JP2949891B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JP2949891B2
JP2949891B2 JP3095407A JP9540791A JP2949891B2 JP 2949891 B2 JP2949891 B2 JP 2949891B2 JP 3095407 A JP3095407 A JP 3095407A JP 9540791 A JP9540791 A JP 9540791A JP 2949891 B2 JP2949891 B2 JP 2949891B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
wire
tool
wire bonding
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3095407A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04324942A (ja
Inventor
賢秀 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3095407A priority Critical patent/JP2949891B2/ja
Publication of JPH04324942A publication Critical patent/JPH04324942A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2949891B2 publication Critical patent/JP2949891B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78343—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure by ultrasonic vibrations
    • H01L2224/78344—Eccentric cams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング方法
に係り、ツールに挿通されたワイヤを、チップの上面に
ボンディングするための手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを製造する工程において、
金線のようなワイヤを、キャピラリツールのようなツー
ルによりチップにボンディングすることが行われる。
【０００３】ツールの下降ストロークは厳密にコントロ
ールされており、ツールの下端面によりワイヤの下端部
をチップ上面の電極に押し付けてボンディングするよう
になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すように、チ
ップ４はボンド１０により基板６に接着されているが、
ボンド塗布量のばらつき等の為に、図示するようにチッ
プ４が傾斜している場合があり、このような場合、ツー
ル１が予め設定された下降ストロークに従って下降する
と、ワイヤ２の下端部に形成されたボール３はチップ４
の上面に衝突し、チップ４を破壊しやすい問題点があっ
た。
【０００５】またツール１の下降ストロークは、高速域
Ｌ１と低速域Ｌ２に分割されており、高速域Ｌ１におい
ては、サイクルタイムを短縮するためにツール１を高速
度で下降させ、また低速域Ｌ２においては、チップ４の
破壊を防止するために低速度で下降させて、ボール３を
チップ４の電極５にソフトランディングさせ、ボール３
を電極５にボンディングするようになっている。
【０００６】従来、低速域Ｌ２の長さは、チップ４が搭
載された基板６のそり、チップ４や基板６の厚さのばら
つきを勘案して、安全のために長めに設定されていた
（例えば３００μｍ）。このように従来手段は、低速域
Ｌ２を長めに設定することにより、ボール３が電極５に
着地する際に、チップ４が破壊されるのを防止してい
た。
【０００７】ところがこのように低速域Ｌ２を長くする
と、ツール１の下降時間はそれだけ長くなり、サイクル
タイムは長くなって作業能率があがらない問題点があっ
た。
【０００８】そこで本発明は、上記のような従来手段の
問題点を解消できるワイヤボンディング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、保
持部材に保持されたツールにワイヤを挿通し、このツー
ルを昇降させて、このワイヤの下端部をチップにボンデ
ィングするようにしたワイヤボンディング方法におい
て、上記チップの各辺を複数のパートに分割し、まず第
１番目のパートにおいて上記ワイヤを上記チップの複数
ポイントに着地させてワイヤボンディングを行ってこの
複数ポイントの高さをセンサにより検出し、この高さに
基づいて上記チップ上面の傾きを求め、第２番目以下の
パートにおいては、上記第１番目のパートにおいて求め
られたチップ上面の傾きに基づいてこれらの第２番目以
下のパートの各電極の高さを求め、上記ツールの高速域
と低速域の距離およびまたは上記ツールの下降ストロー
クを決定してワイヤボンディングを行うようにしてい
る。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、チップの上面の傾きを求め
られることから、これに基づいて、ツールの高速域や低
速域の距離、あるいは下降ストロークを決定できるの
で、チップを破壊することなく、高速度で良好にワイヤ
ボンディングすることが可能となる。
【００１１】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明を行う。
【００１２】図１はワイヤボンディング装置の側面図で
ある。１１はフレームであり、保持部材としてのホーン
１２が装着されている。このホーン１２は、ピン２０を
中心に回転自在に軸着されている。１９はホーン１２の
弾持用ばね材である。
【００１３】１３はフレーム１１の後部に設けられたカ
ム、１４はカムフォロアである。モータ１５が駆動する
と、カム１３は回転し、フレーム１１は、ピン１６を中
心に上下方向Ｎに回転する。１７はモータ１５の回転数
を検出するエンコーダである。
【００１４】１はホーン１２の先端部に保持されたキャ
ピラリツールであって、ワイヤ２が挿通されている。３
はワイヤ２の下端部に、電気的スパークにより形成され
たボールである。
【００１５】１８はホーン１２の後部に設けられたタッ
チセンサのようなセンサである。常時は、ホーン１２の
後端部はこのセンサ１８に接地しているが、ボール３が
チップに着地して、ホーン１２がばね材１９のばね力に
抗してピン２０を中心に回転すると（同図鎖線参照）、
ホーン１２はセンサ１８から離れ、ボール３がチップに
着地したことが検出される。
【００１６】本装置は上記のような構成より成り、次に
動作の説明を行う。図２において、４はチップ、５は電
極、６は基板、１０はボンドである。ボンド１０はディ
スペンサや転写ピンなどにより、基板６に塗布される
が、塗布量のばらつきのために、図示するようにチップ
４は傾斜している。
【００１７】モータ１５を駆動して、キャピラリツール
１を下降させ、ボール３を電極５に着地させる。この着
地は、センサ１８により検出される。このとき、ボール
３が着地するまでのキャピラリツール１の下降ストロー
クは、モータ１５の回転量として、エンコーダ１７に検
出される。
【００１８】上記動作を複数回繰り返すことにより、チ
ップ上面の複数ポイントの高さを求め、これに基づい
て、チップ上面の傾きθを求める。また同様に、これを
基にして高速域Ｌ１と低速域Ｌ２を設定する。この場
合、安全な範囲内で、低速域Ｌ２が極力短くなるよう
に、その長さを設定する。またこの場合、チップ４の上
面の傾きθが判明しているので、ワイヤ２のボンディン
グ点である各々の電極５の高さも直ちに算出でき、した
がって各々の電極５毎に、ツール１の下降ストロークや
上記各距離Ｌ１，Ｌ２を設定できる。
【００１９】ボール３を電極５にボンディングした後、
キャピラリツール１を上昇させる場合も同様であって、
この場合も、低速域Ｌ２においては、キャピラリツール
１は低速度で上昇させ、また高速域Ｌ１においては、高
速度で上昇させる。このように、低速域Ｌ２を極力短縮
してキャピラリツール１を昇降させることにより、サイ
クルタイムを短縮し、高速度でワイヤボンディングする
ことができる。
【００２０】このように本発明によれば、キャピラリツ
ール１の下降ストロークや、高、低側域の距離Ｌ１，Ｌ
２を最適に決定して、高速度で良好にワイヤボンディン
グができる。
【００２１】次に、図３を参照しながら、上記方法を用
いた有利なワイヤボンディング方法を説明する。この方
法は、チップ４と基板６にボンディング済のワイヤ２
が、キャピラリツール１に接触するのを回避しながら、
ワイヤボンディングを行う方法である。図示するよう
に、キャピラリツール１がワイヤ２に接触しないよう
に、ワイヤ２は末広がり状にボンディングされている。
【００２２】さて、チップ４の各辺は、それぞれ左右の
パートＡ〜Ｈに２分割されており、Ａ，Ｂ，．．．．Ｈ
の順にワイヤボンディングが行われる。
【００２３】まず、第１番目のパートＡの右側からボン
ディングしていく。，，．．．はチップ４側のボ
ンディング順序、’，’，’．．．は基板６側の
ボンディング順序を示しており、，’，，’，
，’．．．の順にワイヤボンディングを行ってい
く。
【００２４】このパートＡにおいて、チップ上面の複数
ポイントの高さを検出することにより、上述したよう
に、チップ４の上面の傾きθが求められる。
【００２５】次いで第２番目のパートＢについても、同
様にして，’，，’．．．の順にワイヤボンデ
ィングを行っていくが、この場合、上記のようにして第
１番目のパートＡにおいて求められたチップ上面の傾き
θから、第２番目のパートＢにおける，．．．の各
電極５の高さは直ちに求められる。したがってこの電極
５の高さに基づいて、ツール１の下降ストロークや上記
距離Ｌ１，Ｌ２を設定し、ワイヤボンディングを行って
いく。第３番目以下の他のパートＣ〜Ｈについても、予
め電極の高さを求められるので、この場合もツール１の
下降ストロークや上記距離Ｌ１，Ｌ２を設定して、ワイ
ヤボンディングを行っていく。このように、本手段によ
れば、第１番目のパートＡにおいてワイヤボンディング
を行うときにチップ４の上面の傾きθを求めることによ
り、第２番目以下のパートＢ〜Ｈについては、この求め
られたチップ４の上面の高さの傾きθに基づいて各々の
電極５の高さを算出して求めることができるので、全パ
ートの各々の電極５毎に、最適ストロークでワイヤボン
ディングを行うことができる。
【００２６】上記実施例は、キャピラリツール１によ
り、ボールボンディングを行う場合を例にとって説明し
たが、本発明はウェッジツールや、スタッドバンプ形成
手段などの他のワイヤボンディング方法にも適用でき
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ツ
ールの高速域や低速域の距離、あるいは下降ストローク
を最適に決定して、チップを破壊することなく、高速度
で良好にワイヤボンディングすることが可能となる。殊
に本発明は、チップの各辺を複数のパートに分割し、ま
ず第１番目のパートにおいてワイヤをチップの複数ポイ
ントに着地させてワイヤボンディングを行って、この複
数ポイントの高さをセンサにより検出し、この高さに基
づいてチップ上面の傾きを求め、第２番目以下のパート
においては、第１番目のパートにおいて求められたチッ
プ上面の傾きに基づいてこれらの第２番目以下のパート
の各電極の高さを求め、ツールの高速域と低速域の距離
およびまたはツールの下降ストロークを決定してワイヤ
ボンディングを行うようにしているので、チップと基板
にボンディング済のワイヤがキャピラリツールに接触す
るのを回避しながらワイヤボンディングを行うことがで
き、また第１番目のパートにおいてワイヤボンディング
を行うときにチップの上面の傾きを求めることにより、
第２番目以下のパートについては、この求められたチッ
プの上面の高さの傾きに基づいて各々の電極の高さを算
出して求めることができるので、全パートの各々の電極
毎に、最適ストロークでワイヤボンディングを行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るワイヤボンディング装置の側面図
【図２】本発明に係るボンディング中の正面図
【図３】本発明に係るボンディング順を示す平面図
【図４】従来手段に係るボンディング中の正面図
【符号の説明】
１ ツール ２ ワイヤ ４ チップ ５ 電極 ６ 基板 １２ 保持部材 １８ センサ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】保持部材に保持されたツールにワイヤを挿
    通し、このツールを昇降させて、このワイヤの下端部を
    チップにボンディングするようにしたワイヤボンディン
    グ方法において、上記チップの各辺を複数のパートに分
    割し、まず第１番目のパートにおいて上記ワイヤを上記
    チップの複数ポイントに着地させてワイヤボンディング
    を行ってこの複数ポイントの高さをセンサにより検出
    し、この高さに基づいて上記チップ上面の傾きを求め、
    第２番目以下のパートにおいては、上記第１番目のパー
    トにおいて求められたチップ上面の傾きに基づいてこれ
    らの第２番目以下のパートの各電極の高さを求め、上記
    ツールの高速域と低速域の距離およびまたは上記ツール
    の下降ストロークを決定してワイヤボンディングを行う
    ことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP3095407A 1991-04-25 1991-04-25 ワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JP2949891B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3095407A JP2949891B2 (ja) 1991-04-25 1991-04-25 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3095407A JP2949891B2 (ja) 1991-04-25 1991-04-25 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04324942A JPH04324942A (ja) 1992-11-13
JP2949891B2 true JP2949891B2 (ja) 1999-09-20

Family

ID=14136825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3095407A Expired - Fee Related JP2949891B2 (ja) 1991-04-25 1991-04-25 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2949891B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH696615A5 (de) * 2003-09-22 2007-08-15 Esec Trading Sa Verfahren für die Justierung des Bondkopfs eines Die Bonders.
JP2006303168A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sharp Takaya Denshi Kogyo Kk ワイヤボンディング方法及び装置
KR100609634B1 (ko) * 2006-02-16 2006-08-08 주식회사 탑 엔지니어링 본딩 장비의 본딩 헤드

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04324942A (ja) 1992-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950009619B1 (ko) 반도체장치의 와이어 본딩방법
JPH08181162A (ja) シェィブドキャピラリーを用いて細かいピッチのワイヤーボンディングを行う方法および装置
US5176311A (en) High yield clampless wire bonding method
JP2949891B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
JPH04291735A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH06132347A (ja) ワイヤボンダ−
JP2551150B2 (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
GB2047596A (en) Method of wire-bonding and wire-bonder
JP3255801B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3368811B2 (ja) バンプ付きワークの実装方法
JP3244001B2 (ja) ワークの実装方法
JP2002076049A (ja) ワイヤボンディング装置及び電気部品の製造方法
JP2765833B2 (ja) 半導体装置のワイヤボンディング方法
JPH03246946A (ja) バンプ成形装置
JPH05235002A (ja) バンプ形成方法
JPH0752740B2 (ja) ボンディング方法
JPH07235562A (ja) ウエッジボンディング装置
JP3644575B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JP2976645B2 (ja) バンプ形成方法
JPS6120342A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2998195B2 (ja) バンプボンディング装置およびバンプボンディング方法
JPH05206357A (ja) 中間基材のボンディング方法
JPH0449631A (ja) ワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070709

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees