JP2938457B2 - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JP2938457B2 JP2938457B2 JP63174298A JP17429888A JP2938457B2 JP 2938457 B2 JP2938457 B2 JP 2938457B2 JP 63174298 A JP63174298 A JP 63174298A JP 17429888 A JP17429888 A JP 17429888A JP 2938457 B2 JP2938457 B2 JP 2938457B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 レーザダイオードに対して電流を制御するスイッチン
グ用差動対が構成されるトランジスタ対を有する発光素
子駆動回路に関し， 上記トランジスタ対に対する電流源の電流を実質上零レ
ベルに絞るための電圧が，発光素子駆動回路の電源の電
圧よりも小に（正の側の電圧に）選定できるようにする
ことを目的とし， 上記電流源として，差動接続されたトランジスタ対を
もつよう構成する。
グ用差動対が構成されるトランジスタ対を有する発光素
子駆動回路に関し， 上記トランジスタ対に対する電流源の電流を実質上零レ
ベルに絞るための電圧が，発光素子駆動回路の電源の電
圧よりも小に（正の側の電圧に）選定できるようにする
ことを目的とし， 上記電流源として，差動接続されたトランジスタ対を
もつよう構成する。
本発明は，レーザダイオードに対して電流を制御する
スイッチング用差動対が構成されるトランジスタ対を有
する発光素子駆動回路に関する。
スイッチング用差動対が構成されるトランジスタ対を有
する発光素子駆動回路に関する。
当該発光素子駆動回路において上記トランジスタ対に
対する電流源の電流を実質上零レベルに絞って，レーザ
ダイオードの発光を絞ってゆくことが望まれる。
対する電流源の電流を実質上零レベルに絞って，レーザ
ダイオードの発光を絞ってゆくことが望まれる。
第３図は従来の発光素子駆動回路を示している。図中
の符号１はスイッチング用差動対が構成されるトランジ
スタ対,1−１および１−２は夫々トランジスタ対を構成
するトランジスタ,2はレーザダイオード,3は信号電流用
定電流源,4はバイアス電流用定電流源,D,は夫々入力
データ用信号，VSSは発光素子駆動回路用の電源電圧，V
IPは信号電流側制御電圧，VIBはバイアス電流側制御電
圧を表している。
の符号１はスイッチング用差動対が構成されるトランジ
スタ対,1−１および１−２は夫々トランジスタ対を構成
するトランジスタ,2はレーザダイオード,3は信号電流用
定電流源,4はバイアス電流用定電流源,D,は夫々入力
データ用信号，VSSは発光素子駆動回路用の電源電圧，V
IPは信号電流側制御電圧，VIBはバイアス電流側制御電
圧を表している。
レーザダイオード２はバイアス電流用定電流源４によ
ってバイアス電流を供給されており，入力データ用信号
D,によって発光が制御される。そして，レーザダイオ
ード２が発光されている状態の下で，信号電流側制御電
圧VIPによって信号電流用定電流源３の電流レベルを制
御するようにして，レーザダイオード２の発光レベルが
制御される。
ってバイアス電流を供給されており，入力データ用信号
D,によって発光が制御される。そして，レーザダイオ
ード２が発光されている状態の下で，信号電流側制御電
圧VIPによって信号電流用定電流源３の電流レベルを制
御するようにして，レーザダイオード２の発光レベルが
制御される。
上記信号電流用定電流源３における電流レベルＩは，
定電流源３を構成しているトランジスタのドレイン電流
であることから， で与えられる。言うまでもなく，図示電圧VSS，VIP，V
IBは夫々負の電圧値で与えられており，上記（１）式
は，ゲート・ソース間電圧Vgsが負の電圧値をもつVthよ
りも大きい（正の側の）電圧値をもつ場合に成立する。
定電流源３を構成しているトランジスタのドレイン電流
であることから， で与えられる。言うまでもなく，図示電圧VSS，VIP，V
IBは夫々負の電圧値で与えられており，上記（１）式
は，ゲート・ソース間電圧Vgsが負の電圧値をもつVthよ
りも大きい（正の側の）電圧値をもつ場合に成立する。
このために上記定電流源３の電流Ｉを零に絞り込むた
めには，上記ゲート・ソース間電圧Vgsを閾値電圧Vthと
等しくすることが必要である。この場合，上述した如
く，閾値電圧Vthが負の電圧であることから，第３図図
示の信号電流側制御電圧VIPを電源電圧Vssよりも更に負
にすることが必要となる。
めには，上記ゲート・ソース間電圧Vgsを閾値電圧Vthと
等しくすることが必要である。この場合，上述した如
く，閾値電圧Vthが負の電圧であることから，第３図図
示の信号電流側制御電圧VIPを電源電圧Vssよりも更に負
にすることが必要となる。
即ち，ゲート・ソース間電圧Vgsが電圧Vssと電圧VIP
との差で与えられており，電圧Vgsを負の電圧Vthに等し
くとる必要があることから，上記電圧VIPは負の電圧Vss
よりも閾値分｜Vth｜だけ負の電圧となることが必要と
なる。したがって，第３図図示の構成においては，信号
電流側制御電圧VIPを与える電圧源としては電源電圧Vss
を与える電源よりも更に電圧の大きい（より負の電圧）
電源を用意することが必要となる。換言すれば，発光素
子駆動回路用の電源電圧Vssが当該回路内で用いる最大
の負の電圧ではないこととなる。
との差で与えられており，電圧Vgsを負の電圧Vthに等し
くとる必要があることから，上記電圧VIPは負の電圧Vss
よりも閾値分｜Vth｜だけ負の電圧となることが必要と
なる。したがって，第３図図示の構成においては，信号
電流側制御電圧VIPを与える電圧源としては電源電圧Vss
を与える電源よりも更に電圧の大きい（より負の電圧）
電源を用意することが必要となる。換言すれば，発光素
子駆動回路用の電源電圧Vssが当該回路内で用いる最大
の負の電圧ではないこととなる。
本発明は，トランジスタ対に対する電流源の電流を実
質上零レベルに絞るための電圧が，発光素子駆動回路の
電源の電圧よりも小に（正の側の電圧に）選定できるよ
うにすることを目的としている。
質上零レベルに絞るための電圧が，発光素子駆動回路の
電源の電圧よりも小に（正の側の電圧に）選定できるよ
うにすることを目的としている。
第１図は本発明の原理構成図を示している。図中の符
号１はスイッチング用差動対が構成されるトランジスタ
対,1−１および１−２は夫々トランジスタ対を構成する
トランジスタ,2はレーザダイオード,3は信号電流用定電
流源,4はバイアス電流用定電流源,D,は夫々入力デー
タ用信号，VSSは電源電圧，VIPは信号電流側制御電圧，
VIBはバイアス電流側制御電圧，Vref1およびVref2は夫
々基準電圧,5,6は夫々差動接続されたトランジスタ対を
表している。
号１はスイッチング用差動対が構成されるトランジスタ
対,1−１および１−２は夫々トランジスタ対を構成する
トランジスタ,2はレーザダイオード,3は信号電流用定電
流源,4はバイアス電流用定電流源,D,は夫々入力デー
タ用信号，VSSは電源電圧，VIPは信号電流側制御電圧，
VIBはバイアス電流側制御電圧，Vref1およびVref2は夫
々基準電圧,5,6は夫々差動接続されたトランジスタ対を
表している。
定電流源３および４には，夫々差動接続されたトラン
ジスタ対5,6がもうけられている。そして，例えば定電
流源３において信号電流側制御電圧VIPが基準電圧Vref1
よりも大で（より負で）かつ電源電圧Vssよりも小で
（より正で）ある電圧を発生できるようにされる。
ジスタ対5,6がもうけられている。そして，例えば定電
流源３において信号電流側制御電圧VIPが基準電圧Vref1
よりも大で（より負で）かつ電源電圧Vssよりも小で
（より正で）ある電圧を発生できるようにされる。
例えば信号電流用定電流源３において制御電圧VIPを
基準電圧Vref1よりも十分に大に選ぶことによって，ス
イッチング用差動対１を流れる電流を零レベルにするこ
とが可能となる。そして，当該制御電圧は，基準電圧V
ref1を選ぶことによって電源電圧VSSよりも小に（より
正に）とることができる。
基準電圧Vref1よりも十分に大に選ぶことによって，ス
イッチング用差動対１を流れる電流を零レベルにするこ
とが可能となる。そして，当該制御電圧は，基準電圧V
ref1を選ぶことによって電源電圧VSSよりも小に（より
正に）とることができる。
第２図は本発明の実施例構成を示す。図中の符号１な
いし６は第１図に対応しており,7,8は夫々電流発生用ト
ランジスタを表している。
いし６は第１図に対応しており,7,8は夫々電流発生用ト
ランジスタを表している。
なお差動接続されたトランジスタ対５において、図示
左側のトランジスタはトランジスタ対１−1,1−２と第
１の電源電圧（Vss）との間に接続され、図示右側のト
ランジスタは例えば接地に対応する第２の電源電圧と第
１の電源電圧との間に接続される。
左側のトランジスタはトランジスタ対１−1,1−２と第
１の電源電圧（Vss）との間に接続され、図示右側のト
ランジスタは例えば接地に対応する第２の電源電圧と第
１の電源電圧との間に接続される。
また差動接続されたトランジスタ対６において、図示
左側のトランジスタはレーザダイオードのカソードと第
１の電源電圧（Vss）との間に接続され、図示右側のト
ランジスタは例えば接地に対応する第２の電源電圧と第
１の電源電圧との間に接続される。
左側のトランジスタはレーザダイオードのカソードと第
１の電源電圧（Vss）との間に接続され、図示右側のト
ランジスタは例えば接地に対応する第２の電源電圧と第
１の電源電圧との間に接続される。
図示の信号電流用定電流源３において，制御電圧VIP
を基準電圧Vref1よりも十分に大に（より負に）するこ
とによって，トランジスタ対５における図示右側トラン
ジスタを流れる電流が十分に大となり，図示左側トラン
ジスタを流れる電流が零レベルに制御される。勿論，制
御電圧VIPを基準電圧Vref1よりも小に（より正に）する
ことによって，スイッチング用差動対１を流れる電流
を，トランジスタ７を流れる電流のレベルに制御するこ
とが可能となる。
を基準電圧Vref1よりも十分に大に（より負に）するこ
とによって，トランジスタ対５における図示右側トラン
ジスタを流れる電流が十分に大となり，図示左側トラン
ジスタを流れる電流が零レベルに制御される。勿論，制
御電圧VIPを基準電圧Vref1よりも小に（より正に）する
ことによって，スイッチング用差動対１を流れる電流
を，トランジスタ７を流れる電流のレベルに制御するこ
とが可能となる。
バイアス電流用定電流源４に関しても同様であり，制
御電圧VIBを基準電圧Vref2よりも十分に大に（より負
に）することによってバイアス電流を零レベルに絞るこ
とができる。
御電圧VIBを基準電圧Vref2よりも十分に大に（より負
に）することによってバイアス電流を零レベルに絞るこ
とができる。
以上説明した如く，本発明によれば，電源電圧VSSを
回路内で用いる他の電圧にくらべて最大の（最も負の）
電圧にとることができる。
回路内で用いる他の電圧にくらべて最大の（最も負の）
電圧にとることができる。
第１図は本発明の原理構成図，第２図は本発明の実施例
構成，第３図は従来例を示す。 図中１はスイッチング用差動対が構成されるトランジス
タ対,2はレーザダイオード,3は信号電流用定電流源,4は
バイアス電流用定電流源,5,6は夫々差動接続されたトラ
ンジスタ対を表す。
構成，第３図は従来例を示す。 図中１はスイッチング用差動対が構成されるトランジス
タ対,2はレーザダイオード,3は信号電流用定電流源,4は
バイアス電流用定電流源,5,6は夫々差動接続されたトラ
ンジスタ対を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−258486（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−181872（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−158577（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/096 H01S 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】入力データに対応して動作するスイッチン
グ用差動対を構成するトランジスタ対（１）と、 前記トランジスタ対（１）を構成する一方のトランジス
タ（１−２）に直列に挿入された発光素子（２）と、 上記トランジスタ対（１）に対して電流を供給する信号
電流用電流源（３）とバイアス電流用電流源（４）と を少なくとも有する発光素子駆動回路において、 前記信号電流用電流源（３）が、前記スイッチング用差
動対を構成するトランジスタ対（１）と第１の電源電圧
（Vss）との間に配置され第１の基準電圧（Vref1）又は
第１の制御電圧（VIP）が供給される第１のトランジス
タと、第２の電源電圧と該第１の電源電圧（Vss）との
間に配置され該第１の制御電圧（VIP）又は該第１の基
準電圧（Vref1）が供給される第２のトランジスタとに
より差動対を構成し、 前記バイアス電流用電流源（４）が、前記発光素子
（２）と前記第１の電源電圧（Vss）との間に配置され
該第２の基準電圧（Vref2）又は第２の制御電圧（VIB）
が供給される第３のトランジスタと、前記第２の電源電
圧と該第１の電源電圧（Vss）との間に配置され該第２
の制御電圧（VIB）又は該第２の基準電圧（Vref2）が供
給される第４のトランジスタとにより差動対を構成し、 前記スイッチング用差動対を構成するトランジスタ対
（１）に流れる電流を零レベルにする第１の制御電圧
（VIP）を前記第１の基準電圧（Vref1）と前記第１の電
源電圧（Vss）との間に設定した ことを特徴とする発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174298A JP2938457B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174298A JP2938457B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 発光素子駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225084A JPH0225084A (ja) | 1990-01-26 |
| JP2938457B2 true JP2938457B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=15976221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174298A Expired - Fee Related JP2938457B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938457B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181872A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの駆動回路 |
| JPS61258486A (ja) * | 1985-05-11 | 1986-11-15 | Canon Inc | レ−ザ−駆動装置 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63174298A patent/JP2938457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225084A (ja) | 1990-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |