JP2925660B2 - レーザダイオードモジュール - Google Patents

レーザダイオードモジュール

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は２個の長い側壁、一方にガラスファイバ用の
管状通路が設けられた２個の短い側壁および少くとも１
本のガイドピンが導電材料を介してそう入され残りのガ
イドピンがフィードスルー絶縁体によりそう入されるご
とくして少くとも６本のガイドを標準化されたDIL配置
で通す１個の底壁を有する矩形の箱形金属ケーシング
と、このケーシングとの間に導電性カップリングを有し
レーザダイオードを装着した第１サブキャリアと上記ガ
ラスファイバをその端部がこのレーザダイオードの前面
に面するように装着する支持体とホトダイオードを装着
した第２サブキャリアとを載置した金属ベースキャリア
と、上記レーザダイオードとホトダイオードと金属ベー
スキャリアを夫々のガイドピンに電気的に接続する接続
ラインとから成るレーザダイオードモジュールに関す
る。
〔従来の技術〕
光通信方式においてはレーザダイオードモジュールが
伝送されるべき電気的データ信号の電気−光学変換のた
めに用いられており、140、280、565Mビット／秒のデー
タビットレートをもつ方式がすでに広く用いられてい
る。
565Mビット／秒方式では上記した形のレーザダイオー
ドモジュールが標準的となっている。
光通信の分野ではビットレートを増大しようとする傾
向があり、それに伴って2.4Gビット／秒の方式がすでに
開発されている。このようなビットレートの増大によ
り、約1Gビット／秒以上についてはレーザダイオード自
体ではなく、レーザダイオードモジュール全体が制限因
子を形成する。それ故レーザダイオードモジュール全体
の電気的特性、特にその小信号レスポンスと反射係数に
注意をはらうべきである。
そのような通信系の送信器にはレーザ駆動回路が含ま
れており、これは外部の伝送線によりレーザダイオード
モジュールに接続する。その場合、伝送ラインの特性イ
ンピーダンスの適正な調整がこの伝送ラインの両端にお
いて必要であり、その理由は整合がとれていないと駆動
回路とレーザダイオードモジュールとの間で信号の反射
が生じ、レーザダイオードに加えられるデータ信号のパ
ルス波形に歪みが生じてしまうからである。レーザダイ
オード自体のインピーダンスは比較的小さいから一般に
外部伝送ラインとレーザダイオードモジュールの信号入
力との間に抵抗がそう入される。この抵抗の値はそれと
レーザダイオードモジュールとの直列接続のインピーダ
ンスが出来るだけ伝送ラインの特性インピーダンスに整
合するようなものである。
低いデータビット信号については抵抗によるこの方法
は満足すべきものである。しかしながら、ビットレート
が高くなると、ガイドピンへの比較的長い接続ワイヤお
よびガイドピン自体の長さがレーザダイオードモジュー
ルにおいて作用しはじめ、整合が序々に劣化する。その
結果としての反射現象は周波数の関数として増加し、従
ってレーザダイオードに加えられるデータ信号のパルス
波形の許容しうる歪み内でレーザダイオードモジュール
を使用出来る周波数帯が制限される。
〔発明が解決しようとする課題〕
伝送ラインの特性インピーダンスに対する適正な調整
を行うための一つの方法は1Gビット／秒を越えるビット
レートについてレーザダイオードモジュールを完全に設
計しなおすことである。このためには、ケーシングの寸
法とこのケーシングを通して給電されるガイドピンの順
序を、高い周波数での電気的特性が標準モジュールより
も好ましくなるように変更しなくてはならない。この方
法は高価となるばかりでなく、レーザダイオードモジュ
ールに接続されるべき回路素子を有する印刷回路板を、
モジュールガイドピン用の接続ピンが標準型のDIL順と
しえなくなるために再設計しなければならないという欠
点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の目的は前記した形のレーザダイオードモジュ
ール、詳細には標準形DILガイドピン順序を有し、周波
数の関数としての反射現象の急増を抑えその結果1Gビッ
ト／秒より著しく高いビットレートで動作する方式に用
いるに適したレーザダイオードモジュールを提供するこ
とである。
本発明によるレーザダイオードモジュールはフィード
スルー絶縁体により底壁にそう入される、レーザダイオ
ードを電気的に接続するためのガイドピンがケーシング
の内側で同軸伝送ラインの内側ガイドを形成し、その外
側ガイドがケーシングに電気的に接続し、この内側ガイ
ドとレーザダイオードとの間の接続ラインにレーザダイ
オードの抵抗との和がこの同軸伝送ラインの特性インピ
ーダンスにほぼ等しくなるような値をもつ抵抗をそう入
したことを特徴とする。
〔作用〕
本発明は、ケーシング内部のガイドピン部分の長さと
これらガイドピンへの数本の接続ワイヤの長さが、周波
数増加と共にレーザダイオードモジュールと伝送ライン
の特性インピーダンスの整合を著しく阻害する、比較的
高いインダクタンスを生じさせるという事実に立脚して
いる。レーザダイオードをレーザダイオードモジュール
の信号入力に接続するガイドピンにより形成される内側
ガイドを有する同軸伝送ラインを用いることにより、こ
のガイドピンのインダクタンスの、外部伝送ラインの特
性インピーダンスに対するレーザダイオードモジュール
の整合に及ぼす影響が実用上完全に消滅する。ガイド間
の媒体の誘電定数の値が与えられれば、内部同軸伝送ラ
インの特性インピーダンスはガイドピンの外径と同軸伝
送ラインの外側ガイドの内径との比により決定される。
この比は内部同軸伝送ラインの特性インピーダンスがレ
ーザダイオードモジュールとレーザ駆動回路の間で外部
伝送ラインの特性インピーダンスに等しくなるように選
ばれる。ケーシングの外側で信号入力と外部伝送ライン
間にそう入された抵抗は、レーザダイオードのインピー
ダンスに加えてレーザダイオードと同軸伝送ラインとの
最良の整合を与えるようにケーシングの内側に配置され
る。
本発明のレーザダイオードモジュールの一実施例は外
側導体がケーシングの関連した長い側壁に全面で電気的
に接続する少くとも１個の平坦な側面を有することを特
徴とする。
このように外側ガイドのこの平坦な側面と関連する長
い側壁との間に生じる漂遊容量が除去される。この漂遊
容量はレーザダイオードモジュールと外部伝送ラインの
特性インピーダンスの整合に悪い効果を生じさせるもの
である。
多くの場合、レーザダイオードモジュールは、金属ケ
ーシングの底壁に熱伝導結合するコンタクト面と、熱伝
導関係をもってサーミスタを装着するベースキャリアに
熱伝導接続するコンタクト面の２個のコンタクト面を有
する熱的クーラを含み、更にこのサーミスタとクーラを
夫々のガイドピンに接続するための接続ラインを含んで
いる。
熱電気クーラがあると約1Gビット／秒以上のビットレ
ートを有するレーザダイオードモジュールの電気特性は
著しく乱される。特に、技術的に可能な熱電気クーラの
形が大きいことおよびガイドピンへの接続ワイヤの長さ
が比較的大きいことが大きな問題となる。
本発明によれば、レーザダイオードモジュールの特性
に対する熱電気クーラの影響、特に反射現象に関連する
反射係数に及ぼすその影響を著しく低下しうる。
このために、熱電気クーラを有するレーザダイオード
モジュールは、ケーシングの内側で長い側壁と短い側壁
に平行に導電性のロッドが設けられ、このロッドはその
全長にわたりケーシングの長い側壁に電気的に接続しそ
してこのロッドの前面とベースキャリアとの間にも電気
的接続が与えられる。
このロッドは同軸伝送ラインの外側ガイドとしても用
いられ、そしてそれには関連するガイドピンにより形成
される内側ガイド用の円筒形フィードスルーが与えられ
る。
従来のレーザダイオードモジュールではケーシングの
内側のガイドピン部分の長さと数本の接続ワイヤの長さ
により比較的大きいインダクタンスが生じる。これらイ
ンダクタンスと熱電気クーラの漂遊リアクタンスの結合
によりレーザダイオードモジュールの小信号レスポンス
と反射係数を著しく劣化させる共振が生じる。本発明に
よれば熱電気クーラがあってもレーザダイオードモジュ
ールの反射係数についてのその影響は著しく小さくな
る。本発明によれば、ケーシングとレーザダイオードモ
ジュールのベースキャリアとの間のリンクのインダクタ
ンスは著しく小さくなる。これらについてはオランダ特
許出願8800140において望ましくない共振を減少あるい
はより高い周波数へとシフトさせることにより小信号レ
スポンスを改善するための有効な手段としてすでに示さ
れている。しかしながら、約1Gビット／秒より高いビッ
トレートを有する方式でレーザダイオードモジュールを
用いるときの制限因子である反射係数の問題は上記オラ
ンダ出願には全く示されていない。
本発明によるレーザダイオードモジュールの実施にお
いてはケーシングに電気的に接続する同軸伝送ラインの
ロッド状の外側ガイドの長さは、ケーシングの底とベー
スキャリアの上面との間の距離にほぼ等しく適当に選ぶ
ことが出来る。これは、その場合にはロッド状の外側ガ
イドの前面とベースキャリアとの間の電気的接続は比較
的に短くてよいからである。ロッド状外側ガイドの前面
とベースキャリアとの間のこの接続のインダクタンスは
関連する側壁に直角の方向のこのロッド状外側ガイドの
最大寸法をこの側壁とベースキャリアのその側との間の
距離より僅かに小さくしそしてそれにより生じる間隔を
比較的幅の広い接続ストリップにより結ぶことにより更
に低下させうる。
このロッド状の外側ガイドは側壁に簡単に接続しうる
ようにほぼ矩形断面を有するようにするとよい。このロ
ッド状外側ガイドのこの側壁に接続する平坦な側面の幅
は他のガイドピンへの望ましくない結合が生じないよう
に選ばれる。
〔実施例〕及び〔発明の効果〕 ビットレート565Mビット／秒の電気的データ信号の光
通信方式では第１図に平面で、そして第２図に第１図の
線II−IIにおける断面で示す、いく分簡略化した形のレ
ーザダイオードモジュールが用いられる。
このモジュールは底壁Ｂと２個の長い側壁SW1，SW2と
２個の短い側壁SW3，SW4を有する方形箱形の金属ケーシ
ングを有し、このケーシングは同じく金属でなるリッド
Ｔで閉じることが出来る。短い側壁SW3にはガラスファ
イバＦ用の管状フィードスルーFTが設けられ、その内側
チューブと外側チューブを第２図に概略的に示してあ
る。14個のガイドピン１−14が標準的なDIL側（デュア
ル−イン−ライン）に底壁Ｂを通り、ライン（１−
７）、（８−14）のピンの中心間のスペースは（0.1イ
ンチ）に、ライン（１−７）、（８−14）の中心間のス
ペースは（0.3インチ）に固定されている。少くとも１
個のピン１−14が導電性材料により底壁Ｂにそう入さ
れ、そして実際にはこれは一般にピン５と10となってい
る。残りのピン１−4,6−9,11−14は一般にガラスであ
るフィードスルー絶縁体により底壁Ｂにそう入される。
これら絶縁体はピン１−4,6−9,11−14のまわりの円で
第１図に示されている。
このモジュール更に銅の冷却ブロックCBを有し、その
底側はＬ形冷却プレートCPによりケーシングの底壁Ｂに
熱的および電気的に結合される。Ｌ形冷却プレートCPは
底壁Ｂと短い側壁SW4に熱的および電気的に接続してお
り、この側壁SW4にはこのモジュールを第１、２図には
示さないより大きい冷却体に熱的および機械的に結合す
るためのフレアFLが装着される。銅の冷却ブロックCBの
上側は板状の金属ベースキャリアBCに熱的および電気的
に接続する。
金属ベースキャリアBCはレーザダイオードLD用の第１
サブキャリアSC1を支持する。第１、２図は第１図の垂
直線に沿った断面においてＵ字形となるこのサブキャリ
アSC1の最近のデザインを示している。このＵ字形構造
はベースキャリアに電気的に接続するＬ字形の金属部材
と電気的なコンタクト面を有する電気−絶縁材料（例え
ばAl2O3）のスペーサとからなる。レーザダイオードLD
はサブキャリアSC1のＬ形金属部材の上に配置され、そ
のアノードがこの部材に電気的に接続する。レーザダイ
オードLDのカソードは接続配線によりこの絶縁スペーサ
のコンタクト面に接続し、このコンタクト面は配線によ
りピン９に接続する。
金属ベースキャリアBCはホトダイオードPD用の第２サ
ブキャリアSC2を支持する。サブキャリアSC2はホトダイ
オードPDを配線によりピン７と８に接続するための２本
のガイドトラックを有する絶縁材料（例えばAl2O3）か
らなる。ホトダイオードPDはそれがサブキャリアSC1上
のレーザダイオードLDの背面に面し、この背面からの光
ビームを捕えるようにサブキャリアSC2の側面に配置さ
れる。
更に金属ベースキャリアBCの上にガラスファイバＦの
端面がレーザダイオードLDの前面に面するようにファイ
バＦを配置するための支持体Ｓが設けてある。支持体Ｓ
にガラスファイバＦを配置する方法およびガラスファイ
バＦの端面をレーザダイオードLDの前面に結合する方法
は本発明においては重要ではなく、従ってこれ以上の説
明は省く。
レーザダイオードLDによりガラスファイバＦに与えら
れる平均光パワーは、レーザダイオードLDの背面から出
る光ビームを捕えるホトダイオードPDにより周知のよう
にモニタし安定化出来る。このモニタと安定化のための
電気回路は周知であると共に本発明においては重要でな
いので詳細は省く。しかしながら、これら電気回路素子
を第１、２図のレーザダイオードモジュールのガイドピ
ン１−14に接続する方法は重要である。実際にはこのモ
ジュールは印刷回路板の一方の側に配置され、この回路
板から出るガイドピン１−14は回路板の他方の側のガイ
ドトラックに接続され、そしてこれがこのモジュールに
接続されるべき回路素子に接続する。印刷回路板上のガ
イドピン１−14の接続点はこれらピンと同じ標準DIL順
序を有することになる。
このレーザダイオードモジュールが565Mビット／秒を
越えるビットレートの光通信方式に用いられる場合に
は、ビットレートが約1Gビット／秒となるとレーザダイ
オードLDではなく、このレーザダイオードモジュール全
体が性能についての抑制因子を形成することは明らかで
ある。これはこのモジュールの熱的および機械的特性の
みならず高い周波数での電気的特性にも注意しなければ
ならないことを意味する。
高いビットレートでの性能の劣化の原因についての多
くの検査により、本出願人はレーザダイオードモジュー
ル自体の高周波電気動作がこのモジュールをいわゆる自
由環境に配置する、すなわち第１図のレーザダイオード
モジュールを印刷回路板の一方の側に配置し、他方の側
にはレーザダイオードLD自体の電気的接続用のガイドト
ラックのみを配置することにより決定出来るとの結論を
得た。第３図はモジュールの底壁Ｂに接続したピン5210
を接続するためのガイドトラックGT1とGT2およびレーザ
ダイオードLDのカソードに接続したピン９を接続するた
めのガイドトラックMTを有するこの特殊な印刷回路板の
平面図である。第３図に点線で示すのはこのモジュール
をこの印刷回路板の底面に装着する方法を示すが、比較
的大きい冷却体にこのモジュールのフレアFLを熱的およ
び機械的に結合する方法は示していない。また第３図に
はガイドトラックGT1とGT2のモジュールの底壁Ｂの近辺
を除きこの回路板の底側をカバーする導電層へのフィー
ドスルー用の接続点が示されているが、この層自体は示
していない。第３図においてガイドトラックMTは底壁の
導電層と共に特性インピーダンス50Ωのマイクロストリ
ップラインを形成する。このレーザダイオードモジュー
ルとこのマイクロストリップラインとの間の合理的カッ
プリングを得るために、第３図の印刷回路板は表面装着
用のいわゆるチップ抵抗CSを有し、それによりガイドト
ラックMTがこのモジュールのピン９用の接続点に接続さ
れる。
第３図の印刷回路板を測定構成に接続する方法は周知
であるからここでは省く。しかしながら、ここではレー
ザ駆動回路が第３図のマイクロストリップラインに接続
しそしてこのレーザ駆動回路の出力インピーダンスをこ
の接続点における信号の反射を避けるようにマイクロス
トリップラインの特性インピーダンスに整合させるため
の目安を得ることについて考える。
上述の印刷回路板により、第１、２図のレーザダイオ
ードモジュールの反射係数の絶対値|R|を測定する。こ
の測定に用いられるレーザダイオードLDは1.3μmDCPBH
（ダブルチャンネルプラナ埋込みヘテロ構造）ファブリ
ーペロー形レーザである。一定の設定電流がこのレーザ
ダイオードLDに与えられ、それに比較的振幅の小さい交
流電流が重畳される。この交番電流の周波数は10MHzか
ら50GHzまでの広い範囲で変えられる。
第３図のマイクロストリップラインにおける損失は実
際上全体として無視しうるから、レーザダイオードモジ
ュールの反射係数Ｒの絶対値|R|はレーザ駆動回路にお
けるマイクロストリップラインの接続点での反射係数R1
の絶対値｜R1｜に等しい。この接続点において、レーザ
ダイオードモジュールの方向における反射係数R1の絶対
値｜R1｜は回路分析器で測定される。
第４図の周波数特性において、このモジュールの反射
係数の測定された絶対値|R|が設定電流70mAの上述のレ
ーザダイオードおよび、マイクロストリップラインと特
性インピーダンス50Ωの整合用の抵抗CSの値44Ωについ
て周波数ｆ（GHz）に対してプロットされている。
第４図は反射係数|R|は周波数1GHzにおいてすでに値
0.5を有し、1.25GHzで0.65であることを示す。ビットレ
ート１〜1.25Gビット／秒においては入力信号のかなり
の反射がすでにレーザダイオードモジュール上の伝送ラ
インへの接続点に生じる。
この変化の原因は反射係数Ｒの絶対値|R|の測定中に
用いられたいわゆる自由環境でのレーザダイオードモジ
ュールの等価回路で説明出来る。この等価回路を第５図
に示しており、その構造を次に述べる。
ピン９から第１サブキャリアSC1への接続ラインは３
つの部分直列接続からなり、すなわちケーシングの外側
にあってインダクタンスLe9を有するピン９の部分、ケ
ーシングの内側にあってインダクタンスLi9を有するピ
ン９の部分、およびインダクタンスLb9を有するピン９
とサブキャリアSC1の絶縁スペーサの上側のコンタクト
面との間の接続ワイヤの直列接続である。ピン９はイン
ダクタンスLe9，Li9、および底壁Ｂの接続点間に容量Ct
9を形成するフィードスルー絶縁体によりこのケーシン
グの底壁Ｂを通る。底壁Ｂはピン５と10に接続する。第
５図ではインダクタンスLe5を有するピン５の一部が例
示されている。更に、底壁Ｂは銅の冷却ブロックCBによ
りベースキャリアBCに接続される。この冷却ブロックCB
のコンダクタンスLCBは非常に小さい。
ベースキャリアBCは比較的高い周波数においても無視
しうる小さいインピーダンスを有しそして第５図に実線
で示すような導体と考えることも出来る。第１サブキャ
リアSC1に置かれたレーザダイオードLDはまずコンデン
サCLと抵抗RLの並列回路とみることが出来、第５図のこ
の並列構成の一端がラインBCに接続される。これはレー
ザダイオードLDのアノードとベースキャリアBCの間のサ
ブキャリアSC1の金属部分を介しての導電接続のインピ
ーダンスが比較的高い周波数においても無視しうるため
である。レーザダイオードLDのカソードとサブキャリア
SC1の絶縁スペーサの上側のコンタクト面との間の接続
ワイヤはインダクタンスLbLを形成しており、このコン
タクト面とサブキャリアSC1の金属部分の間のこの絶縁
スペーサはインダクタンスLbLとLb9の接続点とベースキ
ャリアBCとの間に容量CSを形成する。
第５図の回路素子の値は下の表に示す。これら値は前
述の自由環境内のモジュールの計算そしてまたはインピ
ーダンス測定により得られたものである。
Le5，Le9 1nH Li9 3nH Lb9 2nH LbL 0.8nH Ct9 0.6pF CS 0.2pF CL 5pF RL ６Ω LCB 1.5nH 特に第４図の反射係数の絶対値|R|の周波数特性はイ
ンダクタンスLe5，LCB，Le9，Li9，Lb9およびLbLに関係
する。低い周波数ではこれらのインダクタンスは極めて
小さいから反射係数には影響しない。44Ωのチップ抵抗
CSの値および６Ωのレーザダイオードのインピーダンス
は50Ωの特性インピーダンスを有するマイクロストリッ
プラインの形の伝送線へのレーザダイオードモジュール
の良好な結合を与える。反射係数はこのとき実質的に０
になる。高い周波数では上記のインダクタンスに対応す
るインピーダンスは増加し、そのためレーザダイオード
モジュールおよびそれとレーザ駆動回路間のマイクロス
トリップラインのインピーダンスが互いに整合しない。
このときレーザダイオードモジュールとマイクロストリ
ップライン間の反射が生じ信号歪みが生じる。これによ
りレーザダイオードモジュールが用いられる周波数範囲
の制限が生じる。
周波数が低いと反射係数Ｒの絶対値|R|の特性はωＬ
に近づく。但しω＝２πｆでありＬはレーザダイオード
モジュール内の信号路の総合インダクタンスである。第
４図の反射係数Ｒの絶対値|R|が約0.95の最大値になっ
た後に再び約0.1に減少するということは第３図のチッ
プ抵抗CSがマイクロストリップラインの短い部分により
ピン９に接続するということから説明出来る。この部分
はガイドトラックMTの小さい部分と第３図のプレートの
底辺上の導電層とにより形成される。モジュールの方向
におけるマイクロストリップラインのこの短い部分の入
力インピーダンスは入来信号の波長λによりきまる。こ
の短い部分の長さが０あるいはλ/2の倍数であればこの
部分の入力インピーダンスは０となる。しかしながらそ
の長さが4/4であるかまたはそれにλ/2を加えたもので
ある場合にはその部分の入力インピーダンスは非常に大
きな値となる。マイクロストリップラインのこの入力イ
ンピーダンスに周知のごとくに関係する反射係数Ｒの絶
対値|R|はそのラインの上記短い部分の長さが０からλ/
4に増大すると０から約１になり、そしてその長さがλ/
4からλ/2に増加すとる再び約０になる。このプロセス
はλ/2の周期的な長さ毎にくり返される。
本発明によれば、反射係数は外側ガイドを導電ライン
によりレーザダイオードに接続するピン（ピン９）のま
わりでケーシングの内側に装着し、この外側ガイドをケ
ーシングに接続し同軸伝送ラインをつくることにより減
少する。外側ガイドの内径と内側ガイド（ピン９）の外
径の比を両ガイド間の媒体の誘電定数を与えられたとき
適当に選ぶことにより、この同軸伝送ラインの特性イン
ピーダンスをレーザ駆動回路とレーザダイオードモジュ
ールとの間のマイクロストリップラインのそれに整合さ
せることが出来る。従って僅かに変更したこのモジュー
ルは現存するレーザダイオードモジュールで達成しうる
よりも著しく高いビットレートを有するシステムに用い
るに適している。
本発明のレーザダイオードモジュールの一実施例を第
６、７図に示しており、第６図は概略的平面図、第７図
は第６図の線VII−VIIにおける断面図である。第１、
２、３、６、７図における対応する要素は同一の参照数
字で示してある。
第７図に示すように、ピン９は同軸伝送ラインの内側
ガイドを形成し、その外側ガイドは導電ウェルをつくる
材料からなるブロックCBLで形成されており、ピン９を
囲むために円筒形のフィードスルーが設けてある。ブロ
ックCBLは平らな側面を有し、この面が全面でモジュー
ルのケーシングの側壁SW2に導電接続しそして更に第６
図に概略的に示すように接地ピン10により底壁Ｂにも接
続する。このフィードスルーの内径はこの同軸伝送ライ
ンの特性インピーダンスが外部のマイクロストリップラ
インのそれに等しく、この例では50Ωとなるように選ば
れる。ケーシングの内側に配置された元のチップ抵抗CS
はピン９の端部とレーザダイオードLDの間の接続ライン
内でケーシングの内側に配置される。第６、７図におい
てこの抵抗CSは絶縁材料からなる中間回路を置いてブロ
ックCBLの上面上に配置され、その上にピン９とレーザ
ダイオードLDに抵抗CSを接続するためのコンタクト面が
配置されており、この接続はベースキャリアBCの絶縁ス
ペーサ上のコンタクト面にそしてそこからレーザダイオ
ードLDへの接続ラインにより行われる。実際にはこのチ
ップ抵抗CSはブロックCBLのこの上面上にセラミックの
薄いシートをつくりこのシートの上側にプラナ抵抗を与
えることによりつくられる。
第６図の導電ブロックCBLはそれから側壁SW2までの距
離が側壁SW2とベースキャリアBCのそれに対面する側と
の間の距離より僅かに小さくなるようにして実現されて
いる。ピン９用のフィードスルーとそれに隣接する抵抗
CSからなる中間部分の上面はサブキャリアSC1の絶縁ス
ペーサの上面と同じ高さとされ、この中間部分の２つの
側のいずれか一方の上の上面はベースキャリアBCの上面
と同じレベルとされる。これらの目安によりピン９の端
部と抵抗CSの間および抵抗CSとサブキャリアSC1の絶縁
スペーサ上のコンタクト面との間に比較的短い電気接続
を用いることが可能になり、これら接続ラインはインダ
クタンスを最少とするように比較的幅の広いストリップ
として配置するとよい。これは中間部分の２辺のいずれ
か一方の上のブロックCBLの上面とベースキャリアBCの
間を結ぶ接続についても同様であり、この接続は第６図
では４個の比較的幅の広い接続ストリップにより行われ
ている。
チップ抵抗CSの値は約44Ωであり、比較的広い周波数
範囲についてチップ抵抗CS、レーザダイオードLDおよび
接続ラインのインピーダンスの和はこの同軸伝送ライン
の特性インピーダンスに等しい。この同軸伝送ラインは
レーザ駆動回路とレーザダイオードモジュールの間の外
部マイクロストリップラインにインダクタンスLe9によ
り直接に接続する。
第６、７図に示すようにこの同軸伝送ラインの外側ガ
イドはケーシングの長い側壁SW2に全面で導電接続する
平らな側面を有する導電ブロックCBLの形をとる。この
ブロックCBLが側壁SW2に接続していないとブロックCBL
と側壁SW2の間に小さい漂遊容量が生じる。しかしなが
らこの容量は非常に高い周波数においてのみ作用しはじ
めるものであり、それ故この現象はあまり重要ではな
い。かくして導電ブロックCBLを側壁SW2に接続して本発
明のモジュールの適正動作を得るようにすることは不要
である。
このように変更されたレーザダイオードの等価回路は
第３図のような自由環境にあるモジュールについては第
５図のものとなるが、抵抗CSがインダクタンスLi9とLb9
に直列となり、これらインダクタンスがピン９とサブキ
ャリアSC1の絶縁スペーサのコンタクト面との間の抵抗C
Sを介しての接続ラインの総合インダクタンスとなる。
上記の目安を用いるとインダクタンスLi9は実質的に除
去され、インダクタンスLb9は著しく小さくなる。第
１、２図に示す元のモジュールにおけるインダクタンス
Li9とLb9の和は5nHであり、第６、７図の変更されたモ
ジュールでのインダクタンスLb9は約1nHであり、それ
故、反射係数の絶対値|R|は1.25GHzよりかなり高い周波
数となるまで0.65にはならない。
第８図の周波数特性は第４図と同様に、第１、２図に
示すレーザダイオードに適用された同じ自由環境条件下
での第６、７図のレーザダイオードモジュールの反射係
数の絶対値|R|を示しておりそれ故本発明の目安の効果
が明瞭に示されている。第８図は予想されたように広い
周波数範囲にわたり反射係数の絶対値|R|が第４図のレ
ーザダイオードモジュールにおけるよりもかなり小さく
なることを示している。例えば第４図において、反射係
数Ｒの絶対値|R|は最大値が0.95であるが、第８図では|
R|の最大値は0.65である。第８図の反射係数の絶対値は
周波数が約4.0GHzになるまで0.65にはならず、第４図の
それは1.25GHzで|R|＝0.65となる。
第９図は本発明のレーザダイオードモジュールの第二
の実施例を示す。第６、９図の対応する要素は同じ参照
数字で示してある。
第６、９図におけるようにピン９は同軸伝送線の内側
ガイドを形成し、その外側ガイドはピン９の周辺に装着
された導電ブロックCBLで形成される。第６図の実施例
と異なり、第９図のブロックCBLの寸法は非常に小さ
く、ブロックCBLとピン10の間にはコンタクトがない。
チップ抵抗CSはブロックCBLの上にではなくサブキャリ
アSC1の絶縁スペーサ（第６図より寸法の小さい）の上
面に配置されている。この上面は抵抗CSのいずれかの側
にコンタクト面を有しており、その内の一つのコンタク
ト面が接続ラインによりレーザダイオードLDに接続し、
他方のコンタクト面はマイクロストリップラインの幅の
狭いストリップガイドにより同軸伝送ラインの内側ガイ
ド（ピン９）に接続する。第９図は絶縁スペーサを別と
してこのサブキャリアSC1の金属部分をいかにして同軸
伝送ラインの外側ガイド（ブロックCBL）に接続するか
については示していない。これら目安により、レーザダ
イオードモジュール内の信号路の総合インダクタンスは
第６、７図のレーザダイオードモジュールにおけるより
も小さい。その結果、この実施例による反射係数の周波
数特性は第８図の場合よりも小さくなる。
第９図の実施例によるレーザダイオードモジュールで
はチップ抵抗CSは熱伝導の観点からみて、第６、７図の
実施例の場合よりもケーシングから離れて設けられる。
第９図のモジュールにおけるチップ抵抗CSに発生する熱
の散逸はレーザダイオードLD用のサブキャリアSC1によ
り行われる。これにより、熱が充分に速やかに消散され
ないとレーザダイオードLDを高温として損傷させること
になるために一つの問題が生じる。
第１−９図の説明は熱電気クーラを有さないレーザダ
イオードモジュールに関している。モジュールのこの必
要な冷却はケーシング内に比較的大形の冷却ブロックCB
を用いそしてモジュールの外側に設けたより大きな冷却
体にフレアFLを接続することにより得られた。しかしな
がら、レーザダイオードLDの温度の安定性について強い
要求がある場合にはケーシングの内側に熱電気クーラを
有するレーザダイオードモジュールを用いるとよい。第
10、11図はそのような積極的な冷却要素を有するレーザ
ダイオードモジュールについての実施例を示すものであ
って第10図は平面で、第11図は第10図の線XI−XIにおけ
る断面でそれを示している。第１、２、10、11図におけ
る対応要素は同じ参照数字で示してある。
この実施例における熱電気クーラTECは熱伝導性が高
く電気的には絶縁性であるセラミック材料からなる底プ
レートP1と上プレートP2を有するペルチェクーラにより
形成される。これらプレートP1．P2間にはロッド形の半
導体エレメントがそう入されてｐ−ｎ接合として動作し
そしてプレートP1の上側とピレートP2の下側のガイドト
ラックにより直列に接続される。この直列のｐ−ｎ接合
接続は第10図にはモジュールの他の接続ワイヤとして実
線で示す接続ワイヤによりピン１と14の間に接続する。
プレートP1の下側は熱電気クーラTECの熱的なコンタク
ト面を形成し、TECはＬ字形の冷却プレートCPによりケ
ーシングの底Ｂに熱伝導結合しており、冷却プレートCP
はケーシングの底Ｂと短い側壁SW4とに熱伝導結合す
る。その上にフレアFLが設けられて第10、11図には示さ
ない、より大型の冷却体に機械的及び熱的にモジュール
を結合させている。同様にプレートP2の上側は金属板状
のベースキャリアBCに熱伝導接続する熱的なコンタクト
面を形成する。
ベースキャリアBCは更にそれに熱的に結合するサーミ
スタTHを載置している。サーミスタTHの一端は接続ワイ
ヤによりピン12に接続し、他端はベースキャリアBCに接
続する。
ベースキャリアBC自体は接続ワイヤによりピン５に接
続する。ピン５はケーシングの底Ｂに接続しそしてピン
10についても同様であるからピン11は接続ワイヤにより
ピン10と11を相互に接続することによりサーミスタTHの
他端を接続するために使用出来る。
以上から、レーザダイオードLDとサーミスタTHは共に
ペルチェクーラTECの底プレートP2に適正に熱的に結合
しており、その結果、レーザダイオードLDの温度を従来
のようにモニタし安定化することが出来る。
第３図におけるように、第10、11図のレーザダイオー
ドモジュールの反射係数は周波数の関数であり、そのモ
ジュールのガイドピン１−14は標準形のDIL構成とされ
る。この反射係数の絶対値|R|を第12図に示す。第12図
から、絶対値|R|はｆ＝1.25GHzとｆ＝1.95GHzのところ
で谷を有することがわかる。また、反射係数が0.9GHzで
|R|＝0.97の最大値となり、0.5GHzで|R|＝0.5となるこ
とも明らかである。
反射係数|R|の周波数特性におけるこれら２つの谷の
原因はこの反射係数の測定に用いられるいわゆる自由環
境におけるレーザダイオードモジュールの等価回路によ
り説明出来る。その等価回路を第13図に示す。これは第
５図に示す回路と同様の多数の素子を有し、第５、13図
の対応する素子は同じ参照数字で示してある。
ピン５と９から第１サブキャリアSC1への接続ライン
はインダクタンスを形成する３個の部分、すなわちケー
シングの外に配置されて夫々インダクタンスLe5とLe9を
有するピン５と９の部分、ケーシングの内側にあって夫
々インダクタンスLi5とLi9を有するピン５と９の部分、
およびピン５とベースキャリアBCの間に接続してインダ
クタンスLb5を有する接続ワイヤ、およびピン９とサブ
キャリアSC1の絶縁スペーサの上側にある電気的なコン
タクト面との間を接続するインダクタンスLb9を有する
接続ワイヤ、の直列接続からなる。ピン５は、比較的高
い周波数でも無視しうる程度に小さいインピーダンスを
有する導体と考えることが出来ると共に第５図にはイン
ダクタンスLe5とLi5の接続点に接続する実線で示されて
いるケーシングの底Ｂに導電的に接続する。またピン９
はインダクタンスLe9とLi9の接続点と底Ｂとの間に容量
Ct9を形成するフィードスルー絶縁体により底Ｂを通り
給電される。
ベースキャリアBCとケーシングの底Ｂとの間に配置さ
れるペルチェクーラTECのインピーダンスはコンデンサC
p1、抵抗RpおよびコンデンサCp2の直列接続で良く近似
出来る。ペルチェクーラTECからピン１と14への接続ラ
インはインダクタンスを形成する２つの部分、すなわち
ペルチェクーラTECとピン１と14の接続点間を接続する
と共に抵抗Rp（ペルチェクーラTECにおける直列接続し
たｐ−ｎ接合の抵抗を表わす）の両端に接続するインダ
クタンスLb1とLb14を夫々有する接続ワイヤ、並びに夫
々ケーシング内にあってインダクタンスLi1とLi14を有
するピン１と14の部分、の直列接続からなる。ケーシン
グの外側のこれらピンの部分は自由環境にあるピン１と
14は印刷回路板のガイドトラックに接続しない（第３図
と比較され度い）からこの点に関しては無効である。ま
た、ピン１と14についての底Ｂのフィードスルー絶縁体
は底ＢとインダクタンスLi1とLb1及びLi14とLb19の夫々
の直列接続の両端との間に夫々容量Ct19とCt14を形成す
るから有効である。
第13図の回路素子の値を下表に示す。これら値は前述
の自由環境内でのモジュールの計算そしてまたはインピ
ーダンス測定から得られる。
Le5，Le9 1nH Li5，Li9；Li1．Li14 3nH Lb5，Lb9 2nH Lb1，Lb14 10nH LbL 0.8nH Ct9，Ct14，Ct1 0.6pF CS 0.2pF CL 5pF RL 6Ω Cp1，Cp2 7.6pF Rp 0.3Ω 第12図における反射係数の絶対値|R|の２つの鋭い谷
部は第13図の回路の共振現象に関連する。第１の谷はイ
ンダクタンスLi5，Lb5と容量Cp1，Cp2の間の並列共振に
関連し、第２の谷はインダクタンスLb1，Li1と容量Ct1
の間およびインダクタンスLb14，Li14と容量Ct14の間の
直列共振現象の組合せに関連しており、容量Cp1を夫々
の直列接続（Lb14，Li14，Ct14）と（Lb1，Li1，Ct1）
に並列とするものである。第１回路の並列共振は約1.5G
Hzで生じ、第２回路の直列共振は約1.9GHzで生じる。こ
れら共振回路はそれらの共振周波数を越える周波数では
容量的に作用する。従って、これら共振回路の一方がピ
ン９のインダクタンスと共にその共振周波数を越える周
波数で直列共振を生じさせる。第12図から、これら直列
共振周波数は夫々1.25GHzと1.95GHzであることは明らか
である。
更に、実際の環境（ピン5,9,10に加えて残りのピン１
−4,6−8,11−14が印刷回路板上のガイドトラックに接
続する）下でのレーザダイオードモジュールの場合に
も、第３図に示す自由環境下でのレーザダイオードモジ
ュールから第５、13図の等価回路を導くと同じように等
価回路を導くことが出来ることは明らかである。また、
この実際の場合に反射係数の絶対値|R|の周波数特性が
第12図の谷よりも著しく深い谷を示すこと、およびそれ
ら谷もその等価回路における共振現象に関連し、熱電気
クーラTECの漂遊リアクタンスが作用しつづけることも
明らかである。
要約すると、反射係数の絶対値|R|はレーザダイオー
ドモジュールのインピーダンスを、レーザ駆動回路とレ
ーザダイオードモジュールとの間の外部マイクロストリ
ップラインの特性インピーダンスに合せることによりそ
してレーザダイオードモジュール内の熱電気クーラTEC
の存在に関連した共振現象により決定される。
本発明によれば、反射係数はケーシング内のピン９の
まわりにケーシングに接続する外側導体を設けて同軸伝
送ラインをつくり内側導体（ピン９）の外径に対する外
側導体の内径の比をその同軸ラインの特性インピーダン
スがレーザ駆動回路とレーザダイオードモジュールとの
間の外部マイクロストリップラインのそれに等しくなる
ように選ぶことにより低下する。同時に、反射係数に対
するクーラTECの影響はレーザダイオードモジュールの
ケーシングを僅かに変えることで著しく低下させること
が出来る。上記の点を用いることにより、この僅かに変
えられたモジュールは従来のモジュールで達成しうるよ
りも著しく高いビットレートを有するシステムで使用す
るに適したものである。
第14、15図は本発明のレーザダイオードモジュールの
実施例であり、第14図はその平面図、第15図は第14図の
線XV−XVにおける断面図である。第６、７、10、11、1
4、15図における対応素子は同じ参照記号で示してあ
る。
第15図のピン９とブロックCBLは第６、７図と同様に
配置される。第６、７図について述べたように、レーザ
駆動回路とレーザダイオートモジュールとの間の外部マ
イクロストリップラインの特性インピーダンスに等しい
特性インピーダンスを有する同軸伝送ラインがつくられ
る。
第６図に示すように、ベースキャリアBCとブロックCB
Lの中間部分の２つの辺のいずれか一方の上面との間を
つなぐ４個の比較的広い接続ストリップが第14図に示さ
れており、従ってベースキャリアBCとブロックCBLの間
の接続のインダクタンスは最少となっている。
このように変更された第14図のレーザダイオードモジ
ュールの等価回路は第３図の自由環境下でのモジュール
の場合の第13図に示す回路に対応するが、２つの相異点
がある。第１は、抵抗CSがインダクタンスLi9とLb9に直
列となり、Lb9がピン９と抵抗CSを介してのサブキャリ
アSC1の絶縁スペーサ上のコンタクト面との間の接続の
総合インダクタンスとなっていることである。次に、第
14図の場合のインダクタンスLe5、Li5，Lb5は導電ブロ
ックCBLとそれをベースキャリアBCに接続する４個のス
トリップにより形成される、ケーシング外のピン10の部
分およびケーシング内のそのピンの部分のインダクタン
スを表すことである。
前記の目安を第14図に入れることにより、第13図のイ
ンダクタンスLi9とLi5はなくなり、インダクタンスLb9
とLb5は著しく減少する。その結果、インダクタンスL
i5，Lb5と漂遊容量Cp1，Cp2による共振とインダクタン
スLb1，Li1，Li14，Lb14と容量Ct1，Ct14，Cp1による共
振は1.25GHzと1.95GHzよりも著しく高い周波数へとシフ
トする。外部マイクロストリップラインの特性インピー
ダンスに対するレーザダイオードモジュールの入力イン
ピーダンスの整合も著しく改善される。
更に、第14図の実用的なレーザダイオードモジュール
については、第14図においてベースキャリアBCと導電ブ
ロックCBLの中間部分の２つの側の一方の上面との間が
比較的広い接続ストリップで結ばれるために第13図のイ
ンダクタンスLb5が極めて小さくなる。このためにはベ
ースキャリアBCとケーシングの側壁SW1，SW2の間のこれ
ら接続ストリップによる望ましくない熱的結合をつくら
ないようにこの接続ストリップの厚さをあまり大きく選
ばないようにするとよい。
第16図の周波数特性は第12図と同様に、この実施例の
効果を明らかにするために第10、11図のレーザダイオー
ドモジュールに与えられたと同じ自由環境条件において
の第14、15図のレーザダイオードモジュールの反射係数
の絶対値|R|を示している。前述したところから明らか
なように、第16図のインダクタンスLi5，Lb5と熱電気ク
ーラTECの漂遊容量Cp1，Cp2との間の並列共振に関連し
た反射係数の絶対値|R|における急激な谷は第12図のｆ
＝1.25GHzよりかなり高いｆ＝3.15GHzで生じる。更にこ
の谷は第12図の場合程深くない。クーラTECへの接続ラ
インのインダクタンスLb1，Li1，Lb14、Li14と底Ｂのフ
ィードスルー絶縁体の容量Ct1とCt14との間の直列共振
現象に関連する第12図の特性ラインにおける第２の急な
谷は第16図では4.3GHzで生じる。この第２の谷も第12図
のそれより浅い。
第16図の特性ラインから、実用化実施例における第1
0、11図のレーザダイオードモジュールについてさえ、
熱電気クーラの漂遊リアクタンスとモジュールのケーシ
ング内の数本の接続ラインの比較的大きいインダクタン
スとの間の結合による望ましくない共振は著しく高い周
波数側にシフトするかあるいは第14、15図の例により、
実用上それらが無効となる程度に減少されると結論する
ことが出来る。
第16図から、反射係数の絶対値|R|は4.7GHzで最大値
0.65となり、3.7GHzで0.5となることは明らかである。
第16図と第12図の周波数特性の比較により、入力信号の
望ましくない反射は本発明のレーザダイオードモジュー
ルを用いれば著しく高いビットレートでのみ生じること
が明らかである。
第17図の周波数特性においては絶対値|R|はレーザダ
イオードモジュールが第14図におけるごとくに熱電気ク
ーラTEC、サーミスタTHおよびそれらのピン1,14,11への
接続ラインからなる点を除き、第９図のレーザダイオー
ドモジュールについての周波数に対してプロットされて
いる。
第９図の説明と同様に、第14、15図のレーザダイオー
ドモジュールと比較して改善された反射係数特性がピン
９とレーザダイオードLDとの間の接続ラインのインダク
タンスが減少したことにより得られる。しかしながら、
同じく第９図におけるように、チップ抵抗CSで発生した
熱の消散により一つの問題が生じることに注意すべきで
ある。
更に、約3GHz以上の周波数ではレーザダイオードは第
５、13図の等価回路に用いられたようなコンデンサと抵
抗の並列回路による極めて単純なモデルにより充分正確
に表わすことが出来なくなる点に注意され度い。しかし
ながら、以上の説明は第５、13図の等価回路がレーザダ
イオードモジュール全体の高周波電気特性を正確に表わ
すために特に適した構造を有することを示すものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の熱電気クーラを有さないレーザダイオー
ドモジュールの平面図、第２図は第１図の線II−IIにお
ける断面図、第３図は第１図のレーザダイオードモジュ
ールの高周波電気特性を測定するために用いる特定の印
刷配線回路の平面図、第４図は第１図のレーザダイオー
ドモジュールの反射係数の絶対値を示す周波数特性、第
５図は第１図のレーザダイオードモジュールの等価回
路、第６図は本発明の熱電気クーラを有さないレーザダ
イオードモジュールの一実施例の平面図、第７図は第６
図の線VII−VIIにおける断面図、第８図は第６図のレー
ザダイオードモジュールの反射係数の絶対値を示す周波
数特性、第９図は本発明の熱電気クーラを有さないレー
ザダイオードモジュールの第二実施例の平面図、第10図
は従来の熱電気クーラを有するレーザダイオードモジュ
ールの平面図、第11図は第10図の線XI−XIにおける断面
図、第12図は第10図のレーザダイオードモジュールの反
射係数の絶対値を示す周波数特性、第13図は第10図のレ
ーザダイオードモジュールの等価回路、第14図は本発明
の熱電気クーラを有するレーザダイオードモジュールの
一実施例の平面図、第15図は第14図の線XV−XVにおける
断面図、第16図は第14図のレーザダイオードモジュール
の反射係数の絶対値を示す周波数特性、第17図は本発明
の熱電気クーラを有するレーザダイオードモジュールの
第二実施例の反射係数の絶対値を示す周波数特性であ
る。 １−14…ピン、SW1，SW2…ケーシングの長い側壁、Ｂ…
ケーシングの底壁、SW3，SW4…ケーシングの短い側壁、
FT…フィードスルー、Ｆ…ガラスファイバ、CB…冷却ブ
ロック、CP…冷却プレート、FL…フレア、BC…ベースキ
ャリア、LD…レーザダイオード、SC1…第１サブキャリ
ア、SC2…第２サブキャリア、PD…ホトダイオード、GT,
GZ,MT…ガイドトラック、CS…チップ抵抗、Ｒ…反射係
数。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コック、ヒンドリクス、ゲラルドウス オランダ国アインドーフェン、フルーネ ヴァウツウェッハ、１ (56)参考文献 特開 昭64−10685（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−157173（ＪＰ，Ｕ) 特表 昭63−501187（ＪＰ，Ａ) 米国特許4309717（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】−２個の長い側壁、一方にガラスファイバ
    用の管状通路が設けられた２個の短い側壁および、少く
    とも１本のガイドピンが導電材料を介してそう入され、
    残りのガイドピンがフィードスルー絶縁体によりそう入
    されるごとくに少くとも６本のガイドピンを標準化され
    たDIL配置で通す１個の底壁を有する、矩形の箱形金属
    ケーシングと、 −上記ケーシングとの間に導電性カップリングを有し、
    レーザダイオードを装着した第１サブキャリアと、上記
    ガラスファイバをその端部がこのレーザダイオードの前
    面に面するように装着する支持体とホトダイオードを装
    着した第２サブキャリアとを載置した板状の金属ベース
    キャリアと、 −上記レーザダイオードと上記ホトダイオードと上記金
    属ベースキャリアを夫々のガイドピンに電気的に接続す
    るための接続ラインと、 から成り、上記フィードスルー絶縁体により上記底壁に
    そう入された上記レーザダイオードに接続されるガイド
    ピンは、ケーシングと電気的に接続している外側ガイド
    を有する同軸伝送ラインの内側ガイドを、上記ケーシン
    グの内側のみに且つほぼケーシングの内側全長にわたっ
    て形作るものであり、上記内側ガイドと上記レーザダイ
    オードの間の上記接続ラインに上記レーザダイオードの
    抵抗との和が上記同軸伝送ラインの特性インピーダンス
    にほぼ等しくなるような値をもつ抵抗がそう入されてい
    ることを特徴とするレーザダイオードモジュール。
  2. 【請求項２】前記外側導体は前記ケーシングの関連する
    前記長い側壁に全面で電気的に接続する少くとも１個の
    平坦な側面を有することを特徴とする請求項１記載のレ
    ーザダイオードモジュール。
  3. 【請求項３】一方が前記ケーシングの底壁に熱伝導結合
    し他方が前記ベースキャリアに熱伝導結合する２個の熱
    的コンタクト面を有する熱電気クーラを更に含み、上記
    ベースキャリアの上にそれに熱的に結合するサーミスタ
    が配置されており、このサーミスタとこの熱電気クーラ
    を夫々のガイドピンに電気的に接続する接続ラインを更
    に含み、上記ケーシング内に上記長い側壁と短い側壁と
    に平行に導電材料からなるロッドが設けられ、このロッ
    ドはその全長にわたり上記ケーシングの一方の長い側壁
    に電気的に接続し、上記ロッドの上面とベースキャリア
    の間に電気的カップリングが与えられていることを特徴
    とする請求項１または２記載のレーザダイオードモジュ
    ール。
  4. 【請求項４】前記同軸伝送ラインの外側ガイドは前記内
    側ガイド用の円筒形フィードスルーを有するロッドによ
    り形成され、上記ロッドの前面は前記ベースキャリアに
    電気的に接続されることを特徴とする請求項２または３
    記載のレーザダイオードモジュール。
  5. 【請求項５】前記ベースキャリアの上に、１個以上の導
    電性コンタクト面をその上側に有する絶縁スペーサが配
    置され、前記抵抗が２個の導電コンタクト面間の上記ス
    ペーサの上側に配置されることを特徴とする請求項１乃
    至４の１に記載のレーザダイオードモジュール。
  6. 【請求項６】前記抵抗は前記同軸伝送ラインの前記外側
    ガイドの前面上に、その間に絶縁材料をそう入して配置
    されることを特徴とする請求項１乃至４の１に記載のレ
    ーザダイオードモジュール。
  7. 【請求項７】前記ロッドの前記前面を前記ベースキャリ
    アに、そして前記抵抗を前記内側ガイド並びに前記レー
    ザダイオードに接続する前記夫々の導電接続の内の少く
    とも１個が比較的幅の広い接続ストリップの形をとるこ
    とを特徴とする請求項３乃至６の１に記載のレーザダイ
    オードモジュール。
  8. 【請求項８】前記ロッドの長さは前記ケーシングの底壁
    と前記ベースキャリアの上面との間の距離にほぼ等しい
    ことを特徴とする請求項３乃至７の１に記載のレーザダ
    イオードモジュール。
  9. 【請求項９】前記ケーシングの関連する長い側壁に直角
    の方向における最大ロッド寸法は上記側壁と前記ベース
    キャリアの前記面側との間の距離より小さく且つそれに
    ほぼ等しいことを特徴とする請求項３乃至８の１に記載
    のレーザダイオードモジュール。
  10. 【請求項１０】２個の長い側壁と、一方にガラスファイ
    バ用の管状フィードスルーが設けられた２個の短い側
    壁、および少くとも１本が導電材料を介してそう入され
    残りのガイドピンがフィードスルー絶縁体によりそう入
    されるごとくして少くとも６本のガイドピンを標準化さ
    れたDIL配置で通す１個の底壁を有し、レーザダイオー
    ドに接続するために上記フィードスルー絶縁体を介して
    上記底壁にそう入される上記ガイドピンは、ケーシング
    の内部のみに且つケーシング内の全長にわたりケーシン
    グ内に置かれた同軸伝送ラインの内側ガイドをなすもの
    であり、その同軸伝送ラインにおける外側ガイドは上記
    ケーシングに電気的に接続されていることを特徴とす
    る、請求項１乃至９の１に記載するレーザダイオードモ
    ジュールに用いるに適した矩形の箱形金属ケーシング。
  11. 【請求項１１】前記同軸伝送ラインの外側ガイドが前記
    ケーシングの関連する長い側壁に全面で電気的に接続す
    る少くとも１個の平坦な側面を有することを特徴とする
    請求項10記載のケーシング。
  12. 【請求項１２】前記同軸伝送ラインの外側ガイドは前記
    内側ガイド用の円筒形フィードスルーを有するロッドに
    より形成されることを特徴とする請求項11記載のケーシ
    ング。
  13. 【請求項１３】前記同軸伝送ラインの外側ガイドの長さ
    は前記ケーシングの底壁とこのケーシング内側に配置さ
    れるべきレーザダイオードモジュールのベースキャリア
    の上面との間の距離にほぼ等しいことを特徴とする請求
    項11または12記載のケーシング。
  14. 【請求項１４】前記ケーシングの関連する長い側壁に直
    角の方向における前記同軸伝送ラインの外側ガイドの最
    大寸法は上記側壁と上記ケーシング内に配置されるべき
    前記ベースキャリアの面側との間の距離より小さく且つ
    それにほぼ等しいことを特徴とする請求項10乃至13の１
    に記載のケーシング。
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