンプは
前記回路基板の四隅に形成するとマザーボードへの取付
が便利である。
ド電極を回路基板の四隅に形成し、コア入り大バンプは
前記回路基板の四隅に形成するとマザーボードへの取付
が便利である。
【図１】本発明のハンダバンプ形成方法の（イ）〜
（ニ）工程を示すＰＡＣの断面図である。
（ニ）工程を示すＰＡＣの断面図である。
【図２】本発明のハンダバンプ形成方法の（ホ）〜
（ト）工程を示すＰＡＣの断面図である。
（ト）工程を示すＰＡＣの断面図である。
【図３】（ａ）は従来のＰＡＣの構造を示す断面図であ
る。 （ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示す
断面図である。
る。 （ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示す
断面図である。
【図４】（ａ）は従来の他のＰＡＣの構造を示す断面図
である。 （ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示す
断面図である。
である。 （ｂ）はＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態を示す
断面図である。
【図５】従来のハンダバンプの形成方法を示すＰＡＣの
断面図である。
断面図である。
【図６】従来のＰＡＣをマザーボードに取り付けた状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 回路基板 ２ 配線パターン ３ 大パッド電極 ４ 小パッド電極 ５ レジスト ６ ＩＣチップ ８ 大ハンダボール ８ａ 大バンプ ９ 銅コア １０ 小ハンダボール １０ａ 小バンプ １２ マザーボード １６ マスク １７ 凹部 １７ａ 径大凹部 １７ｂ 径小凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 スルーホール電極を有する回路基板と、
該回路基板の一方の面に搭載されて樹脂封止が施された
ＩＣチップと、前記スルーホール電極を介して前記ＩＣ
チップと接続するように前記回路基板の他方の面に形成
された複数のパッド電極と、該パッド電極上に形成され
たハンダバンプとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、前記ハンダバンプは接続高さを制限するためのコア
入り大バンプとコア無し小バンプを有すると共に、前記
パッド電極は前記コア入り大バンプを形成するための大
パッド電極と、前記コア無し小バンプを形成するための
小パッド電極を有しており、前記ハンダバンプは、前記
大パッド電極と前記小パッド電極にそれぞれ対応する径
大穴と径小穴が形成されたマスク部材を前記回路基板上
に形成する第一の工程と、前記マスク部材の前記径大穴
にコア入りの径大ハンダボールを配置して前記大パッド
電極に溶着する第二の工程と、前記マスク部材の前記径
小穴にコア無しの径小ハンダボールを配置して前記小パ
ッド電極に溶着する第三の工程と、前記回路基板上から
前記マスク部材を取り除く第四の工程とによって形成さ
れることを特徴とするハンダバンプの形成方法。 - 【請求項２】 スルーホール電極を有する回路基板と、
該回路基板の一方の面に搭載されて樹脂封止が施された
ＩＣチップと、前記スルーホール電極を介して前記ＩＣ
チップと接続するように前記回路基板の他方の面に形成
された複数のパッド電極と、該パッド電極上に形成され
たハンダバンプとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、前記ハンダバンプは接続高さを制限するためのコア
入り大バンプとコア無し小バンプを有すると共に、前記
パッド電極は前記コア入り大バンプを形成するための大
パッド電極と、前記コア無し小バンプを形成するための
小パッド電極を有しており、前記ハンダバンプは、前記
大パッド電極と前記小パッド電極にそれぞれ対応する径
大穴と径小穴が形成されたマスク部材を前記回路基板上
に形成する第一の工程と、前記マスク部材の前記径大穴
にコア入り大ハンダボールを配置する第二の工程と、前
記マスク部材の前記径小穴にコア無し小ハンダボールを
配置する第三の工程と、前記各ハンダボールを加熱して
前記各パッド電極に溶着する第四の工程と、前記回路基
板上から前記マスク部材を取り除く第五の工程とによっ
て形成されることを特徴とするハンダバンプの形成方
法。 - 【請求項３】 回路基板は略四角形を有すると共に、大
パッド電極は前記回路基板の四隅に形成されており、コ
ア入り大バンプは前記回路基板の四隅に形成することを
特徴とする請求項１または２記載のハンダバンプの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5407191A JP2974436B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ハンダバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5407191A JP2974436B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ハンダバンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269834A JPH04269834A (ja) | 1992-09-25 |
| JP2974436B2 true JP2974436B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=12960389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5407191A Expired - Fee Related JP2974436B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ハンダバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974436B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6395991B1 (en) * | 1996-07-29 | 2002-05-28 | International Business Machines Corporation | Column grid array substrate attachment with heat sink stress relief |
| JP2002151532A (ja) | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 電子部品、半導体装置の実装方法および半導体装置の実装構造 |
| JP4624172B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-02-02 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路モジュール |
| JP4679587B2 (ja) | 2005-12-20 | 2011-04-27 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| WO2007086551A1 (ja) | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2007281369A (ja) | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半田接続部の形成方法、配線基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP2010003823A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US8384223B2 (en) * | 2008-06-30 | 2013-02-26 | Intel Corporation | Backside mold process for ultra thin substrate and package on package assembly |
| JP2011077490A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Hioki Ee Corp | 球状体搭載装置、球状体搭載方法、球状体搭載済基板および電子部品搭載済基板 |
| JP6182309B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2017-08-16 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP5407191A patent/JP2974436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04269834A (ja) | 1992-09-25 |
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