JPH10200486A - 光半導体モジュール実装回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体モジュール実装回路において、実装
密度を維持したまま、電気・光変換効率を向上させる。 【解決手段】 マザー基板４の上方に支持固定されてい
る光半導体モジュール１と、上記マザー基板上に形成さ
れた高周波回路との間に、高周波回路の入出力インピー
ダンスと光半導体モジュールの高周波入出力インピーダ
ンスとを整合させるためのインピーダンス変換回路が形
成されたサブ基板ブロック３０を挿入して実装する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信における光
送受信回路に適用される光半導体モジュール実装回路に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ通信において、ＣＡＴＶや移
動体通信への適用を考えた場合、光送受信部にはアナロ
グ信号を高速広帯域に伝送する特性が要求されている。
その一方でシステム設計においては光送受信回路部分の
簡素化及び低廉化がシステム構築の上で重要な鍵となっ
ている。そのために光送信側では特に、高価なＤＦＢレ
ーザに替わり、低コスト化が可能なファブリ・ペローレ
ーザダイオード（以下ＦＰ−ＬＤと称する）の適用が検
討され始めている。ＤＦＢレーザのパッケージ形態はバ
タフライ型に代表されるように電気信号の入出力ライン
は高周波基板上に実装しやすい形状となっている。これ
に対し、ＦＰ−ＬＤは同軸型のパッケージ形態でこの種
のパッケージでは電気信号の入出力ラインは必ずしも基
板に実装しやすい配置にはなっていない。

【０００３】図７に従来の光半導体モジュール実装回路
の一例を示す。従来例の光半導体モジュール実装回路
は、金属ベース１０５上に設けられた基板１０４と、同
軸形状の光半導体モジュール１０１と、該モジュール１
０１に光を入出力する光ファイバ１０２と、光半導体モ
ジュール１０１を支持するＬ字形状のＬクランプ１０３
とからなり、光半導体モジュール１０１の入出力端子と
基板１０４上に形成された高周波回路の入出力端とがリ
ードピン１０６で接続されて構成される。光半導体モジ
ュール１０１は基板１０４の上方に基板から離れて配置
されるため、光半導体モジュール１０１の長尺方向およ
び光ファイバ１０２の延長方向の基板部分にも電気部品
の実装が可能となり、回路実装効率を向上させることが
できる構成となっている。例えば、光半導体モジュール
１０１をＦＰ−ＬＤのような発光素子であるとすると、
基板１０４上に形成された高周波回路から出力される高
周波信号はリードピン１０６を介して光半導体モジュー
ル１０１に入力され、電気・光変換されて光ファイバ１
０２により光信号として伝送される。ここで、リードピ
ン１０６の長さは、通常、同軸型の光半導体モジュール
１０１の半径が３ｍｍ程度であることから、実装する場
合には、４〜５ｍｍ程度となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の光半導体モジュール実装回路では、高周波信号を長い
リードピン１０６を介して光半導体モジュール１０１に
供給する構成となっているので、リードピン１０６の寄
生インダクタンスの影響で高周波回路基板１０４と光半
導体モジュール１０１との間における高周波信号の伝送
損失が大きくなるという問題点があった。このために、
図８のグラフにおいて、２０２の符号を付した曲線で示
すように電気・光変換効率が周波数が高くなるに従い低
くなるという問題点があった。また、この場合、光半導
体モジュール１０１のリードピン１０６を１ｍｍ以下に
短くして高周波回路に接続した場合、図８のグラフにお
いて、２０１の符号を付した曲線で示すように、電気・
光変換効率は改善される。ここで、図８に示した特性の
測定において、高周波回路から出力される高周波信号の
強度は、測定した周波数範囲で一定とし、図８のグラフ
は、高周波信号の強度と発光強度との相対的な比で示し
た。しかし、リードピン１０６を短くして、基板１０４
に光半導体モジュール１０１を実装しようとすると、光
半導体モジュール１０１のリードピンと光ファイバ１０
２が高周波回路基板１０４と同じ高さになるように実装
する必要が生じ、構造が複雑になったり、光半導体モジ
ュール１０１と光ファイバ１０２によって、基板１０４
上に他の部品を実装することができない領域ができ、実
装効率が悪くなるという新たな問題点が生じていた。

【０００５】本発明は、従来の問題点を解決して、基板
の実装効率を劣化させずに、高周波信号に対する電気・
光変換効率を高くすることができる光半導体モジュール
実装回路を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の従来例
の持つ問題点を解決するために、光半導体モジュールと
高周波回路との間に、光半導体モジュールのリードピン
を短くできるようにサブ基板ブロックを用い、かつ該サ
ブ基板ブロックに、該光半導体モジュールと該高周波回
路の間の入出力間の整合を良くするためにインピーダン
ス変換回路を形成したものである。すなわち、本発明の
第１の光半導体モジュール実装回路は、所定の高周波信
号を出力する高周波回路が形成された基板上に、上記高
周波回路から入力される上記高周波信号に従って変調さ
れた光を発生する光半導体モジュールを備えた光半導体
モジュール実装回路において、上記光半導体モジュール
と上記高周波回路との間に、上記光半導体モジュールの
高周波信号入力端子と上記高周波回路の出力端との間に
接続されるインピーダンス変換回路が形成されたサブ基
板ブロックを備え、上記インピーダンス変換回路を介し
て上記高周波回路を見たときの出力インピーダンスを、
上記高周波信号入力端子における上記光半導体モジュー
ルの入力インピーダンスに実質的に一致させたことを特
徴とする。

【０００７】また、本発明の第２の光半導体モジュール
実装回路は、所定の高周波信号に従って変調された光信
号を光電変換して、変換されて得られた高周波信号を出
力する光半導体モジュールが、該高周波信号を処理する
高周波回路が形成された基板上に設けられた光半導体モ
ジュール実装回路において、上記光半導体モジュールと
上記高周波回路との間に、上記光半導体モジュールの高
周波信号出力端子と上記高周波回路の入力端との間に接
続されるインピーダンス変換回路が形成されたサブ基板
ブロックを備え、上記インピーダンス変換回路を介して
上記高周波回路を見たときの入力インピーダンスを、上
記高周波信号出力端子から見た上記光半導体モジュール
の出力インピーダンスに実質的に一致させたことを特徴
とする。

【０００８】また、第１と第２の光半導体モジュール実
装回路において、電気・光変換効率を上げるために、上
記インピーダンス変換回路が、抵抗素子を含まないトラ
ンスインピーダンス回路であることが好ましい。

【０００９】さらに、第１と第２の光半導体モジュール
実装回路において、上記インピーダンス変換回路を、上
記サブ基板ブロックに形成された伝送線路で構成し、か
つ該伝送線路の特性インピーダンスを、上記高周波回路
を入力端（又は出力端）から見たインピーダンスと上記
光半導体モジュールの高周波信号出力端子（又は高周波
信号入力端子）から見たインピーダンスとの間の値に設
定することにより、構成を簡単にできる。またさらに、
第１と第２の光半導体モジュール実装回路において、上
記サブ基板ブロックをフレキシブル基板を用いて構成し
てもよい。

【００１０】また、第１と第２の光半導体モジュール実
装回路において、上記基板に上記サブ基板ブロックを固
定し、かつ上記サブ基板ブロックに上記光半導体モジュ
ールを固定することにより、簡単に実装できる。

【００１１】また、第１と第２の光半導体モジュール実
装回路において、上記光半導体モジュールは、略円形の
一端面から突出して設けられた、上記高周波入力端子で
あるピン状リードを有する同軸型形状であって、該ピン
状リードを上記サブ基板ブロックの出力端を構成する電
極に半田で接続する。

【００１２】また、第１と第２の光半導体モジュール実
装回路では、上記サブ基板ブロックにおいてさらに、上
記高周波信号を増幅する増幅回路を形成することができ
る。これによって、実装密度を向上させることができ
る。

【００１３】さらに、第１と第２の光半導体モジュール
実装回路において、上記インピーダンス変換回路をマイ
クロストリップラインで構成することができ、これによ
って構成を簡単にできる。

【００１４】また、第１と第２の光半導体モジュール実
装回路において、上記インピーダンス変換回路を、上記
サブ基板ブロックに形成されたキャパシタとインダクタ
とを含む集中定数回路で構成することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
かかる実施の形態について説明する。図１は、本発明の
実施の形態の光半導体モジュール実装回路の構成を概念
的に示すブロック図である。図１の光半導体モジュール
実装回路において、高周波回路１４は電気信号入力部１
０を介して入力される例えば中間周波数信号等の電気信
号を所定の周波数を有する高周波信号に変換して、当該
高周波信号をインピーダンス変換回路１３を介して、光
半導体モジュール１１に入力する。光半導体モジュール
１１は、入力される上記高周波信号に従って変調された
光を発生して、発生した光を光出力端子１９を介して出
力する。

【００１６】ここで、インピーダンス変換回路１３は、
インピーダンス変換回路１３を介して高周波回路１４を
見たときの出力インピーダンスを、上記高周波信号入力
端子における上記光半導体モジュールの入力インピーダ
ンスに実質的に一致させ、光半導体モジュール１１の高
周波入力端における入力インピーダンスと高周波回路１
４の出力端における出力インピーダンスとを整合させ
る。すなわち、インピーダンス変換回路１３は、インピ
ーダンスの異なる高周波回路１４と光半導体モジュール
１１（発光素子の場合、通常光半導体モジュールが低イ
ンピーダンスとなる）との間に挿入され、両者のインピ
ーダンスの相違に起因する反射係数を小さくし、伝達特
性の劣化を広帯域に解消する機能を有している。従っ
て、このインピーダンス変換回路１３は、反射係数を小
さくしかつ高周波信号の伝送損失が小さくなるように、
抵抗素子を含まないトランスインピーダンス回路である
ことが好ましい。

【００１７】以上のように構成された実施形態の光半導
体モジュール実装回路において、電気信号入出力部１０
から入力された電気信号は、高周波回路１４で高周波信
号に変換された後、インピーダンス変換回路１３を介し
て光半導体モジュール１１に入力されて、電気・光変換
されて光信号入出力部１９から出力される。

【００１８】以上のように構成された実施形態の光半導
体モジュール実装回路は、インピーダンス変換回路１３
を介して高周波回路１４と光半導体モジュール１１を接
続しているので、高周波回路１４と光半導体モジュール
１１との間の反射による、高周波信号のロスを低減で
き、高周波の領域において高い電気・光変換効率を維持
できるとともに、高周波回路１４及び光半導体モジュー
ル１１において、反射波による特性劣化を防止できる。

【００１９】以下、上述の実施の形態をより具体的な構
成にした各実施形態を順次説明する。 ＜実施形態１＞図２は本発明の実施形態１の光半導体モ
ジュール実装回路の構成を示す斜視図である。実施形態
１の光半導体モジュール実装回路は、同軸型のパッケー
ジ形状を有する光半導体モジュール１を実装した実装回
路であって、金属ベース５上に、光ファイバ２と光半導
体モジュール１を支持するＬ字形状のＬクランプ３とマ
ザー基板４とサブ基板ブロック３０とを備えて構成され
る。ここで、図２において６ａの符号を付して示すもの
は、光半導体モジュール１の高周波入力リードピンであ
り、６ｂの符号を付して示すものは、接地用のアースリ
ードピンである。また、光半導体モジュール１は、ＦＰ
−ＬＤ発光素子であり、マザー基板４の光半導体モジュ
ール１の前方に、高周波回路１４が形成されている。そ
して、サブ基板ブロック３０には、インピーダンス変換
回路１３が形成され、該変換回路１３の一端が高周波回
路１４の出力端（図示せず）に接続され、他端が、光半
導体モジュール１の高周波リードピン６ａに接続され
る。ここで、光半導体モジュール１のアースリードピン
６ｂは、サブ基板ブロック３０の裏面又は表面に形成さ
れた接地導体に接続される。

【００２０】実装手順としてはまず金属ベース５にマザ
ー基板４を実装し、Ｌクランプ３と光半導体モジュール
１をネジＭ１，Ｍ２で固定する。その後、サブ基板ブロ
ック３０を高周波回路基板４とリードピン６の間に挿入
するようにしてハンダ付けにより固定する。

【００２１】以上のように構成された実施形態１の光半
導体モジュール実装回路は、インピーダンス変換回路１
３が形成されたサブ基板ブロック３０を備えているの
で、光半導体モジュール１へ高周波電気信号を広帯域に
効率よく伝達でき、光・電気変換効率を向上させること
ができる。また、サブ基板ブロック３０を１個の電気部
品として扱えるので、挿入実装が容易にできる。さら
に、光半導体モジュール１をマザー基板４の上方に該基
板４から離してＬクランプ３により支持固定できるた
め、光ファイバ２等により電気部品を実装することがで
きない領域ができることを防止でき、マザー基板４の上
面のいずれの領域にも、電気部品を実装することができ
るので、実装密度を向上させることができる。またさら
に、光半導体モジュール１として同軸型パッケージ形状
の安価な光半導体モジュールを適用できることから、安
価な光半導体モジュール実装回路を提供できる。

【００２２】＜実施形態２＞また、図３は実施形態２の
光半導体モジュール実装回路の概略の構成を示す模式図
である。図２の実施形態１の光半導体モジュール実装回
路と異なる点は、サブ基板ブロック３０に代えて、フレ
キシブル基板上にインピーダンス変換回路１３が形成さ
れたサブ基板ブロック３３を用いた構成となっているこ
とである。図３において、図２と同様のものには、同様
の符号を付して示している。

【００２３】以上のように構成された実施形態２の光半
導体モジュール実装回路は、フレキシブルなサブ基板ブ
ロック３３を用いているので、光半導体モジュール１の
リードピン６と高周波回路基板４の信号ライン部分との
間の高低差に規定される寸法形状となるサブ基板ブロッ
ク３０を用いるよりも、サブ基板として寸法許容値を増
大させることができる。さらに回路実装の手順としてあ
らかじめ光半導体モジュール１あるいは高周波回路基板
４にフレキシブルなサブ基板ブロック３３を接続した上
で実装が可能であることから実装プロセスの簡略化が図
れる。また、高周波リードピン６ａとフレキシブルなサ
ブ基板ブロック３３に形成された導体との接続部分及
び、高周波回路の出力端とフレキシブルサブ基板３３に
形成された導体との接続部分が、環境温度変化等による
熱応力によって劣化して断線することを防止することが
でき、該接続部分の接続信頼性を高くすることができ
る。

【００２４】＜実施形態３＞図４は実施形態３の光半導
体モジュール実装回路の概略の構成を示す模式図であ
る。図４の実施形態３の光半導体モジュール実装回路
が、実施形態１と異なる点はサブ基板ブロック３０とＬ
クランプ３の代わりに、インピーダンス変換回路１３が
形成され、かつ光半導体モジュール１を支持するサブ基
板ブロック３１を用いて構成した点である。ここで、光
半導体モジュール１はサブ基板ブロック３１に、例え
ば、図４に示すようにネジＭ１，Ｍ２を用いて固定され
る。また、サブ基板ブロック３１は、マザー基板４に半
田付け等で固定される。これにより、サブ基板ブロック
３１は、該ブロック３１に形成されたインピーダンス変
換回路１３により高周波回路１４から出力される高周波
信号を広帯域に効率よく、光半導体モジュール１に入力
し、かつ光半導体モジュール１を支持固定する機能を有
する。これによって、実施形態１と同様の効果を有し、
かつ構成部品を少なくでき製造工程の簡易化をすること
ができる。

【００２５】＜インピーダンス変換回路の構成例＞次
に、実装形態１〜３に使用されるインピーダンス変換回
路１３の構成例について説明する。 構成例１．図６（ａ）は、構成例１のインピーダンス変
換回路の構成を示す斜視図である。この構成例１のイン
ピーダンス変換回路は、例えば、アルミナやガラスエポ
キシ等からなり、下面の全面に接地導体Ｅ１が形成され
た誘電体基板Ｓｕｂ１３の上面にテーパ状のストリップ
導体Ｓ１が形成されて、連続的にインピーダンスが変化
するマイクロストリップラインとして構成される。この
ように形成された構成例１のインピーダンス変換回路に
おいて、ストリップ導体Ｓ１の幅広の一端に、光半導体
モジュール１の高周波リードピンが、半田付け等で接続
され、ストリップ導体Ｓ１の幅が狭い他端に高周波回路
１４の出力端が例えば半田付け等により接続される。

【００２６】構成例２（図示せず）．構成例１では、テ
ーパ状のストリップ導体Ｓ１を用いて構成したが、上記
各実施形態のインピーダンス変換回路は、高周波回路の
高周波信号用の伝送路の特性インピーダンスＺ１と光半
導体モジュールの高周波信号用の伝送路の特性インピー
ダンスＺ２の間の所定の値の特性インピーダンスＺ３を
有する伝送路を用いて構成することができる（構成例
２）。例えば、高周波回路の伝送路の特性インピーダン
スＺ１が、５０Ωであり、光半導体モジュールの伝送路
の特性インピーダンスＺ２が、数Ω（一般に発光素子で
は数Ωになる）である場合、インピーダンス変換回路と
して用いる伝送路の特性インピーダンスＺ３は、２０Ω
程度に設定される。このような伝送路構成であって、使
用周波数が数ＧＨｚ以下であればサブ基板ブロックの伝
送路長は共振波長よりも十分短いので、該伝送路による
インピーダンス変換効果は広い周波数帯域にわたり発揮
されることになる。サブ基板ブロック３０の挿入により
高周波回路基板４と光半導体モジュール１とのインピー
ダンスの不整合度合いは緩和され、結果として電気・光
変換効率が増大することになる。ここで、構成例２に用
いられる伝送路としては、種々の伝送路が適用できる
が、構成が簡単なマイクロストリツプラインやコプレー
ナライン等の基板上に所定形状の電極を形成することに
より構成できる伝送路が適している。

【００２７】構成例３．また、伝送線路に代えて、イン
ダクタ及びキャパシタ等の集中回路素子を用いて構成し
てもよい。構成例３のインピーダンス変換回路１３ｂ
は、図６（ｂ）に示すように、入出力端間に接続された
インダクタＬ１と、インダクタＬ１の両端と接地端との
間にそれぞれ接続されたキャパシタＣ１，Ｃ２とからな
る。ここで、図６（ｂ）において、１１ａの符号を付し
て示すものは、光半導体モジュールの等価回路の一例を
示していて、インピーダンス変換回路１３ｂのインダク
タＬ１及びキャパシタＣ１，Ｃ２の各素子の値は、光半
導体モジュール１ａのインダクタＬ２，Ｌ１１、キャパ
シタＣ３，Ｃ１１及び抵抗Ｒ１１に基づいて、高周波回
路１４の出力端と光半導体モジュール１の高周波入力端
との間の反射係数が小さくなるように設定される。

【００２８】＜変形例＞以上の実施形態１〜３において
は、光半導体モジュール１として発光素子を例にして説
明したが、本発明はこれに限らず受光素子であってもよ
い。受光素子は高インピーダンス素子であるのでサブ基
板ブロックにはこの特性を考慮したインピーダンス変換
回路を有することになる。例えば、図６（ａ）の構成例
１のインピーダンス変換回路を用いる場合は、ストリッ
プ導体の幅が狭い方の端に、光半導体モジュール１の高
周波リードピンが接続され、ストリップ導体Ｓ１の幅が
広い方の端に高周波回路１４の出力端が接続される。

【００２９】また、サブ基板ブロック３０、３１および
フレキシブルサブ基板３３に構成するインピーダンス変
換回路１３として、特定周波数帯に共振特性を有するト
ランス型のフィルタ回路を構成してもよい。これにより
移動体通信のようにいくつかの限定された周波数帯で、
電気・光変換効率を増大させる機能をサブ基板ブロック
に持たせることができる。もし使用する周波数帯域がシ
ステムによって異なる場合には高周波回路基板４の部品
構成を大きく変更することなく、そのシステムに対応し
たサブ基板ブロック３０を光半導体モジュール１と高周
波回路基板４との間に挿入するだけでよい。従って、シ
ステムによって異なる仕様であっても汎用性の高い実装
回路を構築できる。

【００３０】また、サブ基板ブロックには上記のような
受動的な機能の回路ばかりでなく増幅回路等の他の電気
信号処理回路をも兼ね備えた回路構成としたものでもよ
い。このような構成により、たとえば、光半導体モジュ
ール１としてフォトダイオードのような受光半導体モジ
ュールとし、サブ基板ブロックとしてインピーダンス変
換回路やプリアンプ回路を内蔵するものを使用すれば光
受信回路のフロントエンドを光半導体モジュールとサブ
基板ブロックで構成できるため、実装効率の高い回路構
成とすることができる。さらに、インピーダンス変換回
路構成としてはインダクタンスおよびキャパシタンスを
用いた集中定数回路として、また信号ラインのパターン
形状により等価回路としてインダクタンスおよびキャパ
シタンス成分を有するようにする分布定数的な回路で構
成してもよい。

【００３１】

【実施例】以下、本発明に係る実施例の特性評価結果を
図５のグラフを用いて説明する。図１のグラフにおい
て、実施例として示したものは、インピーダンス変換回
路として、図６（ｂ）の集中定数回路をサブ基板上に形
成したサブ基板ブロックを用いて構成した実施例の光半
導体モジュール実装回路の特性である。図６のグラフか
ら明らかなように、実施例の光半導体モジュール実装回
路は、従来例に比較して、数百ＭＨｚ以上の周波数の高
周波において、電気・光変換効率を良くできることがわ
かる。また、高周波回路と光半導体モジュールとの間に
おける高周波信号の反射を防止するために、整合回路と
して４７Ωの抵抗を用いた光半導体モジュール実装回路
の特性を比較例として示した。この比較例の結果による
と、反射を防止することはできても、電気・光変換効率
は悪化することがわかる。以上のことから、インピーダ
ンス変換回路１３として、トランスインピーダンス変換
回路を用いることが有効であることがわかる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明は、上記光半導体モジュールの上記高周波信号入
力端子と上記高周波回路の出力端との間に、上記インピ
ーダンス変換回路が形成されたサブ基板ブロックを備え
ているので、高周波信号に対する電気・光変換効率を高
くできる。さらに、本発明において、光半導体モジュー
ルとして、同軸型パッケージ形状の安価な光素子を適用
できることから、安価な光半導体モジュール実装回路を
提供できる。

【００３３】また、本発明において、抵抗素子を含まな
いトランスインピーダンス回路を用いることにより、電
気・光変換効率をさらに高くできる。

【００３４】また、本発明において、上記インピーダン
ス変換回路を、伝送線路で構成し、かつ該伝送線路の特
性インピーダンスを、上記高周波回路を入力端（又は出
力端）から見たインピーダンス値と上記光半導体モジュ
ールの高周波信号入力端子（又は高周波信号出力端子）
から見たインピーダンス値との間の値に設定することに
より、構成を簡単にできる。

【００３５】またさらに、本発明において、上記サブ基
板ブロックをフレキシブル基板を用いて構成することに
より、サブ基板ブロックの寸法許容値を大きくすること
ができ、かつ製造工程における実装を容易にでき、しか
も接続部分の信頼性を高くできる。

【００３６】また、本発明において、上記基板に上記サ
ブ基板ブロックを固定し、かつ上記サブ基板ブロックに
上記光半導体モジュールを固定することにより、支持体
を別体で設ける必要がないので、構成を簡単にでき、安
価にできる。

【００３７】また、本発明では、上記光半導体モジュー
ルとして、略円形の一端面から突出して設けられた、上
記高周波入力端子であるピン状リードを有する同軸型形
状のものを用いることができ、この場合において、実装
密度を小さくすることなく、電気・光変換効率が高い光
半導体モジュール実装回路を提供できる。

【００３８】また、本発明において、上記サブ基板ブロ
ック上にさらに、増幅回路を形成することにより、実装
密度を向上させることができる。

【００３９】さらに、本発明において、上記インピーダ
ンス変換回路をマイクロストリップラインで構成するこ
とにより、広い周波数領域において高い電気・光変換効
率を維持できる。

【００４０】また、本発明において、上記インピーダン
ス変換回路を、上記サブ基板ブロックに形成されたキャ
パシタとインダクタとを含む集中定数回路で構成するこ
とにより、種々の変換回路が可能になる。以上のよう
に、本発明によれば、電気・光変換効率が高く量産性に
優れた光半導体モジュール実装回路を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る実施形態の光半導体モジュール
実装回路の構成を概念的に示す図である。

【図２】 本発明の実施形態１の光半導体モジュール実
装回路の構成を示すブロック図である。

【図３】 本発明の実施形態２の光半導体モジュール実
装回路の構成を示すブロック図である。

【図４】 本発明の実施形態３の光半導体モジュール実
装回路の構成を示すブロック図である。

【図５】 本発明に係る実施例の電気・光変換効率の周
波数依存性を示すグラフである。

【図６】 本発明の実施形態におけるインピーダンス変
換回路１３の構成例を示す図である。

【図７】 従来例の光半導体モジュール実装回路の構成
を示すブロック図である。

【図８】 従来例の光半導体モジュール実装回路の電気
・光変換効率の周波数依存性を示すグラフである。

【符号の説明】 １…光半導体モジュール、 ２…光ファイバ、 ３…Ｌクランプ、 ４…マザー基板、 ５…金属ベース、 ６…高周波リードピン、 １３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…インピーダンス変換回
路、 １４…高周波回路、 １８…光半導体モジュール実装回路、 ３０，３１，３３…サブ基板ブロック、 Ｓｕｂ１３…誘電体基板、 Ｓ１…ストリップ導体、 Ｅ１，Ｅ２…接地導体、 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１…インダクタ、 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ１１…キャパシタ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の高周波信号を出力する高周波回路
   が形成された基板上に、上記高周波回路から入力される
   上記高周波信号に従って変調された光を発生する光半導
   体モジュールを備えた光半導体モジュール実装回路にお
   いて、 上記光半導体モジュールと上記高周波回路との間に、上
   記光半導体モジュールの高周波信号入力端子と上記高周
   波回路の出力端との間に接続されるインピーダンス変換
   回路が形成されたサブ基板ブロックを備え、上記インピ
   ーダンス変換回路を介して上記高周波回路を見たときの
   出力インピーダンスを、上記高周波信号入力端子におけ
   る上記光半導体モジュールの入力インピーダンスに実質
   的に一致させたことを特徴とする光半導体モジュール実
   装回路。
2. 【請求項２】 所定の高周波信号に従って変調された光
   信号を光電変換して、変換されて得られた高周波信号を
   出力する光半導体モジュールが、該高周波信号を処理す
   る高周波回路が形成された基板上に設けられた光半導体
   モジュール実装回路において、 上記光半導体モジュールと上記高周波回路との間に、上
   記光半導体モジュールの高周波信号出力端子と上記高周
   波回路の入力端との間に接続されるインピーダンス変換
   回路が形成されたサブ基板ブロックを備え、上記インピ
   ーダンス変換回路を介して上記高周波回路を見たときの
   入力インピーダンスを、上記高周波信号出力端子から見
   た上記光半導体モジュールの出力インピーダンスに実質
   的に一致させたことを特徴とする光半導体モジュール実
   装回路。
3. 【請求項３】 上記インピーダンス変換回路が、抵抗素
   子を含まないトランスインピーダンス回路である請求項
   １又は２記載の光半導体モジュール実装回路。
4. 【請求項４】 上記インピーダンス変換回路が、上記サ
   ブ基板ブロックに形成された伝送線路で構成され、かつ
   該伝送線路の特性インピーダンスが、上記高周波回路を
   出力端（又は入力端）から見たインピーダンスと上記光
   半導体モジュールの高周波信号入力端子（又は高周波信
   号出力端子）から見たインピーダンスとの間の値に設定
   された請求項１〜３のうちの１つに記載の光半導体モジ
   ュール実装回路。
5. 【請求項５】 上記サブ基板ブロックがフレキシブル基
   板を用いて構成された請求項１〜４のうちの１つに記載
   の光半導体モジュール実装回路。
6. 【請求項６】 上記基板に上記サブ基板ブロックを固定
   し、かつ上記サブ基板ブロックに上記光半導体モジュー
   ルを固定した請求項１〜４のうちの１つに記載の光半導
   体モジュール実装回路。
7. 【請求項７】 上記光半導体モジュールは、略円形の一
   端面から突出して設けられたピン状リードを上記高周波
   信号入力端子（又は高周波信号出力端子）として有する
   同軸型形状であって、上記ピン状リードが上記インピー
   ダンス変換回路の出力端（又は入力端）を構成する、上
   記サブ基板ブロック上の電極に半田で接続された請求項
   １〜６のうちの１つに記載の光半導体モジュール実装回
   路。
8. 【請求項８】 上記サブ基板ブロックにおいてさらに、
   上記高周波信号を増幅する増幅回路を形成した請求項１
   〜７のうちの１つに記載の光半導体モジュール実装回
   路。
9. 【請求項９】 上記インピーダンス変換回路がマイクロ
   ストリップラインからなる請求項１〜８のうちの１つに
   記載の光半導体モジュール実装回路。
10. 【請求項１０】 上記インピーダンス変換回路が、上記
    サブ基板ブロックに形成されたキャパシタとインダクタ
    とを含んで形成された請求項１〜９のうちの１つに記載
    の光半導体モジュール実装回路。