JP2956553B2 - 面発光レーザ及びその製造方法 - Google Patents
面発光レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2956553B2 JP2956553B2 JP7297883A JP29788395A JP2956553B2 JP 2956553 B2 JP2956553 B2 JP 2956553B2 JP 7297883 A JP7297883 A JP 7297883A JP 29788395 A JP29788395 A JP 29788395A JP 2956553 B2 JP2956553 B2 JP 2956553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting laser
- group
- surface emitting
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ及びそ
の製造方法に関し、特に低しきい電流で高効率な動作が
可能な面発光半導体レーザ及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に低しきい電流で高効率な動作が
可能な面発光半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】面発光レーザの低しきい電流（「しきい
値電流」ともいう）を実現するための電流狭窄構造に
は、従来、二つの方法が用いられていた。その一つは、
図５（ａ）に示すように、活性層４以上の深さまで数ミ
クロン径のポスト形状に加工して、このポスト形状で電
流を活性層４の狭い領域に注入する方法（「第１の従来
例」という）である。なお、図５（ａ）において、１は
基板、２は下側多層反射膜、３は中間層、４は活性層、
５は上側多層反射膜、６は電極を示し、図中矢印は光出
力を示している。
値電流」ともいう）を実現するための電流狭窄構造に
は、従来、二つの方法が用いられていた。その一つは、
図５（ａ）に示すように、活性層４以上の深さまで数ミ
クロン径のポスト形状に加工して、このポスト形状で電
流を活性層４の狭い領域に注入する方法（「第１の従来
例」という）である。なお、図５（ａ）において、１は
基板、２は下側多層反射膜、３は中間層、４は活性層、
５は上側多層反射膜、６は電極を示し、図中矢印は光出
力を示している。
【０００３】もう一つは、図５（ｂ）に示すように、イ
オン注入７により活性層４の数ミクロン径の領域以外を
高抵抗化して電流を狭窄する方法（「第２の従来例」と
いう）である。
オン注入７により活性層４の数ミクロン径の領域以外を
高抵抗化して電流を狭窄する方法（「第２の従来例」と
いう）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来例においては、ポスト加工を行うと、活性層４
の側面が大気に曝されるため、ここで非発光再結合が生
じ、レーザの特性に影響を及ぼす。また、ポスト外部に
放熱体が無いと、活性層４で発生した熱の逃げ場がな
く、温度特性が劣化するという問題点を有する。
１の従来例においては、ポスト加工を行うと、活性層４
の側面が大気に曝されるため、ここで非発光再結合が生
じ、レーザの特性に影響を及ぼす。また、ポスト外部に
放熱体が無いと、活性層４で発生した熱の逃げ場がな
く、温度特性が劣化するという問題点を有する。
【０００５】一方、上記第２の従来例において、イオン
注入を用いた場合には、イオン注入により結晶にダメー
ジ（損傷）が発生することや、イオン注入を行うための
大がかりな注入装置が必要であるといった問題点があ
る。
注入を用いた場合には、イオン注入により結晶にダメー
ジ（損傷）が発生することや、イオン注入を行うための
大がかりな注入装置が必要であるといった問題点があ
る。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を解消
し、注入電流を狭窄し、低しきい電流で動作可能な垂直
共振器型面発光レーザ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
し、注入電流を狭窄し、低しきい電流で動作可能な垂直
共振器型面発光レーザ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、活性層を含む中間層とその上下に反射膜
とを具備してなる垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記活性層近傍に、III―Ｖ族の結晶成長の際にＶ族元
素の供給を不足させて形成した高抵抗なアモルファスか
らなる電流狭窄層を設けたことを特徴する面発光型の半
導体レーザを提供する。
め、本発明は、活性層を含む中間層とその上下に反射膜
とを具備してなる垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記活性層近傍に、III―Ｖ族の結晶成長の際にＶ族元
素の供給を不足させて形成した高抵抗なアモルファスか
らなる電流狭窄層を設けたことを特徴する面発光型の半
導体レーザを提供する。
【０００８】本発明においては、好ましくは、前記電流
狭窄層上に形成される反射層をメサ型形状としてもよ
