JP2930024B2 - 電圧比較回路 - Google Patents

電圧比較回路

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JP2930024B2
JP2930024B2 JP21638296A JP21638296A JP2930024B2 JP 2930024 B2 JP2930024 B2 JP 2930024B2 JP 21638296 A JP21638296 A JP 21638296A JP 21638296 A JP21638296 A JP 21638296A JP 2930024 B2 JP2930024 B2 JP 2930024B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に電圧比較回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電圧比較回路は、例えば図3に示
すようなもので、ダーリントン接続されたPNPトラン
ジスタQ01、Q03と、同じくダーリントン接続され
たPNPトランジスタQ02、Q04とにより差動トラ
ンジスタ対を構成している。PNPトランジスタQ0
1、Q02のエミッタには定電流源I1が接続され、定
電流IO1が供給されている。PNPトランジスタQ0
3およびQ04のコレクタは接地されており、PNPト
ランジスタQ03のベースは反転入力端子IN−を介し
て第1の信号源v1に接続され、PNPトランジスタQ
04のベースは非反転入力端子IN+を介して第2の信
号源v2に接続されている。
【0003】PNPトランジスタQ01およびQ02の
コレクタは、NPNトランジスタQ05、Q06よりな
るカレントミラー回路を介して接地され、NPNトラン
ジスタQ06のコレクタは、エミッタが接地されたNP
NトランジスタQ14のベースに接続されている。NP
NトランジスタQ14のコレクタと定電圧源VCCとの
間には負荷抵抗RLが接続されており、出力端子VOよ
り出力電圧VOUTを取り出している。
【0004】このような電圧比較回路において、第1の
信号源v1から入力される信号の電圧が、第2の信号源
v2から入力される信号の電圧よりも低い場合、PNP
トランジスタQ01、Q03がオン状態、PNPトラン
ジスタQ02、Q04がオフ状態となり、NPNトラン
ジスタQ14のベース電流は供給されず、NPNトラン
ジスタQ14はオフ状態となり、出力端子VOにハイレ
ベル、すなわち電源電圧VCCが出力される。逆に、第
1の信号源v1より入力される信号の電圧が、第2の信
号源v2より入力される信号の電圧が高い場合、PNP
トランジスタQ01、Q03がオフ状態、PNPトラン
ジスタQ02、Q04がオン状態となり、PNPトラン
ジスタQ02のコレクタを通じて、NPNトランジスタ
Q14のベースに電流が供給され、NPNトランジスタ
Q14がオン状態となり、出力端子VOにローレベル、
すなわちほぼグランドレベルが出力される。
【0005】一般に、電圧比較回路が正常に動作するこ
とが可能な入力電圧の上限から下限までの値を同相入力
電圧範囲というが、図3に示す電圧比較回路の同相入力
電圧範囲の下限値(以下VIMINと略記する)は、P
NPトランジスタQ01、Q02、Q03、Q04およ
びNPNトランジスタQ05の導通時のベース−エミッ
タ間電圧の絶対値がVBEで全て等しいとし、PNPト
ランジスタQ01の飽和時のコレクタ−エミッタ間電圧
をVCESとすると、 VIMIN=−VBE+VCES ・・・(1) となる。VBEの値が例えば0.7[V]、VCESの
値が例えば0[V]であるとした場合、VIMINは−
0.7[V]となる。
【0006】一方、同相入力電圧の上限(以下VIMA
Xと略記する)は、定電流源I1が動作するために必要
なI1の両端電圧の最小値をVICMINとすると、 VIMAX=VCC−VICMIN−2・VBE ・・・(2) となる。したがって、入力信号v1およびv2に(2)
式で示される電圧より高い電圧を入力しようとした場
合、定電流源I1の両端電圧がVICMINより小さく
なるため、定電流源I1が正常に動作することができ
ず、電圧比較回路も正常な動作ができなくなる。VBE
の値が例えば0.7[V]、VICMINの値が例えば
0.2[V]であるとした場合、VIMAXはVCCよ
り1.6[V]低い値となる。
【0007】図4は、前記同相入力電圧範囲の上限VI
MAXを改善した、第2の従来例(特開昭63−821
19)の回路図である。図3に示した電圧比較回路と同
一構成部には同一の符号を付してある。
【0008】ダーリントン接続されたPNPトランジス
タQ01、Q03と、同じくダーリントン接続されたP
NPトランジスタQ02、Q04とにより差動トランジ
スタ対を構成している。PNPトランジスタQ01およ
びQ02のエミッタには定電流源I1が接続され、定電
流IO1が供給されている。PNPトランジスタQ03
およびQ04のコレクタは接地されており、PNPトラ
ンジスタQ03のベースは反転入力端子IN−を介して
第1の信号源v1に接続され、PNPトランジスタQ0
4のベースは非反転入力端子IN+を介して第2の信号
源v2に接続されている。
【0009】PNPトランジスタQ01およびQ02の
コレクタは、NPNトランジスタQ05、Q06よりな
るカレントミラー回路を介して接地され、ベースは、マ
ルチコレクタ型PNPトランジスタQ16のコレクタに
それぞれ接続されている。PNPトランジスタQ16の
ベースは、ベース−コレクタ間を短絡したPNPトラン
ジスタQ15のベースに接続されており、したがってP
NPトランジスタQ15、Q16とによりカレントミラ
ー回路が構成され、それぞれのエミッタは定電圧源VC
Cに接続されている。PNPトランジスタQ15のコレ
クタはNPNトランジスタQ17のコレクタに接続され
ており、NPNトランジスタQ17のベースは、ベース
−コレクタ間を短絡したNPNトランジスタQ18のベ
ースに接続されている。したがって、NPNトランジス
タQ17、Q18とによりカレントミラー回路が構成さ
れ、それぞれのエミッタは接地されている。NPNトラ
ンジスタQ18のコレクタは定電流源I2を介して定電
圧源VCCに接続されており、定電流源I2により定電
流IO2が供給されている。
【0010】反転入力端子IN−は第1の差動増幅器D
4の反転入力端子にも接続されており、非反転入力端子
IN+は第2の差動増幅器D3の反転入力端子にも接続
されている。第1および第2の差動増幅器D3、D4の
非反転入力端子には基準電圧VREFが供給される。第
1および第2の差動増幅器D3、D4の出力はノアゲー
トNORの入力に接続されており、ノアゲートNORの
出力は抵抗R4を介してNPNトランジスタQ19のベ
ースに接続されている。NPNトランジスタQ19のエ
ミッタは接地されており、コレクタは定電流源I2およ
びNPNトランジスタQ18のコレクタに接続されてい
る。
【0011】ノアゲートNORの出力は、さらにインバ
ータINVの入力およびNチャンネル型MOSトランジ
スタQ20、Q21のゲートに接続されており、インバ
ータINVの出力はPチャンネル型MOSトランジスタ
Q22、Q23のゲートに接続されている。
【0012】Nチャネル型MOSトランジスタQ20、
Pチャネル型MOSトランジスタQ22は互いに並列接
続されてトランスミッションゲートを構成しており、一
端がNPNトランジスタQ03のベースに、他端がNP
NトランジスタQ01のベースに接続されている。一
方、Nチャネル型MOSトランジスタQ21、Pチャネ
ル型MOSトランジスタQ23も互いに並列接続されて
トランスミッションゲートを構成しており、一端がPN
PトランジスタQ04のベースに、他端がNPNトラン
ジスタQ02のベースに接続されている。
【0013】PNPトランジスタQ01およびQ02の
コレクタは、NPNトランジスタQ05、Q06よりな
るカレントミラー回路を介して接地され、NPNトラン
ジスタQ06のコレクタは、エミッタが接地されたNP
NトランジスタQ14のベースに接続されている。NP
NトランジスタQ14のコレクタと電源VCCとの間に
は負荷抵抗RLが接続されており、出力端子VOより出
力電圧VOUTを取り出している。
【0014】第1および第2の差動増幅器D3、D4
は、例えば図3に示した電圧比較回路で構成されてお
り、非反転入力に接続される基準電圧VREFは、前記
(1)式および(2)式で設定される同相入力電圧範囲
の下限VIMINおよび上限VIMAXの範囲内に設定
されている。そのため、第1および第2の差動増幅器D
3、D4の同相入力電圧範囲の上限は電源電圧VCCと
なる。
【0015】入力信号v1およびv2が基準電圧VRE
Fより高い場合、差動増幅器D3およびD4の出力はと
もにローレベルとなる。その結果、ノアゲートNORの
出力がハイレベルとなるので、MOSトランジスタQ2
0、Q21、Q22およびQ23がすべてオン状態とな
る。また、NPNトランジスタQ14がオン状態となる
ため、NPNトランジスタQ17、Q18よりなるカレ
ントミラー回路およびPNPトランジスタQ15、Q1
6よりなるカレントミラー回路はオフ状態となる。その
ため、この電圧比較回路は図5に示すようなシングル差
動トランジスタ対を有する電圧比較回路として動作し、
同相入力電圧範囲の上限は VIMAX=VCC−VICMIN−VBE ・・・(3) となる。図3に示す電圧比較回路よりもVBEだけ同相
入力電圧範囲の上限が広くなるが、電源電圧VCCより
も低い値となる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の電圧比較回路では、同相入力電圧範囲の下限を広げよ
うとした場合、同相入力電圧範囲の上限が電源電圧より
も低い値となり、同相入力電圧範囲の上限を広げようと
した場合、同相入力電圧範囲の下限がグランドレベルよ
りも高い値となるため、電圧比較回路を正常に動作させ
るには、例えば、入力信号のレベル変換回路を追加した
り、電源電圧を高く設定したりする必要があった。
【0017】本発明の目的は、同相入力電圧範囲の上限
および下限が、それぞれ同時に電源電圧以上およびグラ
ンドレベル以下で、同相入力電圧範囲が充分に広い電圧
比較回路を提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧比較回路
は、同相入力電圧範囲の下限がグランドレベル以下であ
る第1の差動増幅器と、同相入力電圧範囲の上限が電源
電圧以上である第2の差動増幅器と、前記第1および第
2の差動増幅器の出力の論理に応じて信号を出力する出
力手段を有し、第1の差動増幅器が、ダーリントン接続
された第1、第3のPNPトランジスタと、ダーリント
ン接続された第2、第4のPNPトランジスタと、第
5、第6のNPNトランジスタからなる第1のカレント
ミラー回路を含み、第1、第2のPNPトランジスタの
エミッタには、定電圧源に接続された第1の定電流源が
接続され、第1、第2のPNPトランジスタのコレクタ
は第1のカレントミラー回路を介して接地され、第3、
第4のPNPトランジスタのベースはそれぞれ反転入力
端子、非反転入力端子を介して第1、第2の信号源に接
続され、第3、第4のPNPトランジスタのコレクタは
共に接地され、前記第2の差動増幅器は、ダーリントン
接続された第7、第9のNPNトランジスタと、ダーリ
ントン接続された第8、第10のNPNトランジスタ
と、第11、第12のPNPトランジスタよりなる第2
のカレントミラー回路を含み、第7、第8のNPNトラ
ンジスタのエミッタには、接地された第2の定電流源が
接続され、第7、第8のNPNトランジスタのコレクタ
は第2のカレントミラー回路を介して前記定電源に接
続され、第9、第10のNPNトランジスタのベースは
それぞれ第3、第4のPNPトランジスタのベースに接
続され、第9、第10のNPNトランジスタのコレクタ
は共に前記定電圧源に接続され、前記出力手段は、出力
端子と、エミッタが前記出力端子と前記定電源に、ベ
ースが第11のPNPトランジスタのコレクタに接続さ
れた第13のPNPトランジスタと、コレクタが前記出
力端子に、ベースが第13のPNPトランジスタのコレ
クタと第2のPNPトランジスタのコレクタに、エミッ
タが接地された第14のNPNトランジスタを含む。
【0019】第1の差動増幅器の同相入力電圧範囲の上
限を越える信号が入力された場合、第2の差動増幅器に
より出力手段を動作させることが可能であり、第2の差
動増幅器の同相入力電圧範囲の下限を越える信号が入力
された場合、第1の差動増幅器により、出力手段を動作
させることが可能となるので、電圧比較回路が正常に動
作することが可能な同相入力電圧範囲の上限および下限
をともに充分広くすることができる。
【0020】
【0021】本発明の他の実施態様によれば、前記定電
圧源と前記非反転入力端子の間に第1の抵抗が接続さ
れ、前記第2の信号源の代りに第2の抵抗が接続され、
前記非反転入力端子と前記出力端子の間に第3の抵抗が
接続されている。
【0022】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
【0023】図1は本発明の第1の実施形態の電圧比較
回路の回路図である。ダーリントン接続されたPNPト
ランジスタQ01、Q03と、同じくダーリントン接続
されたPNPトランジスタQ02、Q04とにより第1
の差動トランジスタ対が構成されており、さらにダーリ
ントン接続されたNPNトランジスタQ07、Q09
と、同じくダーリントン接続されたNPNトランジスタ
Q08、Q10とにより第2の差動トランジスタ対が構
成されている。PNPトランジスタQ03とNPNトラ
ンジスタQ09のベースは相互に接続され、反転入力端
子IN−を介して第1の信号源v1に接続されている。
PNPトランジスタQ04とNPNトランジスタQ10
のベースは相互に接続され、非反転入力端子IN+を介
して第2の信号源v2に接続されている。PNPトラン
ジスタQ01とQ02のエミッタには第1の定電流源I
1が、NPNトランジスタQ07、Q08のエミッタに
は第2の定電流源I2が接続され、それぞれ定電流IO
1、IO2が供給されている。PNPトランジスタQ0
3とQ04のコレクタは接地されており、NPNトラン
ジスタQ09とQ10のコレクタは定電圧源VCCに接
続されている。
【0024】PNPトランジスタQ01とQ02のコレ
クタは、NPNトランジスタQ05、Q06よりなる第
1のカレントミラー回路を介して接地され、NPNトラ
ンジスタQ07とQ08のコレクタはPNPトランジス
タQ11、Q12よりなる第2のカレントミラー回路を
介して源VCCに接続されている。
【0025】PNPトランジスタQ11のコレクタは、
エミッタが定電圧源VCCに接続されたPNPトランジ
スタQ13のベースに接続されており、PNPトランジ
スタQ13のコレクタとNPNトランジスタQ06のコ
レクタはともに、エミッタが接地されたNPNトランジ
スタQ14のベースに接続されている。NPNトランジ
スタQ14のコレクタと定電圧源VCCとの間には負荷
抵抗RLが接続されており、出力端子VOより出力電圧
VOUTを取り出している。
【0026】本実施形態は上記したようにPNPトラン
ジスタQ01、Q02、Q03、Q04、Q05および
NPNトランジスタQ06よりなる第1の差動増幅器D
1と、NPNトランジスタQ07、Q08、Q09、Q
10、Q11、Q12およびPNPトランジスタQ13
よりなる第2の差動増幅器D2とを有している。
【0027】次に、本実施形態の電圧比較回路の動作に
ついて説明する。説明を簡略化するためPNPトランジ
スタQ01、Q02、Q03、Q04、NPNトランジ
スタQ05、Q07、Q08、Q09、Q10およびP
NPトランジスタQ11の導通時のベース−エミッタ間
電圧の絶対値をすべてVBE、PNPトランジスタQ0
1およびNPNトランジスタQ08の飽和時のコレクタ
−エミッタ間電圧をすべてVCES、定電流源I1およ
びI2が動作するために必要な定電流源I1およびI2
の両端電圧の最小値をともにVICMINとすると、第
1の差動増幅器D1の同相入力電圧範囲の下限および上
限はそれぞれ[−VBE+VCES]、[VCC−VI
CMIN−2VBE]となる。一方、第2の差動増幅器
D2の同相入力電圧範囲の下限および上限はそれぞれ
[VICMIN+2VBE]、[VCC+VBE−VC
ES]となる。
【0028】第1の信号源v1および第2の信号源v2
から入力される信号の電圧がともに、第1の差動増幅器
D1の同相入力電圧範囲の上限より大きい、すなわち
[VCC−VICMIN−2VBE]より大きい場合、
第1の差動増幅器D1は正常に動作しないが、第2の差
動増幅器D2は正常に動作している。したがって、第1
の信号源v1から入力される信号の電圧が、第2の信号
源v2から入力される信号の電圧よりも高い場合、PN
PトランジスタQ01、Q02、Q03およびQ04は
オフ状態となっているが、NPNトランジスタQ07、
Q09はオン状態、NPNトランジスタQ08、Q10
はオフ状態となり、PNPトランジスタQ13がオン状
態、NPNトランジスタQ14のベースに電流が供給さ
れ、NPNトランジスタQ14がオン状態となり、出力
端子VOにローレベル、すなわちほぼグランドレベルが
出力される。一方、第1の信号源v1から入力される信
号の電圧が、第2の信号源v2から入力される信号の電
圧よりも低い場合、PNPトランジスタQ01、Q0
2、Q03およびQ04はオフ状態となっており、NP
NトランジスタQ07、Q09はオフ状態、NPNトラ
ンジスタQ08、Q10はオン状態となり、PNPトラ
ンジスタQ13がオフ状態、NPNトランジスタQ14
のベースに電流が供給されず、NPNトランジスタQ1
4はオフ状態となり、出力端子VOにハイレベル、すな
わち電源電圧VCCが出力される。
【0029】第1の信号源v1および第2の信号源v2
から入力される信号の電圧がともに、第2の差動増幅器
D2の同相入力電圧範囲の下限より小さい、すなわち
[VICMIN+2VBE]より大きい場合、第2の差
動増幅器D2は正常に動作しないが、第1の差動増幅器
D1は正常に動作している。したがって、第1の信号源
v1から入力される信号の電圧が、第2の信号源v2か
ら入力される信号の電圧よりも高い場合、NPNトラン
ジスタQ07、Q08、Q09、Q10およびPNPト
ランジスタQ13はオフ状態となっているが、PNPト
ランジスタQ01、Q03はオフ状態、PNPトランジ
スタQ02、Q04はオン状態となり、NPNトランジ
スタQ14のベースに電流が供給され、NPNトランジ
スタQ14はオン状態となり、出力端子VOにローレベ
ルが出力される。一方、第1の信号源v1から入力され
る信号の電圧が、第2の信号源v2から入力される信号
の電圧よりも低い場合、NPNトランジスタQ07、Q
08、Q09、Q10およびPNPトランジスタQ13
はオフ状態となっており、PNPトランジスタQ01、
Q03はオン状態、PNPトランジスタQ02、Q04
はオフ状態となり、NPNトランジスタQ14のベース
に電流は供給されず、NPNトランジスタQ14はオフ
状態となり、出力端子VOにハイレベルが出力される。
【0030】その他の場合、つまり第1の信号源v1お
よび第2の信号源v2から入力される信号の電圧のどち
らか、あるいは両方が、第1の差動増幅器D1の同相入
力電圧範囲の上限より小さく、かつ、第2の差動増幅器
D2の同相入力電圧範囲の下限より大きい場合、両差動
増幅器D1およびD2はともに正常に動作している。し
たがって、第1の信号源v1から入力される信号の電圧
が、第2の信号源v2から入力される信号の電圧よりも
高い場合、PNPトランジスタQ01、Q03はオフ状
態、PNPトランジスタQ02、Q04はオン状態、か
つ、NPNトランジスタQ07、Q09はオン状態、N
PNトランジスタQ08、Q10はオフ状態となり、P
NPトランジスタQ13がオン状態、PNPトランジス
タQ02およびQ13のコレクタよりNPNトランジス
タQ14のベースに電流が供給され、NPNトランジス
タQ14がオン状態となり、出力端子VOにローレベル
が出力される。一方、第1の信号源v1から入力される
信号の電圧が、第2の信号源v2から入力される信号の
電圧よりも低い場合、PNPトランジスタQ01、Q0
3がオン状態、PNPトランジスタQ02、Q04がオ
フ状態、かつNPNトランジスタQ07、Q09がオフ
状態、NPNトランジスタQ08、Q10がオン状態と
なり、PNPトランジスタQ13がオフ状態、NPNト
ランジスタQ14のベースに電流が供給されず、NPN
トランジスタQ14がオフ状態となり、出力端子VOに
ハイレベルが出力される。
【0031】上記したように、本実施形態の電圧比較回
路によると、同相入力電圧範囲をグランドレベルから電
源電圧まで拡大することが可能となる。
【0032】図2は本発明の第2の実施形態の電圧比較
回路の回路図である。本実施形態の電圧比較回路は、図
1の電圧比較回路の非反転入力端子IN+に接続されて
いた第2の入力信号源v2を削除し、対定電圧源VCC
との間に抵抗R1、対グランドとの間に抵抗R2、対出
力端子VOとの間にR3を接続したものである。
【0033】出力端子VOにハイレベルが出力されてい
る場合、非反転入力端子のIN+電圧をVINH+とす
ると、
【0034】
【数1】 となる。
【0035】一方、出力端子VOUTにローレベルが出
力されている場合、非反転入力端子IN+の電圧をVI
NL+とすると、
【0036】
【数2】 となる。
【0037】したがって、本実施形態の電圧比較回路
は、入力がローレベルからハイレベルとなる時、(4)
式で示されるしきい値電圧で出力端子VOにハイレベル
からローレベルを出力し、入力がハイレベルからローレ
ベルとなる時、(5)式で示されるしきい値電圧で出力
端子VOにローレベルからハイレベルを出力する、ヒス
テリシス付きの電圧比較回路として動作する。また、こ
の電圧比較回路の同相入力電圧範囲の下限および上限は
それぞれグランドレベル、電源電圧VCCなので、
(4)および(5)式で設定されるしきい値電圧は必ず
本電圧比較回路の同相入力電圧範囲内となる。例えば、
R1=1kΩ、R2=9kΩ、R3=500kΩ、RL
=50kΩ、VCC=3Vとした場合、VINH+は約
2.7V、VINL+は約0.3Vとなり、電源電圧に
対し充分に広い範囲でしきい値電圧を設定することが可
能となる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
相入力電圧範囲の下限がグランドレベル以下である第1
の差動増幅器と、同相入力電圧範囲の上限が電源電圧以
上である第2の差動増幅器を備えるとともに、第1およ
び第2の差動増幅器の出力の論理に応じて信号を出力す
る出力手段を有することで、第1の差動増幅器の同相入
力電圧範囲の上限を越える信号が入力された場合、第2
の差動増幅器により出力手段を動作させることが可能で
あり、第2の差動増幅器の同相入力電圧範囲の下限を越
える信号が入力された場合、第1の差動増幅器により、
出力手段を動作させることが可能となるので、電圧比較
回路が正常に動作することが可能な同相入力電圧範囲の
上限および下限を、ともに充分広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の電圧比較回路の回路
図である。
【図2】本発明の第2の実施形態の電圧比較回路の回路
図である。
【図3】電圧比較回路の第1の従来例の回路図である。
【図4】電圧比較回路の第2の従来例の回路図である。
【図5】図4の電圧比較回路がシングルの差動対を備え
た電圧比較回路として動作する際の等価回路図である。
【符号の説明】
Q01、Q02、Q03、Q04、Q11、Q12、Q
13、Q27 PNPトランジスタ Q05、Q06、Q07、Q08、Q09、Q10、Q
14、Q29、Q30、Q31 NPNトランジスタ Q28 マルチコレクタ型PNPトランジスタ Q37、Q38 Nチャンネル型MOSトランジスタ Q39、Q40 Pチャンネル型MOSトランジスタ R1、R2、R3、R4、RL 抵抗 I1、I2 定電流源 VCC 定電圧源 v1、v2 信号源 NOR ノアゲート INV インバータ D1、D2 差動増幅器 IN− 反転入力端子 IN+ 非反転入力端子 OUT 出力端子

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同相入力電圧範囲の下限がグランドレベ
    ル以下である第1の差動増幅器と、同相入力電圧範囲の
    上限が電源電圧以上である第2の差動増幅器と、前記第
    1および第2の差動増幅器の出力の論理に応じて信号を
    出力する出力手段を有し、 前記第1の差動増幅器が、ダーリントン接続された第
    1、第3のPNPトランジスタと、ダーリントン接続さ
    れた第2、第4のPNPトランジスタと、第5、第6の
    NPNトランジスタからなる第1のカレントミラー回路
    を含み、第1、第2のPNPトランジスタのエミッタに
    は、定電源に接続された第1の定電流源が接続され、
    第1、第2のPNPトランジスタのコレクタは第1のカ
    レントミラー回路を介して接地され、第3、第4のPN
    Pトランジスタのベースはそれぞれ反転入力端子、非反
    転入力端子を介して第1、第2の信号源に接続され、第
    3、第4のPNPトランジスタのコレクタは共に接地さ
    れ、 前記第2の差動増幅器は、ダーリントン接続された第
    7、第9のNPNトランジスタと、ダーリントン接続さ
    れた第8、第10のNPNトランジスタと、第11、第
    12のPNPトランジスタよりなる第2のカレントミラ
    ー回路を含み、第7、第8のNPNトランジスタのエミ
    ッタには、接地された第2の定電源が接続され、第
    7、第8のNPNトランジスタのコレクタは第2のカレ
    ントミラー回路を介して前記定電源に接続され、第
    9、第10のNPNトランジスタのベースはそれぞれ第
    3、第4のPNPトランジスタのベースに接続され、第
    9、第10のNPNトランジスタのコレクタは共に前記
    定電源に接続され、 前記出力手段は、出力端子と、エミッタが前記出力端子
    と前記定電源に、ベースが第11のPNPトランジス
    タのコレクタに接続された第13のPNPトランジスタ
    と、コレクタが前記出力端子に、ベースが第13のPN
    Pトランジスタのコレクタと第2のPNPトランジスタ
    のコレクタに、エミッタが接地された第14のNPNト
    ランジスタを含む電圧比較回路。
  2. 【請求項2】 前記定電源と前記非反転入力端子の間
    に第1の抵抗が接続され、前記第2の信号源の代りに第
    2の抵抗が接続され、前記非反転入力端子と前記出力端
    子の間に第3の抵抗が接続されている、請求項1記載の
    電圧比較回路。
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