JP2972502B2 - 非ベンゼノイド炭素系材料の製造法 - Google Patents
非ベンゼノイド炭素系材料の製造法Info
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Description
系材料の製造法とこの炭素系材料そのものに関するもの
である。さらに詳しくは、この発明は、二次電池電極材
料、触媒等のホスト材料や、吸着剤等として有用な、新
しい非ベンゼノイド炭素系材料の製造法とその材料に関
するものである。
は、六員環網面が積み重なっているベンゼノイド構造か
らなるものであることが知られている。この構造の特徴
は、炭素層面が真平面で、その代表的なものとしてのグ
ラファイトの場合には、面間隔は3.354Åである。
ね構造は、特徴のある導電性物質としての応用や、層間
への分子、イオン種等のインターカレーションによる新
しい反応触媒や吸着剤として、さらには、二次電池電極
材料として注目されており、この特徴をさらに発展させ
るために、炭素層面の間隔をより拡大させることが検討
されている。そしてより、立体的には様々な特徴のある
構造の形成が今後への課題として考慮されている。この
ような検討の対象として、六員環縮合多環芳香族化合物
はもとより、五員環や七員環のような非ベンゼノイド構
造を持つ縮合多環芳香族化合物からの炭素系材料が注目
されている。
トリフェニレンなどの六員環縮合多環芳香族化合物を支
持電解質溶液中で電解酸化重合することにより導電性ポ
リマーが得られることは知られているものの、五員環や
七員環も含む新しい特徴のある非ベンゼノイド系炭素材
料として有用なものを製造する方法はいまだ知られてい
ないのが実情である。
技術の限界を克服し、非ベンゼノイド炭素系材料の製造
を可能とし、新しい有用物質としての非ベンゼノイド炭
素系材料を提供することを目的としている。
を解決するものとして、非ベンゼン系縮合多環芳香族化
合物を電解重合し、生成した重合化合物を熱処理するこ
とを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造法を提
供する。そしてまた、この発明は、この製造法によって
得られる非ベンゼノイド炭素系材料であって、非ベンゼ
ン系縮合多環芳香族化合物の電解重合物が熱処理されて
なり、炭素層面間隔(d002 )が3.80Å以上である
ことを特徴とする新しい炭素系材料をも提供する。
香族化合物を使用し、これを電解重合し、次いで熱処理
するとの工程が採用されるが、この場合の非ベンゼン系
縮合多環芳香族化合物としては、縮合多環構造に、五員
環や七員環等を含むことができ、その代表例としては、
たとえば、デカシクレン、フルオランセン、アセナフチ
レン、アズレンあるいはそのアルケル、アルケニル、ア
ルキニル、アリール置換等の誘導体、もしくは、電解重
合や熱処理を妨げない多種の官能基を有するもの等が示
される。
物は、1種または2種以上のものを用いることができ
る。電解重合反応は、支持電解質、たとえば、四級アン
モニウム塩、オニウム塩、ホスホニウム塩等の溶液中で
実施することができる。支持電解質としての代表例は、
たとえばテトラアルキルアンモニウム塩としての、テト
ラエチルアンモニウムテトラフロロボレート等を示する
ことができ、適宜な溶媒によってその溶液として使用す
る。溶液には、アセトニトリル、DMF、DMSO、D
MAA、THF、ピリジン、あるいは水、アルコール等
が用いられる。
0.1〜10mA/cm2 程度の電流密度で行うことが
できる。この電解重合によって重合化合物が生成され
る。そこで、この発明では、得られた非ベンゼン系縮合
多環芳香族化合物の電解重合物を熱処理をする。
等の不活性ガス雰囲気中において、あるいは減圧下に、
500〜1800℃さらには600〜1500℃程度の
高温度に加熱して熱処理する。その際の昇温速度は、た
とえば5〜50℃/min程度とするのが好ましい。た
とえば以上の条件による熱処理で、この発明においては
非ベンゼノイド構造を有する立体的な炭素系材料が得ら
れる。この炭素系材料は、非六員環の存在によって、炭
素層面が湾曲もしくは凹凸状態になっているものと推定
され、粉末法X線回折により求めた面間隔d002 は、
3.80以上と、グラファイトの3.354に比べて、
はるかに大きなものとなっている。
として極めて有用な新しいホスト材料が実現されること
になる。以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明に
ついて説明する。もちろん、この発明は、以下の例によ
って限定されることはない。
テトラフロロボレート0.1Mを含有するアセトニトリ
ル溶液を電解液とし、白金を陽極として1mA/cm2
の電流密度で90分間電解重合を行った。フルオランセ
ンポリマーを得た。
1時間加熱して炭素化を行った。得られた炭素系材料を
粉末X線回析法で分析したところ、面間隔d002 値は
3.83であった。比較例1 実施例1において、フルオランセンに代えて六員環縮合
多環芳香族化合物としてピレンを用い、同様にして重合
および炭素化を行った。得られた炭素系材料のd002 値
は3.75であった。実施例2 実施例1において炭素化の加熱温度を1000℃とした
以外は、同様にして炭素系材料を得た。このもののd
002 値は3.81であった。比較例2 比較例1において、炭素化の加熱温度を1000℃とし
た。d002 値は3.76であった。実施例3 実施例1において、熱処理の温度を変化させ、各々の場
合の炭素系材料のラマンスペクトルを評価した。その結
果を示したものが図1である。
超えると、電解重合ポリマーには、1350および15
80cm-1近傍の炭素についての二本のピークが明瞭に
なり、ポリマー由来のピークは消失していくことがわか
る。3000℃処理後のラマンスペクトルから求めたピ
ーク比(I1350/I1580)は0.56であった。
リマーからの炭素系材料は、難黒鉛(グラファイト)化
性であることがわかる。実施例4 実施例1において、熱処理温度を変化させ、各々の場合
の生成炭素系材料について粉末X線回析スペクトルを分
析した。
る。600〜650℃において、電解重合ポリマーに由
来する低角側のピークが消失し、炭素のd002 に相当す
るピークが徐々に強度を増していくことがわかる。30
00℃処理後の炭素においては、d002 ピークは2本に
分裂し、それぞれのピークから求めたd002 値は、3.
56および3.39Åであった。
値の熱処理温度との相関について示したものである。フ
ルオランセンポリマーは、ピレンポリマーに比べて、生
成する炭素系材料のd002 値が大きく、600〜100
0℃では明瞭に3.8Å以上にあることがこの図3より
わかる。実施例5 実施例1と同様にして、アズレン、アセナフチレンの場
合についても、電解重合し、次いで温度600〜100
0℃において、熱処理した。粉末X線回析スペクトル分
析によって、面間隔d002 値は3.8以上であることが
確認された。
り、より大きな炭素層面間隔d(002)の炭素材料が実現
される。二次電池電極材料、触媒等のホスト材料として
有用な炭素材料となる。
図である。
る。
002 値と熱処理温度との相関図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を電
解重合し、次いで生成した重合化合物を熱処理すること
を特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造法。 - 【請求項2】 600〜1500℃の温度で熱処理する
請求項1の製造法。 - 【請求項3】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物がフ
ルオランセン、アセナフチレン、アズレンおよびそれら
の誘導体の少くとも1種からなる請求項1の製造法。 - 【請求項4】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物の電
解重合化合物が熱処理されてなり、炭素層面間隔(d
002 )が3.80Å以上であることを特徴とする非ベン
ゾノイド炭素系材料。
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- 1993-09-24 JP JP5238575A patent/JP2972502B2/ja not_active Expired - Fee Related
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