い。
狭窄層上に形成される反射層をメサ型形状としてもよ
い。
【０００９】また、本発明は、(a)基板上に第１の反射
層、活性層を間に含む中間層を順に形成する工程と、
(b)前記中間層上部の所定領域に選択的に高抵抗型のア
モルファス層を形成する工程と、(c)前記アモルファス
層を覆うように第２の反射層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする面発光レーザの製造方法を提供する。
層、活性層を間に含む中間層を順に形成する工程と、
(b)前記中間層上部の所定領域に選択的に高抵抗型のア
モルファス層を形成する工程と、(c)前記アモルファス
層を覆うように第２の反射層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする面発光レーザの製造方法を提供する。
【００１０】本発明に係る製造方法においては、好まし
くは、前記工程(b)において、所定寸法の開口部を有す
るマスクを基板表面上に所定間隔離間して配置し、少な
くとも二種の元素ビームを互いに異なる入射角で前記マ
スク開口を介して前記基板表面に入射して前記基板表面
にアモルファス層を形成する。
くは、前記工程(b)において、所定寸法の開口部を有す
るマスクを基板表面上に所定間隔離間して配置し、少な
くとも二種の元素ビームを互いに異なる入射角で前記マ
スク開口を介して前記基板表面に入射して前記基板表面
にアモルファス層を形成する。
【００１１】また、本発明に係る製造方法においては、
前記二種の元素がＶ族元素とIII族元素とされ、III−Ｖ
族の結晶成長の際にＶ族元素の供給を不足させることに
より前記アモルファス層を形成してなることを特徴とす
る。
前記二種の元素がＶ族元素とIII族元素とされ、III−Ｖ
族の結晶成長の際にＶ族元素の供給を不足させることに
より前記アモルファス層を形成してなることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】本発明の原理・作用を以下に説明する。
【００１３】半導体アモルファス（非晶質）は、結晶的
に無秩序な構造を持つため、電気的に高抵抗となる。本
発明の面発光半導体レーザは、このアモルファス高抵抗
層を、活性層近傍に好ましくはリング状に備えてなる。
に無秩序な構造を持つため、電気的に高抵抗となる。本
発明の面発光半導体レーザは、このアモルファス高抵抗
層を、活性層近傍に好ましくはリング状に備えてなる。
【００１４】これにより、電流を狭窄して、活性層の狭
い面積に効果的に電流注入を行い、レーザの低しきい値
電流を実現する。
い面積に効果的に電流注入を行い、レーザの低しきい値
電流を実現する。
【００１５】アモルファスからなる電流狭窄層は、好ま
しくは図１に示すようにして作製される。分子線エピタ
キシーによりIII−Ｖ族化合物半導体を成長する際に、I
II族元素の蒸着ビーム１０が、Ｖ族元素の蒸着ビーム１
１よりも基板８に対して浅く入射するように配置する。
しくは図１に示すようにして作製される。分子線エピタ
キシーによりIII−Ｖ族化合物半導体を成長する際に、I
II族元素の蒸着ビーム１０が、Ｖ族元素の蒸着ビーム１
１よりも基板８に対して浅く入射するように配置する。
【００１６】そして、基板８上に例えば数ミクロン程度
の径の大きさの開口部を持つマスク９を基板８に平行に
配置して、III−Ｖ族の結晶成長を行う。このとき、マ
スク９の開口部の端部において、ビームの入射角の違い
により、Ｖ族元素よりもIII族元素の方がマスク９の裏
側に入り込むことになる。
の径の大きさの開口部を持つマスク９を基板８に平行に
配置して、III−Ｖ族の結晶成長を行う。このとき、マ
スク９の開口部の端部において、ビームの入射角の違い
により、Ｖ族元素よりもIII族元素の方がマスク９の裏
側に入り込むことになる。
【００１７】そして、この領域（基板８上においてマス
ク９の裏側の領域）ではＶ族元素の供給不足によりアモ
ルファス成長が起きる。このとき、基板８とマスク９を
一緒に回転させると、入射ビームが相対的に円周状に回
転することになるため、アモルファス領域１２はリング
状になる。
ク９の裏側の領域）ではＶ族元素の供給不足によりアモ
ルファス成長が起きる。このとき、基板８とマスク９を
一緒に回転させると、入射ビームが相対的に円周状に回
転することになるため、アモルファス領域１２はリング
状になる。
【００１８】このアモルファス領域１２は高抵抗となる
ために電流が流れず、アモルファス領域１２のリングの
中央部に効率的に電流が流れる構造となる。このような
電流狭窄層を活性層の近傍に作製することにより、活性
層の好ましくは数ミクロンの大きさの領域に電流を注入
することができる。
ために電流が流れず、アモルファス領域１２のリングの
中央部に効率的に電流が流れる構造となる。このような
電流狭窄層を活性層の近傍に作製することにより、活性
層の好ましくは数ミクロンの大きさの領域に電流を注入
することができる。
【００１９】本発明によれば、面発光レーザの結晶成長
中に電流狭窄層が作り込め、上記従来例１のようなポス
ト加工や、上記従来例２のようなイオン注入等の結晶成
長後の工程が無いため、製造工程が簡易化する。また、
本発明によれば、加工やイオン注入による、結晶に対す
るダメージ等の影響がない。さらに、第２の反射層をメ
サ型に加工することにより、放熱特性が向上すると共に
電流漏れがなく、完全な狭窄を実現する。
中に電流狭窄層が作り込め、上記従来例１のようなポス
ト加工や、上記従来例２のようなイオン注入等の結晶成
長後の工程が無いため、製造工程が簡易化する。また、
本発明によれば、加工やイオン注入による、結晶に対す
るダメージ等の影響がない。さらに、第２の反射層をメ
サ型に加工することにより、放熱特性が向上すると共に
電流漏れがなく、完全な狭窄を実現する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に詳細に説明する。
して以下に詳細に説明する。
【００２１】
【実施形態１】図２は、本発明の一実施形態に係るアモ
ルファス電流狭窄層を持つ面発光レーザ（発光波長０．
９８μｍ）を説明するために製造工程を工程順に示す図
である。
ルファス電流狭窄層を持つ面発光レーザ（発光波長０．
９８μｍ）を説明するために製造工程を工程順に示す図
である。
【００２２】本実施形態において、結晶成長は分子線エ
ピタキシー装置で行う。この装置において、III族であ
るＧａビーム１８が基板１３に対して４５度の入射角を
持ち、Ｖ族であるＡｓビーム１９が基板１３に対して垂
直に入射するように配置する。
ピタキシー装置で行う。この装置において、III族であ
るＧａビーム１８が基板１３に対して４５度の入射角を
持ち、Ｖ族であるＡｓビーム１９が基板１３に対して垂
直に入射するように配置する。
【００２３】まず、図２（ａ）を参照して、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１３にｎ型のＧａＡｓ層（膜厚略６９ｎｍ）とＡ
ｌＡｓ層（膜厚略８２ｎｍ）を交互に積層した多層反射
膜（１８対積層）１４を成長する。
ｓ基板１３にｎ型のＧａＡｓ層（膜厚略６９ｎｍ）とＡ
ｌＡｓ層（膜厚略８２ｎｍ）を交互に積層した多層反射
膜（１８対積層）１４を成長する。
【００２４】その上に、Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ層（膜厚
略１０ｎｍ）の活性層１６を間に持つＡｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓ中間層１５を膜厚略２９０ｎｍ成長する。
略１０ｎｍ）の活性層１６を間に持つＡｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓ中間層１５を膜厚略２９０ｎｍ成長する。
【００２５】続いて、中間層１５の上部に電流狭窄層を
作る。図２（ｂ）を参照して以下に説明する。
作る。図２（ｂ）を参照して以下に説明する。
【００２６】まず、基板を超高真空雰囲気の分子線エピ
タキシー装置（不図示）に入れたまま、マスク１７を基
板上に例えば６μｍ離間して設置する。
タキシー装置（不図示）に入れたまま、マスク１７を基
板上に例えば６μｍ離間して設置する。
【００２７】このマスク１７は、例えば直径６μｍの円
形形状の開口部を持つ。また、この開口部は４５度のテ
ーパー角を具備しており、上側の面に向かって開口部の
径は広がっている。
形形状の開口部を持つ。また、この開口部は４５度のテ
ーパー角を具備しており、上側の面に向かって開口部の
径は広がっている。
【００２８】マスク１７を掛けた状態でＧａビーム１８
とＡｓビーム１９を照射すると、マスク１７と基板表面
との間隙にガリウムＧａが４５度の角度で入り込む。一
方、砒素Ａｓは垂直入射のため、マスク１７と基板表面
との間隙には直接入射されず、わずかな量が回り込んで
入り込む程度である。
とＡｓビーム１９を照射すると、マスク１７と基板表面
との間隙にガリウムＧａが４５度の角度で入り込む。一
方、砒素Ａｓは垂直入射のため、マスク１７と基板表面
との間隙には直接入射されず、わずかな量が回り込んで
入り込む程度である。
【００２９】したがって、マスク１７と基板表面との間
隙に入り込んでＧａが照射された領域では、Ａｓ供給不
足により、III−Ｖ族化合物半導体の結晶が成長され
ず、アモルファスの成長が起きる。このアモルファス層
２０は、成長時に基板とマスク１７を回転しているため
リング状に形成され、膜厚は高抵抗になるのに充分な略
２０ｎｍとする。
隙に入り込んでＧａが照射された領域では、Ａｓ供給不
足により、III−Ｖ族化合物半導体の結晶が成長され
ず、アモルファスの成長が起きる。このアモルファス層
２０は、成長時に基板とマスク１７を回転しているため
リング状に形成され、膜厚は高抵抗になるのに充分な略
２０ｎｍとする。
【００３０】次に、図２（ｃ）に示すように、上記のよ
うに形成した電流狭窄層の上に、ｐ型のＧａＡｓ層（膜
厚略６９ｎｍ）とＡｌＡｓ層（膜厚略８２ｎｍ）を積層
した多層反射膜（合計１５対）２１を成長する。
うに形成した電流狭窄層の上に、ｐ型のＧａＡｓ層（膜
厚略６９ｎｍ）とＡｌＡｓ層（膜厚略８２ｎｍ）を積層
した多層反射膜（合計１５対）２１を成長する。
【００３１】以上の工程により、電流狭窄層をもつ面発
光レーザの層構造が製造される。この製造工程は、各層
の製膜が一つの分子線エピタキシー装置で行えるため簡
易化され、膜厚の制御性も良い。
光レーザの層構造が製造される。この製造工程は、各層
