JP2972000B2 - 積層セラミックコンデンサーの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサーの製造方法Info
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- JP2972000B2 JP2972000B2 JP3269075A JP26907591A JP2972000B2 JP 2972000 B2 JP2972000 B2 JP 2972000B2 JP 3269075 A JP3269075 A JP 3269075A JP 26907591 A JP26907591 A JP 26907591A JP 2972000 B2 JP2972000 B2 JP 2972000B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサーの製造方法に関するものである。
ンサーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の積層セラミックコンデンサ
ーは、例えばキャリアフィルム等に均一な厚みで成膜
し、同一パターンを印刷・積み重ねるために定格電圧の
調整ができない。また、容量に関しても一度所定枚数重
ねると容量が決ってしまうため、容量を調整することが
できないというような欠点があった。
ーは、例えばキャリアフィルム等に均一な厚みで成膜
し、同一パターンを印刷・積み重ねるために定格電圧の
調整ができない。また、容量に関しても一度所定枚数重
ねると容量が決ってしまうため、容量を調整することが
できないというような欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの欠
点を除去するためキャリアフィルムに均一な厚みを成膜
し、キャリアフィルムに印刷成膜した後、内部電極パタ
ーンの異なるものを印刷し、そのパターンの異なる内部
電極を規則正しく積み重ね、外部電極を形成する前に内
部電極パターンがチップ表面に取出された部分を研削機
やサンドブラスト等を用い、セラミック及び内部電極を
削除することによって、定格電圧・容量を調整する積層
セラミックコンデンサーを提供することを目的とする。
点を除去するためキャリアフィルムに均一な厚みを成膜
し、キャリアフィルムに印刷成膜した後、内部電極パタ
ーンの異なるものを印刷し、そのパターンの異なる内部
電極を規則正しく積み重ね、外部電極を形成する前に内
部電極パターンがチップ表面に取出された部分を研削機
やサンドブラスト等を用い、セラミック及び内部電極を
削除することによって、定格電圧・容量を調整する積層
セラミックコンデンサーを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数層の内部
電極を有する複数層の誘電体層を積層する積層セラミッ
クコンデンサーにおいて、距離及び容量の異なる複数の
内部電極を規則的に積層しておき、外部電極を形成する
前に研削機やサンドブラスト等を用い、積層セラミック
コンデンサーの内部電極の直角方向の長手の端面のセラ
ミック及び内部電極を削除することによって、内部電極
を端面に取出し外部電極につなぎ誘電体層の距離及び容
量を形成する有効層数を変えることで定格電圧・容量を
調整変化することを特徴とする積層セラミックコンデン
サーの製造方法である。
電極を有する複数層の誘電体層を積層する積層セラミッ
クコンデンサーにおいて、距離及び容量の異なる複数の
内部電極を規則的に積層しておき、外部電極を形成する
前に研削機やサンドブラスト等を用い、積層セラミック
コンデンサーの内部電極の直角方向の長手の端面のセラ
ミック及び内部電極を削除することによって、内部電極
を端面に取出し外部電極につなぎ誘電体層の距離及び容
量を形成する有効層数を変えることで定格電圧・容量を
調整変化することを特徴とする積層セラミックコンデン
サーの製造方法である。
【０００５】
【作用】本発明は、外部電極を形成する前に積層体の内
部に挟んだ内部電極の一部がチップ表面に取出されてい
る部分から研削機やサンドブラスト等を用いてセラミッ
クや内部電極を削除することによって、定格電圧・容量
を変更でき、積層体の厚みを小さくし、定格電圧も小さ
くなり、静電容量が２倍以上にできる積層セラミックコ
ンデンサーが提供できる。
部に挟んだ内部電極の一部がチップ表面に取出されてい
る部分から研削機やサンドブラスト等を用いてセラミッ
クや内部電極を削除することによって、定格電圧・容量
を変更でき、積層体の厚みを小さくし、定格電圧も小さ
くなり、静電容量が２倍以上にできる積層セラミックコ
ンデンサーが提供できる。
【０００６】
【実施例】実施例を以下に説明する。図１は、内部電極
Ａ７が右側端部へでた幅Ｗのセラミック誘電体層Ａ３の
平面図。図２は、内部電極Ｂ８が左側端部へよった幅Ｗ
のセラミック誘電体層Ｂ４の平面図。図３、は内部電極
Ｃ９が左側端部へでた幅Ｗのセラミック誘電体層Ｃ５の
平面図。図４は、内部電極Ｄ１０が右側端部へよった幅
Ｗのセラミック誘電体層Ｄ６の平面図。図５は、図１・
図２・図４・図３・図４・図２・図１のセラミック誘電
体Ａ３、セラミック誘電体Ｂ４、セラミック誘電体Ｃ
５、セラミック誘電体Ｄ６のセラミック誘電体層を積層
して、積層体１５を形成した斜視図。図６の（ａ）は、
図５の内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を有する積層
体１５に外部電極Ａ1１１，Ａ2１２を形成した積層セラ
ミックコンデンサーＡ１の断面図。図６の（ｂ）は、Ａ
とＢまで研削し内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を有
し、外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４を施した積層セラミック
コンデンサーＢ２の断面図。図７は、図６の積層セラミ
ックコンデンサーＡ１の斜視図。図８は、図７の積層セ
ラミックコンデンサーＢ２の斜視図。図７、図８に示す
ような積層セラミックコンデンサーＡ１・Ｂ２を製造す
る場合、図１・図２・図３・図４にそれぞれ示すセラミ
ック誘電体層を、例えばセラミック誘電体層Ａ３→セラ
ミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ｄ６→セラミ
ック誘電体層Ｃ５→セラミック誘電体層Ｄ６→セラミッ
ク誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ａ３というように
規則的に積層し、脱バインダー焼成工程を経ると図５に
示すような幅Ｗ、厚さＴの積層体１５が得られる。積層
体１５の内部に形成されている内部電極Ａ７，内部電極
Ｂ８，内部電極Ｃ９，内部電極Ｄ１０の内部電極の状態
は、次のような特徴がある。図１のセラミック誘電体層
Ａ３の一方表面上には内部電極Ａ７を形成させ、図２の
セラミック誘電体層Ｂ４の一方表面上には内部電極Ｂ８
が形成され、この内部電極は取出電極がない。図３のセ
ラミック誘電体層Ｃ５の一方表面上には内部電極Ｃ９を
形成させる。図４のセラミック誘電体層Ｄ６の一方表面
上には内部電極Ｄ１０が形成され、この内部電極は取出
電極がない。これらのセラミック誘電体層を例えば、セ
ラミック誘電体層Ａ３→セラミック誘電体層Ｂ４→セラ
ミック誘電体層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｃ５→セラミ
ック誘電体層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミッ
ク誘電体層Ａ３というように規則的に積層された時、図
５に示すように積層体１５の寸法Ｗがセラミック誘電体
層Ａ３・Ｂ４・Ｃ５・Ｄ６の幅方向Ｗと一致するように
なり、かつ積層体１５の寸法Ｔが寸法Ｗより小さくなる
ように各セラミック誘電体層を例えば、セラミック誘電
体層Ａ３→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体
層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｃ５→セラミック誘電体層
Ｄ６→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ａ
３の積層数が選ばれる。このように積層された場合、例
えば図５の積層体１５内で内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，
Ｄ１０は水平方向に向いている。図５の積層体１５に対
して、図７に示すように外部電極Ａ1１１，Ａ2１２が形
成される。図７の積層体を幅方向の断面にしたものが図
６の（ａ）である。図６の（ａ）のＡとＢの線まで研削
機等の加工機でセラミックを研削して取除くと図６の
（ｂ）のようになり、図６の（ｂ）に示すように、内部
電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を全て取出し電極として
外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４を形成する。例えば、図５の
積層体１５内でセラミック誘電体層Ｂ４・Ｄ６の電極が
それぞれ外部電極Ａ1１１，Ａ2１２形成して、表面に取
出されるまで研削機やサンドブラスト等でセラミック及
び内部電極を削除し、図８の外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４
のように形成すると、図８に示すように図７の積層体の
誘電層は１／３の厚みとなり、定格電圧は１／３ＷＶ、
静電容量は約２．５倍に変えることが可能となる。更に
セラミック誘電体に形成されるパターンを今回の４パタ
ーンから増やすことで、選択できる定格電圧、静電容量
を多様化させることも可能である。又、今回の図５の積
層体は水平方向に積層している例を示したが、垂直方向
での作成も可能である。実際に試作をＰｂ［（ＭｇＷ）
0.2（ＮｉＮｂ）0.4Ｔｉ0.4］Ｏ3系の材料を用いて２０
μｍ厚さのグリーンシートを使い、図７，図８のように
積層体を作り、電気特性を測定したところ、表１のよう
な結果が得られた。
Ａ７が右側端部へでた幅Ｗのセラミック誘電体層Ａ３の
平面図。図２は、内部電極Ｂ８が左側端部へよった幅Ｗ
のセラミック誘電体層Ｂ４の平面図。図３、は内部電極
Ｃ９が左側端部へでた幅Ｗのセラミック誘電体層Ｃ５の
平面図。図４は、内部電極Ｄ１０が右側端部へよった幅
Ｗのセラミック誘電体層Ｄ６の平面図。図５は、図１・
図２・図４・図３・図４・図２・図１のセラミック誘電
体Ａ３、セラミック誘電体Ｂ４、セラミック誘電体Ｃ
５、セラミック誘電体Ｄ６のセラミック誘電体層を積層
して、積層体１５を形成した斜視図。図６の（ａ）は、
図５の内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を有する積層
体１５に外部電極Ａ1１１，Ａ2１２を形成した積層セラ
ミックコンデンサーＡ１の断面図。図６の（ｂ）は、Ａ
とＢまで研削し内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を有
し、外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４を施した積層セラミック
コンデンサーＢ２の断面図。図７は、図６の積層セラミ
ックコンデンサーＡ１の斜視図。図８は、図７の積層セ
ラミックコンデンサーＢ２の斜視図。図７、図８に示す
ような積層セラミックコンデンサーＡ１・Ｂ２を製造す
る場合、図１・図２・図３・図４にそれぞれ示すセラミ
ック誘電体層を、例えばセラミック誘電体層Ａ３→セラ
ミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ｄ６→セラミ
ック誘電体層Ｃ５→セラミック誘電体層Ｄ６→セラミッ
ク誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ａ３というように
規則的に積層し、脱バインダー焼成工程を経ると図５に
示すような幅Ｗ、厚さＴの積層体１５が得られる。積層
体１５の内部に形成されている内部電極Ａ７，内部電極
Ｂ８，内部電極Ｃ９，内部電極Ｄ１０の内部電極の状態
は、次のような特徴がある。図１のセラミック誘電体層
Ａ３の一方表面上には内部電極Ａ７を形成させ、図２の
セラミック誘電体層Ｂ４の一方表面上には内部電極Ｂ８
が形成され、この内部電極は取出電極がない。図３のセ
ラミック誘電体層Ｃ５の一方表面上には内部電極Ｃ９を
形成させる。図４のセラミック誘電体層Ｄ６の一方表面
上には内部電極Ｄ１０が形成され、この内部電極は取出
電極がない。これらのセラミック誘電体層を例えば、セ
ラミック誘電体層Ａ３→セラミック誘電体層Ｂ４→セラ
ミック誘電体層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｃ５→セラミ
ック誘電体層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミッ
ク誘電体層Ａ３というように規則的に積層された時、図
５に示すように積層体１５の寸法Ｗがセラミック誘電体
層Ａ３・Ｂ４・Ｃ５・Ｄ６の幅方向Ｗと一致するように
なり、かつ積層体１５の寸法Ｔが寸法Ｗより小さくなる
ように各セラミック誘電体層を例えば、セラミック誘電
体層Ａ３→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体
層Ｄ６→セラミック誘電体層Ｃ５→セラミック誘電体層
Ｄ６→セラミック誘電体層Ｂ４→セラミック誘電体層Ａ
３の積層数が選ばれる。このように積層された場合、例
えば図５の積層体１５内で内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，
Ｄ１０は水平方向に向いている。図５の積層体１５に対
して、図７に示すように外部電極Ａ1１１，Ａ2１２が形
成される。図７の積層体を幅方向の断面にしたものが図
６の（ａ）である。図６の（ａ）のＡとＢの線まで研削
機等の加工機でセラミックを研削して取除くと図６の
（ｂ）のようになり、図６の（ｂ）に示すように、内部
電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ９，Ｄ１０を全て取出し電極として
外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４を形成する。例えば、図５の
積層体１５内でセラミック誘電体層Ｂ４・Ｄ６の電極が
それぞれ外部電極Ａ1１１，Ａ2１２形成して、表面に取
出されるまで研削機やサンドブラスト等でセラミック及
び内部電極を削除し、図８の外部電極Ｂ1１３，Ｂ2１４
のように形成すると、図８に示すように図７の積層体の
誘電層は１／３の厚みとなり、定格電圧は１／３ＷＶ、
静電容量は約２．５倍に変えることが可能となる。更に
セラミック誘電体に形成されるパターンを今回の４パタ
ーンから増やすことで、選択できる定格電圧、静電容量
を多様化させることも可能である。又、今回の図５の積
層体は水平方向に積層している例を示したが、垂直方向
での作成も可能である。実際に試作をＰｂ［（ＭｇＷ）
0.2（ＮｉＮｂ）0.4Ｔｉ0.4］Ｏ3系の材料を用いて２０
μｍ厚さのグリーンシートを使い、図７，図８のように
積層体を作り、電気特性を測定したところ、表１のよう
な結果が得られた。
【表１】
【０００７】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば内部
に積層するパターンを多様化し、外部電極を形成する前
に研削機やサンドブラスト等による外部電極取出し面を
削除することによって、定格電圧、静電容量を変更する
ことができるという利点を持った積層セラミックコンデ
ンサーの提供が可能となった。
に積層するパターンを多様化し、外部電極を形成する前
に研削機やサンドブラスト等による外部電極取出し面を
削除することによって、定格電圧、静電容量を変更する
ことができるという利点を持った積層セラミックコンデ
ンサーの提供が可能となった。
【図１】内部電極Ａ７が右側端部へでた幅Ｗのセラミッ
ク誘電体層Ａ３の平面図。
ク誘電体層Ａ３の平面図。
【図２】内部電極Ｂ８が左側端部へよった幅Ｗのセラミ
ック誘電体層Ｂ４の平面図。
ック誘電体層Ｂ４の平面図。
【図３】内部電極Ｃ９が左側端部へでた幅Ｗのセラミッ
ク誘電体層Ｃ５の平面図。
ク誘電体層Ｃ５の平面図。
【図４】内部電極Ｄ１０が右側端部へよった幅Ｗのセラ
ミック誘電体層Ｄ６の平面図。
ミック誘電体層Ｄ６の平面図。
【図５】図１・図２・図４・図３・図４・図２・図１の
セラミック誘電体Ａ３、セラミック誘電体Ｂ４、セラミ
ック誘電体Ｃ５、セラミック誘電体Ｄ６のセラミック誘
電体層を積層して、積層体１５を形成した斜視図。
セラミック誘電体Ａ３、セラミック誘電体Ｂ４、セラミ
ック誘電体Ｃ５、セラミック誘電体Ｄ６のセラミック誘
電体層を積層して、積層体１５を形成した斜視図。
【図６】図６の（ａ）は、図５の内部電極Ａ７，Ｂ８，
Ｃ９，Ｄ１０を有する積層体１５に外部電極Ａ1，Ａ2を
形成した積層セラミックコンデンサーＡの断面図。図６
の（ｂ）は、ＡとＢまで研削し内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ
９，Ｄ１０を有し、外部電極Ｂ1，Ｂ2を施した積層セラ
ミックコンデンサーＢの断面図。
Ｃ９，Ｄ１０を有する積層体１５に外部電極Ａ1，Ａ2を
形成した積層セラミックコンデンサーＡの断面図。図６
の（ｂ）は、ＡとＢまで研削し内部電極Ａ７，Ｂ８，Ｃ
９，Ｄ１０を有し、外部電極Ｂ1，Ｂ2を施した積層セラ
ミックコンデンサーＢの断面図。
【図７】図６の（ａ）の積層セラミックコンデンサーＡ
の斜視図。
の斜視図。
【図８】図６の（ｂ）の積層セラミックコンデンサーＢ
の斜視図。
の斜視図。
１ 積層セラミックコンデンサーＡ ２ 積層セラミックコンデンサーＢ ３ セラミック誘電体層Ａ ４ セラミック誘電体層Ｂ ５ セラミック誘電体層Ｃ ６ セラミック誘電体層Ｄ ７ 内部電極Ａ ８ 内部電極Ｂ ９ 内部電極Ｃ １０ 内部電極Ｄ １１ 外部電極Ａ1 １２ 外部電極Ａ2 １３ 外部電極Ｂ1 １４ 外部電極Ｂ2 １５ 積層体
Claims (1)
- 【請求項１】 複数層の内部電極を有する複数層の誘電
体層を積層する積層セラミックコンデンサーにおいて、
距離及び容量の異なる複数の内部電極を規則的に積層し
ておき、外部電極を形成する前に研削機やサンドブラス
ト等を用い、積層セラミックコンデンサーの内部電極の
直角方向の長手の端面のセラミック及び内部電極を削除
することによって、内部電極を端面に取出し外部電極に
つなぎ、誘電体層の距離及び容量を形成する有効層数を
変えることで定格電圧・容量を調整変化することを特徴
とする積層セラミックコンデンサーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269075A JP2972000B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 積層セラミックコンデンサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269075A JP2972000B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 積層セラミックコンデンサーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582388A JPH0582388A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2972000B2 true JP2972000B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17467316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3269075A Expired - Fee Related JP2972000B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 積層セラミックコンデンサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972000B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491283B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-02-17 | Tdk Corporation | Production method of multilayer electronic device |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3269075A patent/JP2972000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582388A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |