JP2960065B2 - インクジェット・プリントヘッド - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に熱インクジェット・プリントヘッドの
構造に関し、更に特定すれば、プリントヘッドのヒータ
抵抗器とこのヒータ抵抗器に駆動電流を供給する外部パ
ルス駆動回路との間に延在する改良された集積接続回路
に関する。 〔従来技術とその問題点〕 薄膜抵抗器（TFR）型の熱インクジェット・プリント
ヘッドの製造において、上層の導電線路層内にパターン
を作ってTFR基板上に個々のヒータ抵抗体を光学リトグ
ラフィーで画定するのが普通である。この層は既知の付
着技術を利用して抵抗性ヒータ材料上に所定のパターン
状に付着される。抵抗性ヒータ層の材料は、たとえば、
タンタル・アルミニウム（TaAl）とすることができる。
導電性線路パターンは最も典型的にはアルミニウムであ
るが、プリントヘッド用材料中の他の材料と適合する金
または他の導電性材料でもよい。導電性線路材料すなわ
ちパターンが完成すると、これは通常、下層をキャビテ
ーション磨耗およびインク腐蝕から保護するために窒化
シリコンと炭化シリコンとの複合層のような不活性障壁
層で覆われる。この導電性線路材料とプリントヘッド用
外部パルス駆動回路とを電気的に接触させるため、従来
技術の一つの標準的な手法は窒化シリコン・炭化シリコ
ンの複合障壁に比較的大きな開口すなわちヴァイア（vi
a）（通路）をエッチングし、この開口内に比較的大き
な接触パッドを形成して下層のアルミニウム線路導体材
料と接触させる。次いで、この比較的大きな接触パッド
にワイヤボンディングまたは圧接接続を行ってアルミニ
ウム線路材料およびインクジェット・ヒータ抵抗体に電
流径路を作ることができた。 上記の従来技術の構造には絶縁障壁層内で且つアルミ
ニウム導電性線路層の直ぐ上に比較的大きな開口すなわ
ちヴァイアがあることによる欠点が幾つかある。その欠
点の第１は窒化シリコン・炭化シリコン複合層の大きな
ヴァイアはこれら材料の比較的大きな側壁面積を露出す
るこという事実にある。この大きな面積の側壁が露出し
ているということは、ピンホールまたは割れを生ずる可
能性があり、そのため障壁層内に電気的短絡を生ずる面
積が大きくなるということを意味する。窒化シリコン層
と炭化シリコン層とが同じではなくそのエッチング速度
が相違している結果、ヴァイア開口部におけるこれら二
つの異なる絶縁材料の端部に「飛込み台」（diving boa
rd）構造が生ずる。この段階状構造は、ヴァイア内の大
面積の付着接触パッドと結合すると、この領域内に材料
欠陥の生ずる確率が大きくなり、ウェーハ処理の歩止ま
りが減少する可能性がある。 上記の従来技術の電気的接続方法の他の欠点はその上
方に所要の広い面積の接触パッドを設けるために比較的
大きな面積のアルミニウム線路材料を露出させることで
ある。製造工程でこのように大きな面積のアルミニウム
線路材料を露出させると導電性線路材料上に酸化アルミ
ニウムAl2O3が形成される可能性が増大し、完全に導電
させるのではなく絶縁したり部分的に絶縁したりするこ
とになる。 上述の従来技術の技法を利用するその他の欠点はその
中にヴァイアをエッチングするときに窒化シリコン層と
炭化シリコン層とをアンダーカットする確率が増大する
ということにある。再び、このような確率の増大はヴァ
イアを画定する窒化シリコン・炭化シリコン障壁の比較
的広い面積の側壁が露出することによって生ずる。 上述の従来技術の技法を利用することによる他の欠点
はアルミニウム線路材料の直ぐ上方に平らでない皿形の
接触パッドが形成されることに関連している。この形状
および構造により導電性線路材料に直接隣接するプリン
トヘッド構造の縁を引掻く可能性が増大し、このような
引掻きによって今度はプリントヘッド構造を通してアル
ミニウム導電性線路材料と電気的短絡を生ずる可能性が
増大する。加えて、接触パッド輪郭が皿形すなわち非平
面であるということはプリントヘッド構造との或る種の
電気的接続、たとえば、リードフレーム式の可撓性回路
からのばね負荷圧力接続を行うことを困難にしている。 上記の従来技術の方法を利用する更に他の欠点はその
上部に皿形接点が設置される多層材料の縁で欠けや割れ
を生じやすいことに関連している。この欠けや割れがあ
るとこれら材料がその外縁で腐蝕を生ずることになる。
しかしながら、引込み接点が、これら内層材料の縁から
除去されている本発明により製造した装置ではこの腐蝕
は生じない。 〔発明の目的〕 本発明の一般的目的は熱インクジェット・プリントヘ
ッドのヒータ抵抗体に駆動電流を供給する新しい改良さ
れた集積回路接続構造とこの構造を製作する歩止まりの
高いプロセスとを提供することである。この相互接続は
リードフレーム式の可撓性回路すなわち「フレックス」
（flex）回路の個々のフィンガーすなわちリードのよう
な、ばね負荷圧力接点との良好な電気接続を行うのに特
に適合し、構成されている。 〔発明の概要〕 この目的を達成するため、本発明者はプリントヘッド
構造と、この構造を作るための絶縁基板上に抵抗層を形
成し、次いで抵抗層と横方向に同一の拡がりを有し絶縁
基板の所定の区域にのみ延在する導電性線路パターンを
形成することを含む、プロセスを発見し、開発した。導
電性線路パターンは抵抗器ヒータ要素を画定する開口を
備えている。次に、絶縁障壁層を導電性線路材料の最上
部に形成し、導電性線路材料と抵抗層との縁を越えて下
に、次いで隣接する絶縁基板の所定の区域を越えて外に
拡げる。次に、絶縁障壁層内および導電性線路パターン
上に小さなヴァイアを形成し、その後に付着する金属の
上層パターンが、はじめヴァイア内に次に導電性線路材
料が延在していない絶縁基板の隣接区域を越えて外に拡
がることができるようにする。このようにしてこの後者
の区域内の相互接続金属がばね負荷接点のための比較的
大きく且つ平らな電気的接触域となる。また、導電性線
路パターンとの電気接続は障壁層内の縁露出の区域およ
び導電性線路材料露出の区域とが最小限になる障壁層内
の比較的小さなヴァイアを通してのみ行われる。 本発明の構造の上述のおよび他の長所、新規な特徴、
および代りの方法は添付図面に関する以下の説明により
一層良く理解されることになろう。 〔実施例〕 さて第１図を参照すると、シリコンのような基板材料
10が熱酸化または蒸着の技法を用いて処理され、その上
に二酸化シリコンの薄膜12を形成する。シリコン基板10
と二酸化シリコンの層12との組合せをここでは「絶縁基
板」と言い、この上に抵抗性ヒータ材料の後続層14が付
着される。好ましくは、層14はタンタル・アルミニウム
TaAlであり、これは熱インクジェット・プリントヘッド
構造の分野では周知の抵抗性ヒータ材料である。次に、
アルミニウムの薄膜16をタンタル・アルミニウム層14の
最上部に付着して第１図の構造を完成する。 本発明の好ましい実施例として上に説明した特定の材
料においては、シリコン・二酸化シリコン複合層（10、
12）の厚さは約600ミクロンであった。タンタル・アル
ミニウム層14の厚さは約1000オングストロームであっ
た。アルミニウム導電性線路材料16の厚さは約5000オン
グストロームであった。抵抗および導体の材料はマグネ
トロン（magnetron）・スパッタ付着した。この材料の
組合せは一般に当業者には周知であり、たとえば、ヒュ
ーレット・パッカード・ジャーナル、vol.36、No.5、19
85年５月、に述べられており、これを参考のためここに
取入れてある。 第２図を参照すると、ここに記してある構造は適切に
マスクされており、絶縁基板の右側にタンタル・アルミ
ニウム14とアルミニウム16との複合島を画定するために
適格なエッチング剤でエッチングされている。以下で更
によくわかるように、島18は絶縁基板10および12の一部
分上にのみ形成されていて、これから説明する形式の良
好な電気接点を作るのに利用できる基板の左側の部分を
残してある。次に、第３図に示すように、アルミニウム
層16にパターンをエッチングして、導電性線路アルミニ
ウム層16により電流駆動される抵抗性発熱体22の横方向
の範囲を規定する開口20を形成する。 次に、第４図に示すように、複合層障壁材料がこの図
の構造の上面に付着される。この層は窒化シリコンの第
１層24と、その上に形成された非常に不活性な炭化シリ
コンの第２の層26を含んでいる。この複合層（24、26）
障壁材料は下層の材料と良く接着するとともに、この障
壁が無い場合これら材料24および26の下層にある材料が
インクジェット・プリント動作中受けることになるキャ
ビテーション磨耗やインク腐食に対して良好な絶縁およ
び保護を行う。 次に、第５図に示すように、窒化シリコン・炭化シリ
コン複合障壁層内にフレオンガスを使用して比較的小さ
なヴァイア28をドライエッチし、以後の電気接触のため
アルミニウム導電性線路材料内に小さな区域を露出させ
ておく。このような接触は第６図に示すように導電性引
込みすなわち導体32および34の上層パターンを第５図の
表面上にマグネトロン・スパッタ付着したときに作られ
る。この上層パターンははじめ導電性材料の比較的小さ
い領域30と電気接触し、次に第５図の構造の左側に出
て、そして先に付着した障壁層材料の上部に拡がる。金
とタンタル層を合わせた厚さは約２ミクロンである。 この導電性引込み複合構造には、従来のマスキング及
び金属蒸着の技法を用いて図示のような幾何学的構成で
連続して付着されたタンタルの第１層及び金の第２層が
含まれている。従って、図６の金の層34の上面上の領域
36は、集積化された構造の比較的広くまた平坦な領域上
に伸び、また既に述べたアルミニウムの導電性線路パタ
ーンから離れた位置にある。したがってこの構造によれ
ば、より大きなリードフレーム部材（図示せず）の一部
となるフィンガーすなわちばねリード接触部材38が金属
34の表面部分36と良好な確実圧接を行い、しかもアルミ
ニウム導電性線路パターンに有害な影響を生じないよう
にすることができる。このより大きなリードフレーム部
材についてはJanet E.Mebane,他により出願され、ヒュ
ーレット・パッカード社に譲渡された米国特許第4,806,
106号に一層詳細に述べられている。 最後に、ばね負荷（ばね型）接点38を適用する前に、
高分子材料40の表面パターンを第７図に示す形状に約50
ミクロンの厚さに形成する。この高分子材料は接触ヴァ
イア30の上部と、該ヴァイアと接触するように下方に延
びる電気接触層32と34の上部とに保護層すなわちシール
ドを形成している。 簡単のため、単一ヒータ抵抗体および導電性線路接続
のみについて示したことが理解されるであろう。しかし
ながら、実際には、プリントヘッドはこのようなヒータ
抵抗体を多数備えており、これらは普通は絶縁基板の一
つの領域に長方形のパターンをなして対称に一定間隔で
配置されている。 上述の実施例には本発明の範囲を逸脱することなく各
種の修正を加えることができる。たとえば、第４図にお
いて、或る用途では層24と26とを下層のアルミニウム線
路材料20の所定の領域にのみ付着するのが望ましいこと
がある。こうしてから、タンタルおよび金の層32と34と
を縁が露出したアルミニウム線路材料の領域上、装置構
造の左側の露出した二酸化シリコン層12の上に付着す
る。このようにして、第８図に示す他の実施例では、露
出した左側のSiO2層12の上のタンタル・金複合層32′、
34′は上述のばね負荷リードなどを受ける電気接触部と
して役立つ。Si3N4/SiC複合層24′、26′はマスクさ
れ、アルミニウム線路材料16′の小さな縁の部分を露出
させたままにして、第８図に示すように、その上のタン
タル層32′を受けるようにする。第７図と同様に、金の
膜34′の表面にはばね負荷リード接点38′を受ける比較
的広い領域が存在する。 〔発明の効果〕 本発明によれば、ヒータ抵抗器をある領域に画定する
導電性線路パターン上に障壁層が形成され、そしてこの
障壁層中の小さな開口が、広面積の平坦な電気的接触部
と導電性線路パターンとの間で電気的通路を提供する。
この小さな開口により、障壁層の側壁と導電性線路パタ
ーンの露出部分は少なくなり、素子の信頼性が向上し、
製造の歩止りが向上し、ヘッドへの電気的接触が改良さ
れる。また、障壁層を、導電性線路パターンの横方向拡
がりよりも小さく形成して導電性線路パターンの小さな
領域を露出させ、この露出部分を上部金属層を介して広
面積の電気的接触部分に接続するようにしても、上述の
効果が得られる。
構造に関し、更に特定すれば、プリントヘッドのヒータ
抵抗器とこのヒータ抵抗器に駆動電流を供給する外部パ
ルス駆動回路との間に延在する改良された集積接続回路
に関する。 〔従来技術とその問題点〕 薄膜抵抗器（TFR）型の熱インクジェット・プリント
ヘッドの製造において、上層の導電線路層内にパターン
を作ってTFR基板上に個々のヒータ抵抗体を光学リトグ
ラフィーで画定するのが普通である。この層は既知の付
着技術を利用して抵抗性ヒータ材料上に所定のパターン
状に付着される。抵抗性ヒータ層の材料は、たとえば、
タンタル・アルミニウム（TaAl）とすることができる。
導電性線路パターンは最も典型的にはアルミニウムであ
るが、プリントヘッド用材料中の他の材料と適合する金
または他の導電性材料でもよい。導電性線路材料すなわ
ちパターンが完成すると、これは通常、下層をキャビテ
ーション磨耗およびインク腐蝕から保護するために窒化
シリコンと炭化シリコンとの複合層のような不活性障壁
層で覆われる。この導電性線路材料とプリントヘッド用
外部パルス駆動回路とを電気的に接触させるため、従来
技術の一つの標準的な手法は窒化シリコン・炭化シリコ
ンの複合障壁に比較的大きな開口すなわちヴァイア（vi
a）（通路）をエッチングし、この開口内に比較的大き
な接触パッドを形成して下層のアルミニウム線路導体材
料と接触させる。次いで、この比較的大きな接触パッド
にワイヤボンディングまたは圧接接続を行ってアルミニ
ウム線路材料およびインクジェット・ヒータ抵抗体に電
流径路を作ることができた。 上記の従来技術の構造には絶縁障壁層内で且つアルミ
ニウム導電性線路層の直ぐ上に比較的大きな開口すなわ
ちヴァイアがあることによる欠点が幾つかある。その欠
点の第１は窒化シリコン・炭化シリコン複合層の大きな
ヴァイアはこれら材料の比較的大きな側壁面積を露出す
るこという事実にある。この大きな面積の側壁が露出し
ているということは、ピンホールまたは割れを生ずる可
能性があり、そのため障壁層内に電気的短絡を生ずる面
積が大きくなるということを意味する。窒化シリコン層
と炭化シリコン層とが同じではなくそのエッチング速度
が相違している結果、ヴァイア開口部におけるこれら二
つの異なる絶縁材料の端部に「飛込み台」（diving boa
rd）構造が生ずる。この段階状構造は、ヴァイア内の大
面積の付着接触パッドと結合すると、この領域内に材料
欠陥の生ずる確率が大きくなり、ウェーハ処理の歩止ま
りが減少する可能性がある。 上記の従来技術の電気的接続方法の他の欠点はその上
方に所要の広い面積の接触パッドを設けるために比較的
大きな面積のアルミニウム線路材料を露出させることで
ある。製造工程でこのように大きな面積のアルミニウム
線路材料を露出させると導電性線路材料上に酸化アルミ
ニウムAl2O3が形成される可能性が増大し、完全に導電
させるのではなく絶縁したり部分的に絶縁したりするこ
とになる。 上述の従来技術の技法を利用するその他の欠点はその
中にヴァイアをエッチングするときに窒化シリコン層と
炭化シリコン層とをアンダーカットする確率が増大する
ということにある。再び、このような確率の増大はヴァ
イアを画定する窒化シリコン・炭化シリコン障壁の比較
的広い面積の側壁が露出することによって生ずる。 上述の従来技術の技法を利用することによる他の欠点
はアルミニウム線路材料の直ぐ上方に平らでない皿形の
接触パッドが形成されることに関連している。この形状
および構造により導電性線路材料に直接隣接するプリン
トヘッド構造の縁を引掻く可能性が増大し、このような
引掻きによって今度はプリントヘッド構造を通してアル
ミニウム導電性線路材料と電気的短絡を生ずる可能性が
増大する。加えて、接触パッド輪郭が皿形すなわち非平
面であるということはプリントヘッド構造との或る種の
電気的接続、たとえば、リードフレーム式の可撓性回路
からのばね負荷圧力接続を行うことを困難にしている。 上記の従来技術の方法を利用する更に他の欠点はその
上部に皿形接点が設置される多層材料の縁で欠けや割れ
を生じやすいことに関連している。この欠けや割れがあ
るとこれら材料がその外縁で腐蝕を生ずることになる。
しかしながら、引込み接点が、これら内層材料の縁から
除去されている本発明により製造した装置ではこの腐蝕
は生じない。 〔発明の目的〕 本発明の一般的目的は熱インクジェット・プリントヘ
ッドのヒータ抵抗体に駆動電流を供給する新しい改良さ
れた集積回路接続構造とこの構造を製作する歩止まりの
高いプロセスとを提供することである。この相互接続は
リードフレーム式の可撓性回路すなわち「フレックス」
（flex）回路の個々のフィンガーすなわちリードのよう
な、ばね負荷圧力接点との良好な電気接続を行うのに特
に適合し、構成されている。 〔発明の概要〕 この目的を達成するため、本発明者はプリントヘッド
構造と、この構造を作るための絶縁基板上に抵抗層を形
成し、次いで抵抗層と横方向に同一の拡がりを有し絶縁
基板の所定の区域にのみ延在する導電性線路パターンを
形成することを含む、プロセスを発見し、開発した。導
電性線路パターンは抵抗器ヒータ要素を画定する開口を
備えている。次に、絶縁障壁層を導電性線路材料の最上
部に形成し、導電性線路材料と抵抗層との縁を越えて下
に、次いで隣接する絶縁基板の所定の区域を越えて外に
拡げる。次に、絶縁障壁層内および導電性線路パターン
上に小さなヴァイアを形成し、その後に付着する金属の
上層パターンが、はじめヴァイア内に次に導電性線路材
料が延在していない絶縁基板の隣接区域を越えて外に拡
がることができるようにする。このようにしてこの後者
の区域内の相互接続金属がばね負荷接点のための比較的
大きく且つ平らな電気的接触域となる。また、導電性線
路パターンとの電気接続は障壁層内の縁露出の区域およ
び導電性線路材料露出の区域とが最小限になる障壁層内
の比較的小さなヴァイアを通してのみ行われる。 本発明の構造の上述のおよび他の長所、新規な特徴、
および代りの方法は添付図面に関する以下の説明により
一層良く理解されることになろう。 〔実施例〕 さて第１図を参照すると、シリコンのような基板材料
10が熱酸化または蒸着の技法を用いて処理され、その上
に二酸化シリコンの薄膜12を形成する。シリコン基板10
と二酸化シリコンの層12との組合せをここでは「絶縁基
板」と言い、この上に抵抗性ヒータ材料の後続層14が付
着される。好ましくは、層14はタンタル・アルミニウム
TaAlであり、これは熱インクジェット・プリントヘッド
構造の分野では周知の抵抗性ヒータ材料である。次に、
アルミニウムの薄膜16をタンタル・アルミニウム層14の
最上部に付着して第１図の構造を完成する。 本発明の好ましい実施例として上に説明した特定の材
料においては、シリコン・二酸化シリコン複合層（10、
12）の厚さは約600ミクロンであった。タンタル・アル
ミニウム層14の厚さは約1000オングストロームであっ
た。アルミニウム導電性線路材料16の厚さは約5000オン
グストロームであった。抵抗および導体の材料はマグネ
トロン（magnetron）・スパッタ付着した。この材料の
組合せは一般に当業者には周知であり、たとえば、ヒュ
ーレット・パッカード・ジャーナル、vol.36、No.5、19
85年５月、に述べられており、これを参考のためここに
取入れてある。 第２図を参照すると、ここに記してある構造は適切に
マスクされており、絶縁基板の右側にタンタル・アルミ
ニウム14とアルミニウム16との複合島を画定するために
適格なエッチング剤でエッチングされている。以下で更
によくわかるように、島18は絶縁基板10および12の一部
分上にのみ形成されていて、これから説明する形式の良
好な電気接点を作るのに利用できる基板の左側の部分を
残してある。次に、第３図に示すように、アルミニウム
層16にパターンをエッチングして、導電性線路アルミニ
ウム層16により電流駆動される抵抗性発熱体22の横方向
の範囲を規定する開口20を形成する。 次に、第４図に示すように、複合層障壁材料がこの図
の構造の上面に付着される。この層は窒化シリコンの第
１層24と、その上に形成された非常に不活性な炭化シリ
コンの第２の層26を含んでいる。この複合層（24、26）
障壁材料は下層の材料と良く接着するとともに、この障
壁が無い場合これら材料24および26の下層にある材料が
インクジェット・プリント動作中受けることになるキャ
ビテーション磨耗やインク腐食に対して良好な絶縁およ
び保護を行う。 次に、第５図に示すように、窒化シリコン・炭化シリ
コン複合障壁層内にフレオンガスを使用して比較的小さ
なヴァイア28をドライエッチし、以後の電気接触のため
アルミニウム導電性線路材料内に小さな区域を露出させ
ておく。このような接触は第６図に示すように導電性引
込みすなわち導体32および34の上層パターンを第５図の
表面上にマグネトロン・スパッタ付着したときに作られ
る。この上層パターンははじめ導電性材料の比較的小さ
い領域30と電気接触し、次に第５図の構造の左側に出
て、そして先に付着した障壁層材料の上部に拡がる。金
とタンタル層を合わせた厚さは約２ミクロンである。 この導電性引込み複合構造には、従来のマスキング及
び金属蒸着の技法を用いて図示のような幾何学的構成で
連続して付着されたタンタルの第１層及び金の第２層が
含まれている。従って、図６の金の層34の上面上の領域
36は、集積化された構造の比較的広くまた平坦な領域上
に伸び、また既に述べたアルミニウムの導電性線路パタ
ーンから離れた位置にある。したがってこの構造によれ
ば、より大きなリードフレーム部材（図示せず）の一部
となるフィンガーすなわちばねリード接触部材38が金属
34の表面部分36と良好な確実圧接を行い、しかもアルミ
ニウム導電性線路パターンに有害な影響を生じないよう
にすることができる。このより大きなリードフレーム部
材についてはJanet E.Mebane,他により出願され、ヒュ
ーレット・パッカード社に譲渡された米国特許第4,806,
106号に一層詳細に述べられている。 最後に、ばね負荷（ばね型）接点38を適用する前に、
高分子材料40の表面パターンを第７図に示す形状に約50
ミクロンの厚さに形成する。この高分子材料は接触ヴァ
イア30の上部と、該ヴァイアと接触するように下方に延
びる電気接触層32と34の上部とに保護層すなわちシール
ドを形成している。 簡単のため、単一ヒータ抵抗体および導電性線路接続
のみについて示したことが理解されるであろう。しかし
ながら、実際には、プリントヘッドはこのようなヒータ
抵抗体を多数備えており、これらは普通は絶縁基板の一
つの領域に長方形のパターンをなして対称に一定間隔で
配置されている。 上述の実施例には本発明の範囲を逸脱することなく各
種の修正を加えることができる。たとえば、第４図にお
いて、或る用途では層24と26とを下層のアルミニウム線
路材料20の所定の領域にのみ付着するのが望ましいこと
がある。こうしてから、タンタルおよび金の層32と34と
を縁が露出したアルミニウム線路材料の領域上、装置構
造の左側の露出した二酸化シリコン層12の上に付着す
る。このようにして、第８図に示す他の実施例では、露
出した左側のSiO2層12の上のタンタル・金複合層32′、
34′は上述のばね負荷リードなどを受ける電気接触部と
して役立つ。Si3N4/SiC複合層24′、26′はマスクさ
れ、アルミニウム線路材料16′の小さな縁の部分を露出
させたままにして、第８図に示すように、その上のタン
タル層32′を受けるようにする。第７図と同様に、金の
膜34′の表面にはばね負荷リード接点38′を受ける比較
的広い領域が存在する。 〔発明の効果〕 本発明によれば、ヒータ抵抗器をある領域に画定する
導電性線路パターン上に障壁層が形成され、そしてこの
障壁層中の小さな開口が、広面積の平坦な電気的接触部
と導電性線路パターンとの間で電気的通路を提供する。
この小さな開口により、障壁層の側壁と導電性線路パタ
ーンの露出部分は少なくなり、素子の信頼性が向上し、
製造の歩止りが向上し、ヘッドへの電気的接触が改良さ
れる。また、障壁層を、導電性線路パターンの横方向拡
がりよりも小さく形成して導電性線路パターンの小さな
領域を露出させ、この露出部分を上部金属層を介して広
面積の電気的接触部分に接続するようにしても、上述の
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図から第７図は本発明によるプリントヘッドの製造
工程を示した図、第８図は本発明の他の実施例によるプ
リントヘッドの断面図である。 10:基板、12:絶縁層、14:抵抗層、16:導電層、24,26:障
壁層、32,34:導体層、40:ポリマ層、38:バネ型接触部
材。
工程を示した図、第８図は本発明の他の実施例によるプ
リントヘッドの断面図である。 10:基板、12:絶縁層、14:抵抗層、16:導電層、24,26:障
壁層、32,34:導体層、40:ポリマ層、38:バネ型接触部
材。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．下記の（ａ）ないし（ｄ）の特徴を有するインクジ
ェット・プリントヘッド： （ａ）絶縁性基板上の予め定められた領域の上に設けら
れた抵抗層及び当該抵抗層上に形成された導電性線路パ
ターンを設けたこと：前記導電性線路パターンは抵抗性
ヒータ素子をその中に画定する開口部を有する； （ｂ）前記導電性線路パターンの上に形成された絶縁性
障壁層を設けたこと：前記絶縁性障壁層は前記導電性線
路パターンの予め定められた領域を露出する幾何学的形
状を有する； （ｃ）前記導電性線路パターンの前記露出された予め定
められた領域を覆うとともに、前記絶縁性基板の中のそ
の下には導電性線路パターンがない隣接領域に広がる金
属のオーバーレイ・パターンを設けたこと：これによ
り、前記絶縁性基板の前記隣接領域の上の前記金属のオ
ーバーレイ・パターンはばね付勢された接点を受け入れ
るための比較的大きく平坦な電気的接触領域を提供す
る； （ｄ）前記絶縁性障壁層の前記絶縁性基板に平行な方向
への広がりを前記導電性線路パターンよりも小さくなる
ように形成し、これにより前記導電性線路パターンの縁
領域を露出されたままとして、前記金属のオーバーレイ
・パターンを当該導電性線路パターンと電気的に接続す
ること。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US902287 | 1986-08-28 | ||
| US06/902,287 US4862197A (en) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | Process for manufacturing thermal ink jet printhead and integrated circuit (IC) structures produced thereby |
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|---|---|
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| JP2960065B2 true JP2960065B2 (ja) | 1999-10-06 |
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|---|---|---|---|
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