JP2924881B2 - 波長可変光源およびotdr装置 - Google Patents

波長可変光源およびotdr装置

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JP2924881B2
JP2924881B2 JP10000809A JP80998A JP2924881B2 JP 2924881 B2 JP2924881 B2 JP 2924881B2 JP 10000809 A JP10000809 A JP 10000809A JP 80998 A JP80998 A JP 80998A JP 2924881 B2 JP2924881 B2 JP 2924881B2
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wavelength
optical
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light
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/30Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
    • G01M11/31Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
    • G01M11/3109Reflectometers detecting the back-scattered light in the time-domain, e.g. OTDR
    • G01M11/3127Reflectometers detecting the back-scattered light in the time-domain, e.g. OTDR using multiple or wavelength variable input source

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の波長を離散
的に発振する光源であって、特に一端が複数本の光分岐
線路に分岐された分岐光線路の損失分布を測定する装置
に搭載される波長可変光源及びOTDR装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来のOTDR装置は、特開平2−14
1641号公報に記載されており、分岐素子有する被測
定系内の欠陥や温度等の物理量検査においては波長可変
光源が有効であることが示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】OTDR装置に付加さ
れる従来の波長可変光源としては、発光素子の外部に回
折格子の反射板を設け、その角度を調整して発振波長を
変える方法、あるいは波長可変フィルタを用いたファイ
バ型レーザ等がある。これらの光源は構成部品の数が多
く、各構成部品が高価であり、また高度の組立技術等が
要求される。
【0004】そこで本発明の目的は、安価で簡単な構成
の波長可変光源及びOTDR装置を提供するものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる第1の波
長可変光源は、複数の所定波長の光を出射することが可
能な半導体発光素子と、半導体発光素子に光学的に結合
した第1光導波路と、反射波長の異なる光導波路型回折
格子が形成された複数の第2光導波路と、第1光導波路
の出力端と複数の第2光導波路の入力端とを選択的に光
学的に結合させる第1光スイッチと、複数の第2光導波
路の複数の出力端と次段の光導波路の入力端とを光学的
に結合する集光器とを備えることを特徴とする。
【0006】本発明の波長可変光源によれば、半導体発
光素子と光導波路型回折格子等によって共振器が形成さ
れ、半導体発光素子が発振する波長のうち光導波路型回
折格子によって反射される波長の光が共振器内で往復反
射を繰り返して所定振幅に成長したパルス光が第2光導
波路の回折格子から出力される。したがって、反射波長
領域の異なる複数の光導波路型回折格子が併置され、こ
れへの入力光を第1光スイッチで切り替えることによっ
て波長の異なる出力光を順次送出し、出力光を集光器で
次段の光導波路に結合させるので、所望の波長の光を低
コストで発振させることができる。
【0007】なお、光ファイバの損失分布を測定する際
にみられるフェーディング雑音は測定するパルス光の波
長帯域が1nm以下になると発生する傾向がある。フェ
ーディング雑音を抑制する観点から、光導波路型回折格
子の反射波長帯域はチャープグレーティングによって1
nm以上にすることが望ましい。
【0008】本発明の波長可変光源において、1つの半
導体発光素子では所定の波長帯域の光を発振できない場
合が生ずる。このような場合は、波長領域の異なる複数
の半導体発光素子を併置し、波長領域を分担して使用す
ることができる。
【0009】本発明に適用される共振器によると、半導
体発光素子と回折格子との間の光学的長さを700mm
以下の場合、波高値が10dB以上、波長帯域が5nm
以内のパルスを発振させることができ、8種類の波長領
域のパルス光を送出することができるが実験的に確認さ
れた。このような共振器を搭載した波長可変光源は、8
分岐された光線路の損失分布を測定することができるの
で充分実用に供することができる。
【0010】また、共振器の光学的長さを300mm以
下にすると共振器内を往復反射する反射回数がさらに増
加するので、波高値が20dB以上、波長帯域が5nm
以内のパルスを発振させることができ、8種類の波長領
域のパルス光を送出することができるが実験的に確認さ
れた。このような共振器を搭載した波長可変光源は、ク
ロストークの優れた光源として使用できる。なお、共振
器の光学的長さは短いほど好ましいが、実際上の下限は
共振器を形成するために生じる必要最小限の寸法によっ
て決まるものである。
【0011】本発明のに係る第2の波長可変光源は、複
数の所定波長の光を出射させる半導体発光素子と、前記
半導体発光素子に光学的に結合した第1光導波路と、反
射波長の異なる光導波路型回折格子が形成された複数の
第2光導波路と、前記第1光導波路の出力端と複数の前
記第2光導波路の入力端とを選択的に光学的に結合させ
る第1光スイッチと、複数の前記第2光導波路の複数の
出力端と次段の光導波路の入力端とを選択的に光学的に
結合させる第2光スイッチとを備えることを特徴とす
る。
【0012】本発明の波長可変光源においては、集光器
に変えて第2光スイッチが複数の前記第2光導波路の複
数の出力端と次段の光導波路の入力端とを選択的に光学
的に結合させる。第2光スイッチは第1光スイッチと基
本的に同じ構成となるので、安価となり取り扱いも簡単
となる。
【0013】本発明の波長可変光源において、第1光導
波路および次段の光導波路を固定し、第2光導波路を同
一の可動機構に搭載して形成すると、1つの操作で第1
および第2のスイッチを同時に切替えることができるの
で、取り扱いが簡単になる。また、第2光導波路を固定
し、第1光導波路および次段の光導波路を同一の可動機
構に搭載して形成されると、移動する側の光導波路数が
少なく、切替え操作を円滑に行うことができる。
【0014】本発明の波長可変光源において、第2光導
波路のそれぞれに設けられた光導波路型回折格子の出力
側に、光導波路型回折格子が反射する波長領域より狭い
領域の光を透過するバンドパスフィルタを配置すると発
振波長帯域の変動等が生じても、所定波長領域に修正す
る作用が働くので好ましい。
【0015】また、本発明に係る波長可変光源において
は、温度や圧力等の光導波路型回折格子の物理量を変化
させて前記光導波路型回折格子の反射波長を可変する物
理量可変手段を有することが好ましい。
【0016】さらに、上記波長可変光源は、OTDR装
置に適用されることが好ましく、本発明に係るOTDR
装置は、上記波長可変光源と、波長可変光源から出力さ
れた光を被測定系に入力し、被測定系からの後方散乱光
を検出する光検出器とを備えることを特徴とする。光源
から出力された光は被測定系内の所定位置で反射されて
光検出器に戻ってくる。この時の光の往復時間は所定位
置までの距離に比例するため、その往復時間における後
方散乱光強度を光検出器で検出すると、被測定系所定位
置における物理量情報、例えば、欠陥や温度等を観測す
ることができる。
【0017】また、本発明に係るOTDR装置は、光検
出器で検出される被測定系の特定位置より先の位置から
の後方散乱光の強度が所定値よりも低下した場合に、前
記物理量可変手段を制御して前記光導波路型回折格子の
反射波長を可変する制御手段を備えることが好ましい。
特定位置に例えば、分岐素子があると、後方散乱光強度
はこの位置において低下する。この位置よりも先の位置
からの後方散乱光強度は分岐素子のある位置の後方散乱
光強度よりも小さいが、分岐素子の透過波長特性が温度
によって大きく設計値よりもずれると、光が十分に透過
しないため、この位置よりも先の位置からの後方散乱光
強度は顕著に低下し、所定値を下回る。このような場合
に、制御手段は物理量可変手段を制御し、波長可変光源
から出力される光の波長を若干変化させて、その光が分
岐素子を効率的に通過するようにする。すなわち、制御
手段は、被測定系内の所定位置からの後方散乱光強度が
最大となるように物理量可変手段を制御することが好ま
しい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明
において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説
明を省略する。
【0019】図1は本実施の形態に係わる第1の波長可
変光源の構成を示す図、図2は波長可変光源の中の共振
器を形成する部分を示す図である。図1において、波長
可変光源1は半導体発光素子11と、半導体発光素子1
1に結合された光ファイバからなる第1光導波路31
と、第1光導波路31と対向可能の位置に互いに並列に
配置され、それぞれに反射波長の異なる光導波路型回折
格子21−1〜21−4が形成された第2光導波路32
−1〜32−4と、第1光導波路31が第2光導波路3
2−1〜32−4の入力端面に沿って相対的に矢印60
の方向に移動しながら切り替え可能に形成された第1光
スイッチ12と、第2光導波路32−1〜32−4から
送出された波長の異なる出力光を光導波路33の入力端
へ結合させて出射する集光器13とで構成される。
【0020】さらに、図1および図2に示すように、半
導体発光素子11と、第1光導波路31と、第2光導波
路32−1〜32−4および光導波路型回折格子21−
1〜21−4とによって共振器40が形成され、この共
振器40は光導波路型回折格子21−1〜21−4とに
よって反射される波長の光が半導体発光素子11の後方
に設けられた反射板11−0と光導波路型回折格子21
−1〜21−4の間(光学的長さ:L)を往復反射する
構成となっている。集光器13は、ハーフミラからなる
合波器あるいは2本の光ファイバを分布結合させてなる
光カプラ等を組み合わせて形成され、波長保存性のよい
特性が得られる。反射板11−0は通常、LDには形成
されているが、LEDにはないものもある。反射板11
−0の反射率は90%以上、これと対向する面の反射率
は0.1%以下が望ましい。
【0021】図1に示す波長可変光源1によれば、半導
体発光素子11が発振した光は、第1光導波路31と第
2光導波路32−1を経て光導波路型回折格子21−1
に達し、コアの屈折率がコア軸方向に周期的に変化する
光導波路型回折格子21−1の間隔によってきまる波長
λ1が反射される。この反射光λ1は反射板11−0によ
って再び反射され、半導体発光素子11が発振する光と
共に光導波路型回折格子21−1に向かって前進する。
以下同様に反射を繰り返した後、波長λ1の光が集光器
13に送出される。第1光スイッチ12の出力側には反
射波長領域の異なる複数の光導波路型回折格子21−1
〜21−4を有する第2光導波路32−1〜32−4が
並列に配置されているので、第1光スイッチ12で切り
替えることによって、異なる波長λ1〜λ4の光を順次発
振して送出することができる。
【0022】共振器40内で繰り返す反射回数が多いほ
どパルス波形内に閉じ込められる波長帯域は回折格子2
1の波長帯域特性と一致するようになる。図3は半導体
発光素子11の利得波形(a)と、第2光導波路32−
1〜32−4のそれぞれに順次発振される各出力波長
(b)〜(e)の関係を示す図である。
【0023】本実施形態の光源は光導波路型回折格子2
1−1〜21−4を並列に配置し、これを光スイッチ等
で切替えながら所定波長の光を発振する構成を採ってい
るので、安価で簡単な構成の波長可変光源が得られる。
【0024】また、発振波長およびその帯域は光導波路
型回折格子の反射波長によって決定され、半導体発光素
子と光導波路型回折格子との光学的長さによっても制御
できるので、発振波長帯域の微調整が可能である。な
お、光ファイバの損失分布を測定する際にみられるフェ
ーディング雑音は測定するパルス光に閉じ込められた波
長帯域が1nm以下になると発生する傾向がある。フェ
ーディング雑音を抑制する観点から、光導波路型回折格
子の反射波長帯域は格子間隔に変化を与えるチャープグ
レーティングによって1nm以上にすることが望まし
い。
【0025】次に、測定される光分岐線路の数が多くな
り、一つの半導体発光素子では測定波長の全体の帯域に
亘って発振することができない場合が生ずる。このよう
な場合は、図4に示すように、発光波長帯域の異なる複
数の半導体発光素子11−1、11−2を併置し、波長
領域を分担して使用する。図5(a)、図5(b)は発
光波長帯域の異なる2つの半導体発光素子11−1、1
1−2の利得波形、図5(c)〜図5(f)は第2光導
波路32−1〜32−4のそれぞれに順次発振される出
力波長を示すグラフである。
【0026】図6は、本実施形態に係わる第2の波長可
変光源の構成形態を示す図であり、半導体発光素子11
および第1光スイッチ12は図1と同じである。図6に
示した集光手段は、第2光導波路32−1〜32−4の
出力端と対向可能な位置に第3光導波路34が配置さ
れ、この第3光導波路34の入力端は第2光導波路32
−1〜32−4の出力端面に沿って相対的に矢印60の
方向に移動しながら切替え可能に形成された第2光スイ
ッチ14である。この集光手段は部品の数がさらに少な
く、また第1光スイッチ13と基本構成が同一なので、
安価で取り扱いが簡単となる。
【0027】この構成の光源において、第1および第3
光導波路31、34を固定し、第2光導波路32を同一
の可動機構81に搭載して形成することによって、可動
機構81を矢印60の方向に移動すると、第1および第
2光スイッチ12、14を同時に切り替えると共に、第
3光導波路34から異なる波長の光λ1〜λ4を出射させ
ることができる。半導体発光素子11の出力波形と、第
2光導波路32−1〜32−4および第3光導波路34
の出力波形は図3と同じである。
【0028】図7は、本実施形態に係わる第2の波長可
変光源の他の構成形態を示す図であり、半導体発光素子
11および第1光スイッチ12は図1と同じである。図
7に示した集光手段は、第2光導波路32−1〜32−
4をU字状に曲げて、第2光導波路32−1〜32−4
の出力端が第2光導波路32−1〜32−4の入力端と
同一線上に配置され、第2光導波路32−1〜32−4
の出力端と対向可能な位置には第3光導波路34が配置
され、第3光導波路34の入力端が第2光導波路32−
1〜32−4の出力端面に沿って相対的に移動しながら
切り替え可能に構成された第2の光スイッチ14であ
る。集光器13をU字状に曲げて形成することによっ
て、被測定線路が測定装置と同じ方向に配置されている
場合に好適である。半導体発光素子11の出力波形と、
第2光導波路32−1〜32−4のおよび第3光導波路
34の出力波形は図2と同じである。
【0029】図6および図7に示した第1および第2光
スイッチ12、14の切替えは接続される光導波路を機
械的に移動しながら行う場合について説明したが、これ
を電気的に切替える構成を採用すると高速に行うことが
可能となる。
【0030】本実施形態の波長可変光源1は、光導波路
型回折格子21−1〜21〜4および共振器40によっ
て所定の波長領域を有するパルス光を送出することがで
きるが、図8に示すように光導波路型回折格子21−1
〜21〜4の出力側に、各回折格子の反射波長領域に対
応する波長領域の光を透過するバンドパスフィルタ50
−1〜50−4を配置すると、発振波長あるいは発振波
形が変動することが生じても修正する作用が働くので好
ましい。図9は半導体発光素子11の発振波形(図9
(a))と、発振波長あるいは発振波形が変動した場合
の光導波路型回折格子21−1〜21〜4の出力波形
(図9(b)〜図9(e))およびバンドパスフィルタ
50−1〜50−4によって修正された出力波形(図9
(f)〜図9(i))を示す。すなわち、本実施の形態
に係る波長可変光源において、第2光導波路のそれぞれ
に設けられた光導波路型回折格子21−1〜21〜4の
出力側に、光導波路型回折格子が反射する波長領域より
狭い領域の光を透過するバンドパスフィルタ50−1〜
50−4を配置すると発振波長帯域の変動等が生じて
も、所定波長領域に修正する作用が働くので好ましい。
【0031】(実施例1)図1に示す構成の波長可変光
源1によってパルス光を発振させた。光源に用いた半導
体発光素子11は図10(a)に示すように利得波長幅
が40nmである。光導波路型回折格子21は周期的に
変化するコアの屈折率の間隔を調節して10種類の回折
格子を形成した。
【0032】光導波路型回折格子21−1〜21−10
と半導体発光素子の反射板11−0との間の光学的長さ
Lを700mmとし、第1光スイッチ12を切り替えて
波長領域の異なるパルス光λ1〜λ10を第2光導波路3
2−1〜32−10から送出することができた。その結
果、λ2〜λ9のパルス波形は図10(b)に示すよう
に、波高値が10dB以上、波長帯域が5nm以内であ
った。
【0033】実施例1の光源は8回線分の測定ができる
ので、波長可変光源として実用上使用可能のものであ
る。光学的長さLを700mmより長くすると、パルス
内に閉じ込められる波長帯域が広くなり、使用できるパ
ルス光の数が減少するので実用上好ましくなかった。
【0034】(実施例2)実施例1と同じ構成の波長可
変光源1において、光学的長さLを300mmとし、第
1光スイッチ12を切り替えて波長領域の異なるパルス
光λ1〜λ10を第2光導波路32−1〜32−10から
送出するすることができた。その結果、共振器内を往復
反射する反射回数が増加したのでλ2〜λ9のパルス波形
は図10(c)に示すように、波高値が20dB以上、
波長帯域が5nm以内であった。
【0035】実施例2の光源は、実施例1の光源に比べ
てクロストークの優れた測定を行うことができる。この
ように、共振器の光学的長さは短い程好ましいが、実際
上の下限は共振器を形成するための必要最小限の寸法に
よって決まるものである。
【0036】以上の波長可変光源は、いずれのOTDR
装置用の光源として用いることができる。最適な波長可
変光源及びこれを用いたOTDR装置について、以下詳
説する。
【0037】近年は光加入者系のネットワーク構造とし
て、図11のように光線路Bの分岐点Cより先が複数本
の光ファイバ(光分岐線路)D1〜Dnに分岐された分岐
光線路が提案されている。このネットワーク内に特定波
長の光を送り込み、戻ってくる成分を測定して常時ネッ
トワークの状態を監視する。
【0038】従来、光ファイバ線路の長手方向の損失分
布を測定する装置として、OTDR(optical time dom
ain reflectometer)法が知られている。OTDR法は
図12に示し た光ファイバ内を進行する光(図12の
矢印a)が、光ファイバAの損失等によって散乱され
て、図12の矢印b示すように戻ってくる成分(後方散
乱光)を、走行時間の関数として測定するものである。
後方散乱光の強度は光ファイバの長手方向にある光パワ
ーに比例し、走行時間もその位置までの距離Lに比例す
るので、光パワーの長手方向の分布は対数表示すると図
13のようになる。
【0039】図13のΔα(パワーの段差)は分岐点に
おける接続損失である。この分岐光線路の測定に従来か
らのOTDR法をそのまま適用すると、総ての光分岐線
路D1〜Dnからの後方散乱光が集合されてOTDRに受
信されるので、個々の光分岐線路D1〜Dnを個別に測定
することができない。
【0040】個々の線路を測定するためには、図14に
示すように、分岐素子600によって複数本の光分岐線
路D1〜D4に分岐された分岐光線路100のうち、分岐
されていない方の一端300に上記実施の形態に係る波
長可変光源1を接続する。OTDR装置200の受光部
(光検出器)500は戻り光が検出できるようにWDM
等の光カプラ201を介して被測定系に接続される。光
分岐線路D1〜D4のそれぞれには、一つの波長は通過す
るが、他の波長は阻止するバンド・パス・フィルタ70
0が配置される。
【0041】本OTDR装置において、波長可変光源1
が図15(a)に示すように波長の異なる光λ1〜λ4
順次発振すると、光分岐線路D1〜D4にはバンド・パス
・フィルタ700によって図15(b)〜(e)に示す
ような異なる波長の光λ1〜λ4が送り込まれ、波長の異
なる散乱光はOTDR200の受光処理部(光検出器)
500によって波長ごとに検出される。散乱光の波長を
光分岐線路D1〜D4と対応することによって、長手方向
の損失分布を独立に測定することができる。分岐素子6
00はスターカプラ等であり、これにバンド・パス・フ
ィルタ700を組み合わせたものは、誘電体干渉膜を複
数有して透過波長選択性を有するWDMと同様の機能を
有する。
【0042】すなわち、波長可変光源1は異なる波長λ
1〜λ4の光を異なる時間に出射する。光導波路としての
光ファイバ300内を通過した光は分岐素子600を通
過することによってパワー分配され、異なる透過波長帯
域を有するバンド・パス・フィルタ700に入力され
る。したがって、各光ファイバ線路D1〜D4内には異な
る波長λ1〜λ4の光が入力される。光源1から先の各光
ファイバ線路D1〜D4を含む被測定系からはそれぞれの
位置に応じて後方散乱光が光源1方向に戻ってくる。こ
の後方散乱光は光カプラ201を介して光検出器500
で検出され、コントローラ501に入力される。コント
ローラ501は後方散乱光強度を戻り時間、すなわち距
離の関数としてグラフ化して表示器502上に表示す
る。
【0043】図16は、上記波長可変光源1として最適
なものの斜視図である。本波長可変光源1は、図7に示
したものの詳細図である。ベース基板SB1上には設置
台SB2が固定されており、光ファイバ32−1〜32
−4は、設置台SB2の表面に形成されたV溝SB’内
に配置され、押え板Ppによって設置台SB2に押し付
けられている。各光ファイバの回折格子21−1〜21
−4の下部には物理量可変手段としての加熱器HRが配
置されており、加熱器HRによって回折格子21−1〜
21−4を加熱するとその温度が変化し、反射波長が可
変する。また、光ファイバ31,34は、支持部材12
−4上に一端が固定されたカンチレバー形状の弾性体1
2−1,14−1の開口内を斜めに横切っており、弾性
体12−1,14−1の弾性力によって先端部がV溝S
B’内に押し付けられている。弾性体12−1,14−
1とベース基板SB1との間には、リフトバー12−2
が配置されており、リフトバー12−2の両端部を支持
する上下移動機構12−3(一方は図示せず)によっ
て、リフトバー12−2を上昇させると、弾性体12−
1及び14−1が上方向に湾曲し、光ファイバ31及び
34が共にV溝SB’から離れる。
【0044】この時、支持部材12−4に固定された支
持棒12−5を、水平移動機構12−6によってV溝S
B’の長手方向と直交する方向に移動させると、ファイ
バ31,34が移動し、所望の移動を行った後、再びリ
フトバー12−2を下げて別のV溝SB’内にファイバ
31,34を配置させ、スイッチングを終了する。な
お、水平移動機構12−6としては種々の構成が考えら
れるが、ここではステッピングモータ12−7の回転駆
動力を歯車12−8,12−9を介してウオーム歯車1
2−10に伝達し、ウオーム歯車12−10によって当
該回転運動を支持棒12−5の水平移動に変換し、支持
棒12−5を水平に移動させる。なお、支持棒12−5
の端部には歯面が形成されており、ウオーム歯車12−
10と噛合している。
【0045】この波長可変光源1を図14に示したOT
DR装置200に適用した場合、コントローラ501
は、スイッチングにおいて上記の如く移動機構12−
3,12−6を制御する。さらに、コントローラ(制御
手段)501は、加熱器HRを制御して光導波路型回折
格子21−1〜21−4の反射波長を可変にする。すな
わち、分岐素子600、700は温度特性を有するた
め、この透過波長が温度によって変化し、これより先の
地点からの後方散乱光が十分に検出できない場合があ
る。そこで、本実施の形態に係るOTDR装置では、光
検出器500で検出される被測定系の特定位置、すなわ
ち分岐素子600,700の位置より先の位置からの後
方散乱光の強度が所定値よりも低下した場合に、物理量
可変手段としての加熱器HRを制御して光導波路型回折
格子21−1〜21−4の反射波長を可変にする。
【0046】換言すれば、図17に示すように、特定位
置Xに例えば分岐素子600,700があると、後方散
乱光強度はこの位置Xにおいて低下する。この位置Xよ
りも先の位置からの後方散乱光強度は分岐素子600,
700のある位置Xの後方散乱光強度よりも小さいが、
分岐素子600,700の透過波長特性が温度によって
大きく設計値よりもずれると、光が十分に透過しないた
め、この位置Xよりも先の位置からの後方散乱光強度は
顕著に低下し、所定値を下回る(図中点線で示す)。こ
のような場合に、コントローラ501は物理量可変手段
HRを制御し、波長可変光源1から出力される光の波長
を若干変化させて、その光が分岐素子600,700を
効率的に通過するようにする。すなわち、コントローラ
501は、被測定系内の所定位置Xからの後方散乱光強
度が最大となるように物理量可変手段HRを制御する。
なお、物理量可変手段HRとしては圧電素子等の圧力印
可手段を変わりに用いることができる。さらに、コント
ローラ501は位置Xよりも先の位置からの後方散乱光
強度は顕著に低下し、所定値を下回った場合に、物理量
可変手段HRを制御して回折格子の反射波長を可変にす
るが、反射波長を可変にしても所定位置Xからの後方散
乱光強度が増加しない場合には、分岐素子600,70
0に異常有りと判断し、その旨を表示器502に表示す
る。
【0047】以上、説明の通り、上記実施の形態に係る
波長可変光源は、光導波路型回折格子を並列に配置し、
これを光スイッチ等で切替えるので、安価で簡単な構成
で所定波長の光を可変することができる。また、上記実
施の形態に係る波長可変光源はWDM通信用の光源とし
ても有効である。さらに、上記実施の形態に係る波長可
変光源の回折格子の反射波長を制御することによって、
被測定系内の特定位置の温度変化量を後方散乱光から測
定することができるので、通信光等の監視光以外の光の
フィードバックを行うこともできる。
【0048】
【発明の効果】本発明は、光導波路型回折格子を並列に
配置し、これを光スイッチ等で切替えながら所定波長の
光を発振する構成を採っているので、安価で簡単な構成
の波長可変光源が得られる。
【0049】また、発振波長およびその帯域は光導波路
型回折格子の反射波長によって決定されると共に、半導
体発光素子と光導波路型回折格子との光学的長さによっ
ても制御できるので、発振波長帯域の微調整が可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係わる波長可変光源の構成を示す
図である。
【図2】本実施形態の波長可変光源における共振器の構
成を示す図である。
【図3】図1に示す波長可変光源における出力波長の関
係を示す図である。
【図4】本実施形態に係わる波長可変光源の構成を示す
図である。
【図5】図4に示す波長可変光源における出力波長の関
係を示す図である。
【図6】本実施形態に係わる波長可変光源の他の構成を
示す図である。
【図7】本実施形態に係わる波長可変光源の他の構成を
示す図である。
【図8】本実施形態に係わる波長可変光源の他の構成を
示す図である。
【図9】図8に示す波長可変光源における出力波長の関
係を示す図である。
【図10】実施例に係わる波長可変光源の各部の出力波
形を示す図である。
【図11】分岐光線路の説明図である。
【図12】光線路の損失分布測定システムを説明する図
である。
【図13】図12の測定システムで測定された測定パワ
ーと距離の関係を示す図である。
【図14】波長可変光源とその光源が適用されたシステ
ムの全体図である。
【図15】図14に示す波長可変光源の出力波長および
分岐光線路に透過される波長の関係を示す図である。
【図16】波長可変光源の斜視図である。
【図17】後方散乱光強度(I)の距離(L)依存性を
示すグラフである。
【符号の説明】
1・・・波長可変光源、11・・・半導体発光素子、12・・・
第1光スイッチ、13・・・集光器、14・・・第2光スイッ
チ、21・・・光導波路型回折格子、31・・・第1光導波
路、32・・・第2光導波路、33・・光導波路、34・・・第
3光導波路、40・・・共振器、50・・・光フィルタ、60
・・・移動方向を示す矢印、81、82・・・可動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01M 11/00 G01M 11/02 G02B 6/122 G02B 26/00 H01S 3/18

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の所定波長の光を出射することが可
    能な半導体発光素子と、前記半導体発光素子に光学的に
    結合した第1光導波路と、反射波長の異なる光導波路型
    回折格子が形成された複数の第2光導波路と、前記第1
    光導波路の出力端と複数の前記第2光導波路の入力端と
    を選択的に光学的に結合させる第1光スイッチと、複数
    の前記第2光導波路の複数の出力端と次段の光導波路の
    入力端とを光学的に結合する集光器とを備えることを特
    徴とする波長可変光源。
  2. 【請求項2】 複数の所定波長の光を出射することが可
    能な半導体発光素子と、前記半導体発光素子に光学的に
    結合した第1光導波路と、反射波長の異なる光導波路型
    回折格子が形成された複数の第2光導波路と、前記第1
    光導波路の出力端と複数の前記第2光導波路の入力端と
    を選択的に光学的に結合させる第1光スイッチと、複数
    の前記第2光導波路の複数の出力端と次段の光導波路の
    入力端とを選択的に光学的に結合させる第2光スイッチ
    とを備えることを特徴とする波長可変光源。
  3. 【請求項3】 前記半導体発光素子から前記第1光スイ
    ッチによって選択された前記第2光導波路の前記光導波
    路型回折格子に至る経路は、選択された前記光導波路型
    回折格子によって反射される波長の光を発振する共振器
    を構成し、前記共振器の光学的長さは700mm以下で
    あることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長可変
    光源。
  4. 【請求項4】 前記共振器の光学的長さは300mm以
    下であることを特徴とする請求項3に記載の波長可変光
    源。
  5. 【請求項5】 前記集光器は、合波器あるいは光カプラ
    を組み合わせて形成されることを特徴とする請求項1に
    記載の波長可変光源。
  6. 【請求項6】 前記半導体発光素子は波長領域の異なる
    複数の半導体発光素子を併置して形成されることを特徴
    とする請求項1又は2に記載の波長可変光源。
  7. 【請求項7】 前記第1光導波路および前記次段の光導
    波路は固定され、前記第2光導波路が同一の可動機構に
    搭載されたことを特徴とする請求項2に記載の波長可変
    光源。
  8. 【請求項8】 前記第2光導波路は固定され、前記第1
    光導波路および前記次段の光導波路が同一の可動機構に
    搭載されたことを特徴とする請求項2に記載の波長可変
    光源。
  9. 【請求項9】 前記第2光導波路のそれぞれに設けられ
    た前記光導波路型回折格子の出力側に、該光導波路型回
    折格子が反射する波長領域より狭い波長領域の光を透過
    するバンドパスフィルタを配置したことを特徴とする請
    求項1又は2に記載の波長可変光源。
  10. 【請求項10】 前記光導波路型回折格子の物理量を変
    化させて前記光導波路型回折格子の反射波長を可変する
    物理量可変手段を有することを特徴とする請求項1又は
    2に記載の波長可変光源。
  11. 【請求項11】 請求項1又は2に記載の波長可変光源
    と、前記波長可変光源から出力された光を被測定系に入
    力し、前記被測定系からの後方散乱光を検出する光検出
    器とを備えることを特徴とするOTDR装置。
  12. 【請求項12】 請求項10に記載の波長可変光源と、
    前記波長可変光源から出力された光を被測定系に入力
    し、前記被測定系からの後方散乱光を検出する光検出器
    と、前記光検出器で検出される前記被測定系の特定位置
    より先の位置からの後方散乱光の強度が所定値よりも低
    下した場合に、前記物理量可変手段を制御して前記光導
    波路型回折格子の反射波長を可変する制御手段を備える
    ことを特徴とするOTDR装置。
  13. 【請求項13】 前記制御手段は、前記被測定系内の所
    定位置からの後方散乱光強度が最大となるように前記物
    理量可変手段を制御することを特徴とする請求項12に
    記載のOTDR装置。
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