JP2973556B2 - 希土類ボンド磁石の無電解めっき法 - Google Patents

希土類ボンド磁石の無電解めっき法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は希土類ボンド磁石の無電
解めっき法に関し、更に詳しくは、被処理物に対し耐食
性を付与し得る金属被覆処理を施し得る希土類ボンド磁
石の無電解めっき法に関する。
【0002】
【従来の技術】希土類金属と遷移金属とを主成分とする
合金磁石(以下希土類磁石という)は、従来のフェライ
ト系、アルニコ系磁石と比べて優れた磁気特性を有して
いるため、近年多方面に利用されているが、酸化され易
い欠点を有しており、特にNd−Fe−B系磁石ではそ
の傾向が著しい。かかる希土類磁性粉体を合成樹脂結合
剤で固着せしめた樹脂結合型磁石は、使用環境が高湿雰
囲気である場合には酸化による磁気特性の劣化が生じる
問題をはらんでいる。
【0003】一方、表面に導電性を有する材料に、割
れ、欠けの防止や美観の付与を目的とした金属被覆処理
を施す方法の一つとして無電解めっき法が多用されてい
ることは周知の事実である。更に耐酸化性、耐腐食性を
付与することを目的としためっきを施すことも一般的に
行われている。無電解めっき法とは、還元剤が酸化され
ることにより放出される電子が、溶液中の金属イオンを
被処理物上に金属として析出させる原理に基づいてい
る。
【0004】被処理物に金属被覆処理を施す方法として
は、他に電気めっき法、蒸着めっき法などがあるが、無
電解めっき法は次の点で特に有効である。 (1)均一な膜厚を実現できる。 (2)細孔の内部にめっきできる。 (3)装置が簡単で、低価格である。 (4)処理コストが低い
【0005】かかる無電解めっき技術を上記希土類ボン
ド磁石に適用することは可能であるが、充分な耐食性を
付与できるとはいい難い現状にある。また特に合成樹脂
結合剤の配合割合が少ない圧縮成形ボンド磁石にその傾
向が強い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは鋭意研究
の結果、従来技術による無電解めっき法では充分な耐食
性が得られない原因を下記のごとく推定するに至った。 (1)ボンド磁石特有のポーラスな表面から無電解めっ
き液が侵入し、めっき後も一部残留する。このめっき液
が酸性である場合には、めっき処理品の腐食を誘発する
原因となる。 (2)ボンド磁石特有のポーラスな表面から無電解めっ
き液が侵入し、めっき後も一部残留する。このめっき液
が塩素を含む場合には、めっき処理品の腐食を誘発する
原因となる。本発明はこのような問題を解決することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる推定原因に基づき
本発明者らは下記の対策法を考案し、本発明を完成した
ものである。 (1)無電解めっき液のPHを5以上に調整する。 (2)無電解の塩素含有量を低減する。 (3)めっき処理前に樹脂、非金属無機材料を被処理物
に被覆し、めっき液の侵入、残留を防止する。
【0008】すなわち、本発明の第1は、R−T−B
(RはNd又はその一部を希土類元素で置換したもの、
TはFe又はその一部を遷移金属元素で置換したもの)
で表される磁性粉体と結合剤とを主たる構成成分として
なるボンド磁石に於いて、PHが5以上である電解質水
溶液を使用することを特徴とする希土類ボンド磁石の無
電解めっき法をその内容とする。
【0009】本発明の第2は、塩素を含まない電解質を
主たる構成成分としてなる水溶液を用いることを特徴と
する希土類ボンド磁石の無電解めっき法を内容とする。
【0010】本発明の第3は、樹脂塗装を施した後、め
っきを施すことを特徴とする希土類ボンド磁石の無電解
めっき法を内容とする。
【0011】本発明の第4は、非金属無機材料被覆処理
を施した後、無電解めっきを施すことを特徴とするボン
ド磁石の無電解めっき法を内容とするものである。
【0012】本発明で用いられる希土類ボンド磁石と
は、R−T−B(RはNd又はその一部を希土類元素で
置換したもの、TはFe又はその一部を遷移金属元素で
置換したもの)で表される磁性粉体と結合剤である合成
樹脂との配合物を成形して得ることができる。上記樹脂
には、汎用される熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂あるいは
ゴムから成形法を考慮し適宜選択して使用される。本発
明で使用する熱可塑性樹脂としてはフェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂等が例示でき、また熱可塑性
樹脂とてはナイロン6、ナイロン12等のポリアミド、
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポ
リ塩化ビニル、ポリエステル、ポリフェニレンサルファ
イド等が例示できる。また、紫外線硬化型樹脂なども使
用しうる。また、結合剤として比較的融点の低い金属を
使用することも本発明の範中である。
【0013】本発明に用いられる磁性粉末と樹脂結合剤
配合物の成形方法は、圧縮成形、射出成形、押し出し成
形、カレンダー成形などが例示できる。
【0014】本発明で用いられる無電解めっき液にはめ
っきする金属種によって適宜選択でき、硫酸Cuとロッ
シェル塩、ホルムアルデヒド、炭酸Na、水酸化Na、
EDTA、シアン化Na等のうちのいくつかを含有する
Cuめっき浴;硫酸Ni、塩化Niまたはこれらの混合
物と、酢酸Na、乳酸、クエン酸Na、次亜りん酸N
a、ほう酸、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、エ
チレンジアミン、クエン酸アンモニウム、ピロリン酸N
aなどのうちのいくつかを含有するNiめっき浴及びN
i合金めっき浴;硫酸Coと、次亜りん酸Na、クエン
酸Na、酒石酸Na、硫酸アンモニウム、ほう酸などの
うちのいくつかを含有するCoめっき浴及びCo合金め
っき浴;ジシアノ金(I)酸カリウム、テトラシアノ金
(III) 酸カリウム又はこれらの混合物と、シアン化カリ
ウム、水酸化カリウム、塩化鉛、水素化ほう素カリウム
などのうちのいくつかを含有するAuめっき浴;シアン
化銀と、シアン化Na、水酸化Na、ジメチルアミンボ
ラン、チオ尿素などのうちのいくつかを含有するAgめ
っき浴;塩化パラジウムと、水酸化アンモニウム、塩化
アンモニウム、エチレンジアミン4酢酸Na、ホスフィ
ン酸Na、ヒドラジン等のうちのいくつかを含有するパ
ラジウムめっき浴;塩化スズと、クエン酸Na、エチレ
ンジアミン4酢酸Na、ニトロ3酢酸Na、3塩化チタ
ン、酢酸Na、ベンゼンスルホン酸などのうちのいくつ
かを含有するスズめっき浴などが例示でき、さらに光沢
剤、レベラー剤、ピット防止剤、梨地形成剤、PH緩衝
剤、安定剤、錯化剤等の添加剤を加えることもできる。
また、本発明で用いられる無電解めっき法には前処理工
程、後処理工程を設けることもでき、前処理には浸漬脱
脂、電解脱脂、浴剤脱脂、酸処理、アルカリ処理、パラ
ジウム処理、水洗等が例示でき、後処理工程にはクロメ
ート処理、水洗、湯洗などが例示できる。
【0015】本発明で行われる無電解めっき処理によっ
て被処理物に被覆されるめっき金属としては、Cu、N
i、Co、Sn、Ag、Au、Pt及びNi−Co、N
i−Co−B、Ni−Co−P、Ni−Fe−P、Ni
−W−P、Ni−P、Co−Fe−P、Co−W−P、
Co−Ni−Mn−Reなどが例示でき、目的に応じて
適宜選択できる。
【0016】本発明に用いられる水溶液のPHは5以上
であり、特に6以上が好ましく、さらには6以上10以
下が最も好ましい。PHが5未満であれば、めっき処理
中に被処理物表面が腐食したり、あるいは上述のごとく
被処理物内部に水溶液が侵入、残留してめっき下地層す
なわち被処理物の表面または内部より腐食が進行しやす
くなり、めっきの目的を達成し得なくなる。また、水溶
液のPHが5以上6未満であれば上記問題が発生しない
ものの、被処理物表面の極表面が酸化劣化することがあ
る。これによって、希土類ボンド磁石の磁気特性がやや
低下する傾向がある。一方、水溶液のPHが10を越え
るとNiめっき層と下地被処理物表面との密着性が低下
する傾向がある。このことは、強アルカリ雰囲気中では
被処理物表面に不働態化膜が形成されるためとも推定で
きるが詳細については不明である。
【0017】本発明に用いられる水溶液は所定のPHで
緩衝作用を呈することが好ましい。すなわち、上述のご
とく水溶液のPHが本発明の目的を達成するために重要
な因子であるにもかかわらずめっき処理中にPHが変動
する可能性があるためである。これを解決するために、
めっき処理中に随時水溶液のPHを測定し、PH調整剤
を適量添加する方法も考えられるが工業的に効率的では
ない。これに対し水溶液が緩衝作用を呈するものであれ
ば上記手間が省けるか、少なくともその回数が少なくな
り好的である。水溶液に緩衝作用を呈しせしめるには、
一般的には弱酸または弱塩基とその塩などを適量添加す
ればよく、フタル酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、
第2クエン酸ナトリウム、第1りん酸カリウム、第2り
ん酸ナトリウム、ほう砂、コリジン、乳酸、乳酸Na、
クエン酸、第1クエン酸カリウム、酢酸Na、酢酸、ベ
ロナールナトリウム、トリスアミノメタン、炭酸ナトリ
ウム、ほう酸などから適宜選択できるが、本発明の主旨
から塩化物を使用しない方が好ましいのは明かである。
【0018】本発明に用いられる樹脂には、汎用される
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが例示でき、それぞれ
上記合成樹脂結合剤として例示した樹脂が例示できる。
さらに、この樹脂がキレート配位能及び/又は還元能を
有する樹脂であることは好ましい例である。これは、キ
レート配位能を有する樹脂は被処理物に対する密着性が
良く、還元能を有する樹脂は被処理物表面を還元雰囲気
に保つ効果があり、それ自体耐食性を向上させる効果を
有するためである。キレート配位能及び/又は還元能を
有する樹脂としては、汎用熱硬化性樹脂の多価フェノー
ル変性物、あるいは汎用性熱硬化樹脂と多価フェノール
の混合物などが例示でき、さらに具体的にはタンニン酸
−フェノール類−アルデヒトの重縮合物、多価フェノー
ル変形エポキシ樹脂、などが例示できる。
【0019】本発明に用いられる非金属無機材料として
は水ガラス、セラミックなどが例示でき、本発明の効果
を発現しうる材質であればよい。
【0020】上記樹脂塗装、非金属無機材料被覆を行う
方法としては浸漬法、スプレー法、などが例示でき、被
覆後、必要に応じて乾燥、加熱硬化工程などを設けるこ
とができる。
【0021】無電解めっきでは一般に、上述のごとくC
u、Ni、Co、Sn、Ag、Au、Pt金属及びその
合金の金属被覆処理が可能である。構造用材料のよう
に、めっき層が犠牲腐食することによって被処理材を保
護するような機構を目的とした場合にはSnめっきなど
でも充分な効果を発揮するが、特に電子部品のようにめ
っき層、被処理材ともに酸化、腐食することが許容され
得ない場合にはめっき後樹脂塗装、無機材料コーティン
グ等が必要であり、効率的とはいえない。この点におい
てはCuも同様であり、貴金属であるにもかかわらず表
面に黒色の酸化銅や緑青が発生しやすい欠点を有してい
る。一方Au、Ag、Ptめっきは防食に極めて有効で
はあるが、高価であり、工業的に有用である場合が少な
い。以上の点からNi、Co及びその合金めっきが最も
有効な手段であることは明かであり、本発明の好ましい
態様の一つとなる。また本発明者らの研究によるとCo
及びCo合金めっきの方がNi及びNi合金めっきより
も耐食性がやや良好であることが明かとなっている。
【0022】本発明で用いられる水溶液の液温は20℃
以上、50℃以下であることが好ましい。これは、液温
が20℃以下では反応すなわち金属の析出速度が遅くな
り工業的に効率的でない場合が多く、逆に50℃以上で
は被処理物であるボンド磁石が水溶液によって膨潤し、
割れ、欠けの原因となりやすい傾向がある。
【0023】本発明の主要因である塩素を含有せず、P
H6以上、10以下の無電解めっき用水溶液を作製する
ための主たる水溶液組成には、下記のものなどが例示で
き、かつこれらは特に好ましい例である。 (1)硫酸Ni、クエン酸アンモニウムとクエン酸ナト
リウムの内少なくとも1種、次亜りん酸Na (2)硫酸Ni、クエン酸アンモニウムとクエン酸ナト
リウムの内少なくとも1種、次亜りん酸Na、乳酸 (3)硫酸Ni、クエン酸アンモニウムとクエン酸ナト
リウムの内少なくとも1種、乳酸、チオグリコール酸、
ジメチルアミンボラン (4)次亜りん酸Ni、酢酸Na、ほう酸、硫酸アンモ
ニウム (5)硫酸Co、次亜りん酸Na、クエン酸Na
【0024】本発明に用いられる前記パラジウム処理と
は被処理物表面に触媒作用を持たせる目的で行われるも
のであり、一般的には下記のごとく2段階の工程によっ
て行われる。 (1)塩化第1Sn・2H2 O:20〜40g/l conc.HCl :10〜20ml/l 処理液温度:常温 浸漬時間 :1〜3分 上記処理液に被処理物を浸漬後、水洗。 (2)PdCl ・2H2 O:0.1〜0.6g/l conc.HCl :1〜5ml/l 処理液温度:常温 浸漬時間 :2〜5分 上記処理液に浸漬。 上記(1)、(2)の処理によって、被処理物表面で下
記の反応が起こり、触媒効果の高い金属Pdが被処理物
表面に析出し、後に行われる無電解めっきの還元作用に
よる金属析出を助長する効果をしめす。
【0025】Sn2++Pd2+→Sn4++Pd0
【0026】しかしながら、本発明の主旨から明かなよ
うに塩化物を含む溶液に被処理物を浸漬することは好ま
しくなく、また上記溶液が酸性である点においても好ま
しくない。これを改善するために本発明者らは、下記に
示す2段階の触媒化処理方を開発したものである。 (1)AgNO3 :9〜10g/l アンモニア水:約5ml/l(溶液が透明になる量を添
加) 浸漬時間 :1〜2分 (2)硫酸ヒドラジン:18〜20g/l 水酸化ナトリウム:4〜5g/l 浸漬時間 :1〜2分 上記処理を行うことによって被処理物表面に触媒効果の
高いAgが析出し、後に行われる無電解めっきの金属析
出を助長する効果を示す。かつまた、本発明の触媒処理
液はアルカリ性で塩素を含まないため上記従来技術の問
題点を克服することができる。尚上記触媒処理組成液は
一例であり、本発明を何ら限定するものではない。
【0027】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例を挙げて更
に詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら制限さ
れない。
【0028】(比較例及び実施例)本発明の効果を明確
にするために、表面がポーラスであり、錆易いNd−F
e−B系ボンド磁石を被処理材料に使用した。表1にこ
のサンプルの詳細を示す。
【0029】
【表1】
【0030】上記サンプルに対し、表2〜表9に示す無
電解めっきを施しそれぞれ比較例1、2、実施例1〜6
を得た。膜厚はめっき時間により調整し、すべて10μ
mとした。
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】
【表4】
【0034】
【表5】
【0035】
【表6】
【0036】
【表7】
【0037】
【表8】
【0038】
【表9】
【0039】上記の条件で比較例1、2実施例1〜6の
サンプルを作製した。サンプルは、80℃×95%RH
×200時間の条件で耐湿試験し、肉眼にて発錆状況の
評価を行った。その結果を表10に示す。
【0040】
【表10】
【0041】
【発明の効果】本発明を用いることによって、ポーラス
な表面を有する希土類ボンド磁石に耐食性を付与しうる
無電解めっきを密着性良好に施すことができる。

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 R−T−B(RはNd又はその一部を希
    土類元素で置換したもの、TはFe又はその一部を遷移
    金属元素で置換したもの)で表される磁性粉体と結合剤
    とを主たる構成成分としてなるボンド磁石に於いて、P
    Hが5以上である電解質水溶液を使用することを特徴と
    する希土類ボンド磁石の無電解めっき法。
  2. 【請求項2】 前記水溶液のPHが6以上であることを
    特徴とする請求項1記載の希土類ボンド磁石の無電解め
    っき法。
  3. 【請求項3】 前記水溶液のPHが6以上、10以下で
    あることを特徴とする請求項1記載の希土類ボンド磁石
    の無電解めっき法。
  4. 【請求項4】 前記水溶液が緩衝作用を呈することを特
    徴とする請求項1、2又は3記載の希土類ボンド磁石の
    無電解めっき法。
  5. 【請求項5】 前記水溶液が塩素を含まない電解質を主
    たる構成成分としてなることを特徴とする請求項1、
    2、3又は4記載の希土類ボンド磁石の無電解めっき
    法。
  6. 【請求項6】 R−T−B(RはNd又はその一部を希
    土類元素で置換したもの、TはFe又はその一部を遷移
    金属元素で置換したもの)で表される磁性粉体と結合剤
    とを主たる構成成分としてなるボンド磁石に於いて、樹
    脂塗装を施した後、無電解めっきを施すことを特徴とす
    るボンド磁石の無電解めっき法。
  7. 【請求項7】 樹脂塗装を施した後、前記水溶液を用い
    てめっきを施すことを特徴とする請求項1、2、3、4
    又は5記載の希土類ボンド磁石の無電解めっき法。
  8. 【請求項8】 前記樹脂がキレート配位能及び/又は還
    元能を有する樹脂であることを特徴とする請求項6又は
    7の希土類ボンド磁石の無電解めっき法。
  9. 【請求項9】 R−T−B(RはNd又はその一部を希
    土類元素で置換したもの、TはFe又はその一部を遷移
    金属元素で置換したもの)で表される磁性粉体と結合剤
    とを主たる構成成分としてなるボンド磁石に於いて、非
    金属無機材料被覆処理を施した後、無電解めっきを施す
    ことを特徴とするボンド磁石の無電解めっき法。
  10. 【請求項10】 非金属無機材料被覆処理を施した後、
    前記水溶液を用いてめっきを施すことを特徴とする請求
    項1、2、3、4又は5記載の希土類ボンド磁石の無電
    解めっき法。
  11. 【請求項11】 前記無電解めっきのめっき金属種がN
    i及びNi合金又はCo及びCo合金であることを特徴
    とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9又は
    10記載の希土類ボンド磁石の無電解めっき法。
  12. 【請求項12】 前記水溶液の液温が20℃以上50℃
    以下であることを特徴とする請求項1、2、3、4、
    5、6、7、8、9、10又は11記載の希土類ボンド
    磁石の無電解めっき法。
  13. 【請求項13】 前記電解質が、硫酸Ni、クエン酸ア
    ンモニウムとクエン酸ナトリウムの内少なくとも1種、
    次亜りん酸Naを主たる構成成分であることを特徴とす
    る請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、
    11又は12記載の希土類ボンド磁石の無電解めっき
    法。
  14. 【請求項14】 前記電解質が、硫酸Ni、クエン酸ア
    ンモニウムとクエン酸ナトリウムの内少なくとも1種、
    次亜りん酸Na、乳酸を主たる構成成分であることを特
    徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、
    10、11又は12記載の希土類ボンド磁石の無電解め
    っき法。
  15. 【請求項15】 前記電解質が、硫酸Ni、クエン酸ア
    ンモニウムとクエン酸ナトリウムの内少なくとも1種、
    乳酸、チオグリコール酸、ジメチルアミンボランを主た
    る構成成分であることを特徴とする請求項1、2、3、
    4、5、6、7、8、9、10、11又は12記載の希
    土類ボンド磁石の無電解めっき法。
  16. 【請求項16】 前記電解質が、次亜りん酸Ni、酢酸
    Na、ほう酸、硫酸アンモニウムを主たる構成成分であ
    ることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、
    7、8、9、10、11又は12記載の希土類ボンド磁
    石の無電解めっき法。
  17. 【請求項17】 前記電解質が、硫酸Co、次亜りん酸
    Na、クエン酸Naを主たる構成成分であることを特徴
    とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、1
    0、11又は12記載の希土類ボンド磁石の無電解めっ
    き法。
  18. 【請求項18】 めっきの前処理としてAgイオンを主
    たる構成成分としてなる浴液に浸漬することを特徴とす
    る請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、
    11、12、13、14、15、16又は17記載の希
    土類ボンド磁石の無電解めっき法。
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