の製膜が一つの分子線エピタキシー装置で行えるため簡
易化され、膜厚の制御性も良い。
【００３２】結晶成長後の素子化の工程は、基板の上面
と下面に電極２２、２３を付けるだけでよく、図３に示
すように、すでに直径６μｍの大きさに電流狭窄ができ
ているので、容易に低しきい値電流で高効率の面発光レ
ーザが実現される。
と下面に電極２２、２３を付けるだけでよく、図３に示
すように、すでに直径６μｍの大きさに電流狭窄ができ
ているので、容易に低しきい値電流で高効率の面発光レ
ーザが実現される。
【００３３】本実施形態のような平面構造の面発光レー
ザの場合、ポスト型で電流狭窄したものと比べ、活性層
で発生した熱は横方向に逃げることが可能とされ、高い
パワーのレーザ光をより高温で得ることができる。
ザの場合、ポスト型で電流狭窄したものと比べ、活性層
で発生した熱は横方向に逃げることが可能とされ、高い
パワーのレーザ光をより高温で得ることができる。
【００３４】また、本実施形態は、平面構造ではある
が、イオン注入で電流狭窄したものと比べると、活性層
を含む結晶中にイオン注入によるダメージの影響が無
い。またイオン注入のための大がかりな装置が必要ない
という利点を有する。
が、イオン注入で電流狭窄したものと比べると、活性層
を含む結晶中にイオン注入によるダメージの影響が無
い。またイオン注入のための大がかりな装置が必要ない
という利点を有する。
【００３５】
【実施形態２】図４は、本発明の別の実施形態に係る面
発光レーザの断面を模式的に示す図である。本実施形態
においては、図２に示した前記第１の実施形態に係る面
発光レーザの製造工程と同様に、開口部を有するマスク
１７を用いて、中間層１５の上部にリング状の電流狭窄
層２０を形成し、電流狭窄層２０の上へ多層反射膜２１
を成長する。
発光レーザの断面を模式的に示す図である。本実施形態
においては、図２に示した前記第１の実施形態に係る面
発光レーザの製造工程と同様に、開口部を有するマスク
１７を用いて、中間層１５の上部にリング状の電流狭窄
層２０を形成し、電流狭窄層２０の上へ多層反射膜２１
を成長する。
【００３６】その後、図４に示すように、多層反射膜２
１をドライエッチングによりメサ型に加工する。このと
き、活性層１６で発生した熱が放射しやすくするために
は、メサの形状をできるだけ大きくする必要がある。
１をドライエッチングによりメサ型に加工する。このと
き、活性層１６で発生した熱が放射しやすくするために
は、メサの形状をできるだけ大きくする必要がある。
【００３７】そこで、電流狭窄層２０の上部の多層反射
膜２１が最大に残るようにメサ加工して、メサの形状を
大きくする。この構造により、電極２４、２５の間を流
れる電流は漏れが無く、完全に狭窄される。
膜２１が最大に残るようにメサ加工して、メサの形状を
大きくする。この構造により、電極２４、２５の間を流
れる電流は漏れが無く、完全に狭窄される。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
垂直共振器型面発光レーザの活性層の近傍に、高抵抗な
アモルファスからなる電流狭窄層を設けることにより、
低しきい値電流で動作するレーザが製造できる。
垂直共振器型面発光レーザの活性層の近傍に、高抵抗な
アモルファスからなる電流狭窄層を設けることにより、
低しきい値電流で動作するレーザが製造できる。
【００３９】本発明においては、面発光レーザの結晶成
長中に電流狭窄層が作り込め、ポスト加工やイオン注入
などの結晶成長後の工程が無いため、製造工程が容易と
なる。また、本発明によれば、加工やイオン注入によ
る、結晶に対するダメージの影響がない。
長中に電流狭窄層が作り込め、ポスト加工やイオン注入
などの結晶成長後の工程が無いため、製造工程が容易と
なる。また、本発明によれば、加工やイオン注入によ
る、結晶に対するダメージの影響がない。
【図１】本発明の原理を説明するための図であり、アモ
ルファス成長を行うための構成を模式的に説明する図で
ある。
ルファス成長を行うための構成を模式的に説明する図で
ある。
【図２】本発明の一実施形態の製造工程を工程順に説明
する図である。
する図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る面発光レーザの断面
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明の別の実施形態に係る面発光レーザの断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図５】従来の面発光レーザ構造であり、（ａ）はポス
ト型電流狭窄面発光レーザの断面を示す図であり、
（ｂ）はイオン注入電流狭窄面発光レーザの断面を示す
図である。
ト型電流狭窄面発光レーザの断面を示す図であり、
（ｂ）はイオン注入電流狭窄面発光レーザの断面を示す
図である。
１ 基板 ２ 下側多層反射膜 ３ 中間層 ４ 活性層 ５ 上側多層反射膜 ６ 電極 ７ イオン注入領域 ８ 基板 ９ マスク １０ III族蒸着ビーム １１ Ｖ族蒸着ビーム １２ アモルファス領域 １３ ｎ型ＧａＡｓ基板 １４ ｎ型多層反射膜 １５ Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ中間層 １６ Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ活性層 １７ マスク １８ Ｇａビーム １９ Ａｓビーム ２０ アモルファス層 ２１ ｐ型多層反射膜 ２２ ｐ電極 ２３ ｎ電極
Claims (8)
- 【請求項１】活性層を含む中間層とその上下に反射膜と
を具備してなる垂直共振器型面発光レーザにおいて、 前記活性層近傍に、III−Ｖ族の結晶成長の際にＶ族元
素の供給を不足させて形成した高抵抗なアモルファスか
らなる電流狭窄層を設けたことを特徴とする面発光レー
ザ。 - 【請求項２】前記電流狭窄層上に形成される反射層がメ
サ型形状とされたことを特徴とする請求項１記載の面発
光レーザ。 - 【請求項３】（ａ）基板上に第１の反射層、活性層を間
に含む中間層を順に形成する工程と、 （ｂ）前記中間層上部の所定領域に選択的に高抵抗のア
モルファス層を、所定寸法の開口部を有するマスクを基
板表面上に所定の間隔離間して配置し、少なくとも二種
の元素ビームを互いに異なる入射角で前記マスク開口を
介し前記基板表面に入射して形成する工程と、 （ｃ）前記アモルファス層を覆うように第２の反射層を
形成する工程と、 を含むことを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 【請求項４】前記二種の元素がＶ族元素とIII族元素と
され、III−Ｖ族の結晶成長の際にＶ族元素の供給を不
足させることにより前記アモルファス層を形成してなる
ことを特徴とする請求項３記載の面発光レーザの製造方
法。 - 【請求項５】前記二種の元素がＶ族元素とIII族元素と
され、前記Ｖ族元素の方が前記III族元素よりも入射角
を小とし、前記III族元素の方が前記基板表面上と前記
マスク裏面との間の間隙により多く到達するように設定
されたことを特徴とする請求項３記載の面発光レーザの
製造方法。 - 【請求項６】前記マスクの開口が略円形形状とされ、前
記工程(b)において、前記基板と前記マスクを同時に回
転しながら前記アモルファス層をリング状に形成するこ
とを特徴とする請求項３記載の面発光レーザの製造方
法。 - 【請求項７】前記マスクの開口端部が、前記基板表面に
対向する一端面側よりも前記基板表面と反対方向の面の
方が開口面積が広いことを特徴とする請求項３記載の面
発光レーザの製造方法。 - 【請求項８】前記第２の反射層をドライエッチングによ
りメサ型形状に加工する工程を更に含むことを特徴とす
る請求項３記載の面発光レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297883A JP2956553B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297883A JP2956553B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116227A JPH09116227A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2956553B2 true JP2956553B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17852349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7297883A Expired - Fee Related JP2956553B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956553B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121865A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Seiko Epson Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
| JPH11121864A (ja) | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Seiko Epson Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254591A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2752180B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1998-05-18 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH0414276A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | 面発光半導体レーザ素子 |
| JPH06314854A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Fujitsu Ltd | 面型発光素子とその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP7297883A patent/JP2956553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６［１９］（１９９５）ｐ．２４６６−２４６８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09116227A (ja) | 1997-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5897329A (en) | Method for producing an electrically conductive element for semiconductor light emitting devices | |
| US7390683B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including a slab layer with a periodic air hole structure and a linear defect region | |
| US5316968A (en) | Method of making semiconductor surface emitting laser | |
| US5637511A (en) | Vertical-to-surface transmission electro-photonic device and method for fabricating the same | |
| US5013684A (en) | Buried disordering sources in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth | |
| US20020006144A1 (en) | Surface emitting semiconductor laser and method of fabricating the same | |
| US6928096B2 (en) | Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same | |
| JP2956553B2 (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
| JP2003324234A (ja) | 面発光半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH1174609A (ja) | レーザダイオード及びその製造方法 | |
| EP0206851B1 (fr) | Procédé de réalisation de lasers à semiconducteurs à jonctions bloquantes assurant un confinement électrique | |
| JPH09129962A (ja) | 垂直共振器型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH10209565A (ja) | 横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置、その製造方法および半導体レーザアレイ | |
| TWI826050B (zh) | 面射型雷射裝置及其製造方法 | |
| JPH09246652A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2000323788A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH10178235A (ja) | 半導体面発光レーザ及びその製造方法 | |
| US7046708B2 (en) | Semiconductor laser device including cladding layer having stripe portion different in conductivity type from adjacent portions | |
| JPH05129721A (ja) | 半導体レーザー及びその製造方法 | |
| KR100261243B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| JP2538613B2 (ja) | 半導体レ―ザ及びその製造方法 | |
| TW202115925A (zh) | 點光源型發光二極體及其製造方法 | |
| JPH08204235A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2751356B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01289184A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990622 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070723 